JP2015141190A - 放射線検出装置、放射線検出システム - Google Patents

Abstract

【課題】 性能を確保しつつ信頼性の高い放射線検出技術を提供すること。
【解決手段】放射線検出装置は、複数の光電変換素子を有するセンサーパネルと、センサーパネルの上に配置された蛍光体層と、蛍光体層の上に配置された反射層と、を有する。放射線検出装置は、反射層と蛍光体層との間に、反射層と蛍光体層の摩擦を低減するための固体材料又は液体材料からなる低摩擦層を有する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、放射線検出装置、放射線検出システムに関するものである。

蛍光体の潮解による特性劣化を抑制するため、種々の蛍光体保護構造が提案されている。この蛍光体保護構造は蛍光体の機械的保護機能、防湿保護機能を備えるものである。例えば、特許文献１においては、柱状構造を有する輝尽性蛍光体層の先端部に保護層を形成した例が開示されている。また、特許文献２においては、柱状結晶間に充填材を含有し、保護構造で覆われている例が開示されている。

特許第３８１９３４７号明細書 特開２００９-３００２１３号公報

しかし特許文献１、２の方法においては、機械的な摩擦による蛍光体層（シンチレータ層）への影響についての開示はなく、蛍光体層の機械的な保護機能に関して、より信頼性の高い放射線検出技術が望まれている。

本発明の目的は、放射線検出性能を確保しつつ、蛍光体層の機械的な保護機能に関して、より信頼性の高い放射線検出技術を提供することにある。

本発明に係る放射線検出装置は、複数の光電変換素子を有するセンサーパネルと、前記センサーパネルの上に配置された蛍光体層と、前記蛍光体層の上に配置された反射層と、を有する放射線検出装置であって、前記反射層と前記蛍光体層との間に、前記反射層と前記蛍光体層の摩擦を低減するための固体材料又は液体材料からなる低摩擦層を有することを特徴とする。

本発明によれば、放射線検出性能を確保しつつ、蛍光体層の機械的な保護機能に関して、より信頼性の高い放射線検出技術を提供することができる。

実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す平面簡略図。 実施形態に係る放射線検出装置の断面概略図。 実施形態に係る放射線検出装置の断面概略図。 実施形態に係る放射線検出装置の断面構成例を示す図。 実施形態に係る放射線検出装置の断面概略図。 実施形態に係る放射線検出装置の断面概略図。 実施形態に係る放射線検出システムの概略図。 走査型電子顕微鏡による観察結果を例示する図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施形態に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。

実施形態に係る放射線検出装置は、マトリクス状に配置された光電変換素子とスイッチング素子により構成された光電変換素子アレイと、放射線を可視光に変換するシンチレータとを有する装置である。尚、本明細書では、Ｘ線の他、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとする。

＜第１実施形態＞
図１Ａは、本実施形態の放射線検出装置の構成を示す平面簡略図である。また、図１Ｂは図１Ａに示した放射線検出装置のＡ−Ａ‘破線に沿った断面概略図である。

図１Ａに示すように、センサーパネル１１８は筐体１０５内に配置されており、センサーパネル１１８の周囲には外部配線および実装部品１０４および信号処理部として機能する電気回路１０６が配置されている。

図１Ｂに示すようにセンサーパネル１１８には、Ｘ線等の放射線を、蛍光体層１１４で可視光に変換した光を検知するための複数の光電変換素子１１６が形成されている。各々の光電変換素子１１６にはＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子、不図示の配線が接続されている。光電変換素子１１６は可視光から変換された電荷（電気的情報）を、信号入出力部１２０、外部配線１２１、アンプ、Ａ／Ｄコンバータ等を通じて外部の信号処理部へ転送し、信号処理部による画像処理により画像情報が生成される。

センサーパネル１１８は、ガラス、耐熱性プラスチック等からなる絶縁性の基板１１１の上に複数の光電変換素子１１６が２次元に配置されたセンサーアレイおよび配線（不図示）が形成されている。

光電変換素子１１６は、蛍光体層１１４（シンチレータ層）によって放射線から変換された光を電荷に変換するものであり、例えば、アモルファスシリコンなどの材料を用いることが可能である。光電変換素子の構成は特に限定されず、ＭＩＳ型センサー、ＰＩＮ型センサー、ＴＦＴ型センサー等適宜用いることができる。

光電変換素子１１６を保護する目的で、センサーパネル１１８上に保護層（センサー保護層１１７）が配置されている。センサー保護層１１７に用いる材料としては、放射線照射時に蛍光体層１１４（シンチレータ層）によって変換された光が通過することから、蛍光体層１１４が放出する光の波長に対して高い透過率を示すものが望ましい。例えば、無機材料として、ＳｉＮｘやＳｉＯ2、ＴｉＯ2 、ＬｉＦ、Ａｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ等を用いることができる。また、有機材料として、例えば、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。

センサーパネル１１８のセンサー保護層１１７上には蛍光体層１１４（シンチレータ層）が配置されている。蛍光体層１１４（シンチレータ層）は、放射線を光電変換素子１１６が感知可能な光に変換するものであり、例えば、図２に示すように柱状結晶２０８を複数有する構造である。柱状結晶２０８を有する蛍光体層１１４（シンチレータ層）は、蛍光体層１１４で発生した光が柱状結晶２０８内を伝搬するので光散乱が少なく、解像度を向上させることができる。柱状結晶２０８を形成する蛍光体層１１４（シンチレータ層）の材料としては、例えば、タリウム（Ｔｌ）が微量添加されたヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）に代表される柱状結晶を用いることが可能である。

蛍光体層１１４（シンチレータ層）上には、後述する低摩擦層１１３を介して反射層１１２が形成されている。反射層１１２に用いる材料としては、例えば、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等の高反射材料や、白色顔料粒子、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ4）等からなる白色反射シート等の材料を用いることが可能である。

また、蛍光体層１１４（シンチレータ層）上には、低摩擦層１１３、反射層１１２を介して蛍光体保護層１１５が配置されている。蛍光体保護層１１５は、蛍光体層１１４を湿度劣化等から保護する目的で配置されている。特に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）等の柱状結晶の、蛍光体層１１４を用いる場合には湿度劣化による蛍光体層１１４の特性の低下を抑制するため、蛍光体保護層１１５を設置することが効果的である。蛍光体保護層１１５に用いる材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）箔等の金属箔を用いることが可能である。

また、金属箔と反射層１１２、センサーパネル１１８とを接着固定・封止する目的で有機樹脂を用いてもよい。有機樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの一般的な有機封止材料や、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリアミド系等のホットメルト樹脂などを用いることができる。水分透過率の低い樹脂を用いるこことも可能である。例えば、ＣＶＤ蒸着で形成するポリパラキシリレンの有機膜や、ポリオレフィン系樹脂に代表されるホットメルト樹脂を用いることができる。

次に低摩擦層１１３について説明する。図２は、実施形態に係る放射線検出装置の断面概略図であり、低摩擦層１１３は、蛍光体層１１４（シンチレータ層）と反射層１１２との間に配置されている。特に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）等の柱状結晶の蛍光体層１１４を用いる場合には、蛍光体層１１４を構成する柱状結晶２０８の先端部は尖っており細いため、先端部の機械的強度は柱状結晶２０８の下端部の機械的強度に比べて低い。低摩擦層１１３が配置されていない場合（例えば、図３（ａ））、反射層１１２と蛍光体層１１４とが直接接触し、かつ、反射層１１２と蛍光体層１１４とが相対的に移動した場合、反射層１１２と蛍光体層１１４の摩擦により蛍光体層１１４の柱状結晶２０８（図２）の先端部に破損が生じ得る。

本実施形態の低摩擦層１１３は、蛍光体層１１４を構成する柱状結晶２０８（図２）を保護する保護部材として機能するものである。蛍光体層１１４、低摩擦層１１３、反射層１１２は互いに固定されていないため、各層間（部材間）で水平方向に位置変動が生じたとしても、各層は他の層からの力を受けない。低摩擦層１１３の配置により、反射層１１２と低摩擦層１１３との間で摩擦が低減するため、反射層１１２と蛍光体層１１４とが相対的にずれ動いた際にも摩擦による蛍光体層１１４の先端部の破損を防止することが可能になる。そのため、部材の位置変動により、蛍光体層１１４を構成する柱状結晶２０８の先端部に応力集中が発生せず、柱状結晶２０８の先端部の破損を防止することができる。これにより、信頼性のより一層高い放射線検出装置を得ることができる。

図２に示すように低摩擦層１１３は、蛍光体層１１４を形成する柱状結晶２０８の先端部および先端部の周辺の隙間を被覆するように形成されている。およびを被覆するように配置されている。図２に示す蛍光体層１１４の柱状結晶２０８の先端部と反射層１１２との距離ｔ（間隔）は適宜設定可能であるが、距離ｔ＝２００ｕｍを超える場合、蛍光体層１１４と反射層１１２との距離（間隔）が大きくなり、放射線検出装置の解像度特性が低下し得る。このため、例えば、蛍光体層１１４と反射層１１２との距離ｔを０ｕｍ以上２００ｕｍ以下の範囲で設定することができる。

低摩擦層１１３に用いられる固体材料としては、例えば、フッ素樹脂を主成分として含有する有機樹脂を用いることができる。フッ素系樹脂の一例として、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＥＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、エチレン・四フッ化エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ） 、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ） 等があげられる。本実施形態における低摩擦層１１３に用いる固体材料は上記のものに限定されず、蛍光体層１１４を構成する柱状結晶２０８（図２）を保護する保護部材として、低摩擦層１１３の機能が満足できる樹脂であれば、上記に上げた樹脂に限らず使用可能である。

低摩擦層１１３は、静止摩擦係数が０．３未満の材料を選定することが好ましい。静止摩擦係数の測定は、「ＪＩＳ Ｋ７１２５ プラスチック-フィルムおよびシート摩擦係数試験方法」に沿って行い、得られたものである。静止摩擦係数が上記の値以上になると、反射層１１２と低摩擦層１１３との間の摩擦力が大きくなり、摩擦力による局所的な破壊や、反射層１１２を構成するシートのよれ等が発生する可能性がある。上記で例示した樹脂であれば、静止摩擦係数が０．３未満の範囲を満足する。

図３は、第１実施形態に係る放射線検出装置の断面構成例を示す図である。図３（ｂ）では、低摩擦層１１３は、蛍光体層１１４を構成する柱状結晶２０８の先端部の表面のみに形成されている。図３（ｃ）、（ｄ）では、低摩擦層１１３は、蛍光体層１１４を構成する柱状結晶２０８の先端部および先端部の周辺の隙間を被覆するように形成されている。

図３（ｃ）では、反射層１１２に対する低摩擦層１１３の表面には、柱状結晶２０８の上方に凸となるような曲率半径を有る面が構成されている。柱状結晶２０８の上方の表面の曲率半径Ｒは、１．０ｕｍより大きい（Ｒ＞１．０ｕｍ）ことが好ましい。柱状結晶２０８の先端部の表面に低摩擦層１１３を形成した場合、柱状結晶表面を被覆するように形成される。この時、曲率半径Ｒが１．０ｕｍ以下となった場合、形状の効果により低摩擦層１１３と反射層１１２との間の静止摩擦係数が増大し得る。

図３（ｄ）では、反射層１１２に対する低摩擦層１１３の表面は平坦となり、先端部および先端部の周辺の隙間に低摩擦層１１３が充填されるように構成されている。上述に例示した樹脂を用いて、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す形態に低摩擦層１１３を形成すれば、静止摩擦係数は上述の範囲（＜０．３）を満足する。

＜第２実施形態＞
本実施形態は、柱状結晶２０８の先端部を柱状結晶と同じ材料で被覆し、その後、低摩擦層を配置する構成を説明する。図４は、第２実施形態に係る放射線検出装置の断面概略図である。図４に示す平坦層４０１を柱状結晶２０８と同じ材料で形成し、柱状結晶２０８の上に配置する。また、平坦層４０１の上（平坦層４０１と反射層１１２との間）には、低摩擦層１１３が配置されている。平坦層４０１が設置されることにより、低摩擦層１１３の形状をより平坦にでき、第１実施形態の図３（ｃ）で説明した曲率半径Ｒを図３（ｄ）に示すように、より大きくすることができる。

平坦層４０１は柱状結晶２０８の形成終了時に、形成条件を変更することで形成することが可能となる。平坦層４０１の設置により、本発明の効果をより高めることが可能となる。

＜第３実施形態＞
本実施形態は、低摩擦層１１３と反射層１１２との間に潤滑層５０１を設置する構成を説明する。図５は第３実施形態に係る放射線検出装置の断面概略図であり、図５に示す潤滑層５０１は、第１、第２実施形態で説明した低摩擦層１１３の機能を更に強化し、反射層１１２と蛍光体層１１４との間の摩擦を更に低減する機能を有する。

低摩擦層１１３と反射層１１２との間に、液体材料の塗布により形成された潤滑層５０１が配置される。潤滑層５０１は、有機物、無機物、また液体・固体を問わずに利用可能である。潤滑層５０１は、蛍光体層１１４で発光した光を反射層１１２に伝達するため、光透過率の高い材料を用いることが好ましく、透明であることがより好ましい。潤滑層５０１に用いられる材料としては、蛍光体層１１４、低摩擦層１１３、反射層１１２に対して、溶解する等の影響を及ぼさない材料で、高光透過率の材料であればよい。

例えば、液体材料であればインデックスマッチングオイル等の透明オイル、低揮発性の有機溶剤、油脂等を用いることができる。また固体材料に関して、薄層化等の手段により透過率低下が抑制可能であれば、二硫化モリブデン（ＭｏＳ2）、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、フラーレン、窒化ホウ素（ＢＮ）、メラミンシアヌレート（ＭＣＡ）、フッ化カルシウム、等の固体潤滑材を用いることができる。
（実施例１）
次に、放射線検出装置の実施例を説明する。図１に記載の第１実施形態の放射線検出装置を、以下のように作製した。まずセンサーパネル１１８を準備する。センサーパネル１１８はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いて光電変換素子１１６、ＴＦＴを形成し、その後、厚さ５ｕｍのポリイミドを用いてセンサー保護層１１７を形成する。

次に、センサー保護層１１７上に蛍光体層１１４（シンチレータ層）を形成する。蛍光体はヨウ化セシウム（ＣｓＩ）に賦活剤としてタリウム（Ｔｌ）を添加したもの（ＣｓＩ：Ｔｌ）を用いることが可能である。形成方法は真空蒸着法を用いる。真空蒸着装置内に前記センサーパネルを設置し、ＣｓＩ：Ｔｌ形成することが可能である。この方法により複数の柱状結晶２０８がセンサーパネル１１８の表面に対して略垂直に成長した蛍光体層１１４（シンチレータ層）を形成することができる。

次に、柱状結晶２０８上に低摩擦層１１３を形成する。低摩擦層１１３としては、例えば、フッ素樹脂を主成分とする有機樹脂層を形成する。低摩擦層１１３は、スプレーコート法を用いて蛍光体層１１４上に塗布し、テフロンシート（「テフロン」は登録商標）をその上に設置し、表面を平坦化する。その状態で熱処理を行うことにより、低摩擦層１１３を形成する。

図７は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察結果を例示する図である。上記の製造方法と同様の方法で作製した蛍光体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察を行うと、複数の柱状結晶が林立する構造が確認できる。またその先端部分には前述のフッ素樹脂層が形成されていることが確認できる。柱状結晶先端部分に形成された樹脂の曲率半径は、１．５ｕｍである。

また、別途基板に塗布したフッ素樹脂の静止摩擦係数を測定すると、０．１２であることが確認できた。静止摩擦係数の測定は、「ＪＩＳ Ｋ７１２５ プラスチック-フィルムおよびシート摩擦係数試験方法」に沿って行った。

次に、反射層１１２を形成する。反射層としては厚さ５０ｕｍの高反射率の白色絶縁シートを用いる。この白色絶縁シートを、低摩擦層１１３が形成された蛍光体層１１４上に配置する。上記の製造方法により、蛍光体層１１４と反射層１１２との間に低摩擦層１１３が形成される。

次に、反射層１１２、低摩擦層１１３、蛍光体層１１４を覆うように蛍光体保護層１１５を配置する。端部からの水分侵入を防止するため、蛍光体保護層１１５の端部とセンサーパネル１１８との間をホットメルト樹脂で接続し、その後、ホットメルト樹脂を介して、蛍光体保護層１１５の端部とセンサーパネル１１８との間で圧着処理を行う。

次に、センサーパネル１１８の信号入出力部１２０と外部配線１２１とを接続し、駆動回路／読出回路等の信号処理回路が配置されたボードとの接続を行う。その後、外部匡体等で上記の部材を覆い、放射線検出装置の作製を完了する。

上記の放射線検出装置に対して、熱衝撃試験を行った。試験条件は、−３０℃１ｈ保持→６０℃まで昇温（１℃／ｍｉｎ）→６０℃１ｈ保持→−３０℃まで降温（１℃／ｍｉｎ）のサイクルを１０回繰り返した。この試験を経た後に画質変化の有無を確認すると、試験前後での変化が無いことが確認された。また、放射線検出装置のＭＴＦ（Modulation Transfer Function）特性を試験前後で測定したところ、試験前：０．３２９（２ｌｐ／ｍｍ）、試験後：０．３２８（２ｌｐ／ｍｍ）となり、こちらも試験前後での大きな変化が無いことが確認された。

また、落下試験でも試験前後でも画質変化、ＭＴＦ特性に大きな変化がないことが確認された。

（実施例２）
本実施例では、実施例１の構成に加え、柱状結晶２０８の先端部が、柱状結晶と同じ材料から構成される平坦層４０１で被覆されており、平坦層４０１上に低摩擦層１１３が配置される放射線検出装置を作製する例を説明する。

実施例１と同様の方法でセンサーパネル１１８上に蛍光体層１１４を形成する。蛍光体層１１４の先端部に蛍光体層と同じヨウ化セシウム(ＣｓＩ)から成る平坦層４０１を形成する。平坦層４０１は、蒸着法により柱状結晶を形成した後、同じく蒸着法により、柱状結晶を形成した際の蒸着条件（圧力・温度）を変化させることで形成できる。

その後、実施例１と同様の方法で低摩擦層１１３を形成する。この時形成される低摩擦層１１３の表面は図４に示すように平坦になるため、曲率半径Ｒは無限大となる。また、この時の低摩擦層１１３の静止摩擦係数は０．０８であった。

その後、実施例１と同様の方法により反射層１１２、蛍光体保護層１１５を配置し、センサーパネル１１８の信号入出力部１２０と外部配線１２１とを接続し、放射線検出装置の作製を完了する。実施例２の方法で作製した放射線検出装置に対して、実施例１に記載のヒートサイクル試験、落下試験等を行い、試験前後での画質・特性の変化が無いことが確認された。

（実施例３）
本実施例では、実施例１の構成において、低摩擦層１１３として固体の低摩擦層に代わり、液体の低摩擦層を適用した場合の放射線検出装置を作製する例を説明する。

実施例１、２と同様の方法でセンサーパネル１１８上に蛍光体層１１４を形成する。蛍光体層１１４上に液体状態の低摩擦層１１３として、フッ素系撥水性液体（例えば、ノベック７６００（住友スリーエム社製 ））を用いる。液体材料の低摩擦層を蛍光体層１１４に含浸後、実施例１と同様の方法で、蛍光体層１１４を形成し、柱状結晶２０８の先端部に反射層１１２が触れないよう液体材料の低摩擦層の量を調整して反射層１１２を配置する。この様にして液体の低摩擦層１１３を形成した場合、その静止摩擦係数は０．２となる。静止摩擦係数の測定は実施例１で説明した方法により測定している。その後、実施例１と同様の方法により反射層１１２、蛍光体保護層１１５を配置し、センサーパネル１１８の信号入出力部１２０と外部配線１２１とを接続し、放射線検出装置の作製を完了する。実施例３の方法で作製した放射線検出装置に対して、実施例１に記載のヒートサイクル試験、落下試験等を行い、試験前後での画質・特性の変化が無いことが確認された。

（実施例４）
本実施例は、放射線検出装置の放射線検出システムへの応用例を示したものである。図６に示すように、放射線発生部６０５０は被検物に放射線を照射する。放射線発生部６０５０で発生した放射線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２（被検物）を透過し、図１〜図５に示したような放射線検出装置（イメージセンサ）に入射する。この入射した放射線には被験者６０６１の体内部の情報が含まれている。放射線の入射に対応して蛍光体（シンチレーター）は発光し、これをセンサーパネルの光電変換素子が光電変換して、可視光から変換された電荷（電気的情報）を得る。取得した電気的情報は信号入出力部１２０、外部配線１２１、アンプ、Ａ／Ｄコンバータ等を通じて、信号処理部として機能するイメージプロセッサ６０７０により画像処理され、画像情報が生成される。

イメージプロセッサ６０７０で生成された画像情報は電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク６０９０等の伝送処理部により遠隔地へ転送可能である。例えば、別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ６０８１に画像情報を表示したり、光ディスク等の記録部に画像情報を保存することができる。また、遠隔地の医師が画像情報に基づいて診断することも可能である。また、記録部となるフィルムプロセッサ６１００により画像情報をフィルム６１１０に記録することもできる。

本発明の放射線検出装置は、医療用の放射線検出装置や、非破壊検査装置等の放射線を利用した医療用以外の分析・検査用途の装置への応用が可能である。

Claims (12)

1. 複数の光電変換素子を有するセンサーパネルと、前記センサーパネルの上に配置された蛍光体層と、前記蛍光体層の上に配置された反射層と、を有する放射線検出装置であって、
   前記反射層と前記蛍光体層との間に、前記反射層と前記蛍光体層の摩擦を低減するための固体材料又は液体材料からなる低摩擦層を有する
   ことを特徴とする放射線検出装置。
2. 前記蛍光体層は、複数の柱状結晶を有し、
   前記低摩擦層は、前記柱状結晶の先端部を被覆していることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
3. 前記低摩擦層の静止摩擦係数は０．３より小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出装置。
4. 前記低摩擦層は、前記固体材料としてフッ素系樹脂を含有した樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
5. 前記蛍光体層は、複数の柱状結晶を有し、
   前記柱状結晶の先端部を被覆している前記低摩擦層には、前記柱状結晶の上方に凸となるような曲率半径を有する面が形成されており、
   前記曲率半径は、１．０ｕｍより大きい
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
6. 前記蛍光体層は、複数の柱状結晶を有し、
   前記蛍光体層の複数の柱状結晶の先端部は、前記柱状結晶と同じ材料により構成された平坦層で被覆されており、
   前記平坦層の上に前記低摩擦層が配置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
7. 前記低摩擦層と前記反射層との間に、前記液体材料の塗布により形成された潤滑層が配置されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
8. 前記平坦層の上に配置された前記低摩擦層は平坦な形状を有することを特徴とする請求項６に記載の放射線検出装置。
9. 前記曲率半径を有する面と前記反射層とが接触するように前記低摩擦層が配置されることを特徴とする請求項５に記載の放射線検出装置。
10. 前記蛍光体層は、複数の柱状結晶を有し、
    前記蛍光体層の前記柱状結晶の先端部と前記反射層との間隔は、０ｕｍ以上２００ｕｍ以下の範囲となるように、前記蛍光体層および前記反射層は配置されており、
    前記低摩擦層は、前記柱状結晶の先端部および、前記柱状結晶の先端部と前記反射層との間に形成された隙間を被覆するように配置されている
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
11. 前記液体材料として、透明オイルまたは低揮発性の有機溶剤が用いられることを特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置。
12. 被検物に放射線を照射する放射線発生部と、
    前記被検物を透過した放射線を検出する請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
    前記放射線検出装置によって検出された信号を画像処理する信号処理手段と、
    を有することを特徴とする放射線検出システム。