JP2011060999A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来技術を用いつつ、薄化に伴う半導体チップの表裏面の凹凸状態に左右されることなく、基板又はリードフレーム等の搭載部材との密着性を確保できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、主面に形成された半導体素子と、複数の配線が主面上にそれぞれ積層されて形成された第1の配線層2A及び第2の配線層2Bとを有する半導体チップ1Aからなる。第1の配線層2Aは、第2の配線層2Bよりも多くの配線層を有し且つ主面の周縁部に第2の配線層2Bを囲むように形成されている。半導体チップ1Aにおける主面と対向する裏面には、第1の配線層2Aと対向する第1の領域と第2の配線層2Bと対向する第2の領域とからなる段差部2bが形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置は、主面に形成された半導体素子と、複数の配線が主面上にそれぞれ積層されて形成された第1の配線層2A及び第2の配線層2Bとを有する半導体チップ1Aからなる。第1の配線層2Aは、第2の配線層2Bよりも多くの配線層を有し且つ主面の周縁部に第2の配線層2Bを囲むように形成されている。半導体チップ1Aにおける主面と対向する裏面には、第1の配線層2Aと対向する第1の領域と第2の配線層2Bと対向する第2の領域とからなる段差部2bが形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体チップを基板又はリードフレームに実装する半導体装置及びその製造方法に関する。
近年、携帯電話及びデジタルカメラ等の各種電子装置の小型化並びに高機能化の要請が強まっている。この要請を受けて、特に面実装型の電子装置においては、ますます小型化及び薄型化した半導体素子(半導体チップ)及び電子部品用のパッケージが提案されている。
例えば、携帯電話では高機能化により高密度実装技術が進展し、システムLSI(System Large Scale Integration)のみならず、アナログLSIや電子部品でも小型化及び薄型化がめざましい。特に、複数の半導体チップを多層に積層したシステムインパッケージ(SIP)や、ファインピッチのBGA(Ball Grid Array)に用いられる半導体チップにおいては、該半導体チップを薄くスライスすることにより、パッケージ全体の厚さを薄くする手法が知られている。
以下、第1の従来例に係る半導体装置について図8を参照しながら説明する。
図8の断面図に示すように、半導体チップ101が配線基板等である基板104の主面上にペースト材106を接着材として実装されている。半導体チップ101上のパッド電極と基板104上の電極とは、ワイヤボンディング工法による金線103により結線されて接続されている。基板104上の半導体チップ101は金線103を含め、所定の形状を有する金型(図示せず)を用いて封止樹脂材108によりモールドされている。また、基板104の主面と反対側の裏面上には、複数の半田ボールが配置されている。このように完成された半導体装置は、電気的な接続状態又は信号検査及び信頼性試験が行われ、良品と判定された製品は梱包して出荷される。
次に、図9に第2の従来例に係る半導体装置を製造方法と共に説明する。
まず、図9(a)に示すように、半導体素子101Aの主面(図では下面)上に形成されたパッド電極の上に、ワイヤボンディング工法又はめっき法若しくは印刷法によって金バンプ109を形成する。その後、冶具110により、基板104上の電極と半導体チップ101上の金バンプ109と対向させた状態で加圧して、基板104上の電極と半導体チップ101上の金バンプ109とを接合する。
次に、図9(b)に示すように、基板104上の半導体チップ101Aを、所定の形状を有する金型を用いて封止樹脂材108によりモールドする。
なお、特許文献1に記載された半導体装置は、凹凸を有する半導体チップの表面を研磨して平坦化する構造及び工法が開示されている。
近年の電子装置の高機能化によって高密度実装技術はより一層進展している。一方、パッケージの小型化及び薄型化により、半導体チップ、基板材料及びリードフレーム材料も薄くなり、このことが、製造段階での接着又は接合による熱ストレスや内部応力が製品の信頼性に及ぼす影響を増大させる傾向にある。特に、従来数百μmのオーダであった半導体チップは、薄化傾向により数十μmのオーダへとその薄化が顕著となってきており、以下の様な不具合が生じる。
まず、半導体チップは薄くなることによりチップ自体の剛性が低下するため、薄化した後の半完成品状態にある半導体チップを工程内搬送する際に、その平坦性を維持することが難しい。このため、半導体チップと基板又はリードフレームとを接着する際に、薄化された半導体は凹凸や反りを伴い易く、両者の密着性を阻害する原因となりやすい。
一方、パッケージの小型化及び薄型化の要求は今後も続くことが予想されるなか、既存の製造方法及び実装方法を限界まで活用することになる。
ところが、特許文献1には、半導体チップの平坦性を確保する対策は施されているものの、薄化に対応した対策は採られていない。
本発明は、前記従来の問題を解決し、従来技術を用いつつ、薄化に伴う半導体チップの表裏面の凹凸状態に左右されることなく、基板又はリードフレーム等の搭載部材との密着性を確保できるようにすることを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置を、半導体チップの主面に形成された積層配線の層数を選択的に変えて、配線の層数すなわち積層配線の厚さを半導体チップの裏面に反映させることにより、半導体チップの裏面に積極的に段差部を設ける構成とする。
すなわち、本発明に係る半導体装置は、半導体チップの主面となる表面の配線層が厚さ方向に多く積層された部分と、少なく積層された部分とが混在した回路面を持つ。配線層のうち層数が多い部分と少ない部分との境界には微小ながら配線層の層数の違いにより段差が形成される。また、層数が多い部分が密集することによって第1のエリアとして形成される面と、層数が少ない部分が密集することによって第2のエリアとして形成される面との間にも段差が生じる。各配線層の上には絶縁保護膜が拡散プロセスによって形成され回路への物理的及び化学的ダメージから保護しているものの、該絶縁保護膜は薄いため、配線層の段差は表面に残る。
拡散プロセスが完了したスライス状の半導体チップは、基材となるシリコンの元の厚さが比較的に厚いため、収容されるパッケージの形態に合わせて薄くバックグラインド(スライスの裏面研削)される。このとき、前述した配線層が多い部分が密集した第1のエリアと配線層が少ない部分が密集した第2のエリアとの段差は、チップの表面でありながら、その裏面側に相対して砥石研削の機械的な加工痕跡としてバックグラインドされた裏面に転写される。すなわち、チップの裏面側においても表面の配線層のエリアと対向する位置に段差が生じる。チップの裏面に段差が生じるのは、バックグラインドを実施する際に、半導体チップの回路面側を吸着することによる。通常、回路面はバックグラインドの前に保護テープが貼られるため、回路面は吸着ステージに直接には当たることはない。しかしながら、前述したように、回路面には段差を生じているため、保護テープを介してもステージの吸着面に対して接触圧力が大きい部分と小さい部分とが生じる。
また、吸着時の接触圧力の差は、半導体チップ自体への歪みや撓みを生じさせる。この接触圧力の差がバックグラインド時の加工圧力の差につながり、回路面の段差がチップの裏面に転写されるメカニズムとなる。従って、前述したチップの回路面の配線層数が多いエリアと対向する裏面の領域では、バックグラインド時に発生する加工圧力が強くなるため研削量が大きくなる。一方、配線層数が少ないエリアと対向する裏面の他の領域では、加工圧力が弱くなるため研削量が少なくなって、両者は同一平面とはならず、段差が生じる。これは、バックグラインドの後に、吸着ステージによる吸着を開放した時点で顕著に現れる。このチップの裏面側に発生する段差の位置を回路面のパターンデザインを適切に行うことにより、平坦性が部分的に悪い樹脂性基板又はリードフレームとの密着性及び接合性を向上することができる。
本発明においては、半導体チップの裏面に究極の平面を得るのではなく、裏面にあえて凹凸面(段差)を設け、該凹凸面の位置を積極的に制御する。
具体的に、本発明に係る第1の半導体装置は、主面に形成された半導体素子と、複数の配線が主面上にそれぞれ積層されて形成された第1の配線層及び第2の配線層とを有する半導体チップからなり、第1の配線層は第2の配線層よりも多くの配線層を有し且つ主面の周縁部に第2の配線層を囲むように形成されており、半導体チップにおける主面と対向する裏面には、第1の配線層と対向する第1の領域と第2の配線層と対向する第2の領域とからなる段差部が形成されていることを特徴とする。
第1の半導体装置によると、第1の配線層は第2の配線層よりも多くの配線層を有し且つ主面の周縁部に第2の配線層を囲むように形成されており、半導体チップにおける主面と対向する裏面には、第1の配線層と対向する第1の領域と第2の配線層と対向する第2の領域とからなる段差部が形成されている。従って、段差部はチップの主面と裏面とで中心部と外周部との間で環状に存在し、チップの主面側で凹状となり、チップの裏面側で凸状となる。この場合は、半導体チップは、チップの全体的な密着性よりもチップの中心部における密着性に重点を置くのに適した接合性を確保することできる。これにより、例えば、ペーストとリードフレームとの接着中におけるペースト内部の気泡の排出が容易となり、また、主面の中心部にバンプ電極が設けられた半導体チップのフリップチップボンドの接続に有効となる。
本発明に係る第2の半導体装置は、主面に形成された半導体素子と、複数の配線が主面上にそれぞれ積層されて形成された第1の配線層及び第2の配線層とを有する半導体チップからなり、第1の配線層は第2の配線層よりも多くの配線層を有し且つ周囲を第2の配線層に囲まれるように形成されており、半導体チップにおける主面と対向する裏面には、第1の配線層と対向する第1の領域と第2の配線層と対向する第2の領域とからなる段差部が形成されていることを特徴とする。
第2の半導体装置によると、第1の配線層は第2の配線層よりも多くの配線層を有し且つその周囲を第2の配線層に囲まれるように形成されており、半導体チップにおける主面と対向する裏面には、第1の配線層と対向する第1の領域と第2の配線層と対向する第2の領域とからなる段差部が形成されている。従って、段差部はチップの主面と裏面とで中心部と外周部との間で環状に存在し、チップの主面側で凸状となり、チップの裏面側で凹状となる。この場合も、半導体チップは、チップの全体的な密着性よりもチップの周縁部における密着性に重点を置くのに適した接合性を確保することできる。これにより、例えば、チップの主面の周縁部にバンプ電極が設けられた半導体チップのフリップチップボンドの接続に有効となる。
第2の半導体装置において、第1の配線層は、第2の配線層の上にそれぞれが互いに間隔をおいて形成された複数の島状に配置されていてもよい。
このようにすると、半導体チップの主面が凹凸状の連続面となり、チップの裏面の対向する領域は凸凹状の連続面となる。この場合、半導体チップは、全体的な密着性に重点を置くのに適した接合性を確保することができる。これにより、例えば、半導体チップの主面の全面にエリア状バンプ電極が設けられたフリップチップボンドの接続に有効となり、半導体チップには超多ピン系BGAを用いることができる。
第1又は第2の半導体装置において、段差部は、第2の領域が第1の領域から裏面と垂直な方向に突き出すことにより形成されている。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、本発明に係る半導体装置の製造方法であって、半導体チップにおける主面の上に保護膜を貼る工程と、保護膜を貼る工程よりも後に、半導体チップを保護膜と共に吸着して固定する工程と、固定された半導体チップにおける裏面を機械的に研磨することにより、段差部を形成する工程とを備えていることを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法によると、半導体チップの裏面に段差部を確実に形成することができるため、薄化に伴う半導体チップの表裏面の凹凸状態に左右されることなく、基板又はリードフレーム等の搭載部材との密着性を確保することができる。
一般に、半導体チップの裏面に究極の平坦性を持たせるには、チップの表面自体が究極の平坦性を持たなければならず、このことは技術的にもコスト的にも困難を極める。しかしながら、本発明のように、部分的な平坦性を積極的に制御する配線層を設けることにより、安価で安定した部分的な平坦性と搭載部材に対する安定的な接着性及び密着性を実現することが可能となる。なお、積層された配線層は電気的に有効又は無効は問わず、ダミー配線であっても構わない。これにより、所望の位置に所望のサイズの段差部を適切に設けることが可能となる。
本発明に係る半導体装置及びその製造方法によると、半導体チップにおける基板又はリードフレーム等の搭載部材との接着性及び接合性が向上するため、搭載部材の凹凸状態に追従した高信頼性の接着面や接合面を得ることができる。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について図1(a)及び図1(b)を参照しながら説明する。
本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について図1(a)及び図1(b)を参照しながら説明する。
図1(a)及び図1(b)に示すように、半導体チップ1Aの主面(回路面)上には、第1の配線層2Aと第2の配線層2Bとが形成されている。
第2の配線層2Bは回路面上のほぼ全面に形成され、第1の配線層2Aは、第2の配線層2Bの上で且つその周縁部の上に選択的に形成されている。これにより、回路面上には、第1の配線層2Aが高く、第2の配線層2Bが低い第1の段差部2aが形成される。
また、第1の配線層2Aの上には、複数のパッド電極9が互いに間隔をおいて形成されている。
さらに、第1の実施形態においては、半導体チップ1Aにおける回路面と対向する裏面上に、第1の配線層2Aと対向する第1の領域と第2の配線層2Bの中央部分と対向する第2の領域とによって、該第2の領域の方が高い第2の段差部2bが形成されている。すなわち、半導体チップ1Aの裏面に設けられた第2の段差部2bによって裏面の中央部が下方に凸状に形成されている。
図2(a)に示すように、半導体チップ1Aの裏面と配線基板等の基板4の上に塗布されたペースト材6を接着剤として実装する。このとき、ペースト材6の内部にはボイド6aが含まれる場合がある。
しかしながら、図2(b)に示すように、第1の実施形態においては、半導体チップ1Aの裏面の中央部が凸状に形成されているため、半導体チップ1Aの裏面の中央部と基板4との間のペースト材6の厚さは、半導体チップ1Aの裏面の周縁部よりも先に薄くなる。その結果、ペースト材6の内部のボイド6aは半導体チップ1Aの下側から側面に排出されやすくなる。これは、接着層であるペースト材6の厚さが薄くなることによる圧力の増大と単位断面面積当たりの流体速度の増加との効果を利用した物理現象(ベルヌイの定理)である。
なお、基板4の表面状態は、第1の実施形態を説明するにあたり平坦面として説明したが、緩やかな反り又は小さな凹凸が存在していてもよい。
以下、前記のように構成された半導体チップ1Aの製造方法について図3(a)〜図3(d)を参照しながら説明する。なお、ここでは、半導体チップ1Aの単体を図示しているが、拡散プロセス完了後のスライス状態であっても同様である。
まず、図3(a)に示すように、主面(回路面)に、所望の半導体素子(図示せず)、第1の配線層2A及び第2の配線層2Bが形成された半導体チップ1Aを用意する。
次に、図3(b)に示すように、この状態での半導体チップ1Aの厚さは800μm程度であり、収容されるパッケージの形態によっては、まだ十分に厚い。このため、半導体チップ1Aの裏面を研削によって薄くする必要がある。この際、半導体チップ1Aの回路面を吸着して保持するために、あらかじめ保護シート13を回路面の全面に貼り付けて、回路面の機械的な損傷及び研削汚れから保護する。
次に、図3(c)に示すように、吸着ステージ12の上に、回路面が保護シート13によって覆われた半導体チップ1Aを保護シート13を介して真空吸着する。通常、吸着ステージ12は多孔質(ポーラス)状に構成され、且つその吸着力は強力である。このとき、半導体チップ1Aの回路面に凹凸(第1の段差部2a)があり、わずかでも吸着ステージ12との間に隙間があると吸着の圧力によって半導体チップ1A自体が変形して撓む。この撓んだ状態のままバックグラインド装置11によって機械的な加工を施す。その後、半導体チップ1Aの研削が終了し、半導体チップ1Aが吸着ステージ12から開放されると、該半導体チップ1Aの撓みによる変形が元に戻る。すなわち、真空吸着時には平坦であった研削面は、半導体チップ1Aの裏面側が凸状となるようにその変形が元に戻ることから、図1(b)に示すように、半導体チップ1Aの裏面には第2の段差部2bが形成される。
次に、図3(d)に示すように、保護シート13を半導体チップ1Aから剥がすことにより、一連の製造フローが完了する。
ところで、半導体チップ1Aは、研削後の厚さが薄い程、回路面の凹凸の影響を受けやすく、半導体チップ1Aの裏面に生じる第2の段差部2bの高さも大きくなる傾向にある。また、保護シート13の厚さを薄くすると、第2の段差部2bの高さも大きくすることができる。なお、保護シート13の厚さを厚くすると、回路面の凹凸が吸収されやすく、また、保護シート13の材質を軟らかくすることによっても凹凸が吸収されやすくなって研削精度が低下するため、半導体チップ1Aの薄化には適さない。
また、半導体チップ1Aを研削した後に、化学的手法によるウエットエッチ又は物理的手法によるドライエッチによって研削ダメージを除去しても、本製造方法の効果は維持される。
以上説明したように、本実施形態に係る半導体チップ1Aの裏面研削方法によると、回路面上に設けた第1の段差部2aを所望の位置に配置して、半導体チップ1Aの裏面に第2の段差部2bを吸着及び研磨によって自己整合的に形成することにより、半導体チップ1Aの裏面と基板4又はリードフレームとの接着を高い精度と安定した荷重で実装することができる。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について図4(a)及び図4(b)を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について図4(a)及び図4(b)を参照しながら説明する。
図4(a)及び図4(b)に示すように、半導体チップ1Bの主面(回路面)上には、第1の配線層2Cと第2の配線層2Bとが形成されている。
第2の配線層2Bは回路面上の全面に形成され、第1の配線層2Cは、第2の配線層2Bの上で且つその中央部の上に選択的に形成されている。これにより、回路面上には、第1の配線層2Cが高く、第2の配線層2Bが低い第1の段差部2aが形成される。
さらに、第2の実施形態においては、半導体チップ1Bにおける回路面と対向する裏面上に、第1の配線層2Cと対向する第1の領域と第2の配線層2Bの周縁部分と対向する第2の領域とによって、第2の領域の方が高い第2の段差部2bが形成されている。すなわち、半導体チップ1Bの裏面に設けられた第2の段差部2bによって裏面の中央部が凹状に形成されている。
また、第2の配線層2Bの上には、複数のパッド電極9が互いに間隔をおいて形成されている。
次に、第2の実施形態に係る半導体チップ1Bの実装方法について図5(a)及び図5(b)を参照しながら説明する。
まず、図5(a)に示すように、半導体チップ1Bの主面上の各パッド電極(図示せず)の上に、金バンプ15をそれぞれ形成する。
次に、図5(b)に示すように、半導体チップ1Bの裏面を治具10により保持しながら、基板4の主面に形成された各ランド16と各金バンプ15とを圧着して接合する。
このとき、第2の実施形態に係る半導体チップ1Bの裏面は、中央部が凹状となっているため、治具10は、半導体チップ1Bにおけるパッド電極9が形成された領域の裏面と密着する。従って、この冶具10との密着状態が金バンプ15への加重を均一にするので、各金バンプ15と基板4に設けられた各ランド16との接合状態が安定し且つ強固となる。
なお、基板4の表面状態は平坦面として説明したが、緩やかな反り又は小さな凹凸が存在していてもよい。
第2の実施形態に係る半導体チップ1Bの裏面に第2の段差部2bを形成する方法は、第1の実施形態で説明した方法と同一である。すなわち、半導体チップ1Bの回路面に保護シート13を貼った後、吸着ステージ12の上に半導体チップ1Bの回路面側を吸着して保持する。この状態で半導体チップ1Bの裏面をバックグラインド装置11で研削し、その後、保護シート13を剥がす。
このように、半導体チップ1Bの裏面に第2の段差部2bを吸着及び研磨によって自己整合的に形成することにより、半導体チップ1Bの回路面のパッド電極9上に設けた金バンプ15と基板4との接合を高い精度と安定した荷重で実装することができる。
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置について図6(a)及び図6(b)を参照しながら説明する。
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置について図6(a)及び図6(b)を参照しながら説明する。
図6(a)及び図6(b)に示すように、半導体チップ1Cの主面(回路面)上には、第1の配線層2Dと第2の配線層2Bとが形成されている。
第2の配線層2Bは回路面上のほぼ全面に形成され、第1の配線層2Dは、第2の配線層2Bの上に複数の島状に分割されて、例えば行列状に形成されている。これにより、回路面上には、第1の配線層2Dが高く、第2の配線層2Bが低い、複数の第1の段差部2aが形成される。
さらに、第3の実施形態においては、半導体チップ1Cにおける回路面と対向する裏面上に、第1の配線層2Dと対向する第1の領域と第2の配線層2Bのみと対向する第2の領域とによって、第2の領域の方が高い第2の段差部2bが形成されている。すなわち、半導体チップ1Cの裏面に設けられた複数の第2の段差部2bによって半導体チップ1Cの裏面には、複数の凹凸状が行列状に形成されている。
次に、第3の実施形態に係る半導体チップ1Cの実装方法について図7(a)及び図7(b)を参照しながら説明する。
まず、図7(a)に示すように、半導体チップ1Cの主面上の各パッド電極(図示せず)の上に、それぞれ金バンプ15を形成する。
次に、図7(b)に示すように、半導体チップ1Cの裏面を治具10により保持しながら、基板4の主面に形成された各ランド16と各金バンプ15とを圧着して接合する。
このとき、第3の実施形態に係る半導体チップ1Cの裏面は、各金バンプ15が形成された領域との対向部分が凸状となっている。このため、治具10は、半導体チップ1Cにおける各金バンプ15が形成された領域の裏面と密着する。従って、この冶具10との密着状態が金バンプ15への加重を均一にするので、各金バンプ15と基板4に設けられた各ランド16との接合状態が安定し且つ強固となる。
なお、基板4の表面状態は平坦面として説明したが、緩やかな反り又は小さな凹凸が存在していてもよい。
第3の実施形態に係る半導体チップ1Cの裏面に第2の段差部2bを形成する方法も、第1の実施形態で説明した方法と同一である。すなわち、半導体チップ1Cの回路面に保護シート13を貼った後、吸着ステージ12の上に半導体チップ1Cの回路面側を吸着して保持する。この状態で半導体チップ1Cの裏面をバックグラインド装置11で研削し、その後、保護シート13を剥がす。
このように、半導体チップ1Cの裏面に第2の段差部2bを吸着及び研磨によって自己整合的に形成することにより、半導体チップ1Cの回路面のパッド電極9上に設けた金バンプ15と基板4との接合を高い精度と安定した荷重で実装することができる。
本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、半導体チップにおける基板又はリードフレーム等の搭載部材との接着性及び接合性が向上するため、搭載部材の凹凸状態に追従した高信頼性の接着面や接合面を得ることができ、半導体チップを基板又はリードフレームに実装する半導体装置及びその製造方法等に有用である。
1A 半導体チップ
1B 半導体チップ
1C 半導体チップ
2A 第1の配線層
2B 第2の配線層
2C 第1の配線層
2D 第1の配線層
2a 第1の段差部
2b 第2の段差部
4 基板
6 ペースト材
6a ボイド
9 パッド電極
10 治具
11 バックグラインド装置
12 吸着ステージ
13 保護シート(保護膜)
15 金バンプ
16 ランド
1B 半導体チップ
1C 半導体チップ
2A 第1の配線層
2B 第2の配線層
2C 第1の配線層
2D 第1の配線層
2a 第1の段差部
2b 第2の段差部
4 基板
6 ペースト材
6a ボイド
9 パッド電極
10 治具
11 バックグラインド装置
12 吸着ステージ
13 保護シート(保護膜)
15 金バンプ
16 ランド
Claims (5)
- 主面に形成された半導体素子と、複数の配線が主面上にそれぞれ積層されて形成された第1の配線層及び第2の配線層とを有する半導体チップからなり、
前記第1の配線層は、前記第2の配線層よりも多くの配線層を有し且つ前記主面の周縁部に前記第2の配線層を囲むように形成されており、
前記半導体チップにおける前記主面と対向する裏面には、前記第1の配線層と対向する第1の領域と前記第2の配線層と対向する第2の領域とからなる段差部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 主面に形成された半導体素子と、複数の配線が前記主面上にそれぞれ積層されて形成された第1の配線層及び第2の配線層とを有する半導体チップからなり、
前記第1の配線層は、前記第2の配線層よりも多くの配線層を有し且つ周囲を前記第2の配線層に囲まれるように形成されており、
前記半導体チップにおける前記主面と対向する裏面には、前記第1の配線層と対向する第1の領域と前記第2の配線層と対向する第2の領域とからなる段差部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の配線層は、前記第2の配線層の上に、それぞれが互いに間隔をおいて形成された複数の島状に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記段差部は、前記第2の領域が前記第1の領域から前記裏面と垂直な方向に突き出すことにより形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップにおける前記主面の上に保護膜を貼る工程と、
前記保護膜を貼る工程よりも後に、前記半導体チップを前記保護膜と共に吸着して固定する工程と、
固定された前記半導体チップにおける前記裏面を機械的に研磨することにより、前記段差部を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009209082A JP2011060999A (ja) | 2009-09-10 | 2009-09-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2009209082A Pending JP2011060999A (ja) | 2009-09-10 | 2009-09-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2011060999A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2500080A2 (en) | 2011-03-18 | 2012-09-19 | Teoss CO., LTD. | Protective filter for vacuum pump |
-
2009
- 2009-09-10 JP JP2009209082A patent/JP2011060999A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2500080A2 (en) | 2011-03-18 | 2012-09-19 | Teoss CO., LTD. | Protective filter for vacuum pump |
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