JP2015100252A - スイッチング電源 - Google Patents

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Abstract

【課題】待機状態(スタンバイ状態)においては間欠動作モードを維持して消費電力の低減を図るとともに、動作状態においては速やかに連続動作モードに切り替える。
【解決手段】スイッチング電源は、全波整流器14と、スイッチング部16と、電源IC18と、トランス20と、整流部24と、定電圧制御部28と、切替信号生成部32を備える。電源IC18は、トランス20の二次側電力に応じて変動するモード切替電圧を閾値と大小比較し、その比較結果に応じてスイッチング部16を間欠動作モードと連続動作モードとの間で切り替えて制御する。切替信号生成部32からの切替信号に応じてモード切替電圧と閾値のいずれかを変更することで、通常動作状態において連続動作モードに切り替える。
【選択図】図1

Description

本発明はスイッチング電源に関し、特に間欠動作と通常動作の制御に関する。
低消費電力が求められるスイッチング電源には、スイッチ素子をスイッチングするスイッチング期間と、スイッチ素子のスイッチングを一時停止させるスイッチング休止期間とを設ける間欠動作モードが実装されているものがある。
下記の特許文献1には、負荷の動作状態、待機状態、非動作状態において、スイッチングレギュレータを安価に電源変換効率良く制御することを目的として、動作状態においてオン時間制御手段からの信号に応じてスイッチング手段を連続的にオンオフし、待機状態においてスイッチング手段を間欠的にオンオフするためにトランスの2次側の出力電圧を監視し、出力電圧に応じてスイッチング手段をオフすることが開示されている。
特許第5020479号公報
間欠動作モードは消費電力の低減に有効であるが、スイッチング休止期間では出力電圧が低下する一方、スイッチング期間の開始時には大きな電流が流れるため、出力電圧に大きなノイズが混入する問題がある。そして、スイッチング電源の後段にアンプ回路が接続されている場合、通常動作時にこのノイズによってアンプ回路の歪みがさらに増大してしまう。
本発明の目的は、待機状態(スタンバイ状態)においては間欠動作モードを維持して消費電力の低減を図るとともに、通常動作状態においては速やかに連続動作モードに切り替える、特に、通常動作状態において負荷の消費電流が小さくても速やかに連続動作モードに切り替えることができるスイッチング電源を提供することにある。
本発明は、交流電圧を直流電圧に変換する整流器と、前記整流器に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に一次側が接続され、二次側に負荷が接続されるトランスと、前記スイッチング素子のスイッチングを制御する制御部と、待機状態と通常動作状態との切替に応じて切替信号を前記制御部に出力する切替信号生成部とを備え、前記制御部は、前記トランスの二次側電力に応じて変動するモード切替電圧を閾値と大小比較し、その比較結果に応じて前記スイッチング素子を間欠動作モードと連続動作モードとの間で切り替えて制御するものであり、かつ、前記切替信号に応じて前記モード切替電圧と閾値のいずれかを変更することで、前記通常動作状態において前記連続動作モードに切り替えることを特徴とする。
本発明において、制御部は、トランスの二次側電力に応じて変動するモード切替電圧を用いて間欠動作モードと連続動作モードとの間で切り替える。すなわち、モード切替電圧を閾値と大小比較し、その比較結果に応じてスイッチング素子を間欠動作モードと連続動作モードとの間で切り替えて制御する。待機状態から通常動作状態に切り替わった場合、これに連動して切替信号が切替信号生成部から生成され、この切替信号によりモード切替電圧と閾値のいずれかが変更されるため、間欠動作モードから連続動作モードへの切替が容易化される。例えば、モード切替電圧が閾値未満の場合に間欠動作モードに移行する場合、切替信号によりモード切替電圧を上昇させるように変更することで、結果としてモード切替電圧は閾値未満とならず、通常動作モードへの移行が容易化される。
本発明の1つの実施形態では、前記制御部は、前記モード切替電圧が前記閾値未満の場合に前記間欠動作モードで制御するものであり、かつ、前記切替信号が前記通常動作状態を示す信号である場合に前記モード切替電圧を上昇させ、あるいは前記閾値を小さく変更することを特徴とする。
本発明の他の実施形態では、さらに、前記トランスの二次側電圧を検出し、前記二次側電圧が上昇するとこれに応じて低下するように前記モード切替電圧を生成する定電圧制御部と、前記トランスの一次側電流を検出する電流検出手段と、前記切替信号が前記通常動作状態を示す信号である場合に前記電流検出手段の出力電圧にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段とを備え、前記制御部は、前記電流検出手段の出力電圧と前記モード切替電圧に比例する基準電圧とを比較し、前記電流検出手段の出力電圧が前記基準電圧以上の場合に前記スイッチング素子をオンからオフに制御し、かつ、前記切替信号が前記通常動作状態を示す信号である場合に前記バイアス印加手段で前記バイアス電圧が印加された前記電流検出手段の出力電圧を前記基準電圧と比較することで前記モード切替電圧を上昇させることを特徴とする。
本発明によれば、待機状態においては間欠動作モードを維持して消費電力の低減を図るとともに、通常動作状態においては速やかに連続動作モードに切り替えることができる。
実施形態の回路構成図である。 間欠動作モード及び連続動作モードにおけるタイミングチャートである。 スイッチング部出力及び切替信号のタイミングチャートである。
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
図1に、本実施形態におけるスイッチング電源の回路構成を示す。本実施形態のスイッチング電源は、例えばオーディオ装置の電源として用いられる。
スイッチング電源は、AC電源に接続されるプラグ10と、スイッチング部16および電源IC18を含むスイッチング回路部と、トランス20と、整流部24と、負荷26と、定電圧制御部28と、切替信号生成部32を含んで構成される。
AC電源に接続されたプラグ10からの交流電圧は、フィルタ12を介して全波整流器14で整流されてスイッチング部に供給される。
スイッチング回路部は、スイッチング部16及び電源IC18を含む。スイッチング部16は、2つのスイッチ素子から構成され、1つはハイサイドMOSFET16Hであり、他の1つはローサイドMOSFET16Lである。ハイサイドMOSFET16H及びローサイドMOSFET16Lは互いに直列に接続され、ハイサイドMOSFET16Hは全波整流器14の正極側に接続され、ローサイドMOSFET16Lは全波整流器14の負極側に接続される。
電源IC18はドライバ回路を含み、制御端子はハイサイドMOSFET16H及びローサイドMOSFET16Lのゲート端子に接続される。電源IC18のドライバ回路は、制御端子から出力するスイッチング制御信号によりハイサイドMOSFET16H及びローサイドMOSFET16Lをオンオフ制御する。ローサイドMOSFET16Lと全波整流器14の負極側との間には電流検出抵抗22が接続され、電流検出抵抗22の一端は、抵抗を介して電源IC18のISEN端子に接続される。従って、電流検出抵抗22に電流が流れることで、その電流値に応じた電圧がISEN端子に印加され、電源ICで検出される。ハイサイドMOSFET16H及びローサイドMOSFET16Lの接続節点はトランス20の一次側コイルの一端に接続され、ローサイドMOSFET16Lの他端はトランス20の一次側コイルの他端に接続される。
トランス20の一次側コイルは上記のようにスイッチング部16に接続され、トランス20の二次側コイルは整流部24に接続されて整流され、直流電圧に変換されて負荷26に供給される。電源IC18によるスイッチング部16の出力であるスイッチング信号によりトランス20の一次側電圧が変化し、これによりトランス20の二次側に出力され負荷26に供給される出力電圧も変化する。
定電圧制御部28は、整流部24の出力電圧を監視し、出力電圧に応じてフォトカプラ30の発光ダイオードに流れる電流を調整する。すなわち、定電圧制御部28は、出力電圧が高ければ発光ダイオードに流れる電流を増大させ、出力電圧が低ければフォトカプラ30の発光ダイオードに流れる電流を減少させる。フォトカプラ30の受光素子は電源IC18のCOMP端子に接続される。出力電圧が高ければ発光ダイオードに流れる電流が増大するため、COMP端子のCOMP電圧は低下する。また、出力電圧が低ければ発光ダイオードに流れる電流は減少するためCOMP端子のCOMP電圧は高くなる。
切替信号生成部32は、待機状態(スタンバイ状態)と通常動作状態の切り替えに連動して信号を生成する回路であり、待機状態ではロー(Low)、通常動作状態ではハイ(Hi)となる切替信号を生成してフォトカプラ34に出力する。フォトカプラ34の受光側は、バイアス抵抗36を介して電源IC18の+5V端子及びISEN端子に接続される。従って、電源IC18のISEN端子には、フォトカプラ34がオンすることでバイアス抵抗36を介してバイアス電圧が印加される。
このような回路構成において、次に、本実施形態の動作について説明する。
<全体動作>
まず、全体動作について説明する。
電源IC18に含まれるドライバ回路が制御端子からスイッチング制御信号を出力することでスイッチング部16をオンオフ制御する。スイッチング部16のオンオフによる電圧変動がトランス20を介し、整流部24で整流されて直流電圧として負荷26に供給される。
スイッチング部16のハイサイドMOSFET16Hがオンしたときに電流検出抵抗22に電流が流れ、電源IC18のISEN端子に三角波状の電圧が印加される。電源IC18は、比較回路を有し、COMP端子の電圧(COMP電圧)に比例する電圧を基準電圧として、ISEN端子の電圧(ISEN電圧)と基準電圧とを大小比較する。
電源IC18は、比較回路での比較の結果、ISEN電圧が基準電圧未満であればハイサイドMOSFET16Hをオンのまま維持するが、ISEN電圧が基準電圧以上となると、ハイサイドMOSFET16Hをオンからオフに制御する。
<間欠動作モード>
次に、間欠動作モードについて説明する。
間欠動作モードは、二次側の負荷26が小さいときの動作であり、待機状態(スタンバイ状態)の動作である。二次側に供給する電力が二次側で消費される電力よりも大きいため、スイッチングを繰り返していると、二次側電圧が上昇していく。
定電圧制御部28は、二次側電圧である整流部24の出力電圧を監視しており、出力電圧が高くなるとフォトカプラ30の発光ダイオードに流れる電流を増大させるため、COMP電圧が低下する。
電源IC18は、トランス20の二次側電力に応じて変動するモード切替電圧として機能するCOMP電圧を監視し、COMP電圧が第1閾値、例えば1.75V未満であるか否かを判定する。COMP電圧が1.75V未満となると、電源IC18のドライバ回路はスイッチング制御信号の出力を停止してスイッチング部16のスイッチングを停止する。電源IC18は、COMP電圧が第2閾値、例えば1.82Vに達するまでスイッチングの停止状態を維持する。これにより、スイッチング期間とスイッチング休止期間が生成され、間欠動作モードとなる。
なお、二次側の負荷26が増加し、フォトカプラ30の発光ダイオードに流れる電流が減少してCOPM電圧が上昇し、COMP電圧が第1閾値、すなわち1.75V未満とならなくなると、スイッチング休止期間には入らなくなり、連続動作モードとなる。
<連続動作モード>
本実施形態において、待機状態(スタンバイ状態)から通常動作状態に移行すると、切替信号生成回路32からハイ信号が出力される。これにより、フォトカプラ34がオンとなり、バイアス抵抗36を介してバイアス電圧がISEN端子に印加される。バイアス電圧が印加されるため、ISEN電圧は上昇する。
全体動作において説明したように、電源IC18は、ISEN電圧と基準電圧とを比較し、ISEN電圧が基準電圧未満であればハイサイドMOSFET16Hをオンとし、ISEN電圧が基準電圧以上であればハイサイドMOSFET16Hをオフするため、バイアス電圧によりISEN電圧が上昇すると、ISEN電圧が基準電圧以上となりやすくなり、ハイサイドMOSFET16Hはオフしやすくなる。すなわち、ハイサイドMOSFET16Hのオン時間は短くなる。これにより、1回のスイッチングで二次側に供給される電力が減る。二次側に供給される電力が減少すると、定電圧制御部28によりCOMP電圧が上昇し、COMP電圧が第1閾値、すなわち1.75以上となって連続動作モードに移行する。
本実施形態では、従って、たとえ間欠動作している程度の負荷電流であったとしても、通常動作状態に切り替わり切替信号生成部32からハイ信号が出力されたことをトリガとして連続動作モードに自動的に移行する点に留意されたい。
図2に、本実施形態におけるタイミングチャートを示す。図2(a)は間欠動作時のタイミングチャート、図2(b)は切替信号生成部32、フォトカプラ34、及びバイアス抵抗36が存在しない場合の連続動作モードのタイミングチャート、図2(c)は本実施形態の連続動作モードのタイミングチャートである。
図2(a)において、上から順に、スイッチング部16のオンオフ状態、モード切替電圧としてのCOMP電圧、COMP電圧に比例した基準電圧(図ではCOMP電圧を示す)及びISEN電圧の時間変化を示す。電源IC18の比較回路は、ISEN電圧を基準電圧と比較し、その大小関係に応じてハイサイドMOSFET16Hのスイッチングをオンオフ制御する。COMP電圧が1.75V以上であればこのスイッチング制御を実行し、COMP電圧が1.75V未満になるとスイッチング制御を停止してスイッチング休止期間となる。COMP電圧が上昇して1.82Vに達すると、電源IC18は再びスイッチング制御を実行する。
図2(b)において、二次側の負荷26の負荷電流が増大して、COMP電圧が1.75V未満にならなくなると、電源IC18はスイッチング制御を実行し続けるので連続動作となる。待機状態から通常動作状態に切り替わっても、切替信号生成部32、フォトカプラ34及びバイアス抵抗36が存在しないため、ISEN端子にはバイアス電圧は印加されず、ISEN電圧は電流検出抵抗22による三角波状の電圧のみである。
図2(c)において、通常動作状態に切り替わると、切替信号生成部32、フォトカプラ34及びバイアス抵抗36によりISEN端子にはバイアス電圧が印加されるから、ISEN電圧は図2(b)の場合よりもバイアス電圧分だけ上昇する。
図3に、待機状態(スタンバイ状態)から通常動作状態に切り替わり、通常動作状態から再び待機状態(スタンバイ状態)に戻る場合のタイミングチャートを示す。図3(a)は、切替信号生成部32、フォトカプラ34及びバイアス抵抗36が存在しない場合のスイッチング部16のタイミングチャート、図3(b)は本実施形態のスイッチング部16のタイミングチャート、図3(c)は本実施形態の切替信号生成部32から出力される切替信号のタイミングチャートである。
図3(a)において、待機状態(スタンバイ状態)では間欠動作モードで動作し、スイッチング期間とスイッチング休止期間が存在する。通常動作状態においても、二次側の負荷26の負荷電流が小さい場合にはスイッチング制御を繰り返していると二次側電圧が上昇し、定電圧制御部28の動作によりCOMP電圧が1.75V未満となって間欠動作モードとなる。このような間欠動作モードから連続動作モードに移行する場合、上述したように、連続動作モードの開始時には大きな電流が流れるため、出力電圧に大きなノイズが混入し、後段にアンプ回路が接続されている場合にこのノイズによってアンプ回路の動作時に歪みが増大してしまう。
他方、図3(b)において、待機状態から通常動作状態に切り替わると、図3(c)に示すように切替信号がロー(Low)からハイ(Hi)となり、これによりISEN電圧にバイアス抵抗36を介してバイアス電圧が印加され、ISEN電圧が上昇する。このため、スイッチング部16のオン時間が短くなり、二次側に供給される電力が減少する。従って、たとえ二次側の負荷26の負荷電流が小さくてもCOMP電圧は1.75V未満となることはなく、あるいはたとえ1.75V未満になったとしても迅速にCOMP電圧が上昇して1.82Vに達して間欠動作モードを脱して連続動作モードに移行する。図において、通常動作状態では間欠動作モードではなく連続動作モードでスイッチングされていることを示す。この状態で再び待機状態(スタンバイ状態)に切り替わると、図3(c)に示すように切替信号がハイ(Hi)からロー(Low)となり、ISEN端子にはバイアス電圧が印加されず、間欠動作モードに移行する。
このように、本実施形態では、COMP電圧を第1閾値(1.75V)及び第2閾値(1.82V)と大小比較し、COMP電圧が第1閾値未満となった場合にスイッチング制御を停止して間欠動作モードに移行する回路構成において、待機状態(スタンバイ状態)から通常動作状態に切り替わった場合にISEN電圧にバイアス電圧を印加することで二次側に供給される電力を減少させてCOMP電圧を上昇させ、これによりCOMP電圧が第1閾値未満とならないように制御することで間欠動作モードから容易に脱出せしめて連続動作モードで動作するようにしたので、アンプ回路の歪みを効果的に抑制できる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、種々の変更が可能である。
例えば、本実施形態では、切替信号生成部32からの切替信号によりISEN電圧にバイアス電圧を印加することでCOMP電圧を上昇させて第1閾値以上とし、間欠動作モードから連続動作モードに移行しているが、COMP電圧を上昇させるのではなく、切替信号生成部32からの切替信号により電源IC18が第1閾値を減少させてもよい。これによっても、結果としてCOMP電圧が第1閾値以上となるため、間欠動作モードから連続動作モードに移行することになる。要するに、COMP電圧と第1閾値の少なくともいずれかを変更して連続動作モードに移行し易くすればよい。COMP電圧は、間欠動作モードと連続動作モードとを切り替えるためのモード切替電圧として機能し、他方、COMP電圧は、トランス20の二次側電圧により増減調整される。従って、切替信号生成部32からの切替信号によりCOMP電圧と第1閾値のいずれかを変更することは、トランス20の二次側電圧に応じて変動するモード切替電圧を閾値と大小比較してその比較結果に応じて間欠動作モードと連続動作モードを切り替える際に、切替信号に応じてモード切替電圧と閾値のいずれかを変更するものといえる。
また、本実施形態では、第1閾値を1.75V、第2閾値を1.82Vとしてヒステリシス特性を持たせているが、これは間欠動作モードと連続動作モードの切替をスムーズに行うためのものであり、必ずしも必須ではなく、第1閾値=第2閾値としてもよい。
10 プラグ、12 フィルタ、14 全波整流器、16 スイッチング部、18 電源IC,20 トランス、22 電流検出抵抗、24 整流部、26 負荷、28 定電圧制御部、30,34 フォトカプラ、32 切替信号生成部、36 バイアス抵抗。

Claims (3)

  1. 交流電圧を直流電圧に変換する整流器と、
    前記整流器に接続されるスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子に一次側が接続され、二次側に負荷が接続されるトランスと、
    前記スイッチング素子のスイッチングを制御する制御部と、
    待機状態と通常動作状態との切替に応じて切替信号を前記制御部に出力する切替信号生成部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記トランスの二次側電力に応じて変動するモード切替電圧を閾値と大小比較し、その比較結果に応じて前記スイッチング素子を間欠動作モードと連続動作モードとの間で切り替えて制御するものであり、かつ、前記切替信号に応じて前記モード切替電圧と閾値のいずれかを変更することで、前記通常動作状態において前記連続動作モードに切り替える
    ことを特徴とするスイッチング電源。
  2. 請求項1に記載のスイッチング電源において、
    前記制御部は、前記モード切替電圧が前記閾値未満の場合に前記間欠動作モードで制御するものであり、かつ、前記切替信号が前記通常動作状態を示す信号である場合に前記モード切替電圧を上昇させ、あるいは前記閾値を小さく変更する
    ことを特徴とするスイッチング電源。
  3. 請求項2に記載のスイッチング電源において、さらに、
    前記トランスの二次側電圧を検出し、前記二次側電圧が上昇するとこれに応じて低下するように前記モード切替電圧を生成する定電圧制御部と、
    前記トランスの一次側電流を検出する電流検出手段と、
    前記切替信号が前記通常動作状態を示す信号である場合に前記電流検出手段の出力電圧にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段と、
    を備え、
    前記制御部は、前記電流検出手段の出力電圧と前記モード切替電圧に比例する基準電圧とを比較し、前記電流検出手段の出力電圧が前記基準電圧以上の場合に前記スイッチング素子をオンからオフに制御し、かつ、前記切替信号が前記通常動作状態を示す信号である場合に前記バイアス印加手段で前記バイアス電圧が印加された前記電流検出手段の出力電圧を前記基準電圧と比較することで前記モード切替電圧を上昇させる
    ことを特徴とするスイッチング電源。
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