JP2015162418A - 透過電子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透過電子顕微鏡100は、電子線を発生させる電子線源2と、電子線源2からの電子線を試料に照射する照射レンズ系4と、試料Sを保持する試料ステージ6と、試料Sを挟んで配置された上極および下極を有し、前記上極および前記下極から磁場を発生させる第1対物レンズ8と、第1対物レンズ8の後段に配置された第2対物レンズ10と、第2対物レンズ10の後段に配置された結像レンズ系16と、第1対物レンズ8および第2対物レンズ10を制御する制御部22と、を含み、制御部22は、第2対物レンズ10を制御して、試料Sを透過した電子線で試料Sの透過電子顕微鏡像を結像する処理と、観察条件に基づいて第1対物レンズ8を制御して、試料Sが配置される試料位置での漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理と、を行う。
【選択図】図1
Description
電子線を発生させる電子線源と、
前記電子線源からの電子線を試料に照射する照射レンズ系と、
前記試料を保持する試料ステージと、
前記試料を挟んで配置された上極および下極を有し、前記上極および前記下極から磁場を発生させる第1対物レンズと、
前記第1対物レンズの後段に配置された第2対物レンズと、
前記第2対物レンズの後段に配置された結像レンズ系と、
前記第1対物レンズおよび前記第2対物レンズを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記第2対物レンズを制御して、前記試料を透過した電子線で前記試料の透過電子顕微鏡像を結像する処理と、
観察条件に基づいて前記第1対物レンズを制御して、前記試料が配置される試料位置での漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理と、
を行う。
前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理では、前記結像レンズ系の励磁量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求めてもよい。
前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理では、前記第2対物レンズの励磁量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求めてもよい。
前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理では、前記照射レンズ系の励磁量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求めてもよい。
外部磁場を検出する磁場センサーを含み、
前記制御部は、前記磁場センサーの検出結果に基づいて前記第1対物レンズを制御して、前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理を行ってもよい。
前記制御部は、前記外部磁場の磁場量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求めてもよい。
前記第1対物レンズの極性を制御する極性反転部を含んでいてもよい。
前記制御部は、前記第1対物レンズを制御して、前記試料位置に所与の磁場を印加する処理を行ってもよい。
前記試料位置に所与の磁場を印加する処理は、前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理の後に行われてもよい。
前記第1対物レンズに所定の電流を供給して、前記第1対物レンズの残留磁場を消去する消磁部を含んでいてもよい。
走査信号を生成する走査信号生成部と、
前記走査信号に基づいて、前記電子線で前記試料上を走査する走査コイルと、
を含んでいてもよい。
1.1. 透過電子顕微鏡
まず、第1実施形態に係る透過電子顕微鏡の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る透過電子顕微鏡100の構成を模式的に示す図である。
は、第1コンデンサーレンズ4aと、第2コンデンサーレンズ(コンデンサーミニレンズ)4bと、を含む。照射レンズ系4では、例えば、電子線源2から放出された電子線のクロスオーバーを第1コンデンサーレンズ4aで縮小し、縮小したビーム像を第2コンデンサーレンズ4bで第1対物レンズ8の物面に移送する。
物レンズ8のコイル8aに供給することによって、消磁を行う。消磁部12は、例えば、専用回路によって実現することができる。
して、試料位置に回り込む磁場である。また、観察条件は、例えば、観察倍率、フォーカス量等である。なお、第2観察モードにおいて、観察倍率は、結像レンズ系16の励磁量によって決まる。また、フォーカスは、第2対物レンズ10の励磁量によって決まる。このように、観察条件は、第2対物レンズ10の励磁量、結像レンズ系16の励磁量、照射レンズ系4の励磁量などによって決まる。
次に、第1実施形態に係る透過電子顕微鏡100の動作について説明する。
まず、第1観察モードから第2観察モードに切り替える処理について説明する。図3は、第1観察モードから第2観察モードに切り替える際の第1実施形態に係る透過電子顕微鏡100の動作の一例を示すフローチャートである。
、第1対物レンズ8は、漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる。そして、制御部22は、処理を終了する。
次に、第2観察モードにおいて、観察倍率を変更する際の透過電子顕微鏡100の動作について説明する。図4は、第2観察モードにおいて、観察倍率を変更する際の透過電子顕微鏡100の動作の一例を示すフローチャートである。
次に、第2観察モードにおいて、フォーカスを変更する際の透過電子顕微鏡100の動作について説明する。図5は、第2観察モードにおいて、フォーカスを変更する際の透過電子顕微鏡100の動作の一例を示すフローチャートである。
消されるような磁場を発生させる処理を行う(ステップS302、ステップS304)。
