JP2015167305A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる圧電デバイスを提供する。【解決手段】圧電デバイス１００は、振動部１２４、振動部の周囲を囲み第１主面及び第２主面を有する枠部１２２、一対の励振電極１２８、及び一対の引出電極１３０を有する圧電振動片１２０と、枠部の第２主面に接合する第３主面及び実装端子１４２を有する第４主面を有するベース１４０と、を備える。ベースには一対の切欠き部１４８が形成され、枠部の第２主面は切欠き部に露出する露出領域を有し、引出電極が第２主面の外周を含まない露出領域まで引き出される。切欠き部の側面及び露出領域には、実装端子及び引出電極に接続し露出領域に形成される引出電極の全てを覆う切欠き部電極１４４が形成される。引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成され、切欠き部電極は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まない層を有する。【選択図】図２

Description

本発明は圧電デバイスに関する。特に、ハンダの浸食を抑制できる圧電デバイスに関する。

携帯電話やパーソナルコンピュータなどの様々な電子機器には、主に周波数の選択や制御のために圧電デバイスが広く使われている。圧電デバイスは機能によって圧電振動子、圧電発振器、ＳＡＷデバイスや光学デバイス等に分類できる。そして、圧電素子に水晶を用いた水晶振動子や水晶発振器等が広く知られており、一般的に使われている。

ここで水晶振動子として、例えば、特許文献１では次のようなものが開示されている。まず、両主面に励振電極が形成された振動部と、振動部と接続して、当該振動部の周囲を囲む枠部がある。枠部には板状のベースが接合する。ベースの側面には切欠き部が形成され、ベースの裏面（枠部と接合する面の反対面）には実装端子が形成される。ここで、励振電極からは、枠部まで伸びるように引出電極が形成される。引出電極は、ベースの切欠き部に対向する領域まで伸びる。そして、実装端子は、切欠き部の側面に形成された電極を経由して引出電極に導通する。

特開２０１３−０１７１６３号公報

しかし、当該水晶振動子が、ハンダによってプリント基板に実装された場合、ハンダが引出電極を浸食して励振電極まで到達するおそれがあった。特に、電子機器の製造のために、当該水晶振動子を実装した基板が複数回加熱されることにより、ハンダを構成する金属材料が引出電極を構成する金属材料と親和性がよいために、ハンダを構成する金属材料が励振電極まで拡散することがあるという問題があった。励振電極までハンダを構成する金属材料が拡散すると、水晶振動子が所定の周波数で振動できなくなる。

以上のような事情に鑑みて、本発明は圧電デバイスをハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる圧電デバイスの提供を目的とする。

第１観点の圧電デバイスは、圧電材料からなり、第１主面及び第２主面を含む振動部、振動部の周囲を囲み第１主面及び第２主面を有する枠部、振動部と枠部とを接続する接続部、第１主面及び第２主面に形成された一対の励振電極、及び励振電極と接続して枠部まで引き出される一対の引出電極を有する圧電振動片と、枠部の第２主面に接合材で接合する第３主面及び第３主面の反対面で実装端子を有する第４主面を有するベースと、を備える。ベースには、第３主面と第４主面とにつながる側面を含み、ベースの一部が切り取られるように一対の切欠き部が形成される。また、枠部の第２主面は圧電振動片とベースとが接合した際に切欠き部によって露出する露出領域を有し、引出電極が第２主面の外周を含まない露出領域まで引き出される。切欠き部の側面及び露出領域には、実装端子及び引出電極に接続し、複数の層により形成され、第２主面の露出領域に形成される引出電極の全てを覆う切欠き部電極が形成される。引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される。切欠き部電極は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まない層を有する。

第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、引出電極が圧電材料の表面に形成されるクロム（Ｃｒ）層と、クロム（Ｃｒ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層と、により形成される。

第３観点の圧電デバイスは、第１観点及び第２観点において、実装端子及び切欠き部電極が、最下層に形成され実装端子から露出領域の全てに形成される第１クロム（Ｃｒ）層と、第１クロム（Ｃｒ）層の表面であり、実装端子から露出領域の全て又は露出領域に形成される引出電極の全てに形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面であり、実装端子から露出領域の全て、露出領域に形成される引出電極の全て、又は第４主面のみに形成される第１金（Ａｕ）層と、を含んで一体的に形成される。

第４観点の圧電デバイスは、第３観点において、実装端子及び切欠き部電極が、第１金（Ａｕ）層の表面を含み、実装端子から露出領域の全領域にまで形成されるニッケル（Ｎｉ）層又は第２クロム（Ｃｒ）層と、ニッケル（Ｎｉ）層又は第２クロム（Ｃｒ）層の表面であり、実装端子から露出領域の全て、露出領域に形成される引出電極の全て、又は第４主面のみに形成される領域に形成される第２金（Ａｕ）層と、により形成される。

本発明の圧電デバイスによれば、圧電デバイスをハンダで基板に実装した場合に、ハンダが励振電極まで浸食することを回避できる。

圧電デバイス１００の分解斜視図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 （ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。 （ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。 ベース１４０の下面図である。 圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。 図５の点線１８１の拡大図である。 圧電デバイス２００の部分断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の全体構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は外形が直方体状の圧電振動子である。圧電デバイス１００は図１に示される通り、ベース１４０と、圧電振動片１２０と、リッド１１０とが積層された構成になっている。圧電振動片１２０には、例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００において、圧電デバイス１００の長手方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ軸方向及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。

圧電振動片１２０は、中央に矩形状の振動部１２４が設けられる。振動部１２４の外側には、振動部１２４と離間して振動部１２４を囲む枠部１２２が設けられる。振動部１２４と枠部１２２とは、振動部１２４の−Ｘ軸側から−Ｘ軸方向に伸びて枠部１２２に到達する接続部１２６によって、接続される。

振動部１２４の両主面である＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には、図１に示される通り、互いに対向する励振電極１２８が形成される。また、各励振電極１２８からは、接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。

ベース１４０は平板状に形成され、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に接合される。ベース１４０は振動部１２４に対向するように配置される。ベース１４０はガラス又は水晶等を基材として形成される。また、ベース１４０の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には、ベース１４０の角が切り取られるように形成される切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０の切欠き部１４８及び−Ｙ’軸側の面には、それぞれ切欠き部電極１４４及び実装端子１４２（図２参照）が形成される。

リッド１１０は平板状に形成され、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面に接合される。リッド１１０は振動部１２４に対向するように配置される。リッド１１０はガラス又は水晶等で形成される。

図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。リッド１１０と枠部１２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５１で接合される。また、ベース１４０と枠部１２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５０で接合される。こうして振動部１２４は、リッド１１０、枠部１２２、及びベース１４０で囲まれた空間に密閉封入される。また、振動部１２４は、圧電デバイス１００の周波数を調整するため、及び振動部１２４がリッド１１０及びベース１４０に接触しないように枠部１２２よりも薄く形成される。

ベース１４０の−Ｙ’軸側の面には一対の実装端子１４２が形成される。また、切欠き部１４８の側面には切欠き部電極１４４が形成されている。実装端子１４２の一方はベース１４０の＋Ｘ軸側に形成され、実装端子１４２の他方はベース１４０の−Ｘ軸側に形成される。それぞれの実装端子１４２は切欠き部１４８まで伸びて切欠き部電極１４４に接続される。切欠き部電極１４４は、切欠き部１４８の側面からさらに枠部１２２の−Ｙ’軸側の面の切欠き部１４８に露出する露出領域１７０（図３（ｂ）、図５参照）に伸びて引出電極１３０に接続されている。これにより、実装端子１４２は励振電極１２８に電気的に接続される。

図３（ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。振動部１２４と枠部１２２との間には圧電振動片１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３２が形成されている。また、振動部１２４と枠部１２２とは接続部１２６を介して接続されている。振動部１２４には励振電極１２８が形成されており、励振電極１２８からは接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。振動部１２４の＋Ｙ’軸側の面に形成される励振電極１２８から引き出される引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。

図３（ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。振動部１２４の−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８から引き出されている引出電極１３０は、−Ｙ’軸側の面の励振電極１２８から−Ｘ軸方向に伸び、枠部１２２の−Ｘ軸側及び−Ｚ’軸側の部分を通って、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって−Ｚ’軸側かつ＋Ｘ軸側の角部付近まで伸びる。

また、＋Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８から引き出される引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。−Ｙ’軸側の面に引き出された引出電極１３０は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、＋Ｚ’軸側かつ−Ｘ軸側の角部付近まで伸びる。

枠部１２２の−Ｙ’軸側の面の一部は、枠部１２２がベース１４０に接合される場合に、ベース１４０の切欠き部１４８に露出する。図３（ｂ）では、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面の切欠き部１４８に露出する領域である露出領域１７０が点線で示されている。枠部１２２に形成される各引出電極１３０は、この露出領域１７０にまで引き出されている。また、各引出電極１３０は、露出領域１７０内では、枠部１２２の外周を含まないように形成されている。

図４は、ベース１４０の下面図である。ベース１４０は、主面が略長方形に形成されており、−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ実装端子１４２が形成されている。また、切欠き部１４８の側面には切欠き部電極１４４が形成される。切欠き部１４８のＸＺ’平面の大きさは、Ｚ’軸方向の長さをＬ２とし、Ｘ方向の長さをＬ１としたとき、Ｌ１が例えば０．０８ｍｍであり、Ｌ２が例えば０．４ｍｍである。

＜圧電デバイス１００の電極＞
図５は、圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。図５では、図２の点線１８０で囲まれた領域が示されている。また、図５では、圧電デバイス１００が基板１６０に載置された状態の断面図として示されている。以下に、図５を参照して引出電極１３０、及び、引出電極１３０と実装端子１４２との導通について説明する。

圧電デバイス１００は、例えば基板１６０に実装されることにより用いられる。この場合、圧電デバイス１００の実装端子１４２は、基板１６０上に形成される基板電極１６１にハンダ１５２を介して接合され、電気的に接続される。また、図５に示されるように、ハンダ１５２の濡れ性によってハンダ１５２が切欠き電極１４４を＋Ｙ’軸方向に上ることにより、切欠き部１４８の少なくとも一部にハンダ１５２が入り込む。

実装端子１４２は、ベース１４０の基材上に形成される第１実装膜１４２Ａと第１実装膜１４２Ａの表面に形成される第２実装膜１４２Ｂとの２層で形成される。また、切欠き部電極１４４は、ベース１４０の基材上に形成される第１基膜１４４Ａと、第１基膜１４４Ａの表面に形成される第２基膜１４４Ｂと、により形成されている。第１実装膜１４２Ａと第１基膜１４４Ａとは同じ膜の積層構造により一体的に形成されており、第２実装膜１４２Ｂと第２基膜１４４Ｂとが同じ膜の積層構造により一体的に形成されている。

第１実装膜１４２Ａ及び第１基膜１４４Ａは、スパッタ又は蒸着などで形成される膜である。第２実装膜１４２Ｂ及び第２基膜１４４Ｂは、無電解メッキで形成される膜である。第２実装膜１４２Ｂ及び第２基膜１４４Ｂは、第１実装膜１４２Ａ及び第１基膜１４４Ａよりも厚く形成される。これにより、実装端子１４２及び切欠き部電極１４４の全体が厚く形成されるため、切欠き部電極１４４の引出電極１３０に接触する領域から実装端子１４２に至るまでの断線が防止され、導通が確保される。

図６は、図５の点線１８１の拡大図である。第１基膜１４４Ａは、さらに３層からなる。第１基膜１４４Ａのベース１４０の基材に接する層である第１層１９３Ａは、例えばクロム（Ｃｒ）層として形成される。当該第１層１９３Ａの表面に形成される第２層１９３Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層として形成される。当該第２層１９３Ｂの表面に形成される第３層１９３Ｃは、金（Ａｕ）層として形成される。第１実装膜１４２Ａは第１基膜１４４Ａと一体的に形成されるため、第１実装膜１４２Ａも第１基膜１４４Ｃと同様に第１層１９３Ａ、第２層１９３Ｂ、及び第３層１９３Ｃにより形成される。

第１基膜１４４Ａ及び第１実装膜１４２Ａの第１層１９３Ａは、実装端子１４２が形成される領域から露出領域１７０の全体にまで形成されている。また、第１層１９３Ａの表面に形成される第２層１９３Ｂは、実装端子１４２が形成される領域から露出領域１７０に形成される引出電極１３０の全体に重なる領域にまで形成されている。さらに、第３層１９３Ｃは、実装端子１４２が形成される領域から露出領域１７０に形成される引出電極１３０の全体に重なる領域にまで形成されている。

また、第２基膜１４４Ｂは２層からなる。第１基膜１４４Ａの表面に接するように形成される層である第２基膜１４４Ｂの第１層１９４Ａは、ニッケル（Ｎｉ）層として形成される。当該第１層１９４Ａの表面に形成される第２層１９４Ｂは金（Ａｕ）層として形成される。第２実装膜１４２Ｂは第２基膜１４４Ｂと一体的に形成されるため、第２実装膜１４２Ｂも第２基膜１４４Ｂと同様に第１層１９４Ａ及び第２層１９４Ｂにより形成される。実装端子１４２では、第２層１９４Ｂが最表面に露出される。

第２基膜１４４Ｂ及び第２実装膜１４２Ｂの第１層１９４Ａは、実装端子１４２が形成される領域から露出領域１７０の全体にまで形成されている。また、第１層１９４Ａの表面に形成される第２層１９４Ｂは、実装端子１４２が形成される領域から露出領域１７０に形成される引出電極１３０の全体に重なる領域にまで形成されている。

引出電極１３０は、２つの層からなる。圧電振動片１２０の基材である水晶の表面には、第１層１９１Ａとしてクロム（Ｃｒ）層が形成される。当該第１層１９１Ａの表面に形成される第２層１９１Ｂは、金（Ａｕ）層として形成される。なお、第２層１９１Ｂでは、金（Ａｕ）層が形成されたが、金（Ａｕ）層の代わりに銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及びパラジウム（Ｐｄ）の合金により形成されても良い。

また、励振電極１２８も、引出電極１３０と同様の２つの層により形成される。すなわち、第１層１９１Ａのクロム（Ｃｒ）層及び第２層１９１Ｂの金（Ａｕ）層により形成される。

＜圧電デバイス１００の基板１６０への実装方法＞
圧電デバイス１００は、図５に示されるように、基板１６０に実装されることにより用いられる。このような実装は次のようにして行われる。まず、基板電極１６１が形成された基板１６０を用意する。次に、基板電極１６１の表面にハンダ１５２のペーストを塗布する。次に、ハンダ１５２のペースト上に実装端子１４２が接触するように基板１６０に圧電デバイス１００を載置する。次に、少なくともハンダ１５２のペーストを加熱して溶融させることにより、圧電デバイス１００が基板１６０に接合される。ハンダ１５２のペーストが加熱された際、ハンダ１５２は、図５に示される通り、切欠き部電極１４４の表面を這い上がる。

ここで、ハンダは鉛（Ｐｂ）及びスズ（Ｓｎ）を主成分とした合金であり、ハンダの主成分であるスズ（Ｓｎ）は、金（Ａｕ）と合金を形成しやすい性質があることが知られている。よって、スズ（Ｓｎ）と金（Ａｕ）とが接触した状態で加熱されると、スズ（Ｓｎ）は金（Ａｕ）を浸食していく。そのため、引出電極１３０の第２層１９１Ｂが圧電デバイス１００の外側に露出してハンダ１５２に接触する場合には、ハンダ１５２が第３層１９１Ｂを構成する金（Ａｕ）を浸食して励振電極１２８の方向に進み、励振電極１２８を浸食する。

従来の圧電デバイスでは、このようにハンダのスズ（Ｓｎ）が引出電極に含まれる金（Ａｕ）を介して圧電振動片の励振電極に到達し、励振電極をも浸食することで圧電振動片の周波数をずらし、又は圧電振動片の発振を妨げる場合があった。

圧電デバイス１００では、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成される引出電極１３０が枠部１２２の外周を含まないように露出領域１７０に形成され、露出領域１７０に形成される引出電極１３０の全体を覆うように金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まない層を有する切欠き部電極１４４が形成されることで、引出電極１３０が切欠き部１４８に露出しないように形成されている。これにより、ハンダ１５２と引出電極１３０の第２層１９１Ｂとが互いに接触することが防がれ、引出電極１３０及び励振電極１２８がハンダ１５２に浸食されることが防がれている。

（第２実施形態）
圧電デバイスでは、切欠き部電極の構成を圧電デバイス１００とは異なる構成に形成することができる。以下に、圧電デバイス１００とは異なる切欠き部電極が形成された圧電デバイス２００について説明する。なお、以下の説明において、第１実施形態と同じ部分に関しては第１実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。

＜圧電デバイス２００の構成＞
図７は、圧電デバイス２００の部分断面図である。図７は、図６に示された圧電デバイス１００と同様の部分が示されている。圧電デバイス２００は、ベース２４０と、圧電振動片１２０と、リッド１１０とが積層された構成になっている。ベース２４０は、圧電デバイス１００のベース１４０と同じ形状に形成されるが、切欠き部電極の構成のみが異なっている。

ベース２４０の−Ｙ’軸側の面に形成される実装端子は圧電デバイス１００と同じ実装端子１４２である。また、切欠き部電極２４４は、第１基膜２４４Ａ及び第２基膜２４４Ｂから成る。スパッタ又は蒸着などで形成される膜である第１基膜２４４Ａは、第１層１９３Ａ及び第２層１９３Ｂにより構成される。また、無電解メッキで形成される膜である第２基膜２４４Ｂは、第１層１９４Ａにより形成される。

圧電デバイス２００は、金（Ａｕ）で形成される第３層１９２Ｃ及び第２層１９４Ｂが実装端子１４２の領域のみに形成されている点で圧電デバイス１００とは異なっている。実装端子１４２の最表面には金（Ａｕ）で形成される第２層１９４Ｂが形成されるため、ハンダ１５２は第２層１９４Ｂに結合して圧電デバイス２００を強く保持することができ、基板電極１６１及び実装端子１４２の導通を確保することができる。また、圧電デバイス２００では、切欠き部電極２４４の最表面にニッケル（Ｎｉ）層として形成される第１層１９４Ａが配置される。ハンダ１５２はニッケル（Ｎｉ）に対して濡れ性が悪いため、ハンダ１５２は切欠き部電極２４４の表面を＋Ｙ’軸方向に這い上がらない。実際には、図７に示されるように、ハンダ１５２が行き場を失って切欠き部電極２４４の表面の一部に接触する場合があるが、ハンダ１５２と最表面膜１４４Ｂとは接触しているだけであり、切欠き部電極２４４の表面がハンダ１５２と濡れ性の悪い材料により形成されるため、ハンダ１５２は切欠き部電極２４４を浸食しない。これにより、圧電デバイス２００では、ハンダ１５２と引出電極１３０との距離を離すように形成することができる。引出電極１３０は切欠き部電極２４４により覆われることによりハンダ１５２から守られているものの、ハンダ１５２と引出電極１３０との距離を話すように形成することによりハンダ１５２が浸食される可能性をさらに低減させることができる。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。また、各実施形態の特徴を様々に組み合わせて実施することができる。

例えば、切欠き部電極の第２基膜の第１層１９４Ａは、ニッケル（Ｎｉ）により形成されていたが、クロム（Ｃｒ）により形成されても良い。また、引出電極１３０の第２層１９１Ｂは金（Ａｕ）により形成されたが、金（Ａｕ）の代わりに銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、及びパラジウム（Ｐｄ）の合金が用いられてもよい。さらに、引出電極１３０は２つの層により形成されたが、第１層１９１Ａと第２層１９１Ｂとの間にニッケルタングステン（ＮｉＷ）層を形成することによって３つの層により形成されても良い。

また、第１基膜の第２層１９３Ｂ、第１基膜の第３層１９３Ｃ、及び第２基膜の第２層１９４Ｂは、第１基膜の第１層１９３Ａと同様に、実装端子１４２が形成される領域から露出領域１７０の全体にまで形成されても良い。

