JP2015162503A - 樹脂成形体およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】熱硬化性樹脂部材の表面の一部を熱可塑性樹脂部材で封止してなる樹脂成形体において、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との密着性の向上を図る。
【解決手段】熱硬化性樹脂材料を加熱して硬化完了させることにより、熱硬化性樹脂部材10を形成した後、熱硬化性樹脂部材10における表面の一部である封止面11において、最表面に位置する表面層13を除去することで封止面11を新生面14とし、次に、この新生面14に化学的処理を施すことにより、熱可塑性樹脂部材20を構成する熱可塑性樹脂と化学結合するチオール基(−SH)を形成し、続いて、チオール基が形成された熱硬化性樹脂部材10の新生面14に対して、熱可塑性樹脂材料を射出成形することにより、チオール基と熱可塑性樹脂材料とを化学結合させつつ、熱硬化性樹脂部材10における封止面11を熱可塑性樹脂部材で封止する。
【選択図】図6

Description

本発明は、熱硬化性樹脂部材の表面の一部を熱可塑性樹脂部材で封止し、熱硬化性樹脂部材の表面の残部を熱可塑性樹脂部材より露出させてなる樹脂成形体、および、そのような樹脂成形体の製造方法に関する。
従来より、この種の樹脂成形体として、部品が実装された基板等よりなる被封止部品と、被封止部品を封止する熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材と、熱硬化性樹脂部材の表面を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材と、を備える樹脂成形体が提案されている(たとえば特許文献1参照)。ここで、熱可塑性樹脂部材は、熱硬化性樹脂部材の表面の一部である封止面を封止し、当該表面の残部である露出面を露出させている。
このような樹脂成形体は、熱硬化性樹脂は、被封止部品に対する高密着性や低応力性の点で好ましく、熱可塑性樹脂は、成形物の寸法精度や靭性がよい、という各利点を生かしたものである。たとえば、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂等が挙げられ、熱可塑性樹脂としては、PPS(ポリフェニレンサルファイド)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)等が挙げられる。
このような樹脂成形体の一般的な製造方法は、次の通りである。まず、被封止部品を、熱硬化性樹脂部材の原料である熱硬化性樹脂素材で被覆し、これを加熱して硬化完了させて熱硬化性樹脂部材を形成する硬化モールド工程、つまり一次成形を行う。
次に、熱可塑性樹脂部材の原料である熱可塑性樹脂素材にて熱硬化性樹脂部材の表面のうちの封止面を被覆するように射出成形することにより、熱可塑性樹脂部材を形成する可塑モールド工程、つまり二次成形を行う。こうして、樹脂成形体ができあがる。
特許第3620184号公報
しかしながら、このような樹脂成形体においては、熱硬化性樹脂に対する熱可塑性樹脂の密着性が悪いため、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との界面で剥離が生じやすい。
この種の樹脂成形体においては、上記したように、熱硬化性樹脂部材の表面の一部である封止面は、熱可塑性樹脂部材で封止されるが、当該表面の残部である露出面は、熱可塑性樹脂部材より露出する。
そのため、上記界面で剥離が発生すると、たとえば、上記界面のうち外部に露出する部分、すなわち、上記界面のうち熱硬化性樹脂部材における封止面と露出面との境界に位置する端部から、外部の水分や汚染物質等が、上記界面に沿って樹脂成形体の内部に侵入することになる。
このような上記界面での剥離の問題に対して、上記従来公報では、熱可塑モールド工程後に、上記界面のうち上記封止面と露出面との境界に位置する端部に、別の充填材料を配置することで、上記界面の端部を被覆し、上記界面の剥離を防止するようにしている。しかし、この場合、充填材料を別途用いる必要が生じることから、樹脂成形体の形状の制約やコストアップ等の点で問題がある。
本発明は、上記した問題に鑑みてなされたものであり、熱硬化性樹脂部材の表面の一部を熱可塑性樹脂部材で封止してなる樹脂成形体において、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との密着性の向上を図ることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材(10)と、熱硬化性樹脂部材の表面の一部である封止面(11)を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材(20)と、を備え、熱硬化性樹脂部材の表面の残部である露出面(12)は、熱可塑性樹脂部材より露出する樹脂成形体の製造方法であって、さらに、以下の各工程を備えるものである。
すなわち、請求項1の製造方法においては、熱硬化性樹脂部材の原料である熱硬化性樹脂材料を用い、熱硬化性樹脂材料を加熱して硬化完了させることにより、熱硬化性樹脂部材を形成する硬化モールド工程と、熱硬化性樹脂部材における封止面の少なくとも一部において、最表面に位置する表面層(13)を除去することで封止面の少なくとも一部を新生面(14)とする表面層除去工程と、熱硬化性樹脂部材の新生面に化学的処理を施すことにより、熱可塑性樹脂部材を構成する熱可塑性樹脂と化学結合するチオール基を形成するチオール基形成工程と、チオール基が形成された熱硬化性樹脂部材の新生面に対して、熱可塑性樹脂部材の原料である熱可塑性樹脂材料を射出成形することにより、チオール基と熱可塑性樹脂材料とを化学結合させつつ、熱硬化性樹脂部材における封止面を熱可塑性樹脂部材で封止する可塑モールド工程と、を備えることを特徴とする。
それによれば、熱硬化性樹脂部材と、当該熱硬化性樹脂部材における封止面を封止する熱可塑性樹脂部材との界面では、封止面上の汚染物が除去された新生面が形成され、この新生面14において上記チオール基を介した熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との化学結合が実現される。よって、本発明によれば、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との密着性の向上が実現できる。
請求項4に記載の発明は、熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材(10)と、熱硬化性樹脂部材の表面の一部である封止面(11)を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材(20)と、を備え、熱硬化性樹脂部材の表面の残部である露出面(12)は、熱可塑性樹脂部材より露出している樹脂成形体であって、
熱硬化性樹脂部材における封止面の少なくとも一部と熱可塑性樹脂部材との間には、熱硬化性樹脂部材を構成する熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂部材を構成する熱可塑性樹脂とは組成が異なり、且つ、硫黄成分を含む硫黄含有膜(60)が介在されており、熱硬化性樹脂部材における封止面のうち硫黄含有膜の下地として硫黄含有膜の直下に位置する部位の全体が、露出面よりも粗化された粗化面(11a)とされていることを特徴としている。
この樹脂成形体における硫黄含有膜およびその下地となる粗化面は、上記請求項1の製造方法により適切に製造されるものである。よって、本発明によっても、請求項1と同様、熱硬化性樹脂部材と熱可塑性樹脂部材との密着性の向上が実現できる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
本発明の第1実施形態にかかる樹脂成形体としての半導体装置を示す概略断面図である。 図1中の半導体装置における熱硬化性樹脂部材を示す外観図である。 図1に示される半導体装置の製造方法を示す工程図であって、一部を拡大して示す図である。 図3に続く製造方法を示す工程図である。 図4に続く製造方法を示す工程図である。 図5に続く製造方法を示す工程図である。 上記第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法における効果を示すグラフである。 上記第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法における効果を示すグラフである。 上記第1実施形態にかかる半導体装置の製造方法における効果を示すグラフである。 本発明の第2実施形態にかかる樹脂成形体としての半導体装置の要部を示す外観図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかる樹脂成形体について、図1、図2を参照して述べる。なお、図1では、後述する粗化面11aの凹凸形状、段差11bの高さ、および硫黄含有膜60の厚さについては、わかりやすくするために、大きくデフォルメして示してある。また、図2では、熱硬化性樹脂部材10の表面に形成された硫黄含有膜60について、その表面に斜線ハッチングを施して示している。
この樹脂成形体は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための半導体装置として適用されるものである。本実施形態の樹脂成形体としての半導体装置は、大きくは、熱硬化性樹脂部材10と熱硬化性樹脂部材10の表面の一部を封止する熱可塑性樹脂部材20とを備えて構成されている。
熱硬化性樹脂部材10は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂よりなるもので、必要に応じて、当該樹脂中にシリカやアルミナ等の絶縁性材料よりなるフィラーが含有されていてもよい。このような熱硬化性樹脂部材10は、トランスファー成形、コンプレッション成形、あるいは、ポッティング法等による成形および熱硬化処理を行うことで、形成されたものである。
また、熱可塑性樹脂部材20は、PPS(ポリフェニレンサルファイド)やPBT(ポリフェニレンテレフタレート)等の熱可塑性樹脂よりなるもので、熱硬化性樹脂部材10の一部を封止するように射出成形を行うことにより、形成されたものである。
この熱可塑性樹脂部材20が熱硬化性樹脂部材10の表面の一部を封止することにより、熱硬化性樹脂部材10の表面の一部は、熱可塑性樹脂部材20により封止された封止面11とされている。そして、熱硬化性樹脂部材10の表面のうち封止面11以外の部分である残部は、熱可塑性樹脂部材20より露出する露出面12とされている。
ここでは、図1および図2に示されるように、熱硬化性樹脂部材10は、直方体状のブロック形状をなすものとして構成されている。そして、この熱硬化性樹脂部材10の長手方向の一端10a側における熱硬化性樹脂部材10の表面の一部が、封止面11とされ、当該長手方向の他端10b側における熱硬化性樹脂部材の表面の残部が、露出面12とされている。
さらに具体的に言うならば、図1、図2に示される熱硬化性樹脂部材10は、長手方向の一端面とこれに対向する他端面、および、長手方向に延びる4個の側面を有する直方体をなしている。そして、熱硬化性樹脂部材10の封止面11は、当該長手方向の一端面と4個の側面のうちの当該長手方向の一端10a側の部位とされ、一方、熱硬化性樹脂部材10の露出面12は、当該長手方向の他端面と4個の側面のうちの当該長手方向の他端10b側の部位とされている。
熱硬化性樹脂部材10は、その内部に、熱硬化性樹脂部材10により封止された第1の被封止部品としての半導体素子30、第2の被封止部品としての電気接続部材40を有している。
第1の被封止部品である半導体素子30は、磁気センサや光センサ、あるいは、圧力センサ等に用いられるシリコン半導体等よりなるセンサチップである。このような半導体素子30は、通常の半導体プロセスにより形成されるものである。
たとえば、磁気センサ用の半導体素子30の場合、半導体素子30の全体が熱硬化性樹脂部材10により封止されており、半導体素子30は、熱硬化性樹脂部材10を介して外部の磁気を検出するようにしている。
また、光センサや圧力センサ用の半導体素子30の場合、半導体素子30の一部を開口させる図示しない開口部が、熱硬化性樹脂部材10に形成され、半導体素子30は、当該開口部を介して光や圧力を検出するようになっている。
一方、第2の被封止部品である電気接続部材40は、半導体素子30と半導体装置の外部の図示しない配線部材とを電気的に接続するためのものである。ここでは、電気接続部材40の一部41は熱硬化性樹脂部材10に被覆されて、残部42は熱硬化性樹脂部材10における封止面11より突出する。また、電気接続部材40の残部42は、熱硬化性樹脂部材10の外部にて熱可塑性樹脂部材20により封止されている。
ここで、電気接続部材40の一部41は、熱硬化性樹脂部材10内にて、半導体素子30と電気接続されている。この半導体素子30との接続手法は特に限定するものではないが、ここでは、AlやAu等のボンディングワイヤ50により接続されている。
一方、熱可塑性樹脂部材20は、電気接続部材40の残部42を封止しているが、熱可塑性樹脂部材20には開口部21が形成されている。そして、この開口部21において、電気接続部材40の残部42のうちのさらに一部が、熱可塑性樹脂部材20の外部に露出している。
この熱可塑性樹脂部材20の開口部21は、図示しない外部の配線部材、たとえばコネクタ部材等が挿入されて接続される部位であり、それにより、この外部の配線部材と電気接続部材40とが、電気的に接続されるようになっている。
つまり、電気接続部材40は、半導体素子30の検出や出力等の用をなすものとして機能し、半導体素子30は、電気接続部材40を介して、装置の外部との電気的なやり取りを可能としている。このような電気接続部材40として、本実施形態では、CuやAl等の棒状部材よりなるターミナル端子を用いているが、その他、回路基板などを電気接続部材40として用いてもよい。
そして、本実施形態の半導体装置においては、熱硬化性樹脂部材10における封止面11の一部と熱可塑性樹脂部材20との間には、硫黄(S)成分を含む硫黄含有膜60が介在されている。この硫黄含有膜60は、硫黄原子または硫黄化合物を含むものであって、熱硬化性樹脂部材10を構成する熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂部材20を構成する熱可塑性樹脂とは組成が異なる材料よりなる。
さらに、図1に示されるように、熱硬化性樹脂部材10における封止面11のうち硫黄含有膜60の下地部分の全体、つまり、封止面11のうち硫黄含有膜60の直下に位置する部位の全体が、粗化された粗化面11aとされている。この粗化面11aの粗化度合は、粗化面11a以外の封止面11および露出面12よりも大きいものである。
ここで、硫黄含有膜60は、後述する製造方法のうちのチオール基形成工程および可塑モールド工程における、チオール基と熱可塑性樹脂との化学反応によって形成されるものである。この硫黄含有膜60の膜厚は数nm程度のものである。
一方、粗化面11aは、後述する製造方法のうちの表面層除去工程により形成されるものであり、この粗化面11aの表面粗さRaは、数μm以上(たとえば3μm以上)である。逆に言えば、粗化面11a以外の封止面11および露出面12は、後述する表面層13(図3参照)が存在する面に相当する。ここで、表面粗さRaは、JIS(日本工業規格の略称)に定義されている算術平均粗さRaである。
このように、粗化面11aの凹凸のサイズは、硫黄含有膜60の膜厚よりも大幅に大きいものであるため、粗化面11aの凹凸形状は、図1に示されるように、硫黄含有膜60に承継された形とされている。
また、上述したように、第2の被封止部品である電気接続部材40の残部42は、熱硬化性樹脂部材10における封止面11より突出し、熱可塑性樹脂部材20により封止されている。
ここにおいて、熱硬化性樹脂部材10において露出面12と電気接続部材40の残部42との間に位置する封止面11には、硫黄含有膜60が、電気接続部材40の残部42の周りに連続した閉環形状をなすように設けられている。このとき、粗化面11aの配置パターンも、同様の閉環形状である。
ここでは、図2に示されるように、電気接続部材40の残部42は、直方体状の熱硬化性樹脂部材10に一端面にて突出している。そして、硫黄含有膜60および粗化面11aの配置パターンは、直方体状の熱硬化性樹脂部材10における4個の側面に渡って連続する閉環状のパターンとされている。
また、本実施形態では、図1、図2に示されるように、硫黄含有膜60および粗化面11aは、熱硬化性樹脂部材10における封止面11から熱可塑性樹脂部材20の端部を超えて、熱硬化性樹脂部材10における露出面12まで、連続して形成されている。これにより、硫黄含有膜60の端部および粗化面11aの端部は、熱硬化性樹脂部材10における露出面12に位置している。
ここで、上述したように、粗化面11aは封止面11の表面層13を除去した面であり、硫黄含有膜60の膜厚はナノメートルオーダーの小さいものである。このことから、露出面12において硫黄含有膜60側の部位が硫黄含有膜60の端部の外側の部位よりも凹むように、硫黄含有膜60の端部を境界とする段差11bが形成されている。この段差11bの高さは、数μm以上(たとえば5μm以上)である。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図3〜図6も参照して述べる。まず、図3に示される硬化モールド工程では、熱硬化性樹脂部材10の原料である熱硬化性樹脂材料を用い、この熱硬化性樹脂材料を加熱して硬化完了させることにより、熱硬化性樹脂部材10を形成する。
