JP2012052847A - 放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents

放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】光検出基板の反りを抑制する。
【解決手段】光を電荷に変換する光検出基板３０と、光検出基板３０に貼り合わされ、照射された放射線Ｘを光に変換するシンチレータ層３６と、シンチレータ層３６にて変換された光を光検出基板３０側に反射し、シンチレータ層３６と面内方向Ｐへ相対変位可能に対向配置された反射板６０と、を備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法に関する。
近年、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、照射されたＸ線等の放射線を検出し、照射放射線量の分布を表す放射線画像のデータへ直接変換して出力するＦＰＤ(Flat Panel Detector)が実用化されており、このＦＰＤ等のパネル型の放射線検出器と、画像メモリを含む電子回路及び電源部を内蔵し、放射線検出器から出力される放射線画像データを画像メモリに記憶する可搬型の放射線画像撮影装置(以下、電子カセッテともいう)も実用化されている。電子カセッテは可搬性に優れているので、ストレッチャーやベッドに載せたまま被検者を撮影できると共に、電子カセッテの位置を変更することで撮影部位の調整も容易であるため、動けない被検者を撮影する場合にも柔軟に対処することができる。
上記の放射線画像検出器としては種々の構成が提案されており、例えば、照射された放射線をシンチレータ層で光に一旦変換し、シンチレータ層から放出された光を光検出基板によって電荷へ再変換して蓄積する間接変換方式の放射線画像検出器が知られている。
間接変換方式の放射線画像検出器の態様としては、例えば、支持基板（反射性基板）にＣｓＩ：Ｔｌ等からなるシンチレータを蒸着したものを接着剤もしくは粘着剤を用いて光検出基板に貼り合わせる方式がある。他にも、光検出基板上に直接ＣｓＩ：Ｔｌ等からなるシンチレータを蒸着して、必要に応じてその上に反射層を蒸着する直接蒸着方式や、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等からなるシンチレータを光検出基板上に塗布する方式、支持基板上にＧＯＳからなるシンチレータ層を塗布したものを光検出基板上に貼付ける方式もある。
しかしながら、上記貼り合せ方式は、シンチレータの支持基板として金属板（一般にはＡｌ基板）を用いる為、光検出基板をシンチレータ層に貼り合わせた後、金属板を残したまま放射線検出器を使用した場合、光検出基板と金属板の熱膨張係数差によって、反りが生じ得る。
また、上記直接変換方式や上記塗布方式も同様に、シンチレータ層上に反射層を成膜すると、光検出基板と反射層の熱膨張係数差によって、反りが生じ得る。
この反りに対する対策として、特許文献１及び２には、支持基板及び反射層を備えたシンチレータ層から、当該支持基板を剥離する方法が開示されている。
特許第４４５１８４３号公報 特開２００５−１７２５１１号公報
しかしながら、特許文献１、２では、シンチレータ層に光検出基板を貼り合わせるため、反射層とシンチレータ層及び光検出基板とは一体となって熱膨張し、光検出基板と反射層の熱膨張係数差によって、反りが生じ得る。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、光検出基板の反りを抑制する放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第１態様に係る放射線検出器は、光を電荷に変換する光検出基板と、前記光検出基板と対向し、照射された放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層にて変換された光を前記光検出基板側に反射し、前記シンチレータ層と面内方向へ相対変位可能に対向配置された反射部と、を備える。
なお、上記「面内方向」とは、光検出基板の面内方向である。
この構成では、光検出基板と反射部が面内方向への熱膨張量（変位量）が異なっていても、反射部とシンチレータ層は、面内方向へ相対変位可能に対向配置されている、すなわち互いに拘束されずに変位できるため、反射部と光検出基板の熱膨張量の差による光検出基板の反りを抑制することができる。
本発明の第２態様に係る放射線検出器では、第１態様において、前記反射部は、前記シンチレータ層と面で接触している。
この構成によれば、接触面で反射部又はシンチレータ層を支持することができる。
本発明の第３態様に係る放射線検出器では、第２態様において、前記反射部又は前記シンチレータ層の接触面には、滑り処理が施されている。
この構成によれば、滑り処理を施して反射部又はシンチレータ層の接触面の摩擦を減らすことによって、反射部及びシンチレータ層が当該摩擦により互いに拘束されて変位することを抑制できる。
本発明の第４態様に係る放射線検出器では、第１態様において、前記反射部と前記シンチレータ層との間には、空気層が形成されるように前記反射部が支持されている。
この構成によれば、空気層の屈折率の影響により、反射部における光の反射率を高めることができる。
本発明の第５態様に係る放射線検出器では、第４態様において、前記反射部と前記シンチレータ層との間には、前記反射部と前記シンチレータ層間の距離を一定にするスペーサーが設けられている。なお、スペーサーは、例えば複数個の微粒子で構成することができる。
この構成によれば、反射部又はシンチレータ層をスペーサーにより支持することができる。また、スペーサーを構成する例えば複数個の微粒子の間に空気層を形成することができる。
本発明の第６態様に係る放射線検出器では、第１〜第５態様のいずれか１つの態様において、前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶体を含んで構成される。
なお、前記シンチレータ層は、例えば、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）のような柱状結晶体からなるシンチレータを使用できる。また、シンチレータ層は、複数の柱状結晶体からなる柱状結晶領域と連続する非柱状結晶領域を備えていてもよい。
本発明の第７態様に係る放射線検出器では、第６態様において、前記柱状結晶体の先端が前記光検出基板と対向する。ここでいう柱状結晶体の先端とは、支持体上に柱状結晶体を成膜する際に、支持体から遠い側の端部を指す。
本発明の第８態様に係る放射線検出器では、第１〜第７態様のいずれか１つの態様において、前記シンチレータ層の全体を囲って封止する封止部を備える。
この構成によれば、シンチレータ層に水等が接触することを防止することができるので、シンチレータ層が潮解性を有している場合に特に有効である。
本発明の第９態様に係る放射線検出器は、第１〜第８態様のいずれか１つの態様において、前記光検出基板と前記反射部とを連結する枠部、を備える。
ここで、前記枠部は、柔軟性を有する部材であってもよい。
この構成によれば、シンチレータ層に水等が接触することを確実に防止することができる。また、柔軟性を有する枠部材を用いると、光検出基板と反射板が互いに拘束されずに変位することができるため、光検出基板と反射板の熱膨張量の差による光検出基板の反りを抑制することができる。
本発明の第１０態様に係る放射線画像撮影装置は、筐体と、前記筐体に内蔵された第１〜第９態様のいずれか１つの態様に記載の放射線検出器と、を備え、前記放射線検出器の前記光検出基板が前記放射線の照射面とされた。
この構成によれば、放射線は、放射線の照射面とされた光検出基板から順に、シンチレータ層、反射部に当たることになる。
このとき、放射線は、シンチレータ層の中では、まず光検出基板側のシンチレータ部分に照射されるので、当該光検出基板側のシンチレータ部分が主に放射線を吸収して発光することになる。そして、シンチレータ層の中で主に放射線を吸収して発光するシンチレータ部分が光検出基板側であると、当該シンチレータ部分と光検出基板との距離が近くなり、光検出基板がシンチレータ層から受ける光の受光量を増やすことができる。
特に、第７態様の構成において、光検出基板が放射線の照射面とされた場合、シンチレータ層の中で主に放射線を吸収して発光するシンチレータ部分が光検出基板側の柱状結晶領域となるので、光散乱がより少なくなり、光検出基板における光の受光量をより増やすことができる。
本発明の第１１態様に係る放射線画像撮影装置は、筐体と、前記筐体に内蔵された第１〜第９態様のいずれか１つの態様に記載の放射線検出器と、を備え、前記放射線検出器の前記反射部は、前記筐体に支持されている。
この構成によれば、反射部とシンチレータ層との間に、第４態様の空気層のみを形成することができる。したがって、第５態様のようなスペーサーが不要となる。
本発明の第１２態様に係る放射線画像撮影装置は、筐体と、前記筐体に内蔵された放射線検出器と、を備える放射線画像撮影装置であって、前記放射線検出器は、放射線の照射方向から順に、光を電荷に変換する光検出基板と、前記光検出基板と柱状結晶体の先端が対向するように配置され、照射された前記放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記柱状結晶体の先端とは他方の端面に薄膜として積層され、前記シンチレータ層にて変換された光を前記光検出基板側に反射する反射部と、を備える。
一般的に、反射部の変位量（熱膨張量）は、その厚みと比例関係にあるが、第１２態様の構成によれば、反射部が薄膜とされているので、反射部の変位量を低減でき、もって、光検出基板の反りを抑制することができる。
また、この構成によれば、放射線は、光検出基板から順に、シンチレータ層、反射部に当たることになる。
このとき、放射線は、シンチレータ層の中では、まず光検出基板側のシンチレータ部分に照射されるので、当該光検出基板側のシンチレータ部分が主に放射線を吸収して発光することになる。そして、シンチレータ層の中で主に放射線を吸収して発光するシンチレータ部分が光検出基板側であると、当該シンチレータ部分と光検出基板との距離が近くなり、光検出基板における光の受光量を増やすことができる。
本発明の第１３態様に係る放射線検出器の製造方法は、第８態様に記載の放射線検出器の製造方法であって、支持基板上に、前記封止部を構成する第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、前記第１封止膜上に、前記シンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、前記シンチレータ層及び前記第１封止膜を覆うように、前記封止部を構成する第２封止膜を形成する第２封止膜形成工程と、前記第２封止膜上に、前記光検出基板を貼り付ける貼付工程と、前記支持基板を前記第１封止膜から取り除く取除き工程と、を含み、前記第１封止膜形成工程の前に又は第１封止膜形成工程の後でシンチレータ層形成工程の前に、前記支持基板と前記第１封止膜の密着強度が、前記第１封止膜と前記シンチレータ層との密着強度よりも低くなるように、前記支持基板又は前記第１封止膜に表面処理を施す。
この方法によれば、支持基板を第１封止膜から取り除く取除き工程において、第１封止膜をシンチレータ層から剥がすことなく、容易に支持基板を取り除くことができる。
本発明の第１４態様に係る放射線検出器の製造方法は、第８態様に記載の放射線検出器の製造方法であって、支持基板上に、前記封止部を構成する第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、前記第１封止膜上に、前記シンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、前記シンチレータ層及び前記第１封止膜を覆うように、前記封止部を構成する第２封止膜を形成する第２封止膜形成工程と、前記第２封止膜上に、前記光検出基板を貼り付ける貼付工程と、前記第２封止膜形成工程後で前記貼付工程前、又は前記貼付工程後に、前記シンチレータ層よりも外周側にある前記第１封止膜及び前記第２封止膜を前記支持基板の面外方向に切断する切断工程と、前記支持基板を前記第１封止膜から取り除く取除き工程と、を含み、前記第１封止膜形成工程の前に、前記シンチレータ層の形成領域よりも外周側にある前記第１封止膜と前記支持基板との密着強度が、前記シンチレータ層の形成領域下にある前記第１封止膜と前記支持基板との密着強度よりも高くなるように、前記支持基板に表面処理を施す。
この方法によれば、シンチレータ層形成工程の際には、シンチレータ層の形成領域よりも外周側にある第１封止膜と支持基板との密着強度が、前記シンチレータ層の形成領域下にある前記第１封止膜と前記支持基板との密着強度よりも高いので、例えば支持基板から第１封止膜及びシンチレータ層が剥がれ落ちることを防止できる。
また、支持基板を第１封止膜から取り除く取除き工程の際には、シンチレータ層よりも外周側にある密着強度の高い第１封止膜及び第２封止膜が支持基板の面外方向に切断されているので、支持基板を、シンチレータ層の形成領域下にある第１封止膜のみから取り除くようにすればよい。ここで、シンチレータ層の形成領域下にある第１封止膜と支持基板との密着強度は、シンチレータ層の形成領域よりも外周側にある第１封止膜と支持基板との密着強度よりも低いので、支持基板を容易に取り除くことができる。
本発明によれば、光検出基板の反りを抑制する放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法を提供することができる。
放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。 電子カセッテの内部構造を示す概略斜視図である。 電子カセッテの回路図を示す図である。 電子カセッテの断面構成を示した断面図である。 本発明の第１実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。 本発明の第２実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。 本発明の第３実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。 本発明の第４実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。 本発明の第５実施形態に係る放射線検出器の製造方法の工程図である。 本発明の第６実施形態に係る放射線検出器の製造方法の説明図である。
（第１実施形態）
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法について具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材（構成要素）には同じ符号を付して適宜説明を省略する。
−放射線画像撮影装置の全体構成−
まず、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器を内蔵した放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの構成を説明する。
電子カセッテは、可搬性を有し、被写体を透過した放射線源からの放射線を検出し、その検出した放射線により表わされる放射線画像の画像情報を生成し、その生成した画像情報を記憶可能な放射線画像撮影装置であり、具体的には以下に示すように構成されている。なお、電子カセッテは、生成した画像情報を記憶しない構成であっても良い。
図１は、放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。
電子カセッテ１０は、放射線画像の撮影時において、放射線Ｘを発生させる放射線源としての放射線発生部１２と間隔を空けて配置される。このときの放射線発生部１２と電子カセッテ１０との間は、被写体としての患者１４が位置するための撮影位置とされており、放射線画像の撮影が指示されると、放射線発生部１２は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Ｘを射出する。放射線発生部１２から射出された放射線Ｘは、撮影位置に位置している患者１４を透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ１０に照射される。
図２は、電子カセッテ１０の内部構造を示す概略斜視図である。
電子カセッテ１０は、放射線Ｘを透過させる材料から成り、所定の厚みを有する平板状の筐体１６を備えている。そして、この筐体１６の内部に、放射線Ｘが照射される筐体１６の照射面１８側から、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、及び当該放射線検出器２０を制御する制御基板２２が順に設けられている。
図３は、電子カセッテ１０の回路図を示す図である。
放射線検出器２０は、上部電極と半導体層と下部電極を備え、光を受けて電荷を蓄積するセンサ部２４と、センサ部２４に蓄積された電荷を読み出すためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）スイッチ２６と、を含んで構成される画素２８が２次元状に多数設けられた光検出基板３０を備えている
また、光検出基板３０には、前述したＴＦＴスイッチ２６をＯＮ／ＯＦＦするための複数の走査配線３２と、センサ部２４に蓄積された電荷を読み出すための複数の信号配線３４と、が互いに交差して設けられている。
本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０では、光検出基板３０の表面にシンチレータ層３６が貼り付けられている。
シンチレータ層３６は、照射されたＸ線などの放射線Ｘを光に変換する。センサ部２４は、シンチレータ層３６から照射された光を受けて電荷を蓄積する。
そして、各信号配線３４には、信号配線３４に接続された何れかのＴＦＴスイッチ２６がＯＮされることによりセンサ部２４に蓄積された電荷量に応じて放射線画像を示す電気信号（画像信号）が流れるようになっている。
また、放射線検出器２０の信号配線３４方向の一端側には、結線用のコネクタ３８が複数個並んで設けられ、走査配線３２方向の一端側には、コネクタ４０が複数個並んで設けられている。そして、各信号配線３４はコネクタ３８に接続され、各走査配線３２はコネクタ４０に接続されている。
これらコネクタ３８には、フレキシブルケーブル４２の一端が電気的に接続されている。また、コネクタ４０には、フレキシブルケーブル４４の一端が電気的に接続されている。
そして、これらフレキシブルケーブル４２及びフレキシブルケーブル４４は、制御基板２２に結合されている。
この制御基板２２には、放射線検出器２０による撮影動作の制御、及び各信号配線３４に流れる電気信号に対する信号処理の制御を行う制御部４６が設けられ、制御部４６は、信号検出回路４８と、スキャン信号制御回路５０と、を備えている。
信号検出回路４８には、複数個のコネクタ５２が設けられており、これらのコネクタ５２に、上述したフレキシブルケーブル４２の他端が電気的に接続されている。信号検出回路４８は、信号配線３４毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。この構成により、信号検出回路４８は、各信号配線３４より入力される電気信号を増幅回路により増幅して検出することで、画像を構成する各画素２８の情報として、各センサ部２４に蓄積された電荷量を検出する。
一方、スキャン信号制御回路５０には、複数個のコネクタ５４が設けられており、これらのコネクタ５４に、上述したフレキシブルケーブル４４の他端が電気的に接続されており、スキャン信号制御回路５０が各走査配線３２にＴＦＴスイッチ２６をＯＮ／ＯＦＦするための制御信号を出力可能とされている。
このような構成において放射線画像の撮影を行う場合、放射線検出器２０には患者１４を透過した放射線Ｘが照射される。照射された放射線Ｘはシンチレータ層３６で光に変換され、センサ部２４に照射される。センサ部２４は、シンチレータ層３６から照射された光を受けて電荷を蓄積する。
画像読出時には、スキャン信号制御回路５０から放射線検出器２０のＴＦＴスイッチ２６のゲート電極に走査配線３２を介して順次ＯＮ信号（＋１０〜２０Ｖ）が印加される。これにより、放射線検出器２０のＴＦＴスイッチ２６が順次ＯＮされることによりセンサ部２４に蓄積された電荷量に応じた電気信号が信号配線３４に流れ出す。信号検出回路４８は、放射線検出器２０の信号配線３４に流れ出した電気信号に基づいて各センサ部２４に蓄積された電荷量を、画像を構成する各画素２８の情報として検出する。これにより、放射線検出器２０に照射された放射線により示される画像を示す画像情報を得る。
−電子カセッテ１０の構成−
次に、電子カセッテ１０の構成についてより具体的に説明する。図４は、電子カセッテ１０の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、電子カセッテ１０は、その筐体１６内部に、放射線Ｘが照射される照射面１８の逆側から順に、上述の制御基板２２と、基台５６と、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０と、を内蔵している。
基台５６は、筐体１６内部の底面上に、支持脚５８を介して載置されている。そして、この基台５６の下面に制御基板２２が固定されている。この制御基板２２には、上述のフレキシブルケーブル４２及びフレキシブルケーブル４４を介して、放射線検出器２０が連結されている。
なお、以下、実施形態で「上」とは、説明の都合上、制御基板２２側から放射線検出器２０側の方向であり、「下」とは放射線検出器２０側から制御基板２２側の方向を指すものとするが、これらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。
本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０は、矩形平板状とされ、上述のように患者１４を透過した放射線Ｘにより現される放射線画像を検出するものであり、筐体１６の上面（天板）に固定され、フレキシブルケーブル４２及びフレキシブルケーブル４４の他端に接続された光検出基板３０と、光検出基板３０に貼り合わされたシンチレータ層３６と、基台５６の上面に載置された反射板６０と、を主に備えている。
以下、この放射線検出器２０の各構成について具体的に説明する。
−放射線検出器２０の構成−
図５は、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の断面構成を示した断面図である。
放射線検出器２０の光検出基板３０は、上述のＴＦＴスイッチ２６とセンサ部２４とが不図示の基板上に形成されて構成されたものである。また、この光検出基板３０は、放射線検出器２０における放射線Ｘの照射面とされ、放射線Ｘは、放射線検出器２０のシンチレータ層３６が貼り付けられていない裏面側から裏面照射される。
光検出基板３０の基板材料としては、例えばＹＳＺ（ジルコニア安定化イットリウム）、ガラス等の無機材料の他、飽和ポリエステル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)系樹脂、ポリエチレンナフタレート(ＰＥＮ)系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリスチレン、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、架橋フマル酸ジエステル系樹脂、ポリカーボネート(ＰＣ)系樹脂、ポリエーテルスルフォン(ＰＥＳ)樹脂、ポリスルフォン(ＰＳＦ，ＰＳＵ)樹脂、ポリアリレート(ＰＡＲ)樹脂、アリルジグリコールカーボネート、環状ポリオレフィン(ＣＯＰ，ＣＯＣ)樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド(ＰＩ)樹脂、ポリアミドイミド(ＰＡＩ)樹脂、マレイミド−オレフィン樹脂、ポリアミド(Ｐａ)樹脂、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂フィルム、ポリベンズアゾール系樹脂、エピスルフィド化合物、液晶ポリマー(ＬＣＰ)、シアネート系樹脂、芳香族エーテル系樹脂などの有機材料などが挙げられる。その他にも酸化ケイ素粒子との複合プラスチック材料、金属ナノ粒子・無機酸化物ナノ粒子・無機窒化物ナノ粒子などとの複合プラスチック材料、金属系・無機系のナノファイバー及び／又はマイクロファイバーとの複合プラスチック材料、カーボン繊維、カーボンナノチューブとの複合プラスチック材料、ガラスフェレーク・ガラスファイバー・ガラスビーズとの複合プラスチック材料、粘土鉱物や雲母派生結晶構造を有する粒子との複合プラスチック材料、薄いガラスと上記単独有機材料との間に少なくとも１回の接合界面を有する積層プラスチック材料や無機層（例えばＳｉＯ２, Ａｌ２Ｏ３, ＳｉＯｘＮｙ）と上述した材料からなる有機層を交互に積層することで、少なくとも１回以上の接合界面を有するバリア性能を有する複合材料、ステンレス、あるいはステンレスと異種金属を積層した金属積層材料、アルミニウム基板、あるいは表面に酸化処理（例えば、陽極酸化処理）を施すことで表面の絶縁性を向上してある酸化被膜付きのアルミニウム基板を使用することもできる。前記有機材料の場合、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性、又は低吸湿性等に優れていることが好ましい。
また、光検出基板３０の基板材料としては、バイオナノファイバも用いることができる。バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００nmで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く光検出基板３０を形成できる。
また、無色透明のアラミドフィルムを用いることもできる。このアラミドフィルムは、３１５℃までの耐熱性があり、ガラス基板と熱膨張率が近いために製造後の反りが少なく、かつ割れにくいという有利な特徴を持つ。
（ＦＳＰ−０７２３３の段落４９）
この光検出基板３０の下面には、シンチレータ層３６と貼り合せるための粘着層１００が設けられている。
粘着層１００に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
この粘着層１００の下面には、シンチレータ層３６の全体を囲って封止する封止部１０２が形成されている。
この封止部１０２は、反射板６０側の第１封止膜１０２Ａと、粘着層１００側の第２封止膜１０２Ｂとから構成されているが、これら第１封止膜１０２Ａと第２封止膜１０２Ｂは、別々に形成されるため区別しているが、特に材料等の差異はない。
各封止膜１０２Ａ，１０２Ｂは、大気中の水分に対してバリア性を有する材料が用いられ、材料として、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の気相重合でえられる有機膜が用いられる。有機膜としては、ポリパラキシリレン製樹脂の熱ＣＶＤ法によって形成された気相重合膜、または含フッ素化合物不飽和炭化水素モノマーのプラズマ重合膜不飽和炭化水素モノマーのプラズマ重合膜が用いられる。また有機膜と無機膜の積層構造を用いることも出来、無機膜の材料としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）膜、Ａｌ２Ｏ３等が好適である。
このような封止部１０２によって囲まれたシンチレータ層３６は、柱状構造を有している。
具体的には、シンチレータ層３６は、複数の柱状結晶体からなる。また、シンチレータ層３６は、複数の柱状結晶体からなり、光検出基板３０と対向する柱状結晶領域３６Ａと、複数の非柱状結晶体からなり、柱状結晶領域３６Ａと連続し、反射板６０と対向する非柱状結晶領域３６Ｂとから構成されても良い。
このような柱状結晶領域３６Ａにおいては、効率よい発光が得られる柱状結晶体が光検出基板３０近傍に存在するとともに、柱状結晶体内部を光が導波し、光拡散を抑制することで画像のボケが抑制される。さらに、深部まで到達した光も、反射板６０おいて反射されるので、光検出基板３０がシンチレータ層３６から受ける光の受光量を増やすことができる。
このような柱状構造を有するシンチレータ層３６の材料としては、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム賦活ヨウ化セシウム）、ＺｎＳ：Ｃｕ及びＣｓＢｒ等が挙げられる。
シンチレータ層３６の非柱状結晶領域３６Ｂの下方には、第１封止膜１０２Ａを介して反射板６０が設けられている。
反射板６０は、シンチレータ層３６にて変換された光を光検出基板３０側に反射するものであり、シンチレータ層３６と面内方向Ｐへ相対変位可能に対向配置されている。なお、面内方向Ｐは、図５中上下方向を面外方向Ｓとしたとき、横方向を指す。
上記「相対変位可能」とは、互いに拘束されずに変位できることを意味し、本第１実施形態では、反射板６０を物理的にも化学的にもシンチレータ層３６（実際には第１封止膜１０２Ａ）と接合していない状態で面接触させることで実現している。
このような反射板６０は、反射板本体６０Ａと、滑り部６０Ｂと、を備えている。
反射板本体６０Ａは、矩形平板形状とされており、反射率が高く、寸法安定性、耐熱性等に優れる材質で形成することが好ましい。反射板本体６０Ａの材質としては、アルミニウム、ステンレススチール等の金属材等が挙げられるが、これら以外の材質であっても良い。
滑り部６０Ｂは、第１封止膜１０２Ａの接触面との摩擦を減らすため、反射板本体６０Ａ表面に滑り処理を施して形成された箇所である。
具体的には、滑り部６０Ｂは、反射板本体６０Ａの表面を研磨して構成されたもの、又は、反射板本体６０Ａの表面にフッ素系化合物、シリコーン系化合物等のコーティング剤若しくはオイル等を塗布したもの等から構成される。
−作用−
以上、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の構成によれば、光検出基板３０と反射板６０が面内方向Ｐへの熱膨張量（変位量）が異なっていても、反射板６０とシンチレータ層３６は、面内方向Ｐへ相対変位可能に対向配置されている、すなわち互いに拘束されずに変位できるため、シンチレータ層３６と光検出基板３０の熱膨張量の差による光検出基板３０の反りを抑制することができる。
また、反射板６０は、第１封止膜１０２Ａとの接触面に滑り部６０Ｂを有しているため、反射板６０と第１封止膜１０２Ａ及びシンチレータ層３６とが摩擦により互いに拘束されて変位することを抑制できる。
また、柱状結晶領域３６Ａが光検出基板３０と対向するので、非柱状結晶領域３６Ｂに比べて光散乱の少ない柱状結晶領域３６Ａと光検出基板３０との距離が近くなり、光検出基板３０がシンチレータ層３６から受ける光の受光量を増やすことができる。
また、放射線検出器２０がシンチレータ層３６の全体を囲って封止する封止部１０２を備えため、シンチレータ層３６に水等が接触することを防止することができ、シンチレータ層３６が潮解性を有している場合に特に有効となる。
また、本発明の第１実施形態に係る放射線画像撮影装置１０では、筐体１６に固定された光検出基板３０が放射線Ｘの照射面とされているので、放射線Ｘは、放射線Ｘの照射面とされた光検出基板３０から順に、シンチレータ層３６、反射板６０に当たることになる。
このとき、放射線Ｘは、シンチレータ層３６の中では、まず光検出基板３０側のシンチレータ部分に照射されるので、当該光検出基板３０側のシンチレータ部分が主に放射線Ｘを吸収して発光することになる。そして、シンチレータ層の中で主に放射線Ｘを吸収して発光するシンチレータ部分が光検出基板３０側であると、当該シンチレータ部分と光検出基板３０との距離が近くなり、光検出基板３０がシンチレータ層３６から受ける光の受光量を増やすことができる。
そして、第１実施形態では、特に、シンチレータ層３６の中で主に放射線Ｘを吸収して発光するシンチレータ部分が光検出基板３０側の柱状結晶領域３６Ａとなるので、光散乱がより少なくなり、光検出基板３０における光の受光量をより増やすことができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器について説明する。
−放射線検出器の構成−
図６は、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器２００の断面構成を示した断面図である。
本発明の第２実施形態に係る放射線検出器２００は、第１実施形態の反射板６０と異なる反射板２０２を備えている。なお、他の構成は、第１実施形態に係る放射線検出器２０の構成と同一である。
本第２実施形態の反射板２０２は、第１封止膜１０２Ａと対向して基台５６（図４参照）に載置されているが、第１封止膜１０２Ａと接触していない。
すなわち、反射板２０２と第１封止膜１０２Ａ（シンチレータ層３６）との間には、空気層２０４が形成されるように反射板２０２が基台５６に支持されている。
空気層２０４の厚みは、反射板２０２における光の反射率を高めるという観点から、薄いことが好ましく、例えば数μｍ程度である。
以下の表１を用いて、空気層２０４の厚みの具体例を挙げる。
表１は空気層２０４の厚み（反射板２０２とシンチレータ層３６との距離）と感度との関係、及び、空気層２０４の厚みとＭＴＦ（解像度）の関係を示している。
