JP2015153939A - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、半導体ウェーハの表裏両面のみならず、面取り部からの発塵を防止する目的で、面取り部にも鏡面研磨が実施される。
粗研磨は、キャリア内に半導体ウェーハを収納して半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨する両面同時研磨により行われる。この両面同時研磨では、半導体ウェーハとキャリア内周面との接触により、面取り部に傷や圧痕が発生する。したがって、面取り部の鏡面研磨は、発生する傷や圧痕の除去を兼ねて、粗研磨後に実施されるのが一般的である。
具体的には、図5(A)に示すように、第1ステップでは、先ず、半導体ウェーハ100の面取り部101に存在する酸化膜101Aを除去する。しかし、図5(B)に示すように、面取り部101に存在する酸化膜101Aだけでなく、ウェーハ表面102に存在する酸化膜102Aのうち、研磨パッドの研磨布(不織布)111が回り込んだ領域における酸化膜102Bも除去される。更に、酸化膜102Bが除去されて露出したウェーハ表面102と面取り部101との境界部分103に対して局所的に応力が集中して、この境界部分103における領域を中心として研磨が進行する。
続いて、図5(C)に示すように、第2ステップでは、第1ステップに引き続いて、研磨パッドの研磨布(スウェード)112が回り込んだ領域におけるウェーハ表面102に存在する酸化膜102Bが更に除去される。そして、露出したウェーハ表面102と面取り部101との境界部分103に対して局所的に応力が集中して、この境界部分103における領域を中心として研磨がより進行する。
このようなオーバーポリッシュが生じると、半導体ウェーハ外周部の厚みが薄くなってしまう不具合を生じる(以後、エッジロールオフともいう。)。
また、保護膜を形成するための樹脂が、表裏両面だけでなく、面取り部にまで及んでしまうと、面取り部の鏡面研磨工程での研磨が部分的あるいは全体的に抑制されてしまう。そのため、面取り部には樹脂が及ばないように、ウェーハ表裏両面のみに保護膜を正確に形成する必要があるが、技術的に困難であった。
更に、樹脂製保護膜の除去のための洗浄では、一旦除去した樹脂が再付着する、樹脂製保護膜が完全に除去されないなどの問題があった。
本発明によれば、表面又は表裏両面に酸化膜が存在し、面取り部には酸化膜が存在しない半導体ウェーハに、無砥粒研磨液を使用して鏡面仕上面取り研磨工程を実施する。無砥粒研磨液による研磨では酸化膜は除去されないので、酸化膜が存在する領域、即ち、半導体ウェーハの表面又は表裏両面は研磨が進行せず、酸化膜が存在しない面取り部のみの研磨が進行する。このため、研磨パッドが面取り部だけでなく、ウェーハ表面側、又は表裏両面側にまで回り込んだ状態で研磨しても、表面又は表裏両面に存在する酸化膜がストッパーとして作用するためオーバーポリッシュを生じることがない。結果として、半導体ウェーハ外周部の平坦度の向上と、面取り部における粗さの平滑化とを両立することができる。
この発明によれば、鏡面仕上面取り研磨工程の前に、仕上前鏡面面取り研磨工程として、有砥粒研磨液による研磨を実施する。有砥粒研磨液による研磨では、酸化膜の除去が可能である。このため、表面又は表裏両面だけでなく、面取り部にも酸化膜が存在する半導体ウェーハの面取り部に対して、この仕上前鏡面面取り研磨工程を実施することで、面取り部に存在する酸化膜が除去される。結果として、この仕上前鏡面面取り研磨工程を実施することで、表面又は表裏両面に酸化膜が存在し、面取り部には酸化膜が存在しない半導体ウェーハを形成できる。また、有砥粒研磨液による研磨は、無砥粒研磨液による研磨に比べて、面取り部に発生する傷や圧痕を効率良く除去することが可能である。このため、仕上前鏡面面取り研磨工程を実施することで、後工程である鏡面仕上面取り研磨工程の作業効率を向上できる。
この発明によれば、仕上前鏡面面取り研磨工程の研磨パッドには、圧縮率が7%未満の不織布を使用し、鏡面仕上面取り研磨工程の研磨パッドには、圧縮率が6%以上のスウェードを使用する。上記各工程の研磨パッドの圧縮率を特定の組合せにすることで、仕上前鏡面面取り研磨工程ではオーバーポリッシュをより抑制でき、鏡面仕上面取り研磨工程では、面取り部の粗さをより低減できる。
この発明によれば、鏡面仕上面取り研磨工程の無砥粒研磨液には、ポリマーが添加されている。無砥粒研磨液にポリマーが添加されていることで、鏡面仕上面取り研磨工程時における半導体ウェーハの研磨面の濡れ性を向上させることができる。
本発明の半導体ウェーハの製造方法では、先ず、CZ法等により引き上げられた単結晶インゴットを、マルチワイヤソー等によってスライス切断する。次いで、スライスしたウェーハの欠けや割れを防止するために、ウェーハの角隅部等に面取りを行う。
次に、面取りしたウェーハの表面を平坦化するために、ラッピングや平面研削を行う。そして、ウェーハに残留する面取り時及びラッピング時に発生した加工変質層を除去するために、エッチングによる化学的表層除去処理を行う。
粗研磨工程は、所望とする厚みまでウェーハを研磨することを目的に行われる。具体的には、両面研磨装置を使用し、ウレタン樹脂などを固めた硬質素材の研磨布を用い、研磨速度が比較的速い条件で、研磨後のウェーハの厚さのバラツキを小さく、平坦化するように研磨が行われる。
ここでの洗浄では、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液(SC−1)などを使用することが好適である。例えば、アンモニア水と過酸化水素水を1:1で混合し、これを5〜30倍に純水希釈して調製された、50〜80℃に加温したSC−1液によるウェットベンチ洗浄により行うことが特に好ましい。
上記SC−1液による洗浄後は、ウェーハを純水でリンスする。洗浄を終えたウェーハの全面には、不可避的に、膜厚が約1nm以上約1.1nm以下(約10Å以上約11Å以下)の自然酸化膜が形成される。
次に、図1(A)に示すように、ウェーハ表面12に酸化膜12Aが、面取り部11に酸化膜11Aがそれぞれ形成されている半導体ウェーハ10(以後、単に「ウェーハ」ともいう。)の面取り部11に対して、仕上前鏡面面取り研磨工程を実施する。
本実施形態の仕上前鏡面面取り研磨工程に用いる面取り研磨装置について説明する。図2(A)は面取り研磨装置の部分拡大概略図であり、図2(B)は面取り研磨装置の平面図である。
図2(A)に示すように、面取り研磨装置20は、ウェーハ10の下面を吸着するウェーハ吸着部21と、このウェーハ吸着部21で吸着されたウェーハ10を鏡面研磨する研磨部22と、研磨部22の上部には研磨液を供給するための配管23を備える。
研磨部22は、ウェーハ10の面取り部11を鏡面研磨する研磨ホイール221と、研磨ホイール221を回転させたり、上下方向に昇降させたり、ウェーハ10に押し付ける駆動手段(図示省略)とを備える。研磨ホイール221は、上方傾斜面研磨パッド222、垂直面研磨パッド223及び下方傾斜面研磨パッド224から構成される。
なお、図2(A)では、ウェーハ10の面取り部11に対する位置関係を説明するために、各研磨パッド222,223,224を図の右側に並べて示している。実際には、図2(B)に示すように、各研磨パッド222,223,224がそれぞれ同じ長さの円弧状に形成され、所定の間隔をあけてウェーハ10の周りに配置する構成となっている。
仕上前鏡面面取り研磨工程で使用される研磨液としては、砥粒が含有されたアルカリ水溶液を使用することが好ましい。このうち、砥粒としては平均粒径50nmのコロイダルシリカ、アルカリ水溶液としてはpH10〜11のKOH水溶液を使用することが特に好ましい。
次に、前述した面取り研磨装置20による仕上前鏡面面取り研磨工程の作用について説明する。
先ず、ウェーハ10の下面をウェーハ吸着部21に吸着してウェーハ10を保持させる。そして、研磨ホイール221の各研磨パッド222,223,224を所定の圧力で面取り部の対応する箇所にそれぞれ押し付けて、押し付けた状態を維持する。
次に、配管23から研磨液を研磨パッドに供給しながら、図2(B)に示すように、回転手段212を回転させてウェーハ10を回転させるとともに、駆動手段により研磨ホイール221を回転させて各研磨パッド222,223,224を回転させる。
これにより、ウェーハ10の面取り部11の上方が上方傾斜面研磨パッド222によって、面取り部11の中央部が垂直面研磨パッド223によって、及び面取り部11の下方が下方傾斜面研磨パッド224によってそれぞれ研磨される。
仕上前鏡面面取り研磨工程に続いて、表裏両面に酸化膜が存在し、面取り部11には酸化膜が存在しないウェーハ10の面取り部11に対して、鏡面仕上面取り研磨工程を実施する。
<面取り研磨装置の構成>
本実施形態の鏡面仕上面取り研磨工程では、前述した仕上前鏡面面取り研磨工程で使用した面取り研磨装置と同様の構成を有する面取り研磨装置20を使用できる。
鏡面仕上面取り研磨工程で使用する研磨パッドには、できるだけ低硬度のものを使用することが好ましい。具体的には、鏡面仕上面取り研磨工程で使用する研磨パッドには、研磨布として圧縮率が6%以上のスウェードを使用することが好ましい。上記性質を有するスウェードとして、例えば、ニッタ・ハース社製のSUPREME−RNなどを使用することが特に好ましい。
鏡面仕上面取り研磨工程で使用する研磨液としては、砥粒が含有されないアルカリ水溶液を使用することが好ましい。アルカリ水溶液としてはpH10〜11のKOH水溶液を使用することが特に好ましい。鏡面面取り研磨工程で使用する無砥粒研磨液には、ポリマーが添加されていることが好ましい。
次に、前述した面取り研磨装置20による鏡面仕上面取り研磨工程の作用について説明する。面取り研磨装置20の駆動については、上記仕上げ前鏡面面取り研磨と同様であるので記載を省略する。
この鏡面仕上面取り研磨では、無砥粒研磨液を使用しているので、図1(C)に示すように、酸化膜が存在しない面取り部11のみの研磨が進行する。即ち、研磨パッドの研磨布(スウェード)222Bがウェーハ表面12側や裏面側にまで回り込んだ状態で研磨しても、無砥粒研磨液では酸化膜を研磨できないため、オーバーポリッシュを生じることがなく、面取り部11のみの粗さが平滑化される。
上述したように、上記実施形態では、以下のような作用効果を奏することができる。
(1)ウェーハ表面12又は表裏両面に酸化膜12Aが存在し、面取り部には酸化膜が存在しないウェーハ10の面取り部11に対して、無砥粒研磨液を使用して鏡面仕上面取り研磨工程を実施する。
本発明によれば、無砥粒研磨液による研磨では酸化膜は除去されないので、酸化膜が存在する領域、即ち、ウェーハ表面12又は表裏両面は研磨が進行せず、酸化膜が存在しない面取り部11のみの研磨が進行する。このため、研磨パッドの研磨布(スウェード)222Bが面取り部11だけでなく、ウェーハ表面12側、又は表裏両面側にまで回り込んだ状態で研磨しても、ウェーハ表面12又は表裏両面に存在する酸化膜12Aがストッパーとして作用するためオーバーポリッシュを生じることがない。結果として、ウェーハ10外周部の平坦度の向上と、面取り部11における粗さの平滑化とを両立することができる。
この発明によれば、有砥粒研磨液による研磨では、酸化膜の除去が可能である。このため、ウェーハ表面12又は表裏両面だけでなく、面取り部11にも酸化膜11A,12Aが存在するウェーハ10の面取り部11に対して、この仕上前鏡面面取り研磨工程を実施することで、面取り部11に存在する酸化膜11Aが除去される。結果として、この仕上前鏡面面取り研磨工程を実施することで、ウェーハ表面12又は表裏両面に酸化膜12Aが存在し、面取り部11には酸化膜が存在しないウェーハ10を形成できる。また、有砥粒研磨液による研磨は、無砥粒研磨液による研磨に比べて、面取り部11に発生する傷や圧痕を効率良く除去することが可能である。このため、仕上前鏡面面取り研磨工程を実施することで、後工程である鏡面面取り研磨工程の作業効率を向上できる。
この発明によれば、上記各工程の研磨パッドの圧縮率などを特定の組合せにすることで、仕上前鏡面面取り研磨工程ではオーバーポリッシュをより抑制でき、鏡面仕上面取り研磨工程では、面取り部の粗さをより低減できる。
この発明によれば、無砥粒研磨液にポリマーが添加されていることで、鏡面仕上面取り研磨工程時における半導体ウェーハの研磨面の濡れ性を向上させることができる。
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
上記実施形態では、鏡面仕上面取り研磨工程の無砥粒研磨液にポリマーを添加する構成としたが、仕上前鏡面面取り研磨工程の有砥粒研磨液にもポリマーを添加してもよい。
また、本実施形態では、面取り部に酸化膜が存在しない半導体ウェーハを形成するために、仕上前鏡面面取り研磨工程を実施する例を示したが、これに限られるものではない。例えば、面取り部をマスクした状態で酸化膜を形成した後に、マスクを除去することで、面取り部に酸化膜が存在しない半導体ウェーハを形成してもよい。また、例えば、エッチングなどにより、全面に酸化膜が形成された半導体ウェーハの面取り部のみの酸化膜を除去することで、面取り部に酸化膜が存在しない半導体ウェーハを形成してもよい。
また、半導体ウェーハ全面に形成される酸化膜を、洗浄工程で生じる酸化膜によるものとしたが、薬液を用いて半導体ウェーハ全面に酸化膜を形成してもよい。この場合、自然酸化膜とは異なり、酸化膜の膜厚を適宜調整することが可能となる。
また、仕上前鏡面面取り研磨工程で使用する研磨パッドは、できるだけ高硬度としてもよい。仕上前鏡面面取り研磨工程の研磨パッドの硬度を高くすることで、研磨時におけるウェーハへの研磨パッドの沈み込みが低減される。このため、研磨パッドが面取り部だけでなく、ウェーハ表面側、又は表裏両面側にまで回り込んだ状態が抑制されるため、結果として、仕上前鏡面面取り研磨工程時におけるオーバーポリッシュを抑制できる。
その他、本発明の実施の際の具体的な手順、及び構造等は本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
先ず、半導体ウェーハ10として、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、両面研磨、及び洗浄の各処理を順次行って得た、直径300mm、結晶方位(100)であり、全面に膜厚0.9nmの自然酸化膜が形成されたシリコンウェーハを用意した。
次に、図2(A)に示す面取り研磨装置20を用い、洗浄後のシリコンウェーハの面取り部を鏡面面取り研磨した。この鏡面面取り研磨は、第1ステップ(仕上前鏡面面取り研磨)及び第2ステップ(鏡面仕上面取り研磨)の2段階で行った。
・第1ステップ(仕上前鏡面面取り研磨)
研磨パッド:研磨布として圧縮率が4.1%の不織布を使用
研磨液:有砥粒研磨液(平均粒径50nmのコロイダルシリカ砥粒が含有されたpH10〜11のKOH水溶液)を使用
・第2ステップ(鏡面仕上面取り研磨)
研磨パッド:研磨布として圧縮率が6.7%のスウェードを使用
研磨液:無砥粒研磨液(pH10〜11のKOH水溶液)を使用
鏡面面取り研磨条件を以下のように変更した以外は実施例1と同様にしてシリコンウェーハを得た。
・第1ステップ(仕上前鏡面面取り研磨)
研磨パッド:研磨布として圧縮率が6.9%の不織布を使用
研磨液:有砥粒研磨液(平均粒径50nmのコロイダルシリカ砥粒が含有されたpH10〜11のKOH水溶液)を使用
・第2ステップ(鏡面仕上面取り研磨)
研磨パッド:研磨布として圧縮率が6.7%のスウェードを使用
研磨液:有砥粒研磨液(平均粒径50nmのコロイダルシリカ砥粒が含有されたpH10〜11のKOH水溶液)を使用
鏡面面取り研磨条件を以下のように変更した以外は実施例1と同様にしてシリコンウェーハを得た。この比較例2は、上記実施例1,比較例1とは異なり、1段階による鏡面面取り研磨である。
研磨パッド:研磨布として圧縮率が6.9%の不織布を使用
研磨液:有砥粒研磨液(平均粒径50nmのコロイダルシリカ砥粒が含有されたpH10〜11のKOH水溶液)を使用
鏡面面取り研磨条件を以下のように変更した以外は実施例1と同様にしてシリコンウェーハを得た。この比較例3は、上記比較例2と同様、1段階による鏡面面取り研磨である。
研磨パッド:研磨布として圧縮率が4.1%の不織布を使用
研磨液:有砥粒研磨液(平均粒径50nmのコロイダルシリカ砥粒が含有されたpH10〜11のKOH水溶液)を使用
実施例1及び比較例1〜3で得られた鏡面面取り研磨後のシリコンウェーハを複数枚用意し、これらのシリコンウェーハについて、フラットネス測定装置(KLAテンコール社製Wafer−Sight2)を用いてFZDD(Frontside_ZDD)(表面プロファイルの2回微分値)を算出した。FZDDは、エッジロールオフ大小を表す尺度である。その結果を図3に示す。
また、これらのシリコンウェーハについて、レーザー干渉計装置(Chapman社製)を用いて面取り部におけるマイクロラフネスを測定した。その結果を図4に示す。
上記図3、図4に示す結果から、本発明の実施例1は、エッジロールオフが抑制でき、また、面取り部における粗さの平滑化とを両立できることが確認された。
11…面取り部
11A…酸化膜
12…表面
12A…酸化膜
Claims (4)
- 表面又は表裏両面に酸化膜が存在し、面取り部には酸化膜が存在しない半導体ウェーハの前記面取り部に対して、無砥粒研磨液を使用して鏡面仕上面取り研磨工程を実施することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法において、
前記鏡面仕上面取り研磨工程の前に、前記表面又は前記表裏両面、並びに前記面取り部に酸化膜が存在する半導体ウェーハの前記面取り部に対して、有砥粒研磨液を使用して仕上前鏡面面取り研磨工程を実施することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 請求項2に記載の半導体ウェーハの製造方法において、
前記仕上前鏡面面取り研磨工程で使用する研磨パッドには、圧縮率が7%未満の不織布を使用し、前記鏡面仕上面取り研磨工程で使用する研磨パッドには、圧縮率が6%以上のスウェードを使用することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。 - 請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法において、
前記鏡面仕上面取り研磨工程で使用する前記無砥粒研磨液には、ポリマーが添加されていることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
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