次に、第2観察モードにおいて、磁場センサー20が外部磁場を検出した際の透過電子顕微鏡100の動作について説明する。図6は、第2観察モードにおいて、外部磁場を検出した際の透過電子顕微鏡100の動作の一例を示すフローチャートである。
次に、第2観察モードにおいて、試料Sに所望の磁場を印加する際の透過電子顕微鏡100の動作について説明する。図3に示すステップS100〜S112の処理を行い第2観察モードに切り替わった後、ユーザーが操作部26に対して、試料Sに所望の磁場量および極性を入力する操作を行うと、制御部22は、第1対物レンズ8を制御して、試料位置に所与の磁場を印加する処理を行う。
、第1対物レンズ8の励磁電流および極性が、入力された磁場量および極性となるように第1対物レンズ8のコイル8aに流れる励磁電流および極性反転部14を制御する。
は、磁場センサー20の検出結果に基づいて第1対物レンズ8を制御して、試料位置での漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理を行う。そのため、透過電子顕微鏡100では、試料位置での外部磁場(漏洩磁場)の影響を低減することができる。
次に、第2実施形態に係る透過電子顕微鏡について、図面を参照しながら説明する。図7は、第2実施形態に係る透過電子顕微鏡200の構成を模式的に示す図である。以下、第2実施形態に係る透過電子顕微鏡200において、上述した第1実施形態に係る透過電子顕微鏡100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る透過電子顕微鏡200の動作について説明する。
まず、第1観察モードから第2観察モードに切り替える処理について説明する。図8は、第1観察モードから第2観察モードに切り替える際の透過電子顕微鏡200の動作の一例を示すフローチャートである。
の磁場量を0mTとする。
次に、第2観察モードにおいて、観察倍率を変更する際の透過電子顕微鏡100の動作について説明する。図9は、第2観察モードにおいて、電子線プローブの径を変更する際の透過電子顕微鏡200の動作の一例を示すフローチャートである。
操作部26は電子線プローブの径の情報を制御部22に送る。これにより、制御部22は、処理を開始する。
透過電子顕微鏡200において、外部磁場を検出した際の処理は、上述した「1.2.1. 外部磁場を検出した際の処理」と同様であり、その説明を省略する。また、透過電子顕微鏡200において、試料に所望の磁場を印加する処理は、上述した「 1.2.5. 試料に所望の磁場を印加する処理」と同様でありその説明を省略する。
顕微鏡像を取得することができる。
Claims (11)
- 電子線を発生させる電子線源と、
前記電子線源からの電子線を試料に照射する照射レンズ系と、
前記試料を保持する試料ステージと、
前記試料を挟んで配置された上極および下極を有し、前記上極および前記下極から磁場を発生させる第1対物レンズと、
前記第1対物レンズの後段に配置された第2対物レンズと、
前記第2対物レンズの後段に配置された結像レンズ系と、
前記第1対物レンズおよび前記第2対物レンズを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記第2対物レンズを制御して、前記試料を透過した電子線で前記試料の透過電子顕微鏡像を結像する処理と、
観察条件に基づいて前記第1対物レンズを制御して、前記試料が配置される試料位置での漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理と、
を行う、透過電子顕微鏡。 - 請求項1において、
前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理では、前記結像レンズ系の励磁量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求める、透過電子顕微鏡。 - 請求項1または2において、
前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理では、前記第2対物レンズの励磁量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求める、透過電子顕微鏡。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理では、前記照射レンズ系の励磁量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求める、透過電子顕微鏡。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
外部磁場を検出する磁場センサーを含み、
前記制御部は、前記磁場センサーの検出結果に基づいて前記第1対物レンズを制御して、前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理を行う、透過電子顕微鏡。 - 請求項5において、
前記制御部は、前記外部磁場の磁場量と前記漏洩磁場を打ち消すための前記第1対物レンズの励磁量との関係を表す関数を用いて、前記第1対物レンズの励磁量を求める、透過電子顕微鏡。 - 請求項1ないし6のいずれか1項において、
前記第1対物レンズの極性を制御する極性反転部を含む、透過電子顕微鏡。 - 請求項1ないし7のいずれか1項において、
前記制御部は、前記第1対物レンズを制御して、前記試料位置に所与の磁場を印加する処理を行う、透過電子顕微鏡。 - 請求項8において、
前記試料位置に所与の磁場を印加する処理は、前記漏洩磁場が打ち消されるような磁場を発生させる処理の後に行われる、透過電子顕微鏡。 - 請求項1ないし9のいずれか1項において、
前記第1対物レンズに所定の電流を供給して、前記第1対物レンズの残留磁場を消去する消磁部を含む、透過電子顕微鏡。 - 請求項1ないし10のいずれか1項において、
走査信号を生成する走査信号生成部と、
前記走査信号に基づいて、前記電子線で前記試料上を走査する走査コイルと、
を含む、透過電子顕微鏡。
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