JP2015154065A - シリコン単結晶の品質評価方法 - Google Patents
シリコン単結晶の品質評価方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015154065A JP2015154065A JP2014029860A JP2014029860A JP2015154065A JP 2015154065 A JP2015154065 A JP 2015154065A JP 2014029860 A JP2014029860 A JP 2014029860A JP 2014029860 A JP2014029860 A JP 2014029860A JP 2015154065 A JP2015154065 A JP 2015154065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- single crystal
- silicon single
- osf
- minutes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】シリコン単結晶の品質を評価するためにシリコン単結晶の表面に酸素誘起積層欠陥を発生させる熱処理方法として、シリコン単結晶に350〜550℃で30〜200分間の第1段熱処理、550〜750℃で30〜300分間の第2段熱処理、750〜900℃で30〜300分間の第3段熱処理、900〜1000℃で30〜1440分間の第4段熱処理、1100〜1200℃で30〜200分間の第5段熱処理をこの順序で実施する。
【選択図】図2A
Description
シリコン単結晶の品質を評価するためにシリコン単結晶の表面に酸素誘起積層欠陥を発生させる熱処理方法として、シリコン単結晶に350〜550℃で30〜200分間の第1段熱処理、550〜750℃で30〜300分間の第2段熱処理、750〜900℃で30〜300分間の第3段熱処理、900〜1000℃で30〜1440分間の第4段熱処理、1100〜1200℃で30〜200分間の第5段熱処理をこの順序で実施することを特徴とする。
作製したサンプルウェーハを4分割してテストピースを作成し、その一つを用いて実施例1として図1のフローチャートと同様にサンプルウェーハのOSF密度を測定した。第1段から第5段熱処理の熱処理として、図2Aに示すようにサンプルウェーハを500℃に維持した加熱炉内に搬入し、第1段熱処理として500℃で2時間、第2段熱処理として650℃で5時間、第3段熱処理として800℃で4時間、第4段熱処理として1000℃で16時間、第5段熱処理として1200℃で2時間、熱処理を行った後、加熱炉内を800℃まで降温してサンプルウェーハを加熱炉から搬出した。その後、サンプルウェーハ上の酸化膜を希フッ酸により洗浄し、サンプルウェーハの両面を7±3μmの取り代でNIT液により選択エッチングし、光学顕微鏡によりサンプルウェーハのエッチング面を観察し、OSF密度を測定した。
従来例として、実施例1で使用した同一のサンプルウェーハから切り出した別のテストピースを用いて、熱処理以外は実施例1と同様の条件にしてサンプルウェーハのOSF密度を測定した。熱処理としては、図2Bに示すようにサンプルウェーハを800℃に維持した加熱炉内に搬入した後、加熱炉内を1000℃まで昇温した後、その温度を維持した状態で5時間(加熱炉内の雰囲気はドライO2雰囲気)、熱処理(第1の熱処理)を実施する。第1の熱処理の終了後、加熱炉内を1200℃まで昇温して維持するとともに、加熱炉内に水蒸気を導入して加熱炉内をウェットO2雰囲気にした状態で、1200℃で2時間、熱処理(第2の熱処理)を実施する。第2の熱処理の終了後、加熱炉内を800℃まで降温し、実施例1と同様にサンプルウェーハの酸化膜の除去、エッチングを実施し、サンプルウェーハのエッチング面を観察してOSF密度を測定した。
上記の従来例でOSFが全く検出されない(NPCと判定された)サンプルウェーハにおいて、そのウェーハの中心から径方向に向かう距離を指標とするOSF密度を実施例1と同様に測定するとともに、当該サンプルウェーハの近傍から切り出した別のサンプルウェーハについてGOI特性を評価した。GOI特性を評価する方法として、TDDB(Time Dependent Dielectri Breakdown)法を用いた。
Claims (2)
- シリコン単結晶の品質を評価するために前記シリコン単結晶の表面に酸素誘起積層欠陥を発生させる熱処理方法として、前記シリコン単結晶に350〜550℃で30〜200分間の第1段熱処理、550〜750℃で30〜300分間の第2段熱処理、750〜900℃で30〜300分間の第3段熱処理、900〜1000℃で30〜1440分間の第4段熱処理、1100〜1200℃で30〜200分間の第5段熱処理をこの順序で実施することを特徴とするシリコン単結晶の品質評価方法。
- 前記第1段〜第4段熱処理を乾燥酸素ガス雰囲気中で実施し、前記第5段熱処理を水蒸気を含む酸素ガス雰囲気で実施する請求項1に記載のシリコン単結晶の品質評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014029860A JP6025070B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | シリコン単結晶の品質評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014029860A JP6025070B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | シリコン単結晶の品質評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015154065A true JP2015154065A (ja) | 2015-08-24 |
JP6025070B2 JP6025070B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=53895973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014029860A Active JP6025070B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | シリコン単結晶の品質評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6025070B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152544A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ウェーハの評価方法 |
WO2018047590A1 (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 信越半導体株式会社 | 結晶欠陥評価方法 |
CN109887854A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 爱思开矽得荣株式会社 | 识别晶片中缺陷区域的方法 |
CN112585734A (zh) * | 2018-08-20 | 2021-03-30 | 爱思开矽得荣株式会社 | 用于评估晶片的有缺陷区域的方法 |
KR20210122459A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 결정 결함 평가 장치 및 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085333A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Siltron Inc | 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 |
JP2008222505A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハの評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 |
JP5946001B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2016-07-05 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶棒の製造方法 |
-
2014
- 2014-02-19 JP JP2014029860A patent/JP6025070B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085333A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Siltron Inc | 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 |
JP2008222505A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハの評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 |
JP5946001B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2016-07-05 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶棒の製造方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152544A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ウェーハの評価方法 |
US10983158B2 (en) | 2016-09-07 | 2021-04-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for evaluating crystal defects |
WO2018047590A1 (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 信越半導体株式会社 | 結晶欠陥評価方法 |
JP2018041830A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 信越半導体株式会社 | 結晶欠陥評価方法 |
KR20190046819A (ko) * | 2016-09-07 | 2019-05-07 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 결정결함 평가방법 |
KR102384611B1 (ko) | 2016-09-07 | 2022-04-08 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 결정결함 평가방법 |
KR20190066686A (ko) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 결함 영역을 평가하는 방법 |
CN109887854B (zh) * | 2017-12-06 | 2023-08-04 | 爱思开矽得荣株式会社 | 识别晶片中缺陷区域的方法 |
US10634622B2 (en) | 2017-12-06 | 2020-04-28 | Sk Siltron Co., Ltd. | Method of identifying defect regions in wafer |
KR102037748B1 (ko) * | 2017-12-06 | 2019-11-29 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 결함 영역을 평가하는 방법 |
JP2019102810A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | ウエハーの欠陥領域を評価する方法 |
CN109887854A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 爱思开矽得荣株式会社 | 识别晶片中缺陷区域的方法 |
US20210320037A1 (en) * | 2018-08-20 | 2021-10-14 | Sk Siltron Co., Ltd. | Method for evaluating defective region of wafer |
JP2021533575A (ja) * | 2018-08-20 | 2021-12-02 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | ウエハーの欠陥領域を評価する方法 |
CN112585734A (zh) * | 2018-08-20 | 2021-03-30 | 爱思开矽得荣株式会社 | 用于评估晶片的有缺陷区域的方法 |
JP7337911B2 (ja) | 2018-08-20 | 2023-09-04 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | ウエハーの欠陥領域を評価する方法 |
CN112585734B (zh) * | 2018-08-20 | 2024-03-15 | 爱思开矽得荣株式会社 | 用于评估晶片的有缺陷区域的方法 |
US11955386B2 (en) * | 2018-08-20 | 2024-04-09 | Sk Siltron Co., Ltd. | Method for evaluating defective region of wafer |
KR20210122459A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 결정 결함 평가 장치 및 방법 |
KR102413431B1 (ko) * | 2020-04-01 | 2022-06-27 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 결정 결함 평가 장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6025070B2 (ja) | 2016-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6025070B2 (ja) | シリコン単結晶の品質評価方法 | |
US8231852B2 (en) | Silicon wafer and method for producing the same | |
JP5439305B2 (ja) | シリコン基板の製造方法及びシリコン基板 | |
KR101997561B1 (ko) | 실리콘 단결정봉의 제조방법 | |
JP6388058B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
TWI486493B (zh) | 矽單結晶的檢查方法及製造方法 | |
CN111624460B (zh) | 一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法 | |
JP4196602B2 (ja) | エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 | |
JP5678211B2 (ja) | アニールウエハの製造方法 | |
JP6052189B2 (ja) | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 | |
JP2013197364A (ja) | 金属汚染検出方法及びそれを用いたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
KR102661941B1 (ko) | 웨이퍼의 결함 영역의 평가 방법 | |
KR102192287B1 (ko) | 실리콘 단결정 웨이퍼의 열처리방법 | |
JPH039078B2 (ja) | ||
JP6834836B2 (ja) | シリコン単結晶のosf評価方法、エピタキシャルウェーハの検査方法、およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP7247879B2 (ja) | 単結晶シリコンウェーハの酸化膜耐圧の評価方法 | |
JP2005216993A (ja) | シリコンウエーハの評価方法 | |
TWI671440B (zh) | 矽單結晶的製造方法、矽單結晶及矽晶圓 | |
JP5742739B2 (ja) | 金属汚染評価用シリコン基板の選別方法 | |
JP2007019226A (ja) | 半導体基板の測定方法 | |
JP4370571B2 (ja) | アニールウエーハの評価方法及び品質保証方法 | |
JP2012222109A (ja) | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 | |
JP2002134514A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160916 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6025070 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |