JP2015119025A - 処理装置および活性種の生成方法 - Google Patents
処理装置および活性種の生成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015119025A JP2015119025A JP2013261157A JP2013261157A JP2015119025A JP 2015119025 A JP2015119025 A JP 2015119025A JP 2013261157 A JP2013261157 A JP 2013261157A JP 2013261157 A JP2013261157 A JP 2013261157A JP 2015119025 A JP2015119025 A JP 2015119025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active species
- gas
- generation chamber
- processing apparatus
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32348—Dielectric barrier discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
図1はこの発明の一実施形態に係る処理装置の一例を概略的に示す断面図、図2は処理装置の一例が備える活性種生成部を拡大して示す断面図である。
図3Aは、図1および図2に示した第2の活性種生成ユニット13が有する生成室131の一例を示す断面図である。
図3Bは、第2の活性種生成ユニットが有する生成室の第1の変形例を示す断面図である。
図3Cは、第2の活性種生成ユニットが有する生成室の第2の変形例を示す断面図である。
図3Dは、第2の活性種生成ユニットが有する生成室の第3の変形例を示す断面図である。
<<第1の変形例:成膜装置への適用>>
図1および図2に示した処理装置は、例えば、窒化処理装置であった。しかしながら、この発明の一実施形態に係る処理装置は、窒化処理装置のような表面処理/改質装置ばかりに適用されるものではなく、成膜装置にも適用することができる。
図4に示すように、第1の変形例に係る処理装置1aが、図1に示した処理装置1と異なるところは、処理室4に、成膜原料ガスを供給する成膜原料ガス供給ノズル50を設けたことである。成膜原料ガス供給ノズル50は、成膜原料ガス供給機構51に接続されている。成膜原料ガス供給機構51は、成膜原料ガス供給ノズル50を介して、成膜原料ガスを処理室4の内部に供給する。これにより、処理室4の内部には、1×1014cm−3オーダー以上の濃度窒素ラジカル(N*)等の他、成膜原料ガスが供給される。
図1および図2に示した処理装置は、活性種生成部3を1つだけ有していた。しかしながら、この発明の一実施形態に係る処理装置は、活性種生成部3は1つだけ有するものに限られるものではなく、活性種生成部3を複数有していてもよい。
図5に示すように、第2の変形例に係る処理装置1bが、図1に示した処理装置1と異なるところは、処理室4に、複数、例えば、2つの活性種生成部3−1、3−2が取り付けられているところである。このように、1つの処理室4に、複数、例えば、2つの活性種生成部3−1、3−2を取り付け、複数、例えば、2つの活性種供給孔11−1、11−2を介して、1×1014cm−3オーダー以上の濃度となる窒素ラジカル(N*)等を処理室4の内部へ供給することも可能である。
Claims (16)
- 活性種源を含む第1のガスから無声放電により第1の活性種を生成する第1の生成室を有した第1の活性種生成ユニットと、
前記第1の活性種生成ユニットの下流に設けられ、前記第1の生成室から前記第1の活性種が供給されるとともに、活性種源を含む第2のガスから誘導結合プラズマ、容量結合プラズマ、およびマイクロ波プラズマの少なくとも1つにより第2の活性種を生成する第2の生成室を有した第2の活性種生成ユニットと、
前記第2の活性種生成ユニットの下流に設けられ、被処理体に対して、前記第2の生成室から供給された前記第1、第2の活性種を用いて処理を施す処理室と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 前記第2の生成室の圧力は、前記第1の生成室の圧力よりも低く設定されることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記第1の生成室の圧力は、常圧であることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。
- 前記第2の生成室の圧力は、13.33Pa〜1333Paの範囲に設定されることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の処理装置。
- 前記第1の活性種は、前記第1の生成室の圧力と前記第2の生成室の圧力との圧力差を利用して、前記第1の生成室から前記第2の生成室へと送られることを特徴とする請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の処理装置。
- 濃度が1×1014cm−3オーダーである前記第1の活性種を、前記第1の生成室から前記第2の生成室に供給しつつ、前記第2の生成室において、前記第2のガスから前記第2の活性種を生成することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記第1、第2のガスはそれぞれ、活性種源として窒素成分を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記第1のガスが含む窒素成分は、前記第2のガスが含む窒素成分と異なることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記第1のガスが含む窒素成分は窒素ガスであり、前記第2のガスが含む窒素成分は、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス、又は窒素と水素との化合物ガスが含まれることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記第2のガスは、水素ガスを含むことを特徴とする請求項9に記載の処理装置。
- 前記第2の生成室の形状は、円筒型であることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記円筒型は、前記第1の生成室の側で径が細く、前記処理室の側で径が太いものであることを特徴とする請求項11に記載の処理装置。
- 前記第1の生成室の側で細く、前記処理室の側で太い円筒型は、コニカル型、ベル型、よびホーン型の少なくとも1つの形状、又はコニカル型、ベル型、およびホーン型の少なくとも2つを組み合わせた形状を含むことを特徴とする請求項12に記載の処理装置。
- 活性種源を含む第1のガスから無声放電により第1の活性種を生成し、
活性種源を含む第2のガスから誘導結合プラズマ、容量結合プラズマ、およびマイクロ波プラズマの少なくとも1つにより第2の活性種を生成し、
前記第1の活性種を、前記第2の活性種を生成する生成室を介して、被処理体に処理を施す処理室に送ることを特徴とする活性種の生成方法。 - 前記第2の活性種を生成する生成室の圧力を、前記第1の活性種を生成する生成室の圧力よりも低くすることを特徴とする請求項14に記載の活性種の生成方法。
- 濃度が1×1014cm−3オーダーである前記第1の活性種を、前記第1の活性種を生成する生成室から前記第2の活性種を生成する生成室に供給しつつ、前記第2の活性種を生成する生成室において、前記第2のガスから前記第2の活性種を生成することを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の活性種の生成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013261157A JP6247087B2 (ja) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 処理装置および活性種の生成方法 |
TW103143759A TWI588899B (zh) | 2013-12-18 | 2014-12-16 | 處理裝置及活性物種的產生方法 |
KR1020140181968A KR101871023B1 (ko) | 2013-12-18 | 2014-12-17 | 처리 장치 및 활성종의 생성 방법 |
US14/573,765 US20150167171A1 (en) | 2013-12-18 | 2014-12-17 | Processing apparatus and active species generating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013261157A JP6247087B2 (ja) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 処理装置および活性種の生成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015119025A true JP2015119025A (ja) | 2015-06-25 |
JP6247087B2 JP6247087B2 (ja) | 2017-12-13 |
Family
ID=53367715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013261157A Active JP6247087B2 (ja) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | 処理装置および活性種の生成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150167171A1 (ja) |
JP (1) | JP6247087B2 (ja) |
KR (1) | KR101871023B1 (ja) |
TW (1) | TWI588899B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018150452A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 窒化膜成膜方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190198301A1 (en) * | 2017-12-27 | 2019-06-27 | Mattson Technology, Inc. | Plasma Processing Apparatus and Methods |
KR102194604B1 (ko) * | 2019-05-02 | 2020-12-24 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
US10950428B1 (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Method for processing a workpiece |
KR20210042694A (ko) * | 2019-10-10 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 전자 빔 발생기, 이를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279495A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
WO2010082561A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | リバーベル株式会社 | プラズマ生成装置及び方法 |
JP2010225792A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
US20110034035A1 (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
JP2011154973A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2013501384A (ja) * | 2009-08-06 | 2013-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非炭素流動性cvdプロセスを使用する酸化ケイ素の形成 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6053123A (en) * | 1998-04-29 | 2000-04-25 | Ball Semiconductor, Inc. | Plasma-assisted metallic film deposition |
JP3948857B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2007-07-25 | 株式会社荏原製作所 | ビーム源 |
KR100762714B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2007-10-02 | 피에스케이 주식회사 | 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치, 플라스마를공급하는 방법 및 플라스마를 공급하여 기판을 처리하는방법 |
US20090084501A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | Processing system for producing a negative ion plasma |
US7772544B2 (en) * | 2007-10-09 | 2010-08-10 | Tokyo Electron Limited | Neutral beam source and method for plasma heating |
US9520275B2 (en) | 2008-03-21 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using |
US20130059448A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-07 | Lam Research Corporation | Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration |
KR101544329B1 (ko) * | 2011-09-08 | 2015-08-12 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 플라즈마 발생 장치, cvd 장치 및 플라즈마 처리 입자 생성 장치 |
-
2013
- 2013-12-18 JP JP2013261157A patent/JP6247087B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-16 TW TW103143759A patent/TWI588899B/zh active
- 2014-12-17 KR KR1020140181968A patent/KR101871023B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-17 US US14/573,765 patent/US20150167171A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279495A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
WO2010082561A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | リバーベル株式会社 | プラズマ生成装置及び方法 |
JP2010225792A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
US20110034035A1 (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-10 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
JP2013501384A (ja) * | 2009-08-06 | 2013-01-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非炭素流動性cvdプロセスを使用する酸化ケイ素の形成 |
JP2011154973A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018150452A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 窒化膜成膜方法 |
JPWO2018150452A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2019-11-07 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 窒化膜成膜方法 |
US10927454B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-02-23 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Method of forming nitride film |
EP3588538B1 (en) * | 2017-02-14 | 2024-03-27 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Method of forming nitride films |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI588899B (zh) | 2017-06-21 |
JP6247087B2 (ja) | 2017-12-13 |
KR101871023B1 (ko) | 2018-06-25 |
TW201539577A (zh) | 2015-10-16 |
KR20150071659A (ko) | 2015-06-26 |
US20150167171A1 (en) | 2015-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6247087B2 (ja) | 処理装置および活性種の生成方法 | |
JP4228150B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5735232B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN109920721A (zh) | 用于制造半导体器件的方法 | |
KR20180103729A (ko) | 에칭 방법 | |
JP2021520630A (ja) | H2プラズマを用いた流動性膜の硬化 | |
JP4545107B2 (ja) | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 | |
TW201800597A (zh) | 成膜方法 | |
JP2015099866A (ja) | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 | |
US10483102B2 (en) | Surface modification to improve amorphous silicon gapfill | |
KR102058912B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
WO2010092758A1 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
US20190189437A1 (en) | Method for processing workpiece | |
WO2012043250A1 (ja) | 絶縁膜形成装置及び方法 | |
KR101993725B1 (ko) | 플라즈마 원자층 증착법에 의한 박막 형성방법 | |
KR101942819B1 (ko) | 박막 형성 방법 | |
KR102125074B1 (ko) | 질화막의 제조방법 | |
KR102125077B1 (ko) | 박막 증착 방법 | |
JP2019153791A (ja) | Iii族窒化物半導体素子の製造方法および基板の洗浄方法 | |
JP6562350B2 (ja) | Iii族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法 | |
KR101978818B1 (ko) | 성막 방법 | |
TW201407669A (zh) | 向被處理體注入摻雜物之方法以及電漿摻雜裝置 | |
TWI728533B (zh) | 蝕刻方法及蝕刻裝置 | |
JP2019085624A (ja) | 窒化物膜の形成方法 | |
JP2022044500A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6247087 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |