JP2015133469A - 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素とを備え、前記第1の撮像画素のカラーフィルタの面積は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタの面積より小さいように構成された固体撮像素子である。
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素とを備え、前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きいように構成された固体撮像素子である。
(固体撮像素子の一実施の形態の構成例)
図1は、本技術を適用した固体撮像素子の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
図2は、画素51の第1の構成例の等価回路を示している。
図3は、画素アレイ部44の第1の構造例を示す図である。
図5は、図3の画素アレイ部44における遮光膜91aおよび91b,93、並びに96の形状の例を示す上面概略図である。なお、図5は、図3AのA−A´の位置の5×1の画素の遮光膜を表している。
図6は、図3の画素アレイ部44のうちのフォトダイオード61の領域の製造方法を説明する図である。
図7は、画素アレイ部44の第2の構造例を示す図である。
図8は、画素アレイ部44の第3の構造例を示す概略上面図である。
図10は、画素アレイ部44の第4の構造例を示す図である。
図11は、画素アレイ部44の第5の構造例を示す図である。
図13は、画素アレイ部44の第6の構造例を示す図である。
図15は、各画素51の配列が2×2画素配列である場合の画素アレイ部44の第1の構造例を示す図である。
図19は、各画素51の配列が2×2画素配列である場合の画素51間の電気配線の例を示す図である。
図28は、画素51の第2の構成の等価回路を示している。
図29は、固体撮像素子41の各部の配置例を示す図である。
(電子機器の一実施の形態の構成例)
図30は、本開示を適用した電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素のカラーフィルタの面積は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタの面積より小さい
ように構成された
固体撮像素子。
(2)
前記第1の撮像画素のカラーフィルタは、前記位相差検出画素と隣接する方向と垂直な方向に並ぶ前記第2の撮像画素のカラーフィルタと、前記位相差検出画素と隣接する側と反対の側の位置が同一である
ように構成された
前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記第1の撮像画素のカラーフィルタの前記位相差検出画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタに比べて、前記カラーフィルタのプロセスばらつきの平均値に標準偏差の3倍を加算した値以上短い
ように構成された
前記(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記第1の撮像画素と前記第2の撮像画素の一部には、遮光膜が形成され、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記第1の撮像画素の遮光膜の前記位相差検出画素と隣接する側の前記位相差検出画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素の遮光膜に比べて大きい
ように構成された
前記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記第1の撮像画素の遮光膜の前記位相差検出画素と隣接する側の前記位相差検出画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素の遮光膜に比べて、前記カラーフィルタのプロセスばらつきの平均値に標準偏差の3倍を加算した値以上長い
ように構成された
前記(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記位相差検出画素には、オプティカルブラック領域が配置され、
前記第1の撮像画素は、前記オプティカルブラック領域が配置される側と反対の側に隣接する
ように構成された
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)
前記第2の撮像画素と前記位相差検出画素の一部には、遮光膜が形成され、
前記位相差検出画素の遮光膜の前記第1の撮像画素と隣接する側の前記第1の撮像画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素の遮光膜に比べて大きい
ように構成された
前記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記第1の撮像画素において得られた画素信号を処理する信号処理部
をさらに備える
前記(1)乃至(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記信号処理部は、前記画素信号に対してゲイン補正を行う
ように構成された
前記(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記信号処理部は、前記画素信号の混色を補正する
ように構成された
前記(9)または(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素のカラーフィルタの面積は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタの面積より小さい
ように構成された
固体撮像素子を形成する
固体撮像素子の製造方法。
(13)
位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素のカラーフィルタの面積は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタの面積より小さい
ように構成された
電子機器。
(14)
位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
固体撮像素子。
(15)
前記第1の撮像画素と他の画素との境界、および、前記第2の撮像画素と他の画素との境界には、絶縁膜が形成される
ように構成された
前記(14)に記載の固体撮像素子。
(16)
前記第1の撮像画素と他の画素との境界、および、前記第2の撮像画素と他の画素との境界には、遮光膜が形成される
ように構成された
前記(14)または(15)に記載の固体撮像素子。
(17)
前記第1の撮像画素と前記位相差検出画素との境界に設けられる前記遮光膜の幅は、他の前記遮光膜の幅より大きい
ように構成された
前記(16)に記載の固体撮像素子。
(18)
位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
固体撮像素子を形成する
固体撮像素子の製造方法。
(19)
位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
電子機器。
Claims (19)
- 位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素のカラーフィルタの面積は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタの面積より小さい
ように構成された
固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素のカラーフィルタは、前記位相差検出画素と隣接する方向と垂直な方向に並ぶ前記第2の撮像画素のカラーフィルタと、前記位相差検出画素と隣接する側と反対の側の位置が同一である
ように構成された
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素のカラーフィルタの前記位相差検出画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタに比べて、前記カラーフィルタのプロセスばらつきの平均値に標準偏差の3倍を加算した値以上短い
ように構成された
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素と前記第2の撮像画素の一部には、遮光膜が形成され、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素の遮光膜の前記位相差検出画素と隣接する側の前記位相差検出画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素の遮光膜に比べて大きい
ように構成された
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素の遮光膜の前記位相差検出画素と隣接する側の前記位相差検出画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素の遮光膜に比べて、前記カラーフィルタのプロセスばらつきの平均値に標準偏差の3倍を加算した値以上長い
ように構成された
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記位相差検出画素には、オプティカルブラック領域が配置され、
前記第1の撮像画素は、前記オプティカルブラック領域が配置される側と反対の側に隣接する
ように構成された
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記第2の撮像画素と前記位相差検出画素の一部には、遮光膜が形成され、
前記位相差検出画素の遮光膜の前記第1の撮像画素と隣接する側の前記第1の撮像画素と隣接する方向の幅は、前記第2の撮像画素の遮光膜に比べて大きい
ように構成された
請求項7に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素において得られた画素信号を処理する信号処理部
をさらに備える
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記信号処理部は、前記画素信号に対してゲイン補正を行う
ように構成された
請求項9に記載の固体撮像素子。 - 前記信号処理部は、前記画素信号の混色を補正する
ように構成された
請求項9に記載の固体撮像素子。 - 位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素のカラーフィルタの面積は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタの面積より小さい
ように構成された
固体撮像素子を形成する
固体撮像素子の製造方法。 - 位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素のカラーフィルタの面積は、前記第2の撮像画素のカラーフィルタの面積より小さい
ように構成された
電子機器。 - 位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素と他の画素との境界、および、前記第2の撮像画素と他の画素との境界には、絶縁膜が形成される
ように構成された
請求項14に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素と他の画素との境界、および、前記第2の撮像画素と他の画素との境界には、遮光膜が形成される
ように構成された
請求項14に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の撮像画素と前記位相差検出画素との境界に設けられる前記遮光膜の幅は、他の前記遮光膜の幅より大きい
ように構成された
請求項16に記載の固体撮像素子。 - 位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
固体撮像素子を形成する
固体撮像素子の製造方法。 - 位相差検出用の画素である位相差検出画素と、
前記位相差検出画素に隣接する撮像用の画素である第1の撮像画素と、
前記第1の撮像画素以外の撮像用の画素である第2の撮像画素と
を備え、
前記第1の撮像画素の遮光膜の面積は、前記第2の撮像画素の遮光膜の面積より大きい
ように構成された
電子機器。
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