具体的に、この硬化モールド工程では、半導体素子30と電気接続部材40とをボンディングワイヤ50で接続したものを、トランスファー成形、コンプレッション成形あるいはポッティング等により封止し、さらに、このものを加熱、硬化する。こうして、熱硬化性樹脂部材10ができあがる。
この硬化モールド工程で形成された熱硬化性樹脂部材10の最表面には、汚染物よりなる表面層13が存在する。ここで、汚染物とは、たとえば離型剤や工程中に熱硬化性樹脂部材10の表面に付着した異物等である。離型剤とは、上記成形において型離れ性を確保するために、金型表面に設けられたり、熱硬化性樹脂材料自身に混合されたりするもので、たとえばシロキサンや脂肪酸等よりなる。
次に、図4に示されるように、熱硬化性樹脂部材10に対して表面層除去工程を行う。この工程では、熱硬化性樹脂部材10における封止面11の一部、すなわち封止面11のうちの硫黄含有膜60を形成する部位において、最表面に位置する表面層13を除去することで当該部位を新生面14とする。
具体的には、封止面11のうちの硫黄含有膜60を形成する部位に対して、レーザ照射、ショットブラスト、研磨等の手法を用い、表面層13を除去する。これら手法は、処理表面を削って凹凸を形成するものであり、レーザ照射が最も望ましい手法である。
そのため、これら手法によれば、汚染物としての表面層13が除去されるとともに、表面層13の下地としての新生面14が粗化される。それによって、新生面14は、アンカー効果が付与されて熱可塑性樹脂部材20との密着性に優れた粗化面11aとされる。この粗化面11aとしての新生面14には、熱硬化性樹脂部材10を構成する熱硬化性樹脂における水酸基やエポキシ基等が存在している。
この表面層除去工程の後、図5に示されるチオール基形成工程を行う。この工程では、熱硬化性樹脂部材10の新生面14に、化学的処理を施すことにより、熱可塑性樹脂部材20を構成する熱可塑性樹脂と化学結合するチオール基(−SH)を新生面14に形成する。図5、図6においてチオール基はSHで示してある。
この化学的処理としては、たとえばPPSやPBT等の熱可塑性樹脂と化学結合するチオール基を形成するものであればよく、典型的には、TES処理が挙げられる。ここで、「TES」とは、6−(3−(トリエトキシシリル)プロピルアミノ)−1,3,5−トリアジン−2,4−ジチオール・モノナトリウムの略称である。
このTES処理は、たとえば特開2010−254793号公報に記載されているように公知のものである。具体的にTES処理では、新生面14が形成された熱硬化性樹脂部材10を、TESの水/エタノール溶液に浸漬した後、当該TESの溶液から取り出して加熱し、これをエタノールなどで洗浄し、非反応物などの残渣を除去する。
このTES処理によって、熱硬化性樹脂部材10の新生面14に存在する水酸基中のHが、チオール基を含む官能基(たとえばトリアジンにチオール基が結合した化合物を含む官能基等)で置換される。
なお、TES処理においては、上記TESの溶液への浸漬前に、チオール基を形成するための水酸基を新生面14に多く存在させるために、熱硬化性樹脂部材10の新生面14に、コロナ放電処理を施すことが望ましい。
こうして、チオール基形成工程を行った後、図6に示される可塑モールド工程を行う。この工程では、チオール基が形成された熱硬化性樹脂部材10の新生面14に対して、熱可塑性樹脂部材20の原料である熱可塑性樹脂材料を射出成形する。これにより、チオール基と熱可塑性樹脂材料とが化学結合しつつ、熱硬化性樹脂部材10における封止面11が熱可塑性樹脂部材20で封止される。
この可塑モールド工程における化学結合としては、たとえば熱可塑性樹脂部材20がPPSである場合、PPS中の硫黄原子が、新生面14上のチオール基と反応して共有結合を形成すると推定される。
そして、この化学結合により、熱硬化性樹脂部材10における新生面14(つまり粗化面11a)と熱可塑性樹脂部材20との間に、硫黄含有膜60が形成されるのである。こうして、本実施形態の樹脂成形体としての半導体装置ができあがる。
なお、上記の表面層形成工程以降の各工程は、熱硬化性樹脂部材10の表面の一部に対して選択的に処理を行うものであるため、処理を行わない表面には適宜マスキング等を施したうえで、当該各工程を行うようにする。
ところで、上記製造方法によれば、熱硬化性樹脂部材10における封止面11と当該封止面11を封止する熱可塑性樹脂部材20との界面では、封止面11上の汚染物が除去された新生面14が形成される。そして、この新生面14において上記チオール基を介した熱硬化性樹脂部材10と熱可塑性樹脂部材20との化学結合が実現される。
そして、この化学結合によって硫黄含有膜60が新生面14上に形成されてなる本実施形態の半導体装置ができあがる。そのため、本実施形態によれば、熱硬化性樹脂部材10と熱可塑性樹脂部材20との密着性の向上が実現できる。
また、本実施形態のような熱可塑性樹脂部材20の封止形態では、熱硬化性樹脂部材10と熱可塑性樹脂部材20との界面のうち、封止面11と露出面12との境界に位置する端部から、外部の水分や汚染物等の侵入物質が、当該界面に沿って装置内に侵入するおそれがある。特に、本実施形態のような車載用の半導体装置の場合、たとえば使用環境中に存在する水分やオイル等の汚染物が侵入してくるおそれがある。
このとき、本実施形態のように、被封止部品である電気接続部材40の残部42が熱硬化性樹脂部材10における封止面11より突出して熱可塑性樹脂部材20で封止されている場合、上記の侵入物質が、電気接続部材40の残部に付着し、特性等に悪影響を及ぼす可能性がある。
その点、本実施形態では、熱硬化性樹脂部材10における封止面11のうち、露出面12と封止面11より突出する電気接続部材40の残部42との間に位置する部位に、硫黄含有膜60および粗化面11aを、上記閉環形状をなすように設けている。
そして、この閉環形状の部分は、上述のように硫黄含有膜60および粗化面11aによる効果によって剥離が防止される部位となる。そのため、本実施形態によれば、上記の侵入物質が、露出面12側から両樹脂部材10、20の界面を介して電気接続部材40の残部42へ到達するのを極力防止することができる。
ここで、上記した表面層13の除去および化学結合による両樹脂部材10、20の密着性向上の効果について、図7〜図9を参照して、より具体的に述べる。なお、この図7〜図9に示される例は、あくまで当該密着性向上の効果を示す一例であり、当該効果は、これに限定されるものではない。
図7〜図9の例では、熱硬化性樹脂部材10に相当する熱硬化性樹脂よりなる矩形板状の試験片と、熱可塑性樹脂部材20に相当する熱可塑性樹脂よりなる矩形板状の試験片とが貼り合わせられた状態となるように、上記製造方法に基づいて、樹脂成形体を作製した。そして、これら両試験片の貼り合わせ部分のせん断強度(単位:MPa)を測定したものである。
まず、図7において、工程P1は、レーザ照射による表面層除去工程に相当し、工程P2は、TES処理によるチオール基形成工程に相当する。そして、図7中の「P1のみ」とは、工程P1を行った後、工程P2を行わずに可塑モールド工程を行った場合に相当する。また、「P2のみ」とは、工程P1を行わずに工程P2を行った後、可塑モールド工程を行った場合に相当する。また、「P1+P2」とは、本実施形態の製造方法の通り、工程P1およびP2を行った後、可塑モールド工程を行った場合に相当する。
図7に示されるように、P1のみ、P2のみの場合に比べて、本実施形態の「P1+P2」の場合には、せん断強度の大幅な向上、つまり両樹脂部材10、20の密着性の飛躍的な向上が確認された。P1のみではチオール基による化学結合がなされず、また、P2のみでは汚染物の上にチオール基が形成されたものにすぎないため、密着性向上が実現できないと考えられる。
次に、図8および図9はそれぞれ、表面層除去工程に用いる手法として、レーザ照射、ショットブラスト、研磨(人手による手研磨)の各手法を用いた場合の粗化面11aの表面粗さRa(単位:μm)とせん断強度との関係、加工深さZ(単位:μm)とせん断強度との関係を調査したものである。この加工深さZは、上記段差11bの高さに相当するものである。
ここで、レーザ照射では、レーザを表面にスキャンすることによって表面層13を除去し、ショットブラストでは、アランダム(アルミナ粉♯220)を表面に吹き付けることによって表面層13を除去した。また、研磨では、研磨紙(♯220)による手研磨によって表面層13を除去した。
図8、図9に示されるように、手法によって差異はあるが、レーザ照射であれば、Ra≧3μm、Z≧5μm、となるように、表面層除去工程において加工を行えば、十分な密着強度が得られるものと推定できる。
また、密着性については、レーザ照射>ショットブラスト>研磨の順となっている。表面層13が除去可能であれば手法は問わないが、高い密着強度が必要となる場合であれば、レーザ照射が好ましい。なお、この場合、ショットブラストや研磨についても、レーザ照射と同等の表面粗さRaおよび加工深さZが実現できるならば、採用可能であることはもちろんである。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態にかかる樹脂成形体としての半導体装置の要部について、図10を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、熱硬化性樹脂部材10における硫黄含有膜60および粗化面11aの配置パターンを変形したところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
上記第1実施形態では、上記図2に示したように、硫黄含有膜60および粗化面11aの配置パターンは、直方体状の熱硬化性樹脂部材10における4個の側面に渡って連続する閉環状パターンとされていた。
これに対して、本実施形態では、図10に示されるように、硫黄含有膜60および粗化面11aは、直方体状の熱硬化性樹脂部材10における一端10a側の端面すなわち一端面のみに配置されている。
この場合も、硫黄含有膜60および粗化面11aの配置パターンは、封止面11である当該一端面より突出する電気接続部材40の残部42の周りを取り囲む閉環形状とされている。そして、この場合も、上記第1実施形態と同様、当該閉環状のパターンによる効果が発揮される。
(他の実施形態)
なお、上記した各実施形態では、上記図1、図2、図10に示したように、硫黄含有膜60およびその直下の粗化面11aは、熱硬化性樹脂部材10における封止面11の一部に設けられていたが、封止面11の全体に設けられていてもよい。つまり、硫黄含有膜60およびその直下の粗化面11aは、封止面11の少なくとも一部に設けられたものであればよい。
また、上記図1に示したように、硫黄含有膜60および粗化面11aは、封止面11に加えて露出面12まで形成されていても何ら問題ない。さらに、硫黄含有膜60および粗化面11aは、熱硬化性樹脂部材10の表面全体に形成されていてもよい。
また、硫黄含有膜60および粗化面11aを封止面11の一部に設ける場合、上記したように連続する閉環状の配置パターンが好ましいが、それ以外にも、硫黄含有膜60および粗化面11aを、封止面11に対して島状に配置してもよい。
また、上記図1では、硫黄含有膜60および粗化面11aは、熱硬化性樹脂部材10における封止面11を超えて露出面12の一部まで連続して形成されていたため、上記段差11bは、熱可塑性樹脂部材20より露出し、目視可能なものとされていた。これに対して、これら硫黄含有膜60および粗化面11aは、封止面11の範囲内に設けられたものであってもよいことはもちろんであり、この場合は、上記段差11bは、熱可塑性樹脂部材20で封止されたものとなる。
また、第1の被封止部品および第2の被封止部品としては、熱硬化性樹脂部材10で封止されることが可能なものであればよく、上記した半導体素子30や電気接続部材40あるいは回路基板に限定されるものではない。
また、熱硬化性樹脂部材10の形状は、上記した直方体状のものに限定されるものではなく、球状、その他、不定形状などであってもよい。また、熱可塑性樹脂部材20の封止形態は、熱硬化性樹脂部材10の表面の一部が封止され残部が露出するものであればよく、上記図示例のような熱硬化性樹脂部材10の一端10a側が封止面11、他端10b側が露出面とされたものに限定するものではない。
また、上記実施形態では、樹脂成形体は半導体装置であり、熱硬化性樹脂部材10の内部には、熱硬化性樹脂部材10で封止された被封止部品が設けられたものであった。しかし、樹脂成形体としては、このような半導体装置に限定されるものではなく、たとえば熱硬化性樹脂部材10として被封止部品を持たない構成のものであってもよい。
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
10 熱硬化性樹脂部材
11 熱硬化性樹脂部材における封止面
11a 粗化面
12 熱硬化性樹脂部材における露出面
13 表面層
14 新生面
20 熱可塑性樹脂部材
60 硫黄含有膜

Claims (6)

  1. 熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材(10)と、
    前記熱硬化性樹脂部材の表面の一部である封止面(11)を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材(20)と、を備え、
    前記熱硬化性樹脂部材の表面の残部である露出面(12)は、前記熱可塑性樹脂部材より露出する樹脂成形体の製造方法であって、
    前記熱硬化性樹脂部材の原料である熱硬化性樹脂材料を用い、前記熱硬化性樹脂材料を加熱して硬化完了させることにより、前記熱硬化性樹脂部材を形成する硬化モールド工程と、
    前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面の少なくとも一部において、最表面に位置する表面層(13)を除去することで前記封止面の少なくとも一部を新生面(14)とする表面層除去工程と、
    前記熱硬化性樹脂部材の前記新生面に化学的処理を施すことにより、前記熱可塑性樹脂部材を構成する前記熱可塑性樹脂と化学結合するチオール基を形成するチオール基形成工程と、
    前記チオール基が形成された前記熱硬化性樹脂部材の新生面に対して、前記熱可塑性樹脂部材の原料である熱可塑性樹脂材料を射出成形することにより、前記チオール基と前記熱可塑性樹脂材料とを化学結合させつつ、前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面を前記熱可塑性樹脂部材で封止する可塑モールド工程と、を備えることを特徴とする樹脂成形体の製造方法。
  2. 前記表面層除去工程は、前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面の少なくとも一部に対して、レーザ照射することにより行うものであることを特徴とする請求項1に記載の樹脂成形体の製造方法。
  3. 前記熱可塑性樹脂部材は、ポリフェニレンサルファイドであることを特徴とする請求項1または2に記載の樹脂成形体の製造方法。
  4. 熱硬化性樹脂よりなる熱硬化性樹脂部材(10)と、
    前記熱硬化性樹脂部材の表面の一部である封止面(11)を封止する熱可塑性樹脂よりなる熱可塑性樹脂部材(20)と、を備え、
    前記熱硬化性樹脂部材の表面の残部である露出面(12)は、前記熱可塑性樹脂部材より露出している樹脂成形体であって、
    前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面の少なくとも一部と前記熱可塑性樹脂部材との間には、前記熱硬化性樹脂部材を構成する前記熱硬化性樹脂および前記熱可塑性樹脂部材を構成する前記熱可塑性樹脂とは組成が異なり、且つ、硫黄成分を含む硫黄含有膜(60)が介在されており、
    前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面のうち前記硫黄含有膜の下地として前記硫黄含有膜の直下に位置する部位の全体が、前記露出面よりも粗化された粗化面(11a)とされていることを特徴とする樹脂成形体。
  5. 一部(41)が前記熱硬化性樹脂部材に被覆されて、残部(42)が前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面より突出する被封止部品(40)が備えられており、
    前記被封止部品の残部は、前記熱可塑性樹脂部材により封止されており、
    前記熱硬化性樹脂部材において、前記露出面と前記被封止部品の残部との間に位置する前記封止面には、前記硫黄含有膜が、前記被封止部品の残部の周りに閉環形状をなすように設けられていることを特徴とする請求項4に記載の樹脂成形体。
  6. 前記硫黄含有膜は、前記熱硬化性樹脂部材における前記封止面から前記熱可塑性樹脂部材の端部を超えて前記露出面まで連続して形成されることにより、前記硫黄含有膜の端部は前記露出面に位置しており、
    前記露出面において、前記硫黄含有膜側の部位が前記硫黄含有膜の端部の外側の部位よりも凹むように、前記硫黄含有膜の端部を境界とする段差(11b)が形成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の樹脂成形体。
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