JPWO2017212677A1 - 共振装置製造方法 - Google Patents
共振装置製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017212677A1 JPWO2017212677A1 JP2018522306A JP2018522306A JPWO2017212677A1 JP WO2017212677 A1 JPWO2017212677 A1 JP WO2017212677A1 JP 2018522306 A JP2018522306 A JP 2018522306A JP 2018522306 A JP2018522306 A JP 2018522306A JP WO2017212677 A1 JPWO2017212677 A1 JP WO2017212677A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- vibrating arm
- lid
- film
- upper lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 scandium aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
- H03H3/0076—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients
- H03H3/0077—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients by tuning of resonance frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1057—Mounting in enclosures for microelectro-mechanical devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2468—Tuning fork resonators
- H03H9/2478—Single-Ended Tuning Fork resonators
- H03H9/2489—Single-Ended Tuning Fork resonators with more than two fork tines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/026—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the tuning fork type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0492—Resonance frequency during the manufacture of a tuning-fork
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H2009/155—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material using MEMS techniques
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
以下、添付の図面を参照して本発明の一つの実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る共振装置1の外観を概略的に示す斜視図である。また、図2は、本発明の第1実施形態に係る共振装置1の構造を概略的に示す分解斜視図である。
上蓋30はXY平面に沿って設けられる矩形平板状の底板32と、底板32の周縁部からZ軸方向(すなわち、上蓋30と共振子10との積層方向)に延びる側壁33とを有する。上蓋30には、共振子10と対向する面において、底板32の表面と側壁33の内面とによって形成される凹部31が設けられる。凹部31は、共振子10が振動する空間である振動空間の一部を形成する。
下蓋20は、XY平面に沿って設けられる矩形平板状の底板22と、底板22の周縁部からZ軸方向(すなわち、下蓋20と共振子10との積層方向)に延びる側壁23とを有する。下蓋20には、共振子10と対向する面において、底板22の表面と側壁23の内面とによって形成される凹部21が設けられる。凹部21は、共振子10の振動空間の一部を形成する。上述した上蓋30と下蓋20とによって、この振動空間は気密に封止され、真空状態が維持される。この振動空間には、例えば不活性ガス等の気体が充填されてもよい。
図3は、本実施形態に係る、共振子10の構造を概略的に示す平面図である。図3を用いて本実施形態に係る共振子10の、各構成について説明する。共振子10は、振動部120と、保持部140と、保持腕110とを備えている。
振動部120は、図3の直交座標系におけるXY平面に沿って広がる矩形の輪郭を有している。振動部120は、保持部140の内側に設けられており、振動部120と保持部140との間には、所定の間隔で空間が形成されている。図3の例では、振動部120は、基部130と4本の振動腕135A〜135D(まとめて「振動腕135」とも呼ぶ。)とを有している。なお、振動腕の数は、4本に限定されず、例えば1本以上の任意の数に設定される。本実施形態において、各振動腕135と、基部130とは、一体に形成されている。
図3に戻り、共振子10の構成の続きを説明する。
保持部140は、XY平面に沿って矩形の枠状に形成される。保持部140は、平面視において、XY平面に沿って振動部120の外側を囲むように設けられる。なお、保持部140は、振動部120の周囲の少なくとも一部に設けられていればよく、枠状の形状に限定されない。例えば、保持部140は、振動部120を保持し、また、上蓋30及び下蓋20と接合できる程度に、振動部120の周囲に設けられていればよい。
保持腕110は、保持部140の内側に設けられ、基部130の長辺131bと枠体140bとを接続する。なお、この構成に限定されず、例えば、保持腕110は、屈曲部を有する複数(例えば2本)の腕から形成され、基部130の後端131Bと、保持部140の枠体140c、140dとを接続する構成でもよい。
図5を用いて共振装置1の積層構造について説明する。図5は、図1のAA´断面図である。図5に示すように、本実施形態に係る共振装置1では、下蓋20の側壁23上に共振子10の保持部140が接合され、さらに共振子10の保持部140と上蓋30の側壁33とが接合される。このように下蓋20と上蓋30との間に共振子10が保持され、下蓋20と上蓋30と共振子10の保持部140とによって、振動腕135が振動する振動空間が形成される。
り、例えば0.9GPa以下である。
図6A〜図6Hを用いて本実施形態に係る共振装置1の製造方法について説明する。
本実施形態に係る共振子10の製造方法においては、後述する周波数調整工程において、振動腕135を過励振させて、上蓋30または下蓋20に衝突させることにより、振動腕135の一部(例えば圧電薄膜F3、調整膜236、又はSi基板F2等)が削られ、振動腕135の重量が変化する。これによって、共振子10の共振周波数を上昇させることで、共振周波数を所望の値に調整して、共振装置1を製造する。