また、上記の実施形態では、振動部は矩形であってが、音叉型、楕円形、円形など他の形状であってもよい。また、圧電振動片はＡＴカットの水晶であったが、Ｚカット又はＢＴカットなどの水晶を用いてもよい。また、圧電デバイス１００、２００は水晶振動子であったが、発振回路を備えたＩＣを搭載した圧電発振器であってもよい。また、圧電振動片１２０、２２０は水晶で形成されたが、水晶以外の圧電材料、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム又は圧電セラミックを用いてもよい。

１００ … 圧電デバイス
１１０ … リッド
１２０ … 圧電振動片
１２２ … 枠部
１２４ … 振動部
１２６ … 接続部
１２８ … 励振電極
１３０ … 引出電極
１３２ … 貫通溝
１３４ … 貫通溝の側面
１４０ … ベース
１４２ … 実装端子
１４２Ａ … 第１実装膜
１４２Ｂ … 第２実装膜
１４４ … 切欠き部電極
１４４Ａ … 第１基膜
１４４Ｂ … 第２基膜
１４８ … 切欠き部
１５０、１５１ … 接合材
１５２ … ハンダ
１６０ … 基板
１６１ … 基板電極
１７０ … 露出領域
１９１Ａ … 引出電極の第１層
１９１Ｂ … 引出電極の第２層
１９３Ａ … 第１基膜又は第１実装膜の第１層
１９３Ｂ … 第１基膜又は第１実装膜の第２層
１９３Ｃ … 第１基膜又は第１実装膜の第３層
１９４Ａ … 第２基膜又は第２実装膜の第１層
１９４Ｂ … 第２基膜又は第２実装膜の第２層

Claims (4)

1. 圧電材料からなり、第１主面及び第２主面を含む振動部と、前記振動部の周囲を囲み前記第１主面及び前記第２主面を有する枠部と、前記振動部と前記枠部とを接続する接続部と、前記第１主面及び前記第２主面に形成された一対の励振電極と、前記励振電極と接続して前記枠部まで引き出される一対の引出電極と、を有する圧電振動片と、
   前記枠部の前記第２主面に接合材で接合する第３主面と、前記第３主面の反対面で実装端子を有する第４主面と、を有するベースと、を備え、
   前記ベースには、前記第３主面と前記第４主面とにつながる側面を含み、前記ベースの一部が切り取られるように一対の切欠き部が形成され、
   前記枠部の前記第２主面は、前記圧電振動片と前記ベースとが接合した際に、前記切欠き部によって露出する露出領域を有し、
   前記引出電極は、前記第２主面の外周を含まない前記露出領域まで引き出され、
   前記切欠き部の側面及び前記露出領域には、前記実装端子及び前記引出電極に接続し、複数の層により形成され、前記第２主面の前記露出領域に形成される前記引出電極の全てを覆う切欠き部電極が形成され、
   前記引出電極は金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）の少なくとも一方を含んで形成され、前記切欠き部電極は金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）を含まない層を有する圧電デバイス。
2. 前記引出電極は、前記圧電材料の表面に形成されるクロム（Ｃｒ）層と、前記クロム（Ｃｒ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層と、により形成される請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記実装端子及び前記切欠き部電極は、
   最下層に形成され前記実装端子から前記露出領域の全てに形成される第１クロム（Ｃｒ）層と、
   前記第１クロム（Ｃｒ）層の表面であり、前記実装端子から前記露出領域の全て又は前記露出領域に形成される前記引出電極の全てに形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、
   前記ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面であり、前記実装端子から前記露出領域の全て、前記露出領域に形成される前記引出電極の全て、又は前記第４主面のみに形成される第１金（Ａｕ）層と、
   を含んで一体的に形成される請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
4. 前記実装端子及び前記切欠き部電極は、
   前記第１金（Ａｕ）層の表面を含み、前記実装端子から前記露出領域の全領域にまで形成されるニッケル（Ｎｉ）層又は第２クロム（Ｃｒ）層と、
   前記ニッケル（Ｎｉ）層又は前記第２クロム（Ｃｒ）層の表面であり、前記実装端子から前記露出領域の全て、前記露出領域に形成される前記引出電極の全て、又は前記第４主面のみに形成される領域に形成される第２金（Ａｕ）層と、
   により形成される請求項３に記載の圧電デバイス。
   
   

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