JP2015146469A - Lcp基板用カバー材およびそれを用いたlcp回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板10は、基板12とこの基板12の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路13とを含む基板構造体11、および前記基板構造体11の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバー材14で少なくとも構成され、前記基板は、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、前記カバー材は、(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下である。
【選択図】図1
Description
例えば、特許文献1(特開2007−19338号公報)には、液晶ポリマーシートの片面または両面に形成された回路面に対して、液晶ポリマーシートが、カバーシートとして回路面と照射面とが接触した状態で熱圧着された電子回路基板が開示されている。
前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバー材で少なくとも構成された回路基板であって、
前記基板は、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、
前記カバー材は、(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下である回路基板である。
(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下であるカバー材についても包含する。
前記基板は、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、
前記カバー材は、(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下である回路基板である。
基板構造体は、基板と、この基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含んでいればよく、導体回路は、基板の片面に形成されていてもよく、両面に形成されていてもよい。また、基板構造体は、複数の基板を含んでいてもよい。具体的には、基板構造体としては、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板、多層プリント配線板などが例示できる。
基板は熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成される。
熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成され、この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。
LCPフィルムの基板材料としての特性を維持する観点から、前記カバー材としては、(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5(好ましくは2.1〜3.4)であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下(好ましくは0.008以下、より好ましくは0.005以下)である材料からなるフィルムまたは皮膜が用いられる。
ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)から形成されたフィルムは、例えば、中興化成工業(株)より「チューコーフローシート」として上市されている。
テトラフルオロエチレン/パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)から形成されたフィルムは、例えば、ダイキン工業(株)より「ネオフロン(登録商標)PFAフィルム」として上市されている。
(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下であるカバー材についても包含する。
このカバー材は、回路基板の項において説明した各種特性を有していてもよい。
そして、このようなカバー材は、LCP基板の優れた電気特性を生かしつつ、高いハンダ耐熱性などの各種特性を回路基板に対して付与することが可能である。
本発明の回路基板は、基板として用いられた熱可塑性液晶ポリマーフィルムの優れた電気特性を生かしつつ、良好なハンダ耐熱性を実現できるため、取り扱い性および信頼性の高い回路基板を得ることができる。
また、カバー材の特性に由来して、本発明の回路基板も、260℃でのハンダ耐熱性を有している。
示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得た。つまり、供試フィルムを20℃/分の速度で昇温して完全に溶融させた後、溶融物を50℃/分の速度で50℃まで急冷し、再び20℃/分の速度で昇温した時に現れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録した。
膜厚は、デジタル厚み計(株式会社ミツトヨ製)を用い、選られたフィルムをTD方向に1cm間隔で測定し、中心部および端部から任意に選んだ10点の平均値を膜厚とした。
50cm×50cmのフィルムを23℃の蒸留水に24時間浸漬した時の飽和吸水率を重量測定によって求めた。
フィルムを25mm×25mmの寸法に裁断し、JIS C 6481に基づき、銅箔面を下にして260℃に加熱した溶融はんだ浴上に浮かせ、60秒間静置し、銅箔面および積層板にふくれが生じていないか目視により観察した。
マイクロ波ネットワークアナライザー(Agilent Technology社製「8722ES」)を用い、カスケードマイクロテック製プローブ(ACP40-250)にて10〜40GHzで伝送損失とインピーダンスを測定した。なお、伝送損失は、回路基板を温度23℃、湿度60%RH環境下で96時間放置した直後、および温度60℃、湿度90%RH環境下で96時間放置した直後の双方において測定した。
誘電率測定は周波数10GHzで空洞共振器摂動法により誘電体材料計測装置(関東電子応用開発(株)製)を使用して実施した。摂動法による誘電率測定方法は、空洞共振器に微小な材料(幅:2.7mm×長さ:45mm)を挿入し、温度20℃、湿度65%RH環境下、96時間の挿入前後の共振周波数の変化から材料の誘電率を測定した。
マイクロ波分子配向度測定機において、液晶ポリマーフィルムを、マイクロ波の進行方向にフィルム面が垂直になるように、マイクロ波共振導波管中に挿入し、該フィルムを透過したマイクロ波の電場強度(マイクロ波透過強度)を測定した。
m=(Zo/△z) X [1−νmax/νo]
p−ヒドロキシ安息香酸と6−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸の共重合物(モル比:73/27)を溶融押出し、インフレーション成形法により、融点が280℃、膜厚50μm、SOR1.05のフィルムを得た。このフィルムを260℃で7時間加熱することにより、融点が335℃、膜厚が50μm、分子配向度SORが1.05、誘電率3.0の熱可塑性液晶ポリマーフィルム(A)を得た。
p−ヒドロキシ安息香酸と6−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸の共重合物(モル比:73/27)を溶融押出し、インフレーション成形法により、融点が280℃、膜厚25μm、SOR1.05、誘電率3.0の熱可塑性液晶ポリマーフィルム(B)を得た。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、ポリエーテルエーテルケトンフィルム(ビクトレックス社製、「APTIV(登録商標)Film」、膜厚50μm)を、変性エポキシ樹脂(セメダイン社製、「EP001」)を介在させて重ね合わせ、基板構造体とポリエーテルエーテルケトンフィルムとを圧延ロールを使用して積層した。ここで、基板構造体とポリエーテルエーテルケトンフィルムとは、隙間なく密着していることが目視により確認された。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、ポリエーテルスルホンフィルム(住友化学(株)製、「スミカエクセルPES」、膜厚50μm)を、変性エポキシ樹脂(セメダイン社製、「EP001」)を介在させて重ね合わせ、基板構造体とポリエーテルスルホンフィルムとを圧延ロールを使用して積層した。ここで、基板構造体とポリエーテルスルホンフィルムとは隙間なく密着していることが目視により確認された。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、PTFEフィルム(中興化成工業(株)製、「チューコーフロー(登録商標)PTFEスカイブドテープ」、膜厚50μm)を、変性エポキシ樹脂(セメダイン社製、「EP001」)を介在させて重ね合わせ、基板構造体とPTFEフィルムとを圧延ロールを使用して積層した。ここで、基板構造体とPTFEフィルムとは隙間なく密着していることが目視により確認された。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、PFAフィルム(ダイキン工業(株)製、「ネオフロン(登録商標)PFAフィルム」、膜厚50μm)を、変性エポキシ樹脂(セメダイン社製、「EP001」)を介在させて重ね合わせ、基板構造体とPFAフィルムとを圧延ロールを使用して積層した。ここで、基板構造体とPFAフィルムとは隙間なく密着していることが目視により確認された。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体に対して、カバー材を設けることなくそのままの状態で評価した。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、参考例2で作製した熱可塑性液晶ポリマーカバー材(B)を重ね合わせ、温度が290℃、圧力が2MPaの条件で加熱圧着した。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、ポリイミドフィルム(ニッカン工業(株)製、「CISV」、膜厚35μm)を、シリコーン系熱硬化性樹脂を介在させて重ね合わせ、基板構造体とポリイミドフィルムとを圧延ロールを使用して積層した。ここで、基板構造体とポリイミドフィルムとは隙間なく密着していることが目視により確認された。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板の配線パターンに対して、回路基板のIL部分とOL部分を除いて、ソルダーレジスト(太陽インキ製造株式会社製、「TF−200」)をスクリーン印刷し、60℃で30分間乾燥し、次いで、120℃で90分間キュアした。乾燥後のソルダーレジスト厚みは20μmであった。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、PTFEフィルム(中興化成工業(株)製、「チューコーフロー(登録商標)PTFEスカイブドテープ」、膜厚50μm)を、変性エポキシ樹脂(セメダイン社製、「EP001」)を介在させて重ね合わせ、基板構造体とPTFEフィルムとを圧延ロールを使用して積層した。ここで、基板構造体とPTFEフィルムとは隙間なく密着していることが目視により確認された。結果を表7に示す。
参考例1で作製した基板構造体の配線パターン側に、PFAフィルム(ダイキン工業(株)製、「ネオフロン(登録商標)PFAフィルム」、膜厚50μm)を、変性エポキシ樹脂(セメダイン社製、「EP001」)を介在させて重ね合わせ、基板構造体とPFAフィルムとを圧延ロールを使用して積層した。ここで、基板構造体とPFAフィルムとは隙間なく密着していることが目視により確認された。結果を表7に示す。
周波領域での伝送損失を低減させることが可能である。
Claims (5)
- 基板と、この基板の少なくとも一方の表面上に設けられた導体回路とを含む基板構造体、および
前記基板構造体の最外層のうち、少なくとも導体回路側を被覆するカバー材で少なくとも構成された回路基板であって、
前記基板は、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成され、
前記カバー材は、(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下である回路基板。 - 請求項1において、カバー材は、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、およびフッ素系樹脂からなる群から選択された少なくとも1種で構成されている回路基板。
- 請求項1または2において、カバー材は、吸水率が0.5%以下である回路基板。
- 請求項1〜3のいずれか1項において、カバー材が、積層または塗布により基板に対して適用されている回路基板。
- 光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマーからなるフィルムから形成される基板に対して用いられ、
(i)260℃でのハンダ耐熱性を有し、(ii)誘電率が2.0〜3.5であり、且つ(iii)誘電正接が0.01以下であるカバー材。
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