表１に示す具体例から、感度を高める（反射板２０２における光の反射率を高める）という観点から、空気層２０４の厚みは、０μｍ超３０μｍ以下の範囲が好ましく、０μｍ超２０μｍ以下の範囲がより好ましいことが分かる。
また、感度及びＭＴＦを共に高めるという観点から、０μｍ超１０μｍ以下であることがさらに好ましいことが分かる。
−作用−
以上、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器２００よれば、空気層２０４の屈折率の影響により、反射板２０２における光の反射率を高めることができる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器について説明する。
−放射線検出器の構成−
図７は、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器３００の断面構成を示した断面図である。
本発明の第３実施形態に係る放射線検出器３００は、第２実施形態と同一の構成を備え、さらに枠部３０２が追加されている。
本第３実施形態の枠部３０２は、シンチレータ層３６（封止部１０２）の外周部を隙間をあけて囲う枠部材３０４を備えている。
この枠部材３０４は、放射線検出器３００の面外方向Ｓに向かって延伸しており、接着剤３０６により光検出基板３０に固定され、また、接着剤３０８により反射板２０２に固定されている。したがって、枠部材３０４を介して光検出基板３０と反射板２０２とが連結されている。
ただし、このように光検出基板３０と反射板２０２とが連結されていても、枠部材３０４に柔軟性を持たせて、光検出基板３０（及びシンチレータ層３６）と反射板２０２が互いに拘束されずに変位できるようにしている。したがって、枠部材３０４は、紫外硬化型のアクリル系接着剤やシリコーン、エポキシ系接着剤等で構成されている。なお、枠部材３０４は省略して、枠部３０２を接着剤３０６，３０８のみで構成することもできる。
−作用−
以上、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器３００によれば、シンチレータ層３６は、封止部１０２に加えて、枠部３０２で囲まれているので、シンチレータ層３６に水等が接触することを確実に防止することができる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る放射線検出器について説明する。
−放射線検出器の構成−
図８は、本発明の第４実施形態に係る放射線検出器４００の断面構成を示した断面図である。
本発明の第４実施形態に係る放射線検出器４００は、第１実施形態の反射板６０の代わりに反射薄膜４０２を備えている。なお、他の構成は、第１実施形態に係る放射線検出器２０の構成と同一である。
本第４実施形態の反射薄膜４０２は、反射板６０と異なり、第１封止膜１０２Ａに接合した状態で接触している。ただし、反射薄膜４０２は、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法又はスパッタリング法等により形成されて薄膜とされているので、反射板６０よりも厚みが薄い。
反射薄膜４０２の厚みは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下であり、光検出基板３０との熱膨張差による反りを抑制するという観点から好ましくは０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
−作用−
一般的に、反射部の変位量（熱膨張量）は、その厚みと比例関係にあるが、本発明の第４実施形態に係る放射線検出器４００よれば、反射薄膜４０２が薄膜とされているので、反射薄膜４０２の変位量を低減でき、もって、光検出基板３０の反りを抑制することができる。
また、この構成によれば、第１実施形態と同様に、放射線Ｘは、光検出基板３０から順に、シンチレータ層３６、反射薄膜４０２に当たることになる。
このとき、放射線Ｘは、シンチレータ層３６の中では、まず光検出基板３０側のシンチレータ部分に照射されるので、当該光検出基板３０側のシンチレータ部分が主に放射線Ｘを吸収して発光することになる。そして、シンチレータ層の中で主に放射線Ｘを吸収して発光するシンチレータ部分が光検出基板３０側であると、当該シンチレータ部分と光検出基板３０との距離が近くなり、光検出基板３０における光の受光量を増やすことができる。
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係る放射線検出器の製造方法について説明する。
−放射線検出器の構成−
図９は、本発明の第５実施形態に係る放射線検出器の製造方法の工程図である。本発明の第５実施形態に係る放射線検出器の製造方法は、当該放射線検出器が例えば第１実施形態の放射線検出器２０の構成と同一の構成を有するものとして説明するが、本製造方法により第２実施形態〜４実施形態の放射線検出器も製造可能である。
１．基板用意工程
まず、図９（Ａ）に示すように、支持基板５００を用意する、基板用意工程を行う。
支持基板５００の材料としては、例えば、アルミニウムやカーボンを用いることができる。
２．離型処理工程
次に、支持基板５００と後に形成される第１封止膜１０２Ａの密着強度が、第１封止膜１０２Ａとシンチレータ層３６との密着強度よりも低くなるように、支持基板５００の表面に離型剤を塗布する、離型処理工程を行う。
ただし、後述するシンチレータ層３６の形成時点で、支持基板５００が離れないように、適宜、離型剤の量を少なくしたり、支持基板５００の表面の一部にのみ離型剤を塗布したりする等する必要がある。
３．第１封止膜形成工程
次に、図９（Ｂ）に示すように、支持基板５００上に、封止部１０２を構成する第１封止膜１０２Ａを形成する、第１封止膜形成工程を行う。
第１封止膜１０２Ａを形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式印刷方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、コーティング方式等の湿式方式が挙げられ、使用する材料に応じて適宜選択すればよい。
４．シンチレータ層形成工程
次に、図９（Ｃ）に示すように、第１封止膜１０２Ａ上に、気相堆積法によりシンチレータ層３６を形成する、シンチレータ層形成工程を行う。
具体的に、ＣｓＩ：Ｔｌを用いた態様を例に挙げて説明する。
気相堆積法は常法により行うことができる。即ち、真空度０．０１〜１０Ｐａの環境下、ＣｓＩ：Ｔｌを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、支持基板５００の温度（蒸着温度）を室温（２０℃）〜３００℃としてＣｓＩ：Ｔｌを支持基板５００（第１封止膜１０２Ａ）上に蒸着し堆積させればよい。
気相堆積法により第１封止膜１０２Ａ上にＣｓＩ：Ｔｌの結晶相を形成する際、当初は不定形或いは略球状結晶の直径の比較的小さな結晶の集合体が形成される。気相堆積法の実施に際しては、真空度及び支持基板５００温度の少なくとも一方の条件を変更することで、非柱状結晶領域３６Ｂの形成後に連続して気相堆積法により柱状結晶体を成長させることができる。
即ち、非柱状結晶領域３６Ｂを形成した後、真空度を上げる、支持基板５００温度を高くする等の手段のうち少なくとも一方を行うことで、効率よく均一な柱状結晶を成長させて、柱状結晶領域３６Ａを形成することができる。
５．第２封止膜形成工程
次に、図９（Ｄ）に示すように、シンチレータ層３６及び第１封止膜１０２Ａを覆うように、封止部１０２を構成する第２封止膜１０２Ｂを形成する、第２封止膜形成工程を行う。
第２封止膜１０２Ｂを形成する方法は、第１封止膜１０２Ａの形成方法と同様である。
６．貼付工程
次に、図示しないが、第２封止膜１０２Ｂ上に、粘着層１００を介して光検出基板３０を貼り付ける、貼付工程を行う。
７．取除き工程
次に、図示しないが、支持基板５００を第１封止膜１０２Ａから取り除く、取除き工程を行う。
８．反射基板配置工程
次に、図示しないが、反射板６０を第１封止膜１０２Ａと接合していない状態で面接触するように配置する。
９．放射線検出器２０の取得
以上の工程を経ることにより、図５に示すような放射線検出器２０を取得することができる。
−作用−
以上、本発明の第５実施形態に係る放射線検出器の製造方法によれば、離型処理工程により支持基板５００と第１封止膜１０２Ａの密着強度が、第１封止膜１０２Ａとシンチレータ層３６との密着強度よりも低くされるので、支持基板５００を第１封止膜１０２Ａから取り除く取除き工程において、第１封止膜１０２Ａをシンチレータ層３６から剥がすことなく、容易に支持基板５００を取り除くことができる。
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態に係る放射線検出器の製造方法について説明する。
−放射線検出器の構成−
図１０は、本発明の第６実施形態に係る放射線検出器の製造方法の説明図である。本発明の第６実施形態に係る放射線検出器の製造方法は、当該放射線検出器が例えば第１実施形態の放射線検出器２０の構成と同一の構成を有するものとして説明するが、本製造方法により第２実施形態〜４実施形態の放射線検出器も製造可能である。なお、以下で説明しない方法等は、第５実施形態に係る放射線検出器の製造方法と同様である。
１．基板用意工程
まず、支持基板６００を用意する、基板用意工程を行う。
２．表面処理工程
次に、後述するシンチレータ層３６の形成領域よりも外周側にある第１封止膜１０２Ａと支持基板６００との密着強度が、シンチレータ層３６の形成領域下にある第１封止膜１０２Ａと支持基板６００との密着強度よりも高くなるように、当該外周側の支持基板６００に表面処理を施す、表面処理工程を行う。
この表面処理としては、支持基板６００の表面を有機溶剤またはアルカリ系洗浄液等で清浄化する方法、サンドブラスト処理で表面に微小な凹凸を設ける方法やプライマー処理で表面の密着性を向上させる方法等が挙げられる。
３．第１封止膜形成工程
次に、支持基板５００上に、封止部１０２を構成する第１封止膜１０２Ａを形成する、第１封止膜形成工程を行う。なお、図１０では、第１封止膜１０２Ａが２つに区分けされているが、互いに支持基板６００との密着強度が異なるだけで、構成材料や製造方法は同一である。
４．シンチレータ層形成工程
次に、第１封止膜１０２Ａ上に、気相堆積法によりシンチレータ層３６を形成するシンチレータ層形成工程を行う。
５．第２封止膜形成工程
次に、シンチレータ層３６及び第１封止膜１０２Ａを覆うように、封止部１０２を構成する第２封止膜１０２Ｂを形成する、第２封止膜形成工程を行う。
６．切断工程
次に、シンチレータ層３６よりも外周側にある第１封止膜１０２Ａ及び第２封止膜１０２Ｂを支持基板６００の面外方向に（図中破線の箇所で）切断する、切断工程を行う。
７．貼付工程
次に、図示しないが、第２封止膜１０２Ｂ上に、粘着層１００を介して光検出基板３０を貼り付ける、貼付工程を行う。
８．取除き工程
次に、図示しないが、支持基板６００を第１封止膜１０２Ａから取り除く、取除き工程を行う。
９．反射基板配置工程
次に、図示しないが、反射板６０を第１封止膜１０２Ａと接合していない状態で面接触するように配置する。
１０．放射線検出器２０の取得
以上の工程を経ることにより、図５に示すような放射線検出器２０を取得することができる。
−作用−
以上、本発明の第６実施形態に係る放射線検出器の製造方法によれば、シンチレータ層形成工程の際には、シンチレータ層３６の形成領域よりも外周側にある第１封止膜１０２Ａと支持基板６００との密着強度が、シンチレータ層３６の形成領域下にある第１封止膜１０２Ａと支持基板６００との密着強度よりも高いので、例えば支持基板６００から第１封止膜１０２Ａ及びシンチレータ層３６が剥がれ落ちることを防止できる。
また、支持基板６００を第１封止膜１０２Ａから取り除く取除き工程の際には、シンチレータ層３６よりも外周側にある密着強度の高い第１封止膜１０２Ａ及び第２封止膜１０２Ｂが支持基板６００の面外方向に切断されているので、支持基板６００を、シンチレータ層３６の形成領域下にある第１封止膜１０２Ａのみから取り除くようにすればよい。ここで、シンチレータ層３６の形成領域下にある第１封止膜１０２Ａと支持基板６００との密着強度は、シンチレータ層３６の形成領域よりも外周側にある第１封止膜１０２Ａと支持基板６００との密着強度よりも低いので、支持基板６００を容易に取り除くことができる。
（変形例）
なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わされて実施可能である。また、以下の変形例を、適宜、組み合わせてもよい。
例えば、第１実施形態の反射板６０の代わりに、断面が半円形状、楕円形状、三角状等他の形状のものや、反射薄膜等の反射部を設けることもできる。また、滑り部材６０Ｂは、反射板本体６０Ａの表面ではなく、第１封止膜１０２Ａの表面に設けるようにしてもよいし、反射板本体６０Ａの表面と第１封止膜１０２Ａの表面の両方に設けるようにしてもよい。
また、滑り部材６０Ｂや封止部１０２は省略することもできる。
また、シンチレータ層３６は、柱状構造を有している場合を説明したが、例えば、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等からなるシンチレータを光検出基板３０上に塗布してシンチレータ層３６を形成した場合等、柱状構造を有しない場合であってもよい。
また、柱状結晶領域３６Ａが光検出基板３０と対向し、非柱状結晶領域３６Ｂが反射板６０と対向する場合を説明したが、逆の場合であってもよい。
また、非柱状結晶領域３６Ｂがなく、柱状結晶領域３６Ａのみで構成されるシンチレータ層３６を用いてもよい。
また、第１〜第４実施形態では、光検出基板３０が放射線Ｘの照射面となる、所謂裏面照射型の放射線画像撮影装置１０である場合を説明したが、第４実施形態の場合を除き、シンチレータ層３６側が放射線Ｘの照射面となる、所謂表面照射型の放射線画像撮影装置であってもよい。
また、第２実施形態で説明した図６において、反射板２０２とシンチレータ層３６（第１封止膜１０２Ａ）との間には、反射板２０２とシンチレータ層３６間の距離を一定にするスペーサーを設けるようにしてもよい。このスペーサーは、複数個の微粒子で構成されたものや、レジスト等で形成されるライン状、メッシュ上、スポット状に形成されたもの等がある。このようにすれば、シンチレータ層３６をスペーサーにより支持することができる。
また、第２実施形態では、反射板２０２を基台５６に載置する場合を説明したが、筐体１６に固定するようにしてもよい。
また、第５実施形態では、第１封止膜形成工程の前に離型処理工程を行う場合を説明したが、第１封止膜形成工程の後でシンチレータ層形成工程の前に、支持基板５００と第１封止膜１０２Ａの密着強度が、第１封止膜１０２Ａとシンチレータ層３６との密着強度よりも低くなるように、第１封止膜１０２Ａとシンチレータ層３６との密着強度を高める表面処理を施すようにしてもよい。
また、第６実施形態では、第２封止膜形成工程後で貼付工程前に切断工程を行ったが、この切断工程は貼付工程後で取除き工程前に行うようにしてもよい。また、切断工程においては、支持基板６００、第１封止膜１０２Ａ及び第２封止膜１０２Ｂをすべて切断する場合を説明したが、第１封止膜１０２Ａ及び第２封止膜１０２Ｂのみを切断するようにしてもよいし、支持基板６００の半分まで切断するようにしてもよい。
また、第１実施形態では、筐体１６の内部には、放射線Ｘが照射される筐体１６の照射面１８側から、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、及び制御基板２２が順に設けられている場合を説明したが、放射線Ｘが照射される照射面１８側から順に、患者１４を透過することに伴って生ずる放射線Ｘの散乱線を除去するグリッド、放射線検出器２０、及び放射線Ｘのバック散乱線を吸収する鉛板が収容されていてもよい。
また、第１実施形態では、筐体１６の形状が矩形平板状である場合を説明したが、特に限定されるものではなく、例えば正面視が正方形や円形になるようにしてもよい。
また、第１実施形態では、制御基板２２を１つで形成した場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、制御基板２２が機能毎に複数に分かれていてもよい。さらに、制御基板２２を、放射線検出器２０と垂直方向（筐体１６の厚み方向）に並んで配置する場合を説明したが、放射線検出器２０と水平方向に並んで配置するようにしてもよい。
また、放射線Ｘは、Ｘ線だけに限られず、α線，β線，γ線，電子線又は紫外線等であってもよい。
また、放射線画像撮影装置１０が可搬性のある電子カセッテである場合を説明したが、放射線画像撮影装置は、可搬性のない大型の放射線画像撮影装置であってもよい。
１０ 電子カセッテ（放射線画像撮影装置）
１６ 筐体
２０ 放射線検出器
３０ 光検出基板
３４ 柱状結晶
３６ シンチレータ層
３６Ａ 柱状結晶領域
３６Ｂ 非柱状結晶領域
６０ 反射板（反射部）
１０２ 封止部
１０２Ａ 第１封止膜
１０２Ｂ 第２封止膜
２００ 放射線検出器
２０２ 反射板（反射部）
２０４ 空気層
３００ 放射線検出器
３０２ 枠部
４００ 放射線検出器
４０２ 反射薄膜
５００ 支持基板
６００ 支持基板
Ｐ 面内方向
Ｘ 放射線

Claims (14)

  1. 光を電荷に変換する光検出基板と、
    前記光検出基板と対向し、照射された放射線を光に変換するシンチレータ層と、
    前記シンチレータ層にて変換された光を前記光検出基板側に反射し、前記シンチレータ層と面内方向へ相対変位可能に対向配置された反射部と、
    を備える放射線検出器。
  2. 前記反射部は、前記シンチレータ層と面で接触している、
    請求項１に記載の放射線検出器。
  3. 前記反射部又は前記シンチレータ層の接触面には、滑り処理が施されている、
    請求項２に記載の放射線検出器。
  4. 前記反射部と前記シンチレータ層との間には、空気層が形成されるように前記反射部が支持されている、
    請求項１に記載の放射線検出器。
  5. 前記反射部と前記シンチレータ層との間には、前記反射部と前記シンチレータ層間の距離を一定にするスペーサーが設けられている、
    請求項４に記載の放射線検出器。
  6. 前記シンチレータ層は、複数の柱状結晶体を含んで構成される、
    請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  7. 前記柱状結晶体の先端が前記光検出基板と対向する、
    請求項６に記載の放射線検出器。
  8. 前記シンチレータ層の全体を囲って封止する封止部を備える、
    請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  9. 前記光検出基板と前記反射部とを連結する枠部、
    を備える請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の放射線検出器。
  10. 筐体と、前記筐体に内蔵された請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の放射線検出器と、を備え、
    前記放射線検出器の前記光検出基板が前記放射線の照射面とされた、
    放射線画像撮影装置。
  11. 筐体と、前記筐体に内蔵された請求項１〜請求項９に記載の放射線検出器と、を備え、
    前記放射線検出器の前記反射部は、前記筐体に支持されている、
    放射線画像撮影装置。
  12. 筐体と、前記筐体に内蔵された放射線検出器と、を備える放射線画像撮影装置であって、
    前記放射線検出器は、
    放射線の照射方向から順に、
    光を電荷に変換する光検出基板と、
    前記光検出基板と柱状結晶体の先端が対向するように配置され、照射された前記放射線を光に変換するシンチレータ層と、
    前記柱状結晶体の先端とは他方の端面に薄膜として積層され、前記シンチレータ層にて変換された光を前記光検出基板側に反射する反射部と、
    を備える放射線画像撮影装置。
  13. 請求項８に記載の放射線検出器の製造方法であって、
    支持基板上に、前記封止部を構成する第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、
    前記第１封止膜上に、前記シンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、
    前記シンチレータ層及び前記第１封止膜を覆うように、前記封止部を構成する第２封止膜を形成する第２封止膜形成工程と、
    前記第２封止膜上に、前記光検出基板を貼り付ける貼付工程と、
    前記支持基板を前記第１封止膜から取り除く取除き工程と、
    を含み、
    前記第１封止膜形成工程の前に又は第１封止膜形成工程の後でシンチレータ層形成工程の前に、前記支持基板と前記第１封止膜の密着強度が、前記第１封止膜と前記シンチレータ層との密着強度よりも低くなるように、前記支持基板又は前記第１封止膜に表面処理を施す、
    放射線検出器の製造方法。
  14. 請求項８に記載の放射線検出器の製造方法であって、
    支持基板上に、前記封止部を構成する第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、
    前記第１封止膜上に、前記シンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、
    前記シンチレータ層及び前記第１封止膜を覆うように、前記封止部を構成する第２封止膜を形成する第２封止膜形成工程と、
    前記第２封止膜上に、前記光検出基板を貼り付ける貼付工程と、
    前記第２封止膜形成工程後で前記貼付工程前、又は前記貼付工程後に、前記シンチレータ層よりも外周側にある前記第１封止膜及び前記第２封止膜を前記支持基板の面外方向に切断する切断工程と、
    前記支持基板を前記第１封止膜から取り除く取除き工程と、
    を含み、
    前記第１封止膜形成工程の前に、前記シンチレータ層の形成領域よりも外周側にある前記第１封止膜と前記支持基板との密着強度が、前記シンチレータ層の形成領域下にある前記第１封止膜と前記支持基板との密着強度よりも高くなるように、前記支持基板に表面処理を施す、
    放射線検出器の製造方法。
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US13/137,117 US20120049075A1 (en) 2010-08-31 2011-07-21 Radiation detector, radiographic imaging device, and method of fabricating radiation detector
CN201110209030XA CN102404512A (zh) 2010-08-31 2011-07-25 放射线检测器、放射线摄影装置及放射线检测器制造方法

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014013193A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Canon Inc 放射線検出装置及びその製造方法
WO2014050533A1 (ja) * 2012-09-27 2014-04-03 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
JP2014185857A (ja) * 2013-03-21 2014-10-02 Canon Inc 放射線検出装置及び放射線検出システム
CN104199079A (zh) * 2014-07-17 2014-12-10 许剑锋 发射成像设备的闪烁晶体的固定装置以及检测设备和方法
JP2015141190A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2010050358A1 (ja) * 2008-10-28 2012-03-29 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル、放射線検出装置及びそれらの製造方法
CN103513266B (zh) * 2012-06-21 2016-12-28 苏州瑞派宁科技有限公司 多层闪烁晶体及pet探测器
CN102707310B (zh) 2012-06-21 2014-06-11 苏州瑞派宁科技有限公司 多层闪烁晶体的正电子发射断层成像探测器
JP2014122820A (ja) * 2012-12-20 2014-07-03 Canon Inc シンチレータ、放射線検出装置および放射線検出システム
CN105378507B (zh) * 2013-07-16 2021-04-13 佳能电子管器件株式会社 辐射检测器、闪烁体板和制造它们的方法
JP6397208B2 (ja) * 2014-04-09 2018-09-26 キヤノン株式会社 放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システム
CN107658361A (zh) * 2016-07-25 2018-02-02 群创光电股份有限公司 主动矩阵式影像感测装置
EP3549168A4 (en) * 2016-11-30 2020-09-16 The Research Foundation for The State University of New York HYBRID ACTIVE MATRIX FLAT PANEL DETECTION SYSTEM AND METHOD
JP6877289B2 (ja) * 2017-07-31 2021-05-26 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法
KR102448682B1 (ko) * 2017-09-25 2022-09-29 삼성전자주식회사 지문인식 패키지 및 그 제조방법
TWI802655B (zh) * 2018-03-26 2023-05-21 日商富士軟片股份有限公司 放射線圖像攝影裝置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108290A (ja) * 1986-09-30 1988-05-13 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト シンチレーシヨンカメラ
WO2001051952A1 (fr) * 2000-01-13 2001-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. Capteur d'image radiologique et panneau de scintillateurs
JP2003262678A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Canon Inc 放射線検出装置用シンチレーターパネルおよびその製造方法
WO2004079396A1 (ja) * 2003-03-07 2004-09-16 Hamamatsu Photonics K.K. シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサの製造方法
JP2005172511A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システム
JP2006078472A (ja) * 2004-08-10 2006-03-23 Canon Inc 放射線検出装置、シンチレータパネル及びこれらの製造方法
JP2009103676A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Hamamatsu Photonics Kk 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ
JP2010121997A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Fujifilm Corp 放射線画像検出器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60024644T2 (de) * 1999-04-16 2006-08-17 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Szintillatorpanel und strahlungsbildsensor
DE10233641B4 (de) * 2002-07-24 2007-08-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung mit einem Substrat und entsprechende Schaltungsanordnung
JP4289913B2 (ja) * 2003-03-12 2009-07-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
CN1930491A (zh) * 2004-03-05 2007-03-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于具有可变反射器的x射线检测器的闪烁器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108290A (ja) * 1986-09-30 1988-05-13 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト シンチレーシヨンカメラ
WO2001051952A1 (fr) * 2000-01-13 2001-07-19 Hamamatsu Photonics K.K. Capteur d'image radiologique et panneau de scintillateurs
JP2003262678A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Canon Inc 放射線検出装置用シンチレーターパネルおよびその製造方法
WO2004079396A1 (ja) * 2003-03-07 2004-09-16 Hamamatsu Photonics K.K. シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサの製造方法
JP2005172511A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システム
JP2006078472A (ja) * 2004-08-10 2006-03-23 Canon Inc 放射線検出装置、シンチレータパネル及びこれらの製造方法
JP2009103676A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Hamamatsu Photonics Kk 放射線像変換パネル及び放射線イメージセンサ
JP2010121997A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Fujifilm Corp 放射線画像検出器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014013193A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Canon Inc 放射線検出装置及びその製造方法
WO2014050533A1 (ja) * 2012-09-27 2014-04-03 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置
JP2014081358A (ja) * 2012-09-27 2014-05-08 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置
JP2014185857A (ja) * 2013-03-21 2014-10-02 Canon Inc 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP2015141190A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム
WO2015115027A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、蛍光体
CN104199079A (zh) * 2014-07-17 2014-12-10 许剑锋 发射成像设备的闪烁晶体的固定装置以及检测设备和方法
CN104199079B (zh) * 2014-07-17 2016-11-09 许剑锋 发射成像设备的闪烁晶体的固定装置以及检测设备和方法

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