JP2015116656A - 基板保持装置、研磨装置、研磨方法、およびリテーナリング - Google Patents

基板保持装置、研磨装置、研磨方法、およびリテーナリング Download PDF

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Abstract

【課題】複数の基板を連続して研磨する場合でも、基板のエッジ部での研磨レートの上昇を防止することができる基板保持装置を提供する。【解決手段】基板保持装置を構成するトップリング1は、基板としてのウェハWを保持するトップリング本体10と、トップリング本体10に保持されたウェハWを囲むように配置されたリテーナリング40とを備える。リテーナリング40は、研磨パッドに接触する環状のパッド押圧部122を備え、パッド押圧部122は、3mm以上、7.5mm以下の幅を有する。【選択図】図3

Description

本発明は、ウェハなどの基板を保持する基板保持装置に関し、特に基板を研磨パッドなどの研磨具に押し付けて基板の表面を研磨するために使用される基板保持装置に関する。また、本発明は、そのような基板保持装置を用いた研磨装置および研磨方法に関する。さらに、本発明は、上記基板保持装置に使用されるリテーナリングに関する。
半導体デバイスの製造工程では、ウェハの表面を研磨するために研磨装置が広く使用されている。この種の研磨装置は、研磨面を有する研磨パッドを支える研磨テーブルと、ウェハを保持するためのトップリング又は研磨ヘッドと称される基板保持装置と、研磨液を研磨面に供給する研磨液供給ノズルとを備えている。
研磨装置は次のようにしてウェハを研磨する。研磨パッドとともに研磨テーブルを回転させながら、研磨液供給ノズルから研磨液を研磨面に供給する。基板保持装置によりウェハを保持し、さらにウェハをその軸心を中心として回転させる。この状態で、基板保持装置はウェハの表面を研磨パッドの研磨面に押し付け、研磨液の存在下でウェハの表面を研磨面に摺接させる。ウェハの表面は、研磨液に含まれる砥粒の機械的作用と、研磨液の化学的作用により平坦に研磨される。このような研磨装置はCMP(化学機械研磨)装置とも呼ばれる。
ウェハの研磨中、ウェハの表面は研磨パッドに摺接されるため、ウェハには摩擦力が作用する。そこで、ウェハの研磨中にウェハが基板保持装置から外れないようにするために、基板保持装置はリテーナリングを備えている。このリテーナリングは、ウェハを囲むように配置され、ウェハの外側で研磨パッドを押し付けている。
特開平10−286769号公報
ウェハの研磨レート(除去レートともいう)は、研磨パッドに対するウェハの荷重、リテーナリングの荷重、研磨テーブルおよびウェハの回転速度、研磨液の種類などの研磨条件に依存して変わりうる。複数のウェハを連続的に研磨する場合、同一の研磨結果を得るために、研磨条件は一定に維持されるのが通常である。しかしながら、複数のウェハを研磨していくにつれて、研磨条件が同じであるにもかかわらず、ウェハのエッジ部のプロファイルが徐々に変わることがある。具体的には、研磨されたウェハの枚数が増えるに従って、エッジ部での研磨レートが上昇する。
このような研磨レートの上昇の原因は、リテーナリングの形状変化にあると考えられる。図19は、ウェハの研磨中のリテーナリングを示す模式図である。図19に示すように、ウェハWの研磨中、リテーナリング200は回転する研磨パッド201の研磨面201aに押し付けられるため、リテーナリング200が摩耗する。特に、リテーナリング200の内周面および外周面が摩耗して丸みを帯びた形状となる。リテーナリング200の内周面が図19に示すように摩耗すると、リテーナリング200がウェハWのエッジ部に近いパッド領域を押し付ける力が低下し、結果として、エッジ部での研磨レートが上昇してしまう。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、複数の基板(例えばウェハ)を連続して研磨する場合でも、基板のエッジ部での研磨レートの上昇を防止することができる基板保持装置を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような基板保持装置を用いた研磨装置および研磨方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、基板保持装置に使用されるリテーナリングを提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板を研磨パッドに押し付けるための基板保持装置であって、前記基板を保持するトップリング本体と、前記トップリング本体に保持された前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、前記リテーナリングは、前記研磨パッドに接触する環状のパッド押圧部を備え、前記パッド押圧部は、3mm以上、7.5mm以下の幅を有することを特徴とする。
本発明の他の態様は、研磨パッドを支持するための研磨テーブルと、基板を保持して、該基板を前記研磨パッドに押し付ける基板保持装置と、前記研磨パッド上に研磨液を供給する研磨液供給ノズルとを備えた研磨装置であって、前記基板保持装置は、前記基板を保持するトップリング本体と、前記トップリング本体に保持された前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、前記リテーナリングは、前記研磨パッドに接触する環状のパッド押圧部を備え、前記パッド押圧部は、3mm以上、7.5mm以下の幅を有することを特徴とする。
本発明のさらに他の態様は、研磨パッドとともに研磨テーブルを回転させ、前記研磨パッド上に研磨液を供給し、基板を前記研磨パッドに押し付けながら、3mm以上、7.5mm以下の幅を有する環状のパッド押圧部で前記基板を囲みつつ前記研磨パッドを押し付けることを特徴とする研磨方法である。
本発明のさらに他の態様は、基板を研磨パッドに押し付けるための基板保持装置に使用されるリテーナリングであって、前記研磨パッドに接触する環状のパッド押圧部を備え、前記パッド押圧部は、3mm以上、7.5mm以下の幅を有することを特徴とする。
パッド押圧部の幅が小さいため、パッド押圧部にはその形状の自己修復機能が備えられる。すなわち、パッド押圧部の摩耗によってその形状が変わると、パッド押圧部のパッド接触面の面積が減少し、パッド接触面の圧力が増加する。パッド接触面の圧力が増加すると、パッド接触面が摩耗し、結果としてパッド接触面の面積が増加する。このようなパッド接触面の圧力と面積の微小な変動を繰り返しながら、パッド押圧部の形状は概ね一定に維持される。したがって、幅の狭いパッド押圧部を有するリテーナリングは、基板のエッジ部での研磨レートを安定させることができる。
本発明の一実施形態に係る基板保持装置を備えた研磨装置を示す模式図である。 研磨装置の詳細な構成を示す図である。 トップリングの断面図である。 ドライブリングおよび連結部材を示す平面図である。 球面軸受を示す図である。 図6(a)は、連結部材が球面軸受に対して上下動している様子を示し、図6(b)および図6(c)は、連結部材が内輪と共に傾動している様子を示す図である。 球面軸受の他の構成例を示す拡大断面図である。 図8(a)は、連結部材が球面軸受に対して上下動している様子を示し、図8(b)および図8(c)は、連結部材が中間輪と共に傾動している様子を示している図である。 リテーナリングの斜視図である。 リテーナリングの下面図である。 リテーナリングの側面図である。 図12(a)はリテーナリングの一部を示す縦断面図であり、図12(b)はリテーナリングの一部を示す下面図である。 図13(a)乃至図13(d)は、パッド押圧部が研磨パッドとの摺接により摩耗する様子を示す図である。 パッド押圧部の幅と、パッド押圧部の変形量との関係を調べた構造解析結果を示すグラフである。 従来の幅の広いリテーナリングを用いて複数のウェハを研磨したときのリテーナリングの表面形状を示すグラフである。 幅5mmのパッド押圧部を有するリテーナリングを用いて複数のウェハを研磨したときのリテーナリングの表面形状を示すグラフである。 幅7.5mmのパッド押圧部を有するリテーナリングを用いて複数のウェハを研磨したときのリテーナリングの表面形状を示すグラフである。 パッド押圧部を有する本実施形態のリテーナリングの他の実施形態を示す断面図である。 ウェハの研磨中のリテーナリングを示す模式図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板保持装置を備えた研磨装置を示す模式図である。図1に示すように、研磨装置は、ウェハ(基板)Wを保持し回転させるトップリング(基板保持装置)1と、研磨パッド2を支持する研磨テーブル3と、研磨パッド2に研磨液(スラリー)を供給する研磨液供給ノズル5と、ウェハWの膜厚に従って変化する膜厚信号を取得する膜厚センサ7とを備えている。膜厚センサ7は、研磨テーブル3内に設置されており、研磨テーブル3が1回転するたびに、ウェハWの中心部を含む複数の領域での膜厚信号を取得する。膜厚センサ7の例としては、光学式センサや渦電流センサが挙げられる。
トップリング1は、その下面に真空吸着によりウェハWを保持できるように構成されている。トップリング1および研磨テーブル3は、矢印で示すように同じ方向に回転し、この状態でトップリング1は、ウェハWを研磨パッド2の研磨面2aに押し付ける。研磨液供給ノズル5からは研磨液が研磨パッド2上に供給され、ウェハWは、研磨液の存在下で研磨パッド2との摺接により研磨される。ウェハWの研磨中、膜厚センサ7は研磨テーブル3と共に回転し、記号Aに示すようにウェハWの表面を横切りながら膜厚信号を取得する。この膜厚信号は、膜厚を直接または間接に示す指標値であり、ウェハWの膜厚の減少に従って変化する。膜厚センサ7は研磨制御部9に接続されており、膜厚信号は研磨制御部9に送られるようになっている。研磨制御部9は、膜厚信号によって示されるウェハWの膜厚が所定の目標値に達したときに、ウェハWの研磨を終了させる。
図2は、研磨装置の詳細な構成を示す図である。研磨テーブル3は、テーブル軸3aを介してその下方に配置されるモータ13に連結されており、そのテーブル軸3a周りに回転可能になっている。研磨テーブル3の上面には研磨パッド2が貼付されており、研磨パッド2の上面がウェハWを研磨する研磨面2aを構成している。モータ13により研磨テーブル3を回転させることにより、研磨面2aはトップリング1に対して相対的に移動する。したがって、モータ13は、研磨面2aを水平方向に移動させる研磨面移動機構を構成する。
トップリング1は、トップリングシャフト11に接続されており、このトップリングシャフト11は、上下動機構27によりトップリングヘッド16に対して上下動するようになっている。このトップリングシャフト11の上下動により、トップリングヘッド16に対してトップリング1の全体を昇降させ位置決めするようになっている。トップリングシャフト11の上端にはロータリージョイント25が取り付けられている。
トップリングシャフト11およびトップリング1を上下動させる上下動機構27は、軸受26を介してトップリングシャフト11を回転可能に支持するブリッジ28と、ブリッジ28に取り付けられたボールねじ32と、支柱30により支持された支持台29と、支持台29上に設けられたサーボモータ38とを備えている。サーボモータ38を支持する支持台29は、支柱30を介してトップリングヘッド16に固定されている。
ボールねじ32は、サーボモータ38に連結されたねじ軸32aと、このねじ軸32aが螺合するナット32bとを備えている。トップリングシャフト11は、ブリッジ28と一体となって上下動するようになっている。したがって、サーボモータ38を駆動すると、ボールねじ32を介してブリッジ28が上下動し、これによりトップリングシャフト11およびトップリング1が上下動する。
また、トップリングシャフト11はキー(図示せず)を介して回転筒12に連結されている。この回転筒12はその外周部にタイミングプーリ14を備えている。トップリングヘッド16にはトップリング用モータ18が固定されており、上記タイミングプーリ14は、タイミングベルト19を介してトップリング用モータ18に設けられたタイミングプーリ20に接続されている。したがって、トップリング用モータ18を回転駆動することによってタイミングプーリ20、タイミングベルト19、およびタイミングプーリ14を介して回転筒12およびトップリングシャフト11が一体に回転し、トップリング1がその軸心を中心として回転する。トップリング用モータ18,タイミングプーリ20、タイミングベルト19、およびタイミングプーリ14は、トップリング1をその軸心を中心として回転させる回転機構を構成する。トップリングヘッド16は、フレーム(図示せず)に回転可能に支持されたトップリングヘッドシャフト21によって支持されている。
トップリング1は、その下面にウェハWなどの基板を保持できるようになっている。トップリングヘッド16はトップリングヘッドシャフト21を中心として旋回可能に構成されており、下面にウェハWを保持したトップリング1は、トップリングヘッド16の旋回によりウェハWの受取位置から研磨テーブル3の上方に移動される。そして、トップリング1を下降させてウェハWを研磨パッド2の研磨面2aに押圧する。このとき、トップリング1および研磨テーブル3をそれぞれ回転させ、研磨テーブル3の上方に設けられた研磨液供給ノズル5から研磨パッド2上に研磨液を供給する。このように、ウェハWを研磨パッド2の研磨面2aに摺接させてウェハWの表面を研磨する。
次に、基板保持装置を構成するトップリング1について説明する。図3は、トップリング1の断面図である。図3に示すように、トップリング1は、ウェハWを保持し、ウェハWを研磨面2aに対して押圧するトップリング本体10と、ウェハWを囲むように配置されたリテーナリング40とを備えている。トップリング本体10およびリテーナリング40は、トップリングシャフト11の回転により一体に回転するように構成されている。リテーナリング40は、トップリング本体10に対して相対的に上下動可能に構成されている。
トップリング本体10は、円形のフランジ41と、フランジ41の下面に取り付けられたスペーサ42と、スペーサ42の下面に取り付けられたキャリア43とを備えている。フランジ41は、トップリングシャフト11に連結されている。キャリア43は、スペーサ42を介してフランジ41に連結されており、フランジ41、スペーサ42、およびキャリア43は、一体に回転し、かつ上下動する。フランジ41、スペーサ42、およびキャリア43から構成されるトップリング本体10は、エンジニアリングプラスティック(例えば、PEEK)などの樹脂により形成されている。なお、フランジ41をSUS、アルミニウムなどの金属で形成してもよい。
キャリア43の下面には、ウェハWの裏面に当接する弾性膜45が取り付けられている。弾性膜45の下面が基板保持面45aを構成する。弾性膜45は環状の隔壁45bを有しており、これらの隔壁45bにより、弾性膜45とトップリング本体10との間に4つの圧力室、すなわち、センター室50、リプル室51、アウター室52、およびエッジ室53が形成されている。これらの圧力室50〜53はロータリージョイント25を経由して圧力調整装置65に接続されており、圧力調整装置65から加圧流体が供給されるようになっている。圧力調整装置65は、これら4つの圧力室50〜53内の圧力を独立に調整できるようになっている。さらに、圧力調整装置65は、圧力室50〜53内に負圧を形成することも可能となっている。
弾性膜45は、リプル室51またはアウター室52に対応する位置に通孔(図示せず)を有しており、この通孔に負圧を形成することによりトップリング1はその基板保持面45a上にウェハWを保持できるようになっている。弾性膜45は、エチレンプロピレンゴム(EPDM)、ポリウレタンゴム、シリコーンゴム等の強度および耐久性に優れたゴム材によって形成されている。センター室50、リプル室51、アウター室52、およびエッジ室53は大気開放機構(図示せず)にも接続されており、センター室50、リプル室51、アウター室52、およびエッジ室53を大気開放することも可能である。
リテーナリング40は、トップリング本体10のキャリア43および弾性膜45を囲むように配置されている。このリテーナリング40は、研磨パッド2の研磨面2aに接触するリング状の部材である。リテーナリング40は、ウェハWの外周縁を囲むように配置されており、ウェハWの研磨中にウェハWがトップリング1から飛び出さないようにウェハWを保持している。
リテーナリング40の上面はドライブリング81に固定されている。ドライブリング81の上部は、環状のリテーナリング押圧機構60に連結されており、このリテーナリング押圧機構60は、ドライブリング81を介してリテーナリング40の上面の全体に均一な下向きの荷重を与え、これによりリテーナリング40の下面を研磨パッド2の研磨面2aに対して押圧する。
リテーナリング押圧機構60は、ドライブリング81の上部に固定された環状のピストン61と、ピストン61の上面に接続された環状のローリングダイヤフラム62とを備えている。ローリングダイヤフラム62の内部にはリテーナリング圧力室63が形成されている。このリテーナリング圧力室63はロータリージョイント25を経由して圧力調整装置65に接続されている。
圧力調整装置65からリテーナリング圧力室63に加圧流体(例えば、加圧空気)を供給すると、ローリングダイヤフラム62がピストン61を下方に押し下げ、さらに、ピストン61はドライブリング81を介してリテーナリング40の全体を下方に押し下げる。このようにして、リテーナリング押圧機構60は、リテーナリング40の下面を研磨パッド2の研磨面2aに対して押圧する。さらに、圧力調整装置65によりリテーナリング圧力室63内に負圧を形成することにより、リテーナリング40の全体を上昇させることができる。リテーナリング圧力室63は大気開放機構(図示せず)にも接続されており、リテーナリング圧力室63を大気開放することも可能である。
ドライブリング81は、リテーナリング押圧機構60に着脱可能に連結されている。より具体的には、ピストン61は金属などの磁性材から形成されており、ドライブリング81の上部には複数の磁石70が配置されている。これら磁石70がピストン61を引き付けることにより、ドライブリング81がピストン61に磁力により固定される。ピストン61の磁性材としては、例えば、耐蝕性の磁性ステンレスが使用される。なお、ドライブリング81を磁性材で形成し、ピストン61に磁石を配置してもよい。
リテーナリング40は、ドライブリング81および連結部材75を介して球面軸受85に連結されている。この球面軸受85は、リテーナリング40の半径方向内側に配置されている。図4は、ドライブリング81および連結部材75を示す平面図である。図4に示すように、連結部材75は、トップリング本体10の中心部に配置された軸部76と、この軸部76に固定されたハブ77と、このハブ77からから放射状に延びる複数のスポーク78とを備えている。
スポーク78の一方の端部は、ハブ77に固定されており、スポーク78の他方の端部は、ドライブリング81に固定されている。ハブ77と、スポーク78と、ドライブリング81とは一体に形成されている。キャリア43には、複数対の駆動ピン80,80が固定されている。各対の駆動ピン80,80は各スポーク78の両側に配置されており、キャリア43の回転は、駆動ピン80,80を介してドライブリング81およびリテーナリング40に伝達され、これによりトップリング本体10とリテーナリング40とは一体に回転する。
図3に示すように、軸部76は球面軸受85内を縦方向に延びている。図4に示すように、キャリア43には、スポーク78が収容される複数の放射状の溝43aが形成されており、各スポーク78は各溝43a内で縦方向に移動自在となっている。連結部材75の軸部76は、トップリング本体10の中央部に配置された球面軸受85に縦方向に移動自在に支持されている。このような構成により、連結部材75およびこれに連結されたドライブリング81およびリテーナリング40は、トップリング本体10に対して縦方向に移動可能となっている。さらに、ドライブリング81およびリテーナリング40は、球面軸受85により傾動可能に支持されている。
図5は、球面軸受85を示す図である。軸部76は、複数のねじ79によりハブ77に固定されている。軸部76には縦方向に延びる貫通穴88が形成されている。この貫通穴88は軸部76が球面軸受85に対して縦方向に移動する際の空気抜き穴として作用し、これによりリテーナリング40はトップリング本体10に対して縦方向にスムーズに移動可能となっている。
球面軸受85は、環状の内輪101と、内輪101の外周面を摺動自在に支持する外輪102とを備えている。内輪101は、連結部材75を介してドライブリング81およびリテーナリング40に連結されている。外輪102は支持部材103に固定されており、この支持部材103はキャリア43に固定されている。支持部材103はキャリア43の凹部43b内に配置されている。
内輪101の外周面は、上部および下部を切り欠いた球面形状を有しており、その球面形状の中心点(支点)Oは、内輪101の中心に位置している。外輪102の内周面は、内輪101の外周面に沿った凹面から構成されており、外輪102は内輪101を摺動自在に支持している。したがって、内輪101は、外輪102に対して全方向(360°)に傾動可能となっている。
内輪101の内周面は、軸部76が挿入される貫通孔101aを構成している。軸部76は内輪101に対して縦方向にのみ移動可能となっている。したがって、軸部76に連結されたリテーナリング40は、横方向に移動することは許容されず、リテーナリング40の横方向(水平方向)の位置は球面軸受85によって固定される。球面軸受85は、ウェハの研磨中に、ウェハと研磨パッド2との摩擦に起因してリテーナリング40がウェハから受ける横方向の力(ウェハの半径方向外側に向かう力)を受けつつ、リテーナリング40の横方向の移動を制限する(すなわちリテーナリング40の水平方向の位置を固定する)支持機構として機能する。
図6(a)は、連結部材75が球面軸受85に対して上下動している様子を示し、図6(b)および図6(c)は、連結部材75が内輪101と共に傾動している様子を示している。連結部材75に連結されたリテーナリング40は、内輪101と一体に支点Oを中心として傾動可能であり、かつ内輪101に対して上下に移動可能となっている。
図7は、球面軸受85の他の構成例を示す拡大断面図である。図7に示すように、球面軸受85は、連結部材75を介してリテーナリング40に連結された中間輪91と、中間輪91を上から摺動自在に支持する外輪92と、中間輪91を下から摺動自在に支持する内輪93とを備えている。中間輪91は、球殻の上半分よりも小さい部分球殻形状を有し、外輪92と内輪93との間に挟まれている。
外輪92は凹部43b内に配置されている。外輪92は、その外周部につば92aを有しており、このつば92aを凹部43bの段部にボルト(図示せず)により固定することにより、外輪92がキャリア43に固定されるとともに、中間輪91および内輪93に圧力を掛けることが可能となっている。内輪93は凹部43bの底面上に配置されており、中間輪91の下面と凹部43bの底面との間に隙間が形成されるように、中間輪91を下から支えている。
外輪92の内面92b、中間輪91の外面91aおよび内面91b、および内輪93の外面93aは、支点Oを中心とした略半球面から構成されている。中間輪91の外面91aは、外輪92の内面92bに摺動自在に接触し、中間輪91の内面91bは、内輪93の外面93aに摺動自在に接触している。外輪92の内面92b(摺接面)、中間輪91の外面91aおよび内面91b(摺接面)、および内輪93の外面93a(摺接面)は、球面の上半分よりも小さい部分球面形状を有している。このような構成により、中間輪91は、外輪92および内輪93に対して全方向(360°)に傾動可能であり、かつ傾動中心である支点Oは球面軸受85よりも下方に位置する。
外輪92、中間輪91、および内輪93には、軸部76が挿入される貫通孔92c,91c,93bがそれぞれ形成されている。外輪92の貫通孔92cと軸部76との間には隙間が形成されており、同様に、内輪93の貫通孔93bと軸部76との間には隙間が形成されている。中間輪91の貫通孔91cは、外輪92および内輪93の貫通孔92c,93bよりも小さな直径を有しており、軸部76は中間輪91に対して縦方向にのみ移動可能となっている。したがって、軸部76に連結されたリテーナリング40は、横方向に移動することは実質的に許容されず、リテーナリング40の横方向(水平方向)の位置は球面軸受85によって固定される。
図8(a)は、連結部材75が球面軸受85に対して上下動している様子を示し、図8(b)および図8(c)は、連結部材75が中間輪91と共に傾動している様子を示している。図8(a)乃至図8(c)に示すように、連結部材75に連結されたリテーナリング40は、中間輪91と一体に支点Oを中心として傾動可能であり、かつ中間輪91に対して上下に移動可能となっている。図7に示す球面軸受85は、傾動の中心である支点Oがリテーナリング40の中心軸線上にある点では図5に示す球面軸受85と同じであるが、図7に示す支点Oは図5に示す支点Oよりも低い位置にある点で異なっている。図7に示す球面軸受85は、支点Oの高さを研磨パッド2の表面と同じか、それよりも低くすることができる。
図9はリテーナリング40の斜視図であり、図10はリテーナリング40の下面図であり、図11はリテーナリング40の側面図である。図12(a)はリテーナリング40の一部を示す縦断面図であり、図12(b)はリテーナリング40の一部を示す下面図である。リテーナリング40の内周面の直径、すなわちリテーナリング40の内径はウェハの直径よりも僅かに大きい。より具体的には、リテーナリング40の内周面の直径は、ウェハの直径よりも0.5mm〜3mm、好ましくは1mm〜2mmだけ大きい。
リテーナリング40は、円環部121と、この円環部121の内周端から下方に延びる環状のパッド押圧部122とを備えている。これら円環部121とパッド押圧部122は、同一の材料から一体に形成されている。パッド押圧部122は、トップリング本体10の弾性膜45(図3参照)に保持されたウェハを囲むように配置されている。パッド押圧部122の幅(すなわち、リテーナリング40の半径方向におけるパッド押圧部122の幅)は、円環部121の幅よりも小さい。具体的には、パッド押圧部122の幅は、3mm以上、7.5mm以下であり、より好ましくは、3mm以上、5mm以下である。パッド押圧部122の高さは、その幅と同じであるか、またはその幅よりも大きい。
パッド押圧部122の下面は、研磨パッド2に接触するパッド接触面40aである。すなわち、ウェハの研磨中は、パッド押圧部122のパッド接触面40aが研磨パッド2に押し付けられる。パッド接触面40aには、リテーナリング40の半径方向に延びる複数のラジアル溝123が形成されている。これらのラジアル溝123は、研磨パッド2上に供給された研磨液をリテーナリング40の内側から外側に、および外側から内側に流れることを許容する。一例として、各ラジアル溝123の幅は4mmである。
リテーナリング40には、その周方向に沿って複数の穴124が形成されている(図12(a)では1つの穴124のみを示す)。より具体的には、これらの穴124は、リテーナリング40の円環部121の上面に形成されている。図3に示すように、ドライブリング81の下部にはステンレス製の複数の補強ピン82が固定されており、これらの補強ピン82は、リテーナリング40の複数の穴124にそれぞれ差し込まれている。リテーナリング40の強度はこれら補強ピン82によって補強されている。
従来のリテーナリングの幅は、おおよそ15mmである。これに対して、本実施形態に係るリテーナリング40の幅は、3mm〜7.5mmである。このようにパッド押圧部122の幅が小さいため、パッド押圧部122にはその形状の自己修復機能が備えられる。この自己修復機能について、図13(a)乃至図13(d)を参照して説明する。図13(a)乃至図13(d)は、パッド押圧部122が研磨パッド2との摺接により摩耗する様子を示す図である。初期状態のパッド押圧部122は、図13(a)に示すように、矩形状の縦断面を有している。パッド押圧部122が研磨パッド2に摺接されると、パッド押圧部122が摩耗し、図13(b)に示すように、パッド押圧部122の内側エッジと外側エッジが丸くなるとともに、パッド接触面40aの面積が小さくなる。パッド押圧部122の摩耗がさらに進行すると、図13(c)に示すように、パッド接触面40aの面積がさらに小さくなる。
リテーナリング40に加えられる下向きの荷重が一定である条件下では、パッド接触面40aの面積が小さくなるにつれて、パッド接触面40aの圧力は増加する。結果として、図13(d)に示すように、パッド接触面40aの面積が増加する方向にパッド押圧部122が摩耗する。このようなパッド接触面40aの圧力と面積の微小な変動を繰り返しながら、パッド押圧部122の形状は概ね一定に維持される。したがって、幅の狭いパッド押圧部122を有するリテーナリング40は、ウェハのエッジ部での研磨レートを安定させることができる。
パッド押圧部122の幅の下限値である3mmは、パッド押圧部122の機械的強度に基づいて決定される。図14は、パッド押圧部122の幅と、パッド押圧部122の変形量との関係を調べた構造解析結果を示すグラフである。図14において、横軸はパッド押圧部122の幅を表し、縦軸はパッド押圧部122の横方向への最大変形量(計算値)を表している。パッド押圧部122の幅が1mm,2mm,3mm,4mm,5mmの5つのリテーナリングについて構造解析を行った。具体的には、研磨時にリテーナリングがウェハから受ける力をリテーナリング側面に加えるという条件下で、パッド押圧部122の横方向への変形量を計算した。構造解析に使用したリテーナリングの材料は、ポリフェニレンサルファイドであった。
パッド押圧部122の幅が1mmの場合、パッド押圧部122の変形量が大きすぎて、その計算ができなかった。パッド押圧部122の幅が2mmの場合、パッド押圧部122の変形量が大きかった。パッド押圧部122の幅が3mm以上の場合、パッド押圧部122の変形量が小さかった。特に、グラフから、幅が3mmよりも小さいとパッド押圧部122の変形量が大きくなることが分かる。この構造解析結果から、パッド押圧部122の幅の下限値は3mmに決定された。
図15は、従来の幅の広いリテーナリングを用いて複数のウェハを研磨したときのリテーナリングの表面形状を示すグラフである。図15において、縦軸はリテーナリングのパッド接触面のレベル(上下方向の位置)を表しており、縦軸に沿って下方に向かうほど、パッド接触面の研磨パッドからの距離が大きいことを示している。図15の横軸は、パッド接触面のレベルの測定点の位置を表している。レベル測定点は、リテーナリングの半径方向に沿って配列されている。
図15から分かるように、従来のリテーナリングでは、その内周面(ウェハ保持面)から外側に広がる幅7mmの領域では、パッド接触面が大きく摩耗している。このようにパッド接触面の内側領域が大きく摩耗すると、リテーナリングはウェハのエッジ部に沿って研磨パッドを押すことができず、その結果、ウェハのエッジ部の研磨レートが上昇してしまう。
図16は、幅5mmのパッド押圧部122を有する本実施形態のリテーナリング40を用いて複数のウェハを研磨したときのリテーナリング40の表面形状を示すグラフである。図16から、複数のウェハを研磨した場合でも、リテーナリング40のパッド接触面40aの内側領域は、図15に示す従来のリテーナリングのように大きく摩耗していないことが分かる。より具体的には、パッド押圧部122の内周面(ウェハ保持面)から3mmの領域では、その他の領域に比べて大きくは摩耗していない。したがって、幅5mmのパッド押圧部122を有する本実施形態のリテーナリング40は、パッド押圧部122の内周面(ウェハ保持面)から3mmの領域を押し付けることができる。図16から分かるように、複数のウェハを研磨した場合でも、パッド接触面40aの形状はあまり変化していない。したがって、リテーナリング40は、ウェハのエッジ部に沿って研磨パッド2を良好に押すことができる。結果として、ウェハのエッジ部の研磨レートはあまり上昇せず、ウェハのエッジ部において良好なプロファイルを実現することができる。つまり、複数のウェハを連続研磨した場合であっても、安定して、ウェハのエッジ部において良好なプロファイルを実現することができる。
図17は、幅7.5mmのパッド押圧部122を有する本実施形態のリテーナリング40を用いて複数のウェハを研磨したときのリテーナリング40の表面形状を示すグラフである。図17から分かるように、リテーナリング40は、パッド押圧部122の内周面(ウェハ保持面)から5mmの領域では、その他の領域に比べて大きくは摩耗していない。言い換えれば、幅7.5mmのパッド押圧部122を有する本実施形態のリテーナリング40は、パッド押圧部122の内周面(ウェハ保持面)から5mmの領域を押し付けることができる。結果として、ウェハのエッジ部の研磨レートはあまり上昇せず、ウェハのエッジ部において良好なプロファイルを実現することができる。つまり、複数のウェハを連続研磨した場合であっても、安定して、ウェハのエッジ部において良好なプロファイルを実現することができる。
図18は、パッド押圧部122を有する本実施形態のリテーナリング40の他の実施形態を示す断面図である。この実施形態のパッド押圧部122は、5mm以上、7.5mm以下の幅を有している。研磨パッド2に接触するパッド接触面40aは、下方に突出する断面形状を有しており、このパッド接触面40aの最下点は、パッド押圧部122の内周面から3mm〜5mmの範囲内に位置している。言い換えれば、パッド押圧部122の幅に対する、パッド押圧部122の内周面からパッド接触面40aの最下点までの距離の比は、3/5〜2/3の範囲内にある。このような形状のリテーナリング40は、図16および図17で示したように、パッド押圧部122の内周面(ウェハ保持面)から近い領域を押し付けることができる。結果として、ウェハのエッジ部の研磨レートはあまり上昇せず、ウェハのエッジ部において良好なプロファイルを実現することができる。
上述した実施形態に係る基板保持装置は、シャロー・トレンチ・アイソレーション(STI)工程などの半導体デバイス製造工程に好適に使用することができる。
研磨パッド2は、発泡ポリウレタンからなる上層と、不織布からなる下層を含む積層構造を有している。上層は、4000hPaから12000hPaで押圧された時の弾性率がおよそ50MPaから100MPaである高均一な微小発泡構造を持ち、下層は、2500hPaから4500hPaで押圧された時の弾性率がおよそ1.5MPaから2.5MPaである連続発泡構造を持つ。このような研磨パッド22にリテーナリング40を押し付けると、リテーナリング40が研磨パッド22に沈み込み、リテーナリング40の縁部の面圧が上昇し、この縁部が大きく摩耗してしまう。したがって、上記の材料特性の研磨パッド22を用いる場合では、パッド押圧部122の幅が3mm以上7.5mm以下であるリテーナリング40が有効となる。
ウェハ研磨時における研磨条件は、研磨パッド2の表面からのリテーナリング40の支点高さが−10mmから+50mmである。リテーナリング40の支点高さが変化すると、リテーナリング40の姿勢が変化するためリテーナリング40の縁部の摩耗形状に影響を及ぼす。このような場合も、パッド押圧部122の幅が3mm以上7.5mm以下であるリテーナリング40が有効となる。トップリング1と図示しないウェハ受渡機構(基板受渡機構)との間でウェハを受け渡すときに、リテーナリング40の外周面は、このウェハ受渡機構をガイドするガイド面として機能する。
シャロー・トレンチ・アイソレーション(STI)工程の一部において、リテーナリング40のパッド接触面の面積があまり変化しない、パッド押圧部122の幅が3mm以上7.5mm以下であるリテーナリング40が有効となる。
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
1 トップリング
2 研磨パッド
3 研磨テーブル
5 研磨液供給ノズル
7 膜厚センサ
9 研磨制御部
10 トップリング本体
11 トップリングシャフト
12 回転筒
13 モータ
14 上下動機構
16 トップリングヘッド
20 タイミングプーリ
21 トップリングヘッドシャフト
25 ロータリージョイント
26 軸受
27 上下動機構
28 ブリッジ
29 支持台
30 支柱
32 ボールねじ
38 サーボモータ
40 リテーナリング
41 フランジ
42 スペーサ
43 キャリア
45 弾性膜
45a 基板保持面
50〜53 圧力室
60 リテーナリング押圧機構
61 ピストン
62 ローリングダイヤフラム
63 リテーナリング圧力室
65 圧力調整装置
70 磁石
75 連結部材
76 軸部
77 ハブ
78 スポーク
79 ねじ
80 駆動ピン
81 ドライブリング
82 補強ピン
85 球面軸受
88 貫通穴
91 中間輪
92,102 外輪
93,101 内輪
121 円環部
122 パッド押圧部
123 ラジアル溝
124 穴

Claims (17)

  1. 基板を研磨パッドに押し付けるための基板保持装置であって、
    前記基板を保持するトップリング本体と、
    前記トップリング本体に保持された前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、
    前記リテーナリングは、前記研磨パッドに接触する環状のパッド押圧部を備え、
    前記パッド押圧部は、3mm以上、7.5mm以下の幅を有することを特徴とする基板保持装置。
  2. 前記パッド押圧部は、3mm以上、5mm以下の幅を有することを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
  3. 前記パッド押圧部は、5mm以上、7.5mm以下の幅を有し、
    前記パッド押圧部は、前記研磨パッドに接触するパッド接触面を有し、
    前記パッド接触面は、下方に突出する断面形状を有し、
    前記パッド接触面の最下点は、前記パッド押圧部の内周面から3mm〜5mmの範囲内に位置していることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
  4. 前記パッド押圧部は、5mm以上、7.5mm以下の幅を有し、
    前記パッド押圧部は、前記研磨パッドに接触するパッド接触面を有し、
    前記パッド接触面は、下方に突出する断面形状を有し、
    前記パッド押圧部の幅に対する、前記パッド押圧部の内周面から前記パッド接触面の最下点までの距離の比は、3/5〜2/3の範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載の基板保持装置。
  5. 前記パッド押圧部の下面には、前記リテーナリングの半径方向に延びる複数のラジアル溝が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板保持装置。
  6. 研磨パッドを支持するための研磨テーブルと、
    基板を保持して、該基板を前記研磨パッドに押し付ける基板保持装置と、
    前記研磨パッド上に研磨液を供給する研磨液供給ノズルとを備えた研磨装置であって、
    前記基板保持装置は、前記基板を保持するトップリング本体と、前記トップリング本体に保持された前記基板を囲むように配置されたリテーナリングとを備え、
    前記リテーナリングは、前記研磨パッドに接触する環状のパッド押圧部を備え、
    前記パッド押圧部は、3mm以上、7.5mm以下の幅を有することを特徴とする研磨装置。
  7. 前記パッド押圧部は、3mm以上、5mm以下の幅を有することを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。
  8. 前記パッド押圧部は、5mm以上、7.5mm以下の幅を有し、
    前記パッド押圧部は、前記研磨パッドに接触するパッド接触面を有し、
    前記パッド接触面は、下方に突出する断面形状を有し、
    前記パッド接触面の最下点は、前記パッド押圧部の内周面から3mm〜5mmの範囲内に位置していることを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。
  9. 前記パッド押圧部は、5mm以上、7.5mm以下の幅を有し、
    前記パッド押圧部は、前記研磨パッドに接触するパッド接触面を有し、
    前記パッド接触面は、下方に突出する断面形状を有し、
    前記パッド押圧部の幅に対する、前記パッド押圧部の内周面から前記パッド接触面の最下点までの距離の比は、3/5〜2/3の範囲内にあることを特徴とする請求項6に記載の研磨装置。
  10. 前記パッド押圧部の下面には、前記リテーナリングの半径方向に延びる複数のラジアル溝が形成されていることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか一項に記載の研磨装置。
  11. 研磨パッドとともに研磨テーブルを回転させ、
    前記研磨パッド上に研磨液を供給し、
    基板を前記研磨パッドに押し付けながら、3mm以上、7.5mm以下の幅を有する環状のパッド押圧部で前記基板を囲みつつ前記研磨パッドを押し付けることを特徴とする研磨方法。
  12. 前記パッド押圧部は、3mm以上、5mm以下の幅を有することを特徴とする請求項11に記載の研磨方法。
  13. 基板を研磨パッドに押し付けるための基板保持装置に使用されるリテーナリングであって、
    前記研磨パッドに接触する環状のパッド押圧部を備え、
    前記パッド押圧部は、3mm以上、7.5mm以下の幅を有することを特徴とするリテーナリング。
  14. 前記パッド押圧部は、3mm以上、5mm以下の幅を有することを特徴とする請求項13に記載のリテーナリング。
  15. 前記パッド押圧部は、5mm以上、7.5mm以下の幅を有し、
    前記パッド押圧部は、前記研磨パッドに接触するパッド接触面を有し、
    前記パッド接触面は、下方に突出する断面形状を有し、
    前記パッド接触面の最下点は、前記パッド押圧部の内周面から3mm〜5mmの範囲内に位置していることを特徴とする請求項13に記載のリテーナリング。
  16. 前記パッド押圧部は、5mm以上、7.5mm以下の幅を有し、
    前記パッド押圧部は、前記研磨パッドに接触するパッド接触面を有し、
    前記パッド接触面は、下方に突出する断面形状を有し、
    前記パッド押圧部の幅に対する、前記パッド押圧部の内周面から前記パッド接触面の最下点までの距離の比は、3/5〜2/3の範囲内にあることを特徴とする請求項13に記載のリテーナリング。
  17. 前記パッド押圧部の下面には、前記リテーナリングの半径方向に延びる複数のラジアル溝が形成されていることを特徴とする請求項13に記載のリテーナリング。
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