JP2015089126A5 - - Google Patents

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  1. 第1のFET(電界効果トランジスタ)および第2のFETが差動対の構成で接続される、第1のFETおよび第2のFETを備える第1の差動増幅器と、
    第1のDAC出力が前記第1のFETのバルク端子に接続される第1のDAC出力を備える電圧モードデジタルアナログコンバータ(DAC)と、
    前記DACに接続されるDAC電圧制限回路と、
    を備え
    前記DAC電圧制限回路は、
    前記DACの最大DAC出力電圧に等しい複製電圧を生成する複製回路と
    前記最大DAC出力電圧を制御する制御電圧を生成するフィードバック増幅器とを備え、この制御電圧は、前記複製電圧と、前記差動対の構成のテール部の電圧との差に比例する予測的決定フィードバックイコライゼーションを有する受信機。
  2. 第1のFET(電界効果トランジスタ)および第2のFETが差動対の構成で接続される、第1のFETおよび第2のFETを備える第1の差動増幅器と、
    第1のDAC出力が前記第1のFETのバルク端子に接続される、第1のDAC出力を備える電圧モードデジタルアナログコンバータ(DAC)と、
    前記DACに接続されるDAC電圧制限回路と、
    を備え、
    前記DACは、
    DAC抵抗器と、
    複数の分岐と、
    バイアス制御入力と、
    を備え、
    前記DAC電圧制限回路は、
    前記第1の差動増幅器の共通ノードに接続される基準電圧入力と、
    前記DACの複数の分岐のうちの一つの分岐のサイズが調節された複製を備え、且つ、複製電圧出力を有する複製回路と、
    を備える予測的決定フィードバックイコライゼーションを有する受信機。
  3. 前記DACの複数の分岐のそれぞれは、分岐電流ソースを備えることを特徴とする請求項2に記載の受信機。
  4. 前記DACの第1の分岐の分岐電流ソースは、第1のゲート幅を有するFETとして前記FETのゲートがDACのバイアス制御入力に接続されるFETを備え、前記DACの複数の分岐のうちの残りの分岐の分岐電流ソースは、前記第1のゲート幅の2の累乗に増加するゲート幅を有するFETを備えることを特徴とする請求項3に記載の受信機。
  5. 前記複製回路は直列に接続された電流ソース複製FET、スイッチングトランジスタ複製FETおよび複製抵抗器を備えることを特徴とする請求項3に記載の受信機。
  6. 前記DACの複数の分岐のそれぞれの分岐電流ソースはそれぞれのゲート幅を有するFETを備え、
    前記複製抵抗器の抵抗は、kが複製サイズ調節要素であるとき、前記DAC抵抗器の抵抗のk倍であり、
    前記電流ソース複製FETのゲート幅は、前記DACの複数の分岐の分岐電流ソースのゲート幅の和であることを特徴とする請求項5に記載の受信機。
  7. 前記DAC電圧制限回路は、第1の入力および第2の入力を有し、前記第1の入力は複製電圧出力に接続され、前記第2の入力は基準電圧入力に接続されるフィードバック増幅器を備えることを特徴とする請求項5に記載の受信機。
  8. 前記フィードバック増幅器は、前記第1の入力における電圧が前記第2の入力における電圧と実質的に等しく維持されるように構成されることを特徴とする請求項7に記載の受信機。
  9. 前記フィードバック増幅器は出力を備え、前記出力は第1のバイアス制御FETのゲートに接続され、前記第1のバイアス制御FETは第2のバイアス制御FETと直列に接続され、前記第2のバイアス制御FETはダイオード接続されることを特徴とする請求項8に記載の受信機。
  10. 前記第2のバイアス制御FETは電流ミラーにおいて基準装置として作動するように構成され、前記電流ソース複製FETおよび前記DACの分岐電流ソースのFETは電流ミラーにおけるミラー装置であることを特徴とする請求項9に記載の受信機。
  11. 前記第1の差動増幅器の前記第1のFETおよび前記第2のFETはn−チャンネルFETであり、
    前記第1のFETのソースは前記第1の差動増幅器の共通ノードに接続され、
    前記第2のFETのソースは前記第1の差動増幅器の共通ノードに接続されることを特徴とする請求項10に記載の受信機。
  12. 前記DACは第1のDAC出力および第2のDAC出力を備える差動DACであり、前記第2のDAC出力は前記第2のFETのバルク端子に接続されることを特徴とする請求項2に記載の受信機。
  13. 前記DACの複数の分岐のそれぞれは、分岐電流ソースを備えることを特徴とする請求項12に記載の受信機。
  14. 前記DACの第1の分岐の前記分岐電流ソースは、第1のゲート幅を有するFETとして前記FETのゲートが前記DACのバイアス制御入力に接続されるFETを備え、前記DACの複数の分岐のうちの残りの分岐の分岐電流ソースは、前記第1のゲート幅の2の累乗で増加するゲート幅を有するFETを備えることを特徴とする請求項13に記載の受信機。
  15. 前記複製回路は、直列に接続された電流ソース複製FETと、スイッチングトランジスタ複製FETおよび複製抵抗器を備えることを特徴とする請求項13に記載の受信機。
  16. 前記DACの複数の分岐のそれぞれの分岐電流ソースは、それぞれのゲート幅を有するFETを備え、
    前記複製抵抗器の抵抗は、kが複製サイズ調節要素であるとき、前記DAC抵抗器の抵抗のk倍であり、
    前記電流ソース複製FETのゲート幅は、前記DACの複数の分岐の分岐電流ソースのゲート幅の和であることを特徴とする請求項15に記載の受信機。
  17. 前記DAC電圧制限回路は第1の入力および第2の入力を有し、前記第1の入力は複製電圧出力に接続され、前記第2の入力は基準電圧入力に接続されるフィードバック増幅器を備えることを特徴とする請求項15に記載の受信機。
  18. 前記フィードバック増幅器は増幅器出力を備え、前記増幅器出力は第1のバイアス制御FETのゲートに接続され、前記第1のバイアス制御FETは第2のバイアス制御FETと直列に接続され、前記第2のバイアス制御FETはダイオード接続されることを特徴とする請求項17に記載の受信機。
  19. 第1のFETおよび第2のFETを備える第2の差動増幅器をさらに備え、前記第2の差動増幅器における前記第1のFETおよび第2のFETは異なる対の構成で接続されることを特徴とする請求項12に記載の受信機。
  20. 前記第1のDAC出力は、前記第2の差動増幅器の第2のFETのバルク端子に接続され、前記第2のDAC出力は、前記第2の差動増幅器の第1のFETのバルク端子に接続されることを特徴とする請求項19に記載の受信機。
  21. デジタル出力を備えるタイミングコントローラと、
    IC入力、及び、請求項1に記載の受信機備えるドライバ集積回路ICと、
    を備え、
    前記受信機の受信機入力が、前記IC入力に接続され、
    前記タイミングコントローラの前記デジタル出力は、前記ドライバICの前記IC入力に接続されることを特徴とするディスプレイ。
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