以上、本発明の実施形態について述べたが、本発明は既述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。
10 共振子
30 上蓋
20 下蓋
140 保持部
140a〜d 枠体
110 保持腕
120 振動部
130 基部
135A〜D 振動腕
F2 Si基板
F21 酸化ケイ素層(温度特性補正層)
235 保護膜
236 調整膜
Claims (5)
- 下蓋を用意する工程と、
基板を、当該基板の下面が前記下蓋と対向するように配置し、前記基板の上面に、第1電極層、圧電膜、第2電極層を順に形成する工程と、
前記第1電極層、前記第2電極層、及び前記圧電膜から、屈曲振動する振動腕を形成し、当該振動腕を有する共振子を形成する工程と、
前記共振子を挟んで、前記下蓋と対向するように、上蓋を配置する工程と、
を含み、
前記上蓋を配置する工程の前又は後において、前記第1電極層と前記第2電極層の間に電圧を印加して、前記振動腕を励振させ、当該振動腕の一部を前記下蓋及び前記上蓋の少なくとも一方に衝突させることによって、前記共振子の周波数を調整する工程をさらに含む、
共振装置製造方法。 - 前記調整する工程は、前記上蓋を配置する工程の後に行い、前記振動腕の一部を前記下蓋及び前記上蓋の少なくとも一方に衝突させることを含む、
請求項1に記載の共振装置製造方法。 - 前記上蓋又は前記下蓋の前記共振子に対向する面のうち、前記振動腕の振動による変位が最大となる位置に対応する領域は、前記振動腕の硬度以上の材料からなる、
請求項2に記載の共振装置製造方法。 - 前記共振子を形成する工程は、
前記第2電極層の表面に、さらに、第1調整膜、及び当該第1調整膜よりエッチングによる質量低減速度の大きい第2調整膜を順に形成する工程と、
前記振動腕における第1領域において、前記第2調整膜を除去して第1調整膜を露出させ、前記振動腕における第1領域以外の領域であって、当該第1領域よりも振動による変位が大きい第2領域において、前記第2調整膜を残存させる工程と、
を含み、
前記調整する工程は、
前記振動腕において、前記第2領域に残された前記第2調整膜を、前記上蓋に衝突させて削る工程を含む、
請求項2又は3に記載の共振装置製造方法。 - 前記調整する工程は、
前記共振子の周波数を測定し、当該周波数が所定の値に到達した場合に、前記第1電極層と前記第2電極層の間に所定の値以上の電圧を印加することを停止する工程を含む、
請求項1乃至4の何れか一項に記載の共振装置製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016114662 | 2016-06-08 | ||
JP2016114662 | 2016-06-08 | ||
PCT/JP2017/002299 WO2017212677A1 (ja) | 2016-06-08 | 2017-01-24 | 共振装置製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017212677A1 true JPWO2017212677A1 (ja) | 2019-03-07 |
JP6641676B2 JP6641676B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=60578444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018522306A Active JP6641676B2 (ja) | 2016-06-08 | 2017-01-24 | 共振装置製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11063568B2 (ja) |
JP (1) | JP6641676B2 (ja) |
CN (1) | CN109155614B (ja) |
WO (1) | WO2017212677A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019124127A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
JP6870779B2 (ja) * | 2018-02-14 | 2021-05-12 | 株式会社村田製作所 | 共振装置及び共振装置製造方法 |
KR20200007545A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 패키지 |
WO2020039627A1 (ja) * | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 株式会社村田製作所 | 共振装置 |
WO2020044634A1 (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社村田製作所 | 共振装置 |
WO2020085188A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 株式会社村田製作所 | 共振装置 |
WO2020194810A1 (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | 共振装置及び共振装置製造方法 |
WO2020213210A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | 株式会社村田製作所 | 共振子及び共振装置 |
JPWO2021117272A1 (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204774A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電共振子の除塵装置 |
JP2012070419A (ja) * | 2000-03-15 | 2012-04-05 | Seiko Epson Corp | 振動子 |
JP2013126104A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | 振動片の製造方法、振動片、振動子、発振器及び電子機器 |
JP2014175809A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Seiko Epson Corp | 振動子、発振器、電子機器および移動体 |
JP2015167305A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4547788B2 (ja) | 2000-03-15 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子のパッケージ構造 |
JP2002319838A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス及びそのパッケージ |
JP4852850B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2012-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、周波数安定化方法、及び圧電振動子の製造方法 |
JP4414987B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2010-02-17 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子及び電子部品 |
JP5100408B2 (ja) * | 2007-01-30 | 2012-12-19 | 日本電波工業株式会社 | 音叉型圧電振動子 |
WO2011043357A1 (ja) | 2009-10-07 | 2011-04-14 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | レーザーの照射方法、及びそれを用いた圧電振動子の周波数調整方法、並びにそれを用いて周波数調整された圧電デバイス |
JP2011259120A (ja) * | 2010-06-08 | 2011-12-22 | Seiko Epson Corp | 振動片、周波数調整方法、振動子、振動デバイス、および電子機器 |
JP2012065304A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-29 | Seiko Epson Corp | 圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法 |
JP2012217148A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
JP6240531B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2017-11-29 | シチズンファインデバイス株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
WO2017090380A1 (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | 株式会社村田製作所 | 共振装置及びその製造方法 |
WO2017208568A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 株式会社村田製作所 | 共振子及び共振装置 |
-
2017
- 2017-01-24 CN CN201780029832.8A patent/CN109155614B/zh active Active
- 2017-01-24 WO PCT/JP2017/002299 patent/WO2017212677A1/ja active Application Filing
- 2017-01-24 JP JP2018522306A patent/JP6641676B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-16 US US16/192,842 patent/US11063568B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204774A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電共振子の除塵装置 |
JP2012070419A (ja) * | 2000-03-15 | 2012-04-05 | Seiko Epson Corp | 振動子 |
JP2013126104A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | 振動片の製造方法、振動片、振動子、発振器及び電子機器 |
JP2014175809A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Seiko Epson Corp | 振動子、発振器、電子機器および移動体 |
JP2015167305A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6641676B2 (ja) | 2020-02-05 |
CN109155614B (zh) | 2022-03-08 |
WO2017212677A1 (ja) | 2017-12-14 |
US11063568B2 (en) | 2021-07-13 |
US20190089321A1 (en) | 2019-03-21 |
CN109155614A (zh) | 2019-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6641676B2 (ja) | 共振装置製造方法 | |
JP6628212B2 (ja) | 共振装置及びその製造方法 | |
JP6768206B2 (ja) | 共振子及び共振装置 | |
JPWO2017208568A1 (ja) | 共振子及び共振装置 | |
JP7099469B2 (ja) | 共振子及び共振装置 | |
US20200112295A1 (en) | Resonator and resonant device | |
US20220029598A1 (en) | Resonance device | |
WO2020039627A1 (ja) | 共振装置 | |
US11909375B2 (en) | Resonance device | |
JP6994164B2 (ja) | 共振子及び共振装置 | |
US20230008378A1 (en) | Resonance device | |
CN109075766B (zh) | 谐振器和谐振装置 | |
US20220182036A1 (en) | Resonance device, collective board, and method of manufacturing resonance device | |
US11597648B2 (en) | MEMS device manufacturing method and mems device | |
US11196407B2 (en) | Resonator and resonant device | |
JP6856127B2 (ja) | 共振子及び共振装置 | |
US20230119602A1 (en) | Resonance device, collective substrate, and resonance device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181108 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6641676 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |