JP2015129276A - ブロックコポリマーの性質を制御する方法及びブロックコポリマーから製造された物品 - Google Patents
ブロックコポリマーの性質を制御する方法及びブロックコポリマーから製造された物品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015129276A JP2015129276A JP2014254331A JP2014254331A JP2015129276A JP 2015129276 A JP2015129276 A JP 2015129276A JP 2014254331 A JP2014254331 A JP 2014254331A JP 2014254331 A JP2014254331 A JP 2014254331A JP 2015129276 A JP2015129276 A JP 2015129276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- block
- brush
- block copolymer
- poly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 title claims abstract description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 title 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 206
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 39
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 57
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 51
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 40
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 36
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 32
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 24
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 9
- DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-enylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C=CC1=CC=CC=C1 DXIJHCSGLOHNES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 7
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 6
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N Dihydropyran Chemical compound C1COC=CC1 BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 4
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 38
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 36
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 30
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 19
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-4-ethenylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C=C)C=C1 QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YJKHMSPWWGBKTN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-dodecafluoroheptyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F YJKHMSPWWGBKTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 4
- QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)F QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 2
- WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylacrylic acid Chemical compound CCC(=C)C(O)=O WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-(4-tert-butylpyridin-2-yl)pyridine Chemical group CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N lithium;butane Chemical compound [Li+].CC[CH-]C WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N propyl prop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C=C PNXMTCDJUBJHQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000000654 solvent vapour annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 125000004205 trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- SOSNAIPTFXTNRU-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenoxy)-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 SOSNAIPTFXTNRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl) acetate Chemical compound CC(=O)OC1=CC=C(C=C)C=C1 JAMNSIXSLVPNLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXHSYXPNALRSME-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C1=CC=C(C=C)C=C1 OXHSYXPNALRSME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSCPNSQHFQIZDW-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)methyl-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)CC1=CC=C(C=C)C=C1 MSCPNSQHFQIZDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 1-(4-nitrophenyl)propan-2-one Chemical compound CC(=O)CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C(C)=C1 OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C=C VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=C)=C1 XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(C=C)C=C1 WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHXMVFDLNGKBSR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl 2-bromo-2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)(Br)C(=O)OCCO MHXMVFDLNGKBSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- CJPVHKFBUGKBAN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-[3-[methyl-bis(trimethylsilyloxy)silyl]propyl]prop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NCCC[Si](C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C CJPVHKFBUGKBAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=CC1=CC=CC=C1 FMFHUEMLVAIBFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUGOQZFPNUYUOO-UHFFFAOYSA-N 2-trimethylsilyloxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO[Si](C)(C)C WUGOQZFPNUYUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylethenyl)furan-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C1 PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWBTXZPDTSKZJU-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethyl(trimethylsilyloxy)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C NWBTXZPDTSKZJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000390 Poly(styrene-block-methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000147 Styrene maleic anhydride Polymers 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAVOLLCPMXSDHF-UHFFFAOYSA-N [2-phenyl-3-tris(trimethylsilyloxy)silylpropyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 XAVOLLCPMXSDHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWZPCWIHVLRGII-UHFFFAOYSA-N [dimethyl(trimethylsilyloxy)silyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C HWZPCWIHVLRGII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNQFCBLYUTWWCH-UHFFFAOYSA-N [ethoxy(dimethyl)silyl]methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(C)COC(=O)C(C)=C DNQFCBLYUTWWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPMNWQTVWVHXIQ-UHFFFAOYSA-N [methyl-bis(trimethylsilyloxy)silyl]methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC[Si](C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C YPMNWQTVWVHXIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVYLJMBNVJQTGW-UHFFFAOYSA-N ac1mn7wg Chemical compound O1[Si](O[Si](CC(C)C)(O2)O[Si](CC(C)C)(O3)O4)(CC(C)C)O[Si]4(CC(C)C)O[Si]4(CC(C)C)O[Si]1(CC(C)C)O[Si]2(CC(C)C)O[Si]3(CCCOC(=O)C(C)=C)O4 CVYLJMBNVJQTGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- DHHRJRPWJFNGAV-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C DHHRJRPWJFNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N dimethyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C1=CC=CC=C1 OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229920005684 linear copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000569 multi-angle light scattering Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920000977 poly(butadiene-b-ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- QVPBMCKCBQURHP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-(4-ethenylphenoxy)-dimethylsilane Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 QVPBMCKCBQURHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- VGOXVARSERTCRY-UHFFFAOYSA-N trimethylsilylmethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC[Si](C)(C)C VGOXVARSERTCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYHMLROEJNBVEF-UHFFFAOYSA-N tris(trimethylsilyloxy)silylmethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C NYHMLROEJNBVEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/042—Coating with two or more layers, where at least one layer of a composition contains a polymer binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/10—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/08—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/442—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing vinyl polymer sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2483/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2483/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2483/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2483/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Description
実施例1
この例では、基板に配置させるブラシ状ポリマーの製造を示す。次に、ブロックコポリマーがブラシ状ポリマー上に配置される。ブラシ状ポリマーは、ヒドロキシル基末端ポリジメチルシロキサン(OH末端PDMS)、ヒドロキシル基末端ポリスチレン(OH末端PS)、OH末端官能基ポリ(メチルメタクリレート−ランダム−トリフルオロエチルメタクリレート)(P(MMA−r−TFEMA)−OH)、OH末端官能基ポリ(メチルメタクリレート−ランダム−ドデカフルオロヘプチルメタクリレート)−OHブラシ状ポリマー(P(MMA−r−DFHMA)−OH)であった。これらの材料の合成または調達は以下に詳細を記述する。
Si−H末端PDMS(4.0g)及びアリルアルコール(0.29g、4.9mmol、18当量、シラン系)を20mLバイアルで混和させた。バイアルは、窒素(N2)ブランケット下に置き、少量の5%Pt/Cをその中に添加した。バイアルの蓋を閉めて、加熱ブロック内で15時間110℃まで加熱した。粗反応混合物は、ヘキサンを用いてフリット及び1μmフィルターを介して濾過し、すべてのPDMSを洗浄した。次に、60℃でポリマーを排出させて、ヘキサン及び過剰アリルアルコールを除去して、所望のPDMS−OHが生成した。
Mn=10kg/molのヒドロキシル末端官能基ポリスチレンは、Scientific Polymerから購入し、Mn=10kg/molのヒドロキシル末端官能基ポリジメチルシロキサンは、Dow Corningから購入し、受領した状態で使用した。
シュレンクフラスコには、マグネチック攪拌子、4,4’−ジ−tert−ブチル−2,2’−ビピリジル(0.537g)、Cu(I)Br(0.144g)、メチルメタクリレート(7.00g)、トリフルオロエチルメタクリレート(3.00g)及びトルエン(10g)が付属していた。アルゴン混入溶液を15分間散布し、次に、90℃に予熱した油浴に入れた。一旦溶液が平衡となったら、注射器から開始剤(2−ヒドロキシエチル2−ブロモ−2−メチルプロパノエート)(0.211g)を添加して、反応物を90℃で攪拌した。重合をクエンチした後、混合物をTHFを用いて希釈し、イオン交換ビーズと攪拌して触媒を除去した。溶液は、透明になった後、濾過し、50重量%に濃縮し、沈殿して過剰シクロヘキサンとなった。ポリマーを回収して、真空オーブンにおいて、60℃で一晩乾燥させた。1H NMRから、ポリマーがメチルメタクリレート69重量%とトリフルオロエチルメタクリレート31重量%の組成物を有していることが明らかになった。ゲル浸透クロマトグラフィーから、ポリスチレン(PS)標準物に対してMn=13.9kg/molであり、Mw/Mn=1.20であることがが明らかになった。
反応性アルコール末端基をマグネチック攪拌子が付属したシュレンクフラスコに添加して、コポリ(メチルメタクリレート−ランダム−ドデカフルオロヘプチルメタクリレート)を含むランダムコポリマーヒドロキシル末端官能基ブラシ状ポリマーを製造し、4,4’−ジ−tert−ブチル−2,2’−ビピリジル(0.537g)、Cu(I)Br(0.143g)、メチルメタクリレート(1.02g)、ドデカフルオロヘプチルメタクリレート(9.05g)及びトルエン(10g)を添加した。アルゴン混入溶液を15分間散布し、次に、90℃に予熱した油浴に入れた。溶液が平衡となったら、注射器から開始剤(2−ヒドロキシエチル2−ブロモ−2−メチルプロパノエート)(0.210g)を添加して、反応物を90℃で攪拌した。重合をクエンチした後、混合物をTHFを用いて希釈し、イオン交換ビーズと攪拌して触媒を除去した。溶液は、透明になった後、濾過し、50重量%に濃縮し、沈殿して過剰シクロヘキサンとなった。ポリマーを回収して、真空オーブンにおいて、60℃で一晩乾燥させた。1H NMRから、ポリマーがメチルメタクリレート7重量%とドデカフルオロヘプチルメタクリレート93重量%の組成を有していることが明らかになった。ゲル浸透クロマトグラフィーから、PS標準物に対してMn=14.9kg/molであり、Mw/Mn=1.27であることが明らかになった。
4種類の異なるブラシ状ポリマーを異なる基板に配置した。ブラシ状ポリマーは、鎖末端部に単一のヒドロキシル官能基を有し、ポリスチレン−OHブラシ状ポリマー(PS−OH)、ポリジメチルシロキサン−OHブラシ状ポリマー(PDMS−OH)の他、トリフルオロエチルメタクリレート31重量%を含むポリ(メチルメタクリレート−ランダム−トリフルオロエチルメタクリレート)−OHブラシ状ポリマー(P(MMA−r−TFEMA)−OH)、及びドデカフルオロヘプチルメタクリレート93重量%を含むポリ(メチルメタクリレート−ランダム−ドデカフルオロヘプチルメタクリレート)−OHブラシ状ポリマー(P(MMA−r−DFHMA)−OH)を含む。
比較用組成物(ポリスチレン−ブロック−ポリジメチルシロキサン)(PS−b−PDMS)の合成
アルゴン雰囲気下の500mL丸底反応器中に、シクロヘキサン(56g)及びスチレン(16.46g)を加えた。次に反応器内容物を加熱して40℃にした。迅速に0.06Mのsec−ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液1回分(7.49g)をカニューレから反応器に加え、反応器内容物が黄橙色となった。反応器内容物を、30分間攪拌した。その後、反応器から、少量の反応器含有物を回収して、形成されたポリスチレンブロックのゲル浸透クロマトグラフィー分析用の無水メタノールを含む小型丸底フラスコ中に入れた。次に、新たに昇華したヘキサメチルシクロトリシロキサンの21重量%シクロヘキサン溶液22.39gを反応器に移した。反応器内容物を、20時間反応させた。その後、無水テトラヒドロフラン(93mL)を反応器に加え、反応を7時間進行させた。次に、クロロトリメチルシラン(1mL)を反応器に加えて、反応を停止させた。生成物は、1Lのメタノール中で沈殿させ濾過することにより単離した。さらなるメタノールで洗浄した後に、該ポリマーを150mLの塩化メチレンで再溶解させ、脱イオン水で2回洗浄し、次いで、メタノール1Lに再沈殿させた。その後、ポリマーは60℃の真空オーブンで一晩乾燥させ、19.7gとした。ポリ(スチレン)−b−ポリ(ジメチルシロキサン)ブロックコポリマー生成物は、数平均分子量(Mn)が40kg/molであり;多分散性(PDI)は1.11、PDMS含有量は22重量%であった(1H NMRにより測定)。
Mn=40kg/mol、PDMS22重量%含有のPS−b−PDMSブロックコポリマーをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(Dow Chemical Companyから販売されているDowanol(登録商標)PMA)に溶解し、1.8重量%溶液を作製した。PS−b−PDMSブロックコポリマーの合成の詳細は、以下の実施例4に記述する。溶液を、手作業で0.2μmのWhatmanシリンジフィルターに通した。次に、濾過溶液を3,061rpmでポリ(スチレン)ブラシ状ポリマー塗布基板にスピンコートし、厚さ38.3nmの堆積膜を得た。その後、基板を150℃に設定したホットプレート上で1分間焼成させた。次に、堆積膜を含有酸素が6ppm未満である窒素雰囲気下で290℃に設定したホットプレートに1時間置くことでアニールした。
この例では、PSブラシ状シリコン基板上でのPtBS−PDMSの薄膜形成及び熱アニーリングについて記述する。
シクロヘキサン(234g)及びt−ブチルスチレン(55.7g)をアルゴン雰囲気下で最初に1000mL丸底反応器に加えて、PtBS−b−PDMS(Mn=41.4kg/mol、PDMS30.3重量%)を調製した。次に反応器内容物を加熱して40℃にした。迅速に0.745Mのsec−ブチルリチウムシクロヘキサン溶液1回分(1.84g)をカニューレから反応器に加え、反応器内容物が橙色となった。反応器内容物を、60分間攪拌した。次に、カニューレを介して0.97gの2,2,5,5−テトラメチル−1,2,5−オキサジシロラン(oxadisilolane)シクロヘキサン溶液(2mL)を添加し、数分後、少量の反応器内容物を反応器から回収して、形成されたポリ(t−ブチルスチレン)ブロックのゲル浸透クロマトグラフィー分析用の無水メタノールの入った小型丸底フラスコに入れた。新たに昇華したヘキサメチルシクロトリシロキサン(32.34g)シクロヘキサン溶液(33mL)、次いで乾燥テトラヒドロフラン(212g)を反応器に移し、反応を16時間進行させた。次に、クロロトリメチルシラン(1mL)を反応器に加えて、反応を停止させた。生成物は、1mLのメタノール中で沈殿させ濾過することにより単離した。さらなるメタノールで洗浄した後に、ポリマーを300mLの塩化メチレンに再溶解させ、脱イオン水で2回洗浄し、次いで、1Lのメタノールに再沈殿させた。その後、ポリマーを濾過して60℃の真空オーブンで一晩乾燥させ、70gとした。PtBS−PDMSブロックコポリマー生成物は、数平均分子量(Mn)が41.4kg/molであり;多分散性(PDI)は1.13、PDMS含有量は30.3重量%であった(1H NMRにより測定)。
PGMEA溶液から生成したPtBS−b−PDMS薄膜(Mn=51,600g/モル)は、0.2μm Whatmanシリンジフィルターを介して溶液を濾過して、薄膜の厚さを49.6nmとした後、ポリスチレンブラシ状ポリマー処理した基板上に塗布した。その後、基板を150℃に設定したホットプレート上で1分間焼成させた。次に、堆積膜を含有酸素が6ppm未満である窒素雰囲気下で290℃に設定したホットプレートに1時間置くことで、アニールした。
この実施例は、ブラシ状ポリマーを塗布した基板上でのポリ(t−ブチルスチレン)−ブロック−ポリジメチルシロキサン(PtBS−b−PDMS)コポリマーの使用を示すために実施した。4種類の異なるブラシ状ポリマーを基板に配置した。また、基板のブラシ状ポリマー上にポリスチレン−ブロック−ポリジメチルシロキサン(PS−b−PDMS)比較組成物を配置した。ブラシ状ポリマーは、鎖末端部に単一のヒドロキシル官能基を有し、ポリスチレン−OHブラシ状ポリマー(PS−OH)、ポリジメチルシロキサン−OHブラシ状ポリマー(PDMS−OH)の他、トリフルオロエチルメタクリレート31重量%を含むポリ(メチルメタクリレート−ランダム−トリフルオロエチルメタクリレート)−OHブラシ状ポリマー(P(MMA−r−TFEMA)−OH)、及びドデカフルオロヘプチルメタクリレート93重量%を含むポリ(メチルメタクリレート−ランダム−ドデカフルオロヘプチルメタクリレート)−OHブラシ状ポリマー(P(MMA−r−DFHMA)−OH)を含む。
シリコン基板上でグラフト重合させた4種類の異なるブラシ状ポリマー上で、2つのPtBS−b−PDMS材料(1つは数平均分子量(Mn)51,600g/モル、PDMS28重量%を有し、もう1つはMn62,500g/モル、PDMS28重量%)の試験を行った。
この実施例は、トレンチのヒドロキシル基末端ポリブチルスチレン(PtBS−OH)ブラシ状ポリマー及びヒドロキシル基末端ポリスチレン(PS−OH)ブラシ状ポリマー上でのPtBS−b−PDMSのグラフォエピタキシャル誘導自己組織化を示すために実施した。
2つのヒドロキシル基末端ポリ(tert−ブチルスチレン)ブラシ状ポリマー(PtBS−OH)は、Bosmanら(J.Am.Chem.Soc.、2003、125(3)、715−728)によって記述された方法に従って、開始剤として2,2,5−トリメチル−3−(4’−p−ヒドロキシメチルフェニルエトキシ)−4−フェニル−3−アザヘキサンを用いて、窒素酸化物媒介重合により作製し、以下の性質を有するPtBS−OH材料を得た。Mn=16,100、PDI=1.24及びMn=35,900g/モル及びPDI=1.39。
2つのヒドロキシル基末端ポリスチレンブラシ状ポリマー(PS−OH)は、Bosmanら(J.Am.Chem.Soc.、2003、125(3)、715−728)によって記述された方法に従って、開始剤として2,2,5−トリメチル−3−(4’−p−ヒドロキシメチルフェニルエトキシ)−4−フェニル−3−アザヘキサンを用いて、窒素酸化物媒介重合により作製し、以下の性質を有するPS−OH材料を得た。Mn=11,000、PDI=1.23及びMn=20,000g/モル及びPDI=1.18。第三のPS−OHは、Changらによって米国特許公報第2013/0209344号に記述された方法によって作製し、PS−OH材料を得た(Mn=30,800、PDI=1.06)。
標準リソグラフィー法及びエッチング法を用いて、炭素床のSiO2ラインのパターン(平均スペース寸法118nm)を作製した。小クーポンをウェハーから切り出し、基板として使用した。いくつかのパターニングした基板クーポンの表面は、その上に2重量%(固体)PGMEA溶液のPtBS−OHブラシ状ポリマー及びPS−OHブラシ状ポリマーをスピンコーティングして修飾した。塗布したPtBS−OHは、Mn=16,100g/モル及び35,900g/モルであり、PS−OHはMn=11,000g/モル、20,000g/モル、30,800g/モルであった。次に、基板を120℃に設定したホットプレート上に2分間置き、もう1つの基板は、窒素雰囲気下において、250℃に設定したホットプレート上に2分間置いて、堆積させたブラシ状ポリマー層に付着させた。次に基板をPGMEAで洗浄し、基板をPGMEA中に1分間浸漬した後、3,000rpmで1分間スピン乾燥させて、付着していないポリマーを洗い落とした。その後、基板を120℃に設定したホットプレート上で2分間置いて焼成した。
Claims (14)
- ブラシ状ポリマーとブロックコポリマーとを含む組成物であって、
前記ブラシ状ポリマーは、その上に前記ポリマーを配置させる基板に反応させる反応部分を含み;
前記ブロックコポリマーは、互いに共有結合する第一のブロック及び第二のブロックを含み;
前記第一のブロックは、第一のポリマーを含み、第二のブロックは第二のポリマーを含み;前記第一のポリマーは、10原子%以下のポリシロキサンを含み;前記第二のポリマーは、少なくとも15原子%のポリシロキサンを含み;前記ブラシ状ポリマーは化学的に前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーとは異なり;前記第一のポリマーは化学的に前記第二のポリマーとは異なり、前記ブロックコポリマーは前記ブラシ状ポリマー上に配置される、組成物。 - 前記ブラシ状ポリマーは、前記ブロックコポリマーの表面エネルギーより低い表面エネルギーを有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記ブラシ状ポリマーは、前記ブロックコポリマーの表面エネルギーより高い表面エネルギーを有する、請求項1に記載の組成物。
- 前記ブラシ状ポリマーは以下の式(7A)または(7B)の構造を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の組成物であって、
- 前記ブラシ状ポリマーは、ポリスチレン、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリビニルアセテート、ポリジエン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリオルガノゲルマン、または前述のポリマーの少なくとも1種を含む組み合わせである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記ブラシ状ポリマーは、ヒドロキシル基末端ポリスチレン、ヒドロキシル基末端ポリジメチルシロキサン、ヒドロキシル基末端ポリ(メチルメタクリレート−ランダム−トリフルオロエチルメタクリレート)、ヒドロキシル基末端ポリ(メチルメタクリレート−ランダム−ドデカフルオロヘプチルメタクリレート)、または前述のポリマーの少なくとも1種を含む組み合わせである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記ブロックコポリマーの前記第一のブロックまたは前記第二のブロックは、ビニル芳香族モノマー、エチレン性不飽和モノマー、1−ブテン、1,3−ブタジエン、イソプレン、ビニルアセテート、ジヒドロピラン、ノルボルネン,無水マレイン酸、シロキサンのモノマーまたは前述のモノマーの少なくとも1種を含む組み合わせから誘導されたポリマーを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記シロキサンは、式(4)の構造を有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の組成物であって、
- 前記ブロックコポリマーは、ポリ(スチレン)−ブロック(b)−ポリ(アルキルシロキサン)、ポリ(アルキルスチレン)−b−ポリ(アルキルシロキサン)またはそれらの組み合わせである、請求項1〜8のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記ポリ(スチレン)−ブロック(b)−ポリ(アルキルシロキサン)は、ポリ(スチレン)−b−ポリ(ジメチルシロキサン)であり、前記ポリ(アルキルスチレン)−b−ポリ(アルキルシロキサン)はポリ(t−ブチルスチレン)−b−ポリ(ジメチルシロキサン)である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の組成物。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の組成物を含む物品。
- ブラシ状ポリマーが基板に反応する反応部分を含む、前記ブラシ状ポリマーを前記基板に配置させることと、
前記ブラシ状ポリマー上にブロックコポリマーを配置させることと、
を含む方法であって、
前記ブロックコポリマーは、互いに共有結合する第一のブロック及び第二のブロックを含み;前記第一のブロックは、第一のポリマーを含み、第二のブロックは第二のポリマーを含み;前記第一のポリマーは、10原子%以下のポリシロキサンを含み;前記第二のポリマーは、少なくとも15原子%のポリシロキサンを含み;前記ブラシ状ポリマーは化学的に前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーとは異なり;前記第一のポリマーは化学的に前記第二のポリマーとは異なる、方法。 - 前記基板をアニールすることをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- さらに前記ブロックコポリマーの少なくとも1つのブロックをエッチングすることを含む、請求項12または13のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361922209P | 2013-12-31 | 2013-12-31 | |
US61/922,209 | 2013-12-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015129276A true JP2015129276A (ja) | 2015-07-16 |
JP6702649B2 JP6702649B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=53481017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014254331A Active JP6702649B2 (ja) | 2013-12-31 | 2014-12-16 | ブロックコポリマーの性質を制御する方法及びブロックコポリマーから製造された物品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9738814B2 (ja) |
JP (1) | JP6702649B2 (ja) |
KR (1) | KR101740276B1 (ja) |
CN (1) | CN104744947B (ja) |
TW (1) | TWI600714B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201323461A (zh) * | 2011-09-06 | 2013-06-16 | Univ Cornell | 嵌段共聚物及利用彼等之蝕印圖案化 |
JP6558894B2 (ja) | 2013-12-31 | 2019-08-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | コポリマーの設計、その製造方法およびそれを含む物品 |
JP2015129261A (ja) * | 2013-12-31 | 2015-07-16 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ブロックコポリマーのアニール方法およびブロックコポリマーから製造する物品 |
JP6702649B2 (ja) | 2013-12-31 | 2020-06-03 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ブロックコポリマーの性質を制御する方法及びブロックコポリマーから製造された物品 |
US11021630B2 (en) | 2014-12-30 | 2021-06-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US10011713B2 (en) | 2014-12-30 | 2018-07-03 | Dow Global Technologies Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
US10294359B2 (en) | 2014-12-30 | 2019-05-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer formulation for directed self assembly, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
TWI669337B (zh) | 2015-02-26 | 2019-08-21 | 美商羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI612379B (zh) | 2015-02-26 | 2018-01-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI588200B (zh) * | 2015-02-26 | 2017-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
TWI627219B (zh) | 2015-02-26 | 2018-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 |
KR102329895B1 (ko) * | 2015-04-06 | 2021-11-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 패턴 형성 방법 |
KR101828825B1 (ko) * | 2016-11-14 | 2018-03-30 | 주식회사 쎄코 | 세포막-모방 브러쉬 고분자 및 그 제조방법 |
WO2018102340A1 (en) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Multi-scale block copolymer coating that induces hydrophobic properties |
US10211400B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-02-19 | Dow Global Technologies Llc | Photopatterned growth of electronically active brush polymers for light emitting diode displays |
US10228619B2 (en) * | 2017-03-31 | 2019-03-12 | The Regents Of The University Of California | Photopatterned growth of electronically active brush polymers for light emitting diode displays |
CN109734854B (zh) * | 2018-11-27 | 2022-02-08 | 四川大学 | 一种可在环氧树脂中自发构筑特定纳米结构的嵌段共聚物及其在环氧树脂高性能化中的应用 |
FR3102295B1 (fr) * | 2019-10-16 | 2021-11-12 | Centre Nat Rech Scient | Procédé de lithographie par auto-assemblage dirigé |
CN110746586B (zh) * | 2019-11-08 | 2020-11-24 | 华中科技大学 | 一种聚丙烯酸酯-聚酯i-聚酯ii三嵌段共聚物的制备方法 |
CN116217933A (zh) * | 2022-11-21 | 2023-06-06 | 浙江开化合成材料有限公司 | 一种聚甲基苯基硅氧烷齐聚物、制备方法及低油离度导热硅脂 |
CN116589800A (zh) * | 2023-06-15 | 2023-08-15 | 佛山市德联邦盛光电科技股份有限公司 | 一种阻燃型ps扩散板及其生产工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012066536A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Hitachi Ltd | シルセスキオキサンを有する高分子薄膜、微細構造体及びこれらの製造方法 |
JP2013166934A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 自己組織化構造、その製造方法、およびそれを含む物品 |
JP2014047217A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Hitachi Ltd | 高分子薄膜、微細構造体及びこれらの製造方法 |
JP2015007233A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 中立層ポリマー、その製造の方法、およびそれを含む物品 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3051684A (en) | 1959-03-26 | 1962-08-28 | Directors Of The University Of | Organosiloxane polymers containing polydiene blocks |
BE622032A (ja) | 1961-09-05 | |||
US3483270A (en) | 1966-04-11 | 1969-12-09 | Gen Electric | Stereospecific organosiloxane-macromolecular hydrocarbon block copolymers |
US3665052A (en) | 1970-08-25 | 1972-05-23 | Dow Corning | Method of preparing a block copolymer containing a poly-alpha-methylstyrene block and a polydiorganosiloxane block |
BE792115A (fr) | 1971-12-30 | 1973-05-30 | Xerox Corp | Revelateur electrostatographique |
US3890405A (en) | 1973-07-26 | 1975-06-17 | Dow Corning | Polyalphamethylstyrene-polydimethylsiloxane block copolymers suitable as blown films |
US4550139A (en) | 1982-03-22 | 1985-10-29 | Petrarch Systems, Inc. | Mixtures of polyacrylate resins and siloxane-styrene copolymers |
US5587223A (en) | 1992-10-19 | 1996-12-24 | Board Of Trustees Leland Stanford, Jr. University | High density magnetic information storage medium |
US5296574A (en) | 1992-12-15 | 1994-03-22 | Shell Oil Company | Method of synthesis of block copolymers of vinyl aromatic hydrocarbons and polydimethylsiloxane |
US5281666A (en) | 1992-12-15 | 1994-01-25 | Shell Oil Company | Process for making block copolymers of vinyl aromatic hydrocarbons and/or conjugated dienes and polydimethylsiloxane |
WO1994021386A2 (en) | 1993-03-25 | 1994-09-29 | Research Corporation Technologies, Inc. | Polymers useful in forming self-assembled bonded anisotropic ultrathin layers and their use |
JPH1160735A (ja) | 1996-12-09 | 1999-03-05 | Toshiba Corp | ポリシランおよびパターン形成方法 |
US5948470A (en) | 1997-04-28 | 1999-09-07 | Harrison; Christopher | Method of nanoscale patterning and products made thereby |
AU4967499A (en) | 1998-07-02 | 2000-01-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Periodic porous and relief nanostructured articles |
JP3940546B2 (ja) | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
US6746825B2 (en) | 2001-10-05 | 2004-06-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Guided self-assembly of block copolymer films on interferometrically nanopatterned substrates |
US20060249784A1 (en) | 2005-05-06 | 2006-11-09 | International Business Machines Corporation | Field effect transistor device including an array of channel elements and methods for forming |
US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
JP5132117B2 (ja) | 2006-10-10 | 2013-01-30 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法 |
US7964107B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-06-21 | Micron Technology, Inc. | Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning |
JP2008231233A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Kyoto Univ | 高分子薄膜、パターン基板、磁気記録用パターン媒体及びこれらの製造方法 |
US8147914B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-04-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Orientation-controlled self-assembled nanolithography using a block copolymer |
US7763319B2 (en) | 2008-01-11 | 2010-07-27 | International Business Machines Corporation | Method of controlling orientation of domains in block copolymer films |
US8017194B2 (en) | 2008-01-17 | 2011-09-13 | International Business Machines Corporation | Method and material for a thermally crosslinkable random copolymer |
US8012539B2 (en) | 2008-05-09 | 2011-09-06 | Kraton Polymers U.S. Llc | Method for making sulfonated block copolymers, method for making membranes from such block copolymers and membrane structures |
US8486613B2 (en) | 2008-12-12 | 2013-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing nano-structure and method of manufacturing a pattern using the method |
US8268732B2 (en) | 2009-11-19 | 2012-09-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of utilizing block copolymers to form patterns |
US9120947B2 (en) | 2010-03-18 | 2015-09-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Surface treatments for alignment of block copolymers |
US8696918B2 (en) | 2010-05-05 | 2014-04-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of utilizing block copolymer to form patterns |
US8304493B2 (en) | 2010-08-20 | 2012-11-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming block copolymers |
JP6035017B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2016-11-30 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 下層組成物および下層を像形成する方法 |
US8673541B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-03-18 | Seagate Technology Llc | Block copolymer assembly methods and patterns formed thereby |
US20130171429A1 (en) | 2011-12-31 | 2013-07-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Cycloaliphatic monomer, polymer comprising the same, and photoresist composition comprising the polymer |
US8961918B2 (en) | 2012-02-10 | 2015-02-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Thermal annealing process |
US8697810B2 (en) * | 2012-02-10 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Block copolymer and methods relating thereto |
US8513356B1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-20 | Dow Global Technologies Llc | Diblock copolymer blend composition |
US10457088B2 (en) | 2013-05-13 | 2019-10-29 | Ridgefield Acquisition | Template for self assembly and method of making a self assembled pattern |
JP6702649B2 (ja) | 2013-12-31 | 2020-06-03 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | ブロックコポリマーの性質を制御する方法及びブロックコポリマーから製造された物品 |
-
2014
- 2014-12-16 JP JP2014254331A patent/JP6702649B2/ja active Active
- 2014-12-23 US US14/580,307 patent/US9738814B2/en active Active
- 2014-12-25 TW TW103145441A patent/TWI600714B/zh active
- 2014-12-30 KR KR1020140193255A patent/KR101740276B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-30 CN CN201410857215.5A patent/CN104744947B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012066536A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Hitachi Ltd | シルセスキオキサンを有する高分子薄膜、微細構造体及びこれらの製造方法 |
JP2013166934A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 自己組織化構造、その製造方法、およびそれを含む物品 |
JP2014047217A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Hitachi Ltd | 高分子薄膜、微細構造体及びこれらの製造方法 |
JP2015007233A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 中立層ポリマー、その製造の方法、およびそれを含む物品 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
G.R.ストローブル/深尾浩次, 宮本嘉久, 宮地英紀, 林久夫 訳, 高分子の物理-構造と物性を理解するために, JPN7019003047, 1998, pages 118 - 119, ISSN: 0004119909 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101740276B1 (ko) | 2017-05-26 |
KR20150080424A (ko) | 2015-07-09 |
TWI600714B (zh) | 2017-10-01 |
JP6702649B2 (ja) | 2020-06-03 |
CN104744947B (zh) | 2019-09-27 |
TW201609972A (zh) | 2016-03-16 |
CN104744947A (zh) | 2015-07-01 |
US9738814B2 (en) | 2017-08-22 |
US20150184024A1 (en) | 2015-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6702649B2 (ja) | ブロックコポリマーの性質を制御する方法及びブロックコポリマーから製造された物品 | |
JP6377600B2 (ja) | 誘導自己組織化のためのコポリマー調合物、その製造方法、及びそれを含む物品 | |
JP6247823B2 (ja) | 自己組織化構造、その製造方法、およびそれを含む物品 | |
CN106125503B (zh) | 用于定向自组装的共聚物配制品、其制造方法以及包含其的物件 | |
EP2859023B1 (en) | Neutral layer polymer composition for directed self assembly and processes thereof | |
JP6613339B2 (ja) | 誘導自己組織化のためのコポリマー調合物、その製造方法、及びそれを含む物品 | |
TWI669337B (zh) | 用於定向自組裝的共聚物調配物、其製造方法以及包括其的物件 | |
US9735023B2 (en) | Methods for manufacturing block copolymer compositions and articles manufactured therefrom | |
US10287455B2 (en) | Methods for manufacturing block copolymers and articles manufactured therefrom | |
JP2021191868A (ja) | ブロックコポリマーのアニール方法およびブロックコポリマーから製造する物品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20141222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150414 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181005 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190924 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6702649 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |