TW201407669A - 向被處理體注入摻雜物之方法以及電漿摻雜裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種於被處理基體植入摻雜物之方法。一實施型態之方法包含以下工序：(a)於處理容器內準備被處理基體之工序；(b)對處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而於被處理基體植入摻雜物之工序。植入摻雜物之工序中，處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比設定為0.0015以上0.003以下。
Description
本發明之實施型態係關於一種於被處理基體植入摻雜物之方法，及可使用於該方法的實施之電漿摻雜裝置。
半導體裝置的製造中，會進行於被處理基體的一部分區域植入摻雜物之摻雜處理。上述般的半導體裝置已知有一種MOS電晶體，在MOS電晶體的製造中，為了形成稱作LDD(Lightly Doped Drain)之延伸區、源極區及汲極區，而進行摻雜處理。
進行上述般摻雜處理的其中一方法，已知有一種離子束植入法。
另一方面，近年來，已進行如鰭式MOS電晶體般之具有立體構造之半導體裝置的開發。但離子束植入法無法對上述般的立體表面，亦即，朝向不同方向的複數面均勻地照射離子。
因此，可對立體表面較均勻地植入摻雜物之電漿摻雜方法受到矚目。
電漿摻雜方法係於處理容器內產生摻雜氣體的電漿，來對被處理基體植入摻雜物之技術。上述般電漿摻雜方法的一例記載於專利文獻1。
專利文獻1：日本特開平6-252083號公報
電漿摻雜方法有於處理容器內產生摻雜物的氧化物，而成為粒子源的情況。粒子會附著在被處理基體造成缺陷，導致半導體裝置的不良。
因而要求一種能夠降低粒子數之電漿摻雜方法及電漿摻
雜裝置。
本發明之一觀點係於被處理基體植入摻雜物之方法。該方法包含以下工序：(a)於處理容器內準備被處理基體之工序；(b)對處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而於被處理基體植入摻雜物之工序。植入摻雜物之工序中，處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比係設定為0.0015以上0.003以下。
一實施型態中，電漿激發能量可為微波。
使用含有AsH3，即三氫化砷之摻雜氣體之電漿摻雜中，係於處理容器內藉由砷與氧會反應，可產生砷氧化物，亦即As2O3。砷氧化物雖有可能成為粒子源，但本方法中，由於係存在有上述量的氫，因此因氫而被還原之砷氧化物的量會增加，其結果，大幅地降低粒子的數量。
一實施型態中，植入摻雜物之工序中，可對處理容器內供應非活性氣體，且對處理容器內賦予電漿激發能量，而生成非活性氣體的電漿，之後，對處理容器內供應摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對處理容器內賦予電漿激發能量。
依據此實施型態，由於可在供應非活性氣體來將電漿點火後，對處理容器內供應摻雜氣體，因此可抑制電漿點火時，三氫化砷聚合而成為粒子源。
一實施型態之方法係於處理容器內準備被處理基體之工序之前，可另包含於處理容器內準備晶圓(即仿真晶圓；dummy wafer)，且對處理容器內供應非活性氣體，並對處理容器內賦予電漿激發能量之工序。依據此實施型態，作為於被處理基體植入摻雜物之工序的前處理，可將仿真晶圓收納在處理容器內，並對處理容器內進行清潔。在此前處理中，可藉由電漿來使殘留於處理容器內之三氫化砷活性化，而藉由藉此而產生的氫來將砷氧化物還原。其結果，可減少粒子數。
一實施型態中，非活性氣體可為He氣體。由於He氣體的質量小於Ar氣體之其他非活性氣體，因此藉由使用He氣體作為非活性氣體，可抑制半導體裝置的構造變形。
又，本發明之另一觀點係關於一種電漿摻雜裝置。該電漿摻雜裝置具備處理容器、載置台、第1~第3供應部、能量供應部及控制部。載置台係設置於處理容器內。第1供應部係對處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體。第2供應部係對處理容器內供應非活性氣體。第3供應部係對處理容器內供應H2氣體。能量供應部係對處理容器內賦予電漿激發能量。控制部係控制第1供應部、第2供應部及第3供應部。控制部係控制第1供應部、第2供應部及第3供應部，使處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比為0.0015以上0.003以下。依據此裝置，由於係藉由控制部來將處理容器內的氫設定為上述的量，因此因氫而被還原之砷氧化物的量會增加，而大幅降低粒子的數量。此外，一實施型態中，能量供應部可供應微波作為電漿激發能量。
一實施型態中，控制部係控制第1供應部、第2供應部、第3供應部、及能量供應部，以對處理容器內供應非活性氣體，且對處理容器內賦予電漿激發能量，而生成非活性氣體的電漿，之後，對處理容器內供應摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對處理容器內賦予電漿激發能量。依據此實施型態的裝置，由於可在供應非活性氣體來將電漿點火後，對處理容器內供應摻雜氣體，因此可抑制電漿點火時，三氫化砷聚合而成為粒子源。
一實施型態中，控制部可控制第2供應部及能量供應部，以對處理容器內供應非活性氣體，且對處理容器內賦予電漿激發能量。此控制部所進行的控制可作為對被處理基體植入摻雜物前的前處理而實施。依據此前處理，可藉由電漿來將殘留在處理容器內的三氫化砷活性化，藉由藉此而產生的氫來將砷氧化物還原。其結果，可減少粒子數。
一實施型態中，第2供應部可供應He氣體作為非活性氣體。藉由使用He氣體作為非活性氣體，可抑制半導體裝置的構造變形。
如以上的說明，依據本發明之觀點及實施型態，係提供一種可降低粒子數之電漿摻雜方法及電漿摻雜裝置。
10‧‧‧電漿摻雜裝置
12‧‧‧處理容器
14‧‧‧壓力調整器
16‧‧‧排氣裝置
18‧‧‧介電體窗
22‧‧‧載置台
23‧‧‧溫度調整機構
28‧‧‧高頻電源
30‧‧‧氣體供應源(摻雜氣體)
32‧‧‧氣體供應源(非活性氣體)
34‧‧‧氣體供應源(氫氣)
50‧‧‧能量供應部
60‧‧‧同軸導波管
62‧‧‧天線
64‧‧‧槽孔板
66‧‧‧介電體板
68‧‧‧冷卻套
70‧‧‧控制部
W‧‧‧被處理基體
圖1係概略顯示一實施型態之電漿摻雜裝置之剖視圖。
圖2係顯示一實施型態的槽孔板之平面圖。
圖3係顯示於被處理基體植入摻雜物之方法的一實施型態之流程圖。
圖4係顯示實驗例1的評價結果之圖表。
圖5係顯示實驗例2及比較實驗例的評價結果之圖表。
以下，參閱圖式來詳細地說明各種實施型態。此外，各圖式中，針對相同或對應的部分，則賦予相同的符號。
首先，說明一實施型態之電漿摻雜裝置。圖1係顯示一實施型態之電漿摻雜裝置之圖式。圖1所示之電漿摻雜裝置10具備處理容器12。處理容器12係畫出一空間，將被處理基體W收納於其內部並進行處理。
一實施型態中，處理容器12包含側壁12a、底部12b、上部12c、及蓋部12d。側壁12a略呈筒形。底部12b連接於側壁12a的下端。底部12b形成有排氣口12e，該排氣口12e係透過壓力調整器14而連接有稱作真空幫浦之排氣裝置16。壓力調整器14會依據處理容器12內的壓力測量值來控制排氣量。
側壁12a之上端連接有上部12c，而封閉形成於上部12c的開口般設置有介電體窗18。該介電體窗18為石英製之略圓板狀組件，挾持在上部12c與蓋部12d之間，介電體窗18與上部12c之間設置有稱作O型環之密封組件20。藉此，處理容器12的內部為
密閉狀態。
處理容器12內係設置有與介電體窗18呈對面之載置台22。載置台22係藉由自底部12b側延伸於上方之絕緣性筒狀支撐部24而受到支撐。該載置台22於其上面具有靜電夾具，可藉由靜電夾具來將被處理基體W靜電吸附。載置台22的內部設置有用以調整被處理基體W的溫度之加熱器，即溫度調整機構23。
又，載置台22亦兼作為高頻偏壓電極。該載置台22係透過匹配單元26而連接有高頻電源28。高頻電源28係透過匹配單元26來對載置台22賦予例如13.56MHz之特定功率的高頻偏壓。匹配單元26收納有用以在高頻電源28側的阻抗，與主要為電極、電漿、處理容器12之負荷側的阻抗之間取得整合之匹配器，該匹配器中包含自偏壓生成用的阻隔電容器。此外，高頻偏壓可在電漿摻雜中依需要而供應。
電漿摻雜裝置10另具備氣體供應源30、32、34。氣體供應源30包含氣體源30a、閥30b、及稱作質流控制器之流量控制器30c。氣體源30a為摻雜氣體的氣體源。氣體供應源30會供應並控制摻雜氣體的流量。摻雜氣體含有三氫化砷(AsH3)，三氫化砷為藉由非活性氣體而被稀釋的氣體。上述稀釋氣體為He氣體。一實施型態中，三氫化砷的分壓相對於摻雜氣體的全壓之比為例如0.7%。此外，稀釋氣體亦可為Ar氣體之其他非活性氣體。
氣體供應源32包含氣體源32a、閥32b、及稱作質流控制器之流量控制器32c。氣體源32a為非活性氣體的氣體源。氣體供應源32會供應並控制非活性氣體的流量。一實施型態中，非活性氣體為He氣體。此外，稀釋氣體亦可為Ar氣體之其他非活性氣體。
又，氣體供應源34包含氣體源34a、閥34b、及稱作質流控制器之流量控制器34c。氣體源34a為氫(H2)氣的氣體源。氣體供應源34會供應並控制氫氣的流量。
氣體供應源30、32及34連接於分流器FS。分流器FS會使所
供應之氣體分歧於氣體流道36及氣體流道38。氣體流道36係設置於後述同軸導波管的內部。一實施型態中，氣體流道36係由同軸導波管的內部所設置之配管與介電體窗18的中央開口所設置之噴射器40所區劃而成。噴射器40另提供與氣體流道呈連續之氣體噴射孔42。該氣體噴射孔42會從載置台22的上方朝向該載置台22往下方噴射氣體。此外，以下的說明中，有將氣體噴射孔42及氣體流道36稱作「中央導入部」的情況。
氣體流道38係於側壁12a內呈環狀延伸。氣體流道38係於高度方向上位在載置台與介電體窗18之間。氣體流道38連接有複數氣體噴射孔44。該等氣體噴射孔44呈環狀配列，相對於處理容器12的中心軸線，從外側朝上述中心軸線噴射氣體。此外，以下的說明中，有將氣體噴射孔44及氣體流道38稱作「周邊導入部」的情況。
該等氣體流道36、氣體噴射孔42、氣體流道38及氣體噴射孔44係和氣體供應源30一起構成一實施型態的第1供應部，又，和氣體供應源32一起構成一實施型態的第2供應部，另外，和氣體供應源34一起構成一實施型態的第3供應部。
又，電漿摻雜裝置10另具備對處理容器內供應電漿激發能量之能量供應部50。一實施型態中，能量供應部50係構成為從輻射狀槽孔天線對處理容器12內供應微波，以作為電漿激發能量，包含微波產生器52、調諧器54、導波管56、模式轉換器58、同軸導波管60及天線62。
微波產生器52會產生例如2.45GHz之TE模式的微波。微波產生器52係透過調諧器54及導波管56而連接於模式轉換器58。模式轉換器58會將藉由微波產生器52而產生，並經由調諧器54及導波管56而傳播之微波的模式轉換為TEM模式。該模式轉換器58連接於同軸導波管60的上端。同軸導波管60的下端連接於天線62。
天線62設置於處理容器12之蓋部12d的中央開口內。天線62包含介電體窗18、槽孔板64、介電體板66、及冷卻套68。槽
孔板64設置於介電體窗18的正上方。該槽孔板64連接於同軸導波管60之內側導體的下端。圖2係顯示一實施型態的槽孔板之平面圖。如圖2所示，槽孔板64為略圓板狀之金屬製組件。槽孔板64設置有複數槽孔對64a。複數槽孔對64a分別包含相互朝交叉或直交方向延伸之槽孔64b及64c。該等複數槽孔對64a係於槽孔板64中配列於徑向及圓周方向。
介電體板66為石英製略圓板狀組件，挾置於冷卻套68與槽孔板64之間。冷卻套68係為了冷卻介電體板66等而設置，其內部設置有冷媒用的流道。該冷卻套68的上部連接於同軸導波管60之外側導體的下端。
電漿摻雜裝置10中，從同軸導波管60傳播的微波會一邊在槽孔板64與冷卻套68之間反射，一邊從槽孔板64的槽孔往介電體窗18傳播。穿透介電體窗18之微波會在該介電體窗18的正下方產生電場，而在處理容器12內產生電漿。如此地，電漿摻雜裝置10中，不使用磁場，便可藉由微波來激發電漿。
在此電漿摻雜裝置10中，當產生微波電漿後，於介電體窗18的正下方區域處，相較於其以外的區域，會形成有相對地電漿的電子溫度較高之所謂電漿生成區域。又，電漿生成區域的下方會形成有上述電漿生成區域中生成的電漿進行擴散之電漿擴散區域。此電漿擴散區域為電漿的電子溫度較低之區域，在此區域中對被處理基體W進行電漿摻雜。因此，電漿摻雜裝置10可抑制電漿摻雜時對被處理基體W造成損傷。又，由於電漿摻雜裝置10可生成高密度電漿，故可有效率地進行電漿摻雜。
本電漿摻雜裝置10另具備控制部70。控制部70具有可依據程式而作動中之CPU(中央處理裝置)，會對電漿摻雜裝置10的各組件送出控制訊號，藉此控制上述各組件。具體來說，控制部70係控制壓力調整器14、排氣裝置16、溫度調整機構23、高頻電源28、匹配單元26、微波產生器52、及氣體供應部30、32、34。
以下，以藉由控制部70的控制而在電漿摻雜裝置10中實施的電漿摻雜方法，作為於被處理基體植入摻雜物之方法的一實施型態加以說明。
圖3係顯示於被處理基體植入摻雜物之方法的一實施型態之流程圖。一實施型態中，方法M10包含前處理工序S1。該前處理工序S1係用以去除因先前進行的處理而產生之砷氧化物，即As2O3的粒子之處理。該粒子有可能因例如摻雜氣體所包含之三氫化砷中的As(砷)與電漿摻雜裝置10內之組件(例如介電體窗18)所含有的氧鍵結，或電漿摻雜後殘留在處理容器12內之三氫化砷與處理容器12內之電漿清潔時使用的氧反應而產生。
前處理工序S1中係將仿真晶圓載置於載置台22上，藉由控制部70的控制，來對氣體供應源32供應非活性氣體，並對能量供應部50供應微波。藉此，於處理容器12內產生非活性氣體的電漿。前處理工序S1中係藉由非活性氣體的電漿，來使殘留在處理容器12內的三氫化砷活性化。因三氫化砷活性化而產生的氫會將砷氧化物還原，而再次產生三氫化砷。其結果，前處理工序S1中，可降低砷氧化物的粒子數。
接下來，方法M10係在工序S2中，於處理容器12內準備被處理基體W。具體來說，藉由搬送裝置來將被處理基體W搬送至處理容器12內，並將該被處理基體W載置於載置台22上。
接下來，方法M10係在工序S3中，對被處理基體W實施電漿摻雜。一實施型態中，該工序S3可包含工序S4及工序S5。
工序S4中，係在摻雜氣體的植入之前，先在已供應有非活性氣體之處理容器12內來將電漿點火。具體來說，工序S4中，係藉由控制部70的控制，來對氣體供應源32供應非活性氣體，並對能量供應部50供應微波。藉此，便會在處理容器12內產生非活性氣體的電漿。此工序S4實施例如7秒。又，工序S4中，可以較後述工序S5要高之壓力，例如40Pa的壓力，
來將電漿點火。上述工序S4中，由於並非供應摻雜氣體，而是產生非活性氣體的電漿，因此，可抑制高壓下之三氫化砷的聚合，其結果，可抑制粒子的發生。
接下來，方法M10係在工序S5中對被處理基體W進行摻雜物的植入。具體來說，工序S5中係藉由控制部70的控制，來對氣體供應源30供應摻雜氣體，對氣體供應源32供應非活性氣體，對氣體供應源34供應氫(H2)氣，且對能量供應部50供應微波。上述工序S5中，三氫化砷會解離而產生砷離子或砷自由基之活性種，該等活性種會與被處理基體W反應，藉此進行電漿摻雜。
又，工序S5中係藉由控制部70來控制氣體供應源30、32、34，而將氫的分壓相對於被供應至處理容器12內之氣體的全壓之比，即(氫分壓)/(全壓)，設定為0.0015以上0.003以下。
藉由將(氫分壓)/(全壓)設定為上述範圍的值，可降低砷氧化物的粒子數。此處，電漿摻雜時，處理容器12內的組件，例如石英製介電體窗18與砷雖會反應而生成As2O3，但藉由處理容器12內存在有(氫分壓)/(全壓)為0.0015以上的氫，上述氫會將As2O3有效率地還原，而再次產生三氫化砷。又，藉由(氫分壓)/(全壓)為0.003以下，可抑制氫的量變得過剩，導致被處理基體W的矽因氫而被蝕刻。上述蝕刻部位不僅是作為結晶的缺陷或作為粒子皆會被計數。其結果，依據工序S5，可降低產生的粒子數量。
以上說明的方法M10之工序S4及工序S5中，所使用之非活性氣體可為He氣體。藉由使用質量低於Ar氣體的He氣體來作為非活性氣體，可抑制形成於被處理基體W之半導體裝置的構造變形。
以下，說明使用電漿摻雜裝置10之實驗例。
(實驗例1)
實驗例1中係以(氫分壓)/(全壓)作為可變參數，來處理11個矽製被處理基體，而取得樣品1~11。取得樣品1~11時之H2
氣體的流量、摻雜氣體的流量、非活性氣體(He氣體)的流量、及(氫分壓)/(全壓)如表1所示。此外，使用含有相對於該摻雜氣體的全壓之分壓比為0.7%的三氫化砷與相對於上述全壓之分壓比為99.3%的He之氣體來作為摻雜氣體。
又，取得樣品1~11時之其他條件如下所述。
被處理基體的直徑：300mm
被處理基體的溫度：60℃
中央導入部的氣體流量與周邊導入部的氣體流量之比：20：80
微波功率：3.0kW
高頻偏壓功率：450W
處理容器內壓力：20Pa
處理時間：40秒
實驗例1係使用KLA-Tencor公司製晶圓表面檢查裝置「Surfscan SP2XP」，來測量附著在樣品1~11的被處理基體表面之尺寸0.0042μm以上的粒子個數。將其結果顯示於圖4。圖
4所示圖表的橫軸表示取得樣品1~11時之(氫分壓)/(全壓)，縱軸表示所測得之粒子數。如圖4所示，實驗例1中，發現藉由將(氫分壓)/(全壓)設定為0.0015以上0.003以下，可將粒子數維持在100個以下。
(實驗例2)
實驗例2係在實施工序S1及工序S4後，使用摻雜氣體來對直徑300mm的矽製被處理基體進行電漿摻雜，藉此確認工序S1及工序S4的效果。實驗例2之各工序的條件如下所述。
(工序S1)
仿真晶圓的溫度：60℃
非活性氣體(He氣體)的流量：1000sccm
中央導入部的氣體流量與周邊導入部的氣體流量之比：20：80
微波功率：3.0kW
高頻偏壓功率：450W
處理容器內壓力：20Pa
處理時間：100秒
(工序S4)
被處理基體的溫度：60℃
非活性氣體(He氣體)的流量：1000sccm
中央導入部的氣體流量與周邊導入部的氣體流量之比：20：80
微波功率：3.0kW
高頻偏壓功率：450W
處理容器內壓力：40Pa
處理時間：7秒
(工序S4後之電漿摻雜)
被處理基體的溫度：60℃
非活性氣體(He氣體)的流量：902sccm
摻雜氣體的流量：98sccm
三氫化砷分壓相對於摻雜氣體全壓之比：0.7%
He氣體分壓相對於摻雜氣體全壓之比：99.3%
中央導入部的氣體流量與周邊導入部的氣體流量之比：20：80
微波功率：3.0kW
高頻偏壓功率：450W
處理容器內壓力：40Pa
處理時間：40秒
又，比較實驗例中，並未進行工序S1及工序S4，而是實施與實驗例2相同條件的電漿摻雜(工序S4)。然後，分別對實驗例2及比較實驗例中獲得的被處理基體，使用KLA-Tencor公司製晶圓表面檢查裝置「Surfscan SP2XP」，來測量附著在該被處理基體之尺寸0.042μm以上的粒子個數。將其結果顯示於圖5。圖5的(a)及(b)為以粒子的尺寸為橫軸，以粒子數為縱軸之圖表，分別顯示附著在實驗例2及比較實驗例中所獲得的被處理基體之粒子數。由圖5的(a)及(b)的比較可明白得知藉由實施工序S1及工序S4，可大幅減少粒子數。此外，附著在實驗例2中所獲得的被處理基體之粒子個數為100個以下，另一方面，附著在比較實驗例中所獲得的被處理基體之粒子個數為10000個以上。
由以上結果，發現使用含有三氫化砷的摻雜氣體之電漿摻雜中，將(氫分壓)/(全壓)設定為0.0015以上0.003以下，再者，在將摻雜物植入於被處理基體之前，先進行工序S1及工序S4，藉此可更加降低粒子數。
S1‧‧‧前處理(非活性氣體的電漿處理)
S2‧‧‧準備被處理基體
S4‧‧‧電漿點火(非活性氣體的電漿)
S5‧‧‧供應摻雜氣體、非活性氣體、H2氣體來激發電漿
Claims (10)
- 一種方法，係於被處理基體植入摻雜物之方法，包含以下工序：於處理容器內準備被處理基體之工序；及對該處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而於該被處理基體植入摻雜物之工序；其中植入該摻雜物之工序中，該處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比為0.0015以上0.003以下。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中植入該摻雜物之工序中，係對該處理容器內供應該非活性氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而生成該非活性氣體的電漿，之後，對該處理容器內供應該摻雜氣體、該非活性氣體、及該H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量。
- 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中於該處理容器內準備被處理基體之工序之前，另包含於該處理容器內準備晶圓，且對該處理容器內供應該非活性氣體，並對該處理容器內賦予電漿激發能量之工序。
- 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該非活性氣體為He氣體。
- 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該電漿激發能量為微波。
- 一種電漿摻雜裝置，具備：處理容器；載置台，係設置於該處理容器內；第1供應部，係對該處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體；第2供應部，係對該處理容器內供應非活性氣體；第3供應部，係對該處理容器內供應H2氣體；能量供應部，係對該處理容器內賦予電漿激發能量； 及控制部，係控制該第1供應部、該第2供應部及該第3供應部；其中該控制部係控制該第1供應部、該第2供應部及該第3供應部，使該處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比為0.0015以上0.003以下。
- 如申請專利範圍第6項之電漿摻雜裝置，其中該控制部係控制該第1供應部、該第2供應部、該第3供應部、及該能量供應部，以對該處理容器內供應該非活性氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而生成該非活性氣體的電漿，之後，對該處理容器內供應該摻雜氣體、該非活性氣體、及該H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量。
- 如申請專利範圍第6或7項之電漿摻雜裝置，其中該控制部係控制該第2供應部及該能量供應部，以對該處理容器內供應該非活性氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量。
- 如申請專利範圍第6或7項之電漿摻雜裝置，其中該第2供應部係供應He氣體作為該非活性氣體。
- 如申請專利範圍第6或7項之電漿摻雜裝置，其中該能量供應部係供應微波作為電漿激發能量。
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