JP2015164231A - ダイボンディング装置、および、ダイボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 コレット
3 ホルダ
4 基板
5 第1の半導体素子
100 ダイボンディング装置
Claims (6)
- 長方形の形状を有する第1の半導体素子を基板にダイボンディングするためのダイボンディング装置であって、
前記基板を上面に載置するステージと、
前記ステージの上面に平行な長方形の断面を有し、前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し、前記第1の半導体素子の上面を前記凸部の表面に吸着するコレットと、
前記コレットの前記凸部が下方を向くように保持し、前記コレットを前記ステージ上の所定の位置で、前記コレットに対して所定の圧力を印加可能なホルダと、を備え、
前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように、前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着し、
前記ステージの上面に載置された前記基板の上面に、接着材を介して、前記第1の半導体素子の下面を対向させ、
前記第1の半導体素子の下面と前記基板の上面とが前記接着材を介して当接した状態で、前記コレットに対して前記ホルダにより上方から印加する圧力を徐々に増加して前記コレットの前記凸部を変形させることにより、前記第1の半導体素子の下面全体が前記接着材を介して前記基板の上面に接着する
ことを特徴とするダイボンディング装置。 - 長方形の形状を有する第1の半導体素子を基板にダイボンディングするためのダイボンディング装置であって、
前記基板を上面に載置するステージと、
前記ステージの上面に平行な長方形の断面を有し、前記断面の対角を結ぶ線分に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し、前記第1の半導体素子の上面を前記凸部の表面に吸着するコレットと、
前記コレットの前記凸部が下方を向くように保持し、前記コレットを前記ステージ上の所定の位置で、前記コレットに対して所定の圧力を印加可能なホルダと、を備え、
前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように、前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着し、
前記ステージの上面に載置された前記基板の上面に、接着材を介して、前記第1の半導体素子の下面を対向させ、
前記第1の半導体素子の下面と前記基板の上面とが前記接着材を介して当接した状態で、前記コレットに対して前記ホルダにより上方から印加する圧力を徐々に増加して前記コレットの前記凸部を変形させることにより、前記第1の半導体素子の下面全体が前記接着材を介して前記基板の上面に接着する
ことを特徴とするダイボンディング装置。 - 前記凸部の段差は、0.020mm〜0.300mmの範囲であり、
前記ホルダに圧力を印加するときのダイボンディング荷重が25N〜40Nの範囲であることを特徴とする請求項1または2に記載のダイボンディング装置。 - 基板を上面に載置するステージと、前記ステージの上面に平行な長方形の断面を有し、長方形の前記断面の長辺に平行な線に沿って延在する凸部を有し、長方形の形状を有する第1の半導体素子を前記凸部の表面に吸着し且つ少なくとも前記凸部が弾性的に変形可能なコレットと、前記コレットの前記凸部が下方を向くように保持し、前記コレットを前記ステージ上の所定の位置で、前記コレットに対して所定の圧力を印加可能なホルダと、を備えるダイボンディング装置を用いたダイボンディング方法であって、
前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように、前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着し、
前記ステージの上面に載置された前記基板の表面に、接着材を介して、前記第1の半導体素子の下面を対向させ、
前記第1の半導体素子の下面と前記基板の上面とが前記接着材を介して当接した状態で、前記コレットに対して前記ホルダにより上方から徐々に印加する圧力を増加して前記コレットの前記凸部を変形させることにより、前記第1の半導体素子の下面全体が前記接着材を介して前記基板の上面に接着する
ことを特徴とするダイボンディング方法。 - 基板を上面に載置するステージと、前記ステージの上面に平行な長方形の断面を有し、長方形の前記断面の対角を結ぶ線分に沿って延在する凸部を有し、長方形の形状を有する第1の半導体素子を前記凸部の表面に吸着し且つ少なくとも前記凸部が弾性的に変形可能なコレットと、前記コレットの前記凸部が下方を向くように保持し、前記コレットを前記ステージ上の所定の位置で、前記コレットに対して所定の圧力を印加可能なホルダと、を備えるダイボンディング装置を用いたダイボンディング方法であって、
前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように、前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着し、
前記ステージの上面に載置された前記基板の表面に、接着材を介して、前記第1の半導体素子の下面を対向させ、
前記第1の半導体素子の下面と前記基板の上面とが前記接着材を介して当接した状態で、前記コレットに対して前記ホルダにより上方から徐々に印加する圧力を増加して前記コレットの前記凸部を変形させることにより、前記第1の半導体素子の下面全体が前記接着材を介して前記基板の上面に接着する
ことを特徴とするダイボンディング方法。 - 前記凸部の段差は、0.020mm〜0.300mmの範囲であり、
前記ホルダに圧力を印加するときのダイボンディング荷重が25N〜40Nの範囲であることを特徴とする請求項4または5に記載のダイボンディング方法。
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JP7377654B2 (ja) | 2019-09-17 | 2023-11-10 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置、剥離ユニット、コレットおよび半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003203964A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-18 | Esec Trading Sa | 半導体チップを実装するためのピックアップツール |
JP2011040744A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体チップ付着装置、及び半導体チップ付着方法 |
JP2011086698A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Canon Machinery Inc | ボンディング装置 |
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