JP2015087614A - バンドル型マルチコアファイバおよび光配線板型光ファイバ - Google Patents

バンドル型マルチコアファイバおよび光配線板型光ファイバ Download PDF

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Kentaro Ichii
健太郎 市井
松尾 昌一郎
Shoichiro Matsuo
昌一郎 松尾
竹永 勝宏
Katsuhiro Takenaga
勝宏 竹永
山田 誠
Makoto Yamada
誠 山田
小野 浩孝
Hirotaka Ono
浩孝 小野
恭三 辻川
Kyozo Tsujikawa
恭三 辻川
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Abstract

【課題】 クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができるバンドル型マルチコアファイバ、及び、光配線板型光ファイバを提供する。
【解決手段】 3本以上の光ファイバ10a〜10gが互いに結束されてなるバンドル型マルチコアファイバ、或いは、3本以上の光ファイバ10a〜10cが平面状に横並びに配置されてなる光配線板型光ファイバは、少なくとも1本の光ファイバと他の光ファイバとの相対的な位置関係が、長手方向に沿って変化することを特徴とする。
【選択図】 図4

Description

本発明は、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができるバンドル型マルチコアファイバおよび光配線板型光ファイバに関する。
近年、光ファイバ通信システムの普及に伴い、伝送される情報量が飛躍的に増大している。このような伝送される情報量の増大に伴い、複数のコアの外周面が1つのクラッドにより囲まれたマルチコアファイバの研究がなされている(下記非特許文献1参照)。
また、マルチコアファイバの他の形態として、既存の単芯の光ファイバを束ねて成るバンドル型のマルチコアファイバが提案されている(下記非特許文献2参照)。このような単芯の光ファイバが多数バンドルされたバンドル型のマルチコアファイバによれば、一つのクラッド内に複数のコアを配置する必要が無く、広く普及している単芯の光ファイバを用いることができるため、製造が容易であるというメリットを有している。
K. Mukasa et al., "Multi−core fiber for space−division−multiplexing," Korea−Japan Workshop on Beyond 100G, ThB4, Jeju Grand Hotel, Korea, 2011 K. Hogari et al., "Nobel Optical Fiber Cable with Ultrahigh Density," Jounal of Lightwave Technology, Vol.26, No. 17 (2008)
ところで、通常光ファイバは、コアと、コアの外周面を囲むクラッドと、クラッドの外周面を被覆する被覆層を有している。この被覆層は、通常、クラッドよりも高い屈折率とされ、クラッドの保護層としての機能の他、クラッドを伝搬する不要な光を吸収する機能を有している。
しかし、非特許文献2に記載のバンドル型のマルチコアファイバを細径化するために、結束されるそれぞれの光ファイバのクラッドの外径や被覆層の厚さを小さくすると、被覆層が仮想のコアとして働く場合があり、この場合、互いに隣り合う単芯の光ファイバにおいて、被覆層を介したクロストークが生じる場合があるということが、本発明者等により見出された。
また、このようなクロストークを抑制するために、被覆層の屈折率がクラッドの屈折率以下とされるバンドル型マルチコアファイバが考えられる。しかし、被覆層の屈折率がクラッドの屈折率以下とされる場合であっても、クラッドの厚みや、被覆層の厚みが小さくされ、互いに隣り合うコア同士の距離が小さくされるとクロストークが生じる場合がある。
このようなクロストークは、バンドル型マルチコアファイバにおいて配置される光ファイバの位置により異なる。例えば、中心に1本の光ファイバが配置され、この光ファイバを囲むように6本の光ファイバが配置される場合、中心に配置される光ファイバは、周囲に配置される光ファイバよりもクロストーク量が大きくなる傾向がある。また、バンドル型マルチコアファイバを構成する複数の光ファイバの特性は、必ずしも同じではない。例えば、特定の光ファイバ同士が互いに隣り合って配置されると、他の光ファイバ同士が互いに隣り合って配置される場合よりも、クロストークが生じ易くなる場合がある。このようにバンドル型マルチモードファイバでは偶発的にクロストークが生じ易い光ファイバ同士が隣り合う場合がある。この場合、クロストークが生じ易い光ファイバの組は、他の光ファイバの組よりもクロストーク量が大きくなる。従って、このようなバンドル型マルチコアファイバでは、光ファイバ毎にクロストーク量が偏る傾向がある。また、バンドル型マルチコアファイバに用いられるような複数の光ファイバが横並びに平面状に配列されてなる光配線板型光ファイバが知られている。上記のクロストークが偏る傾向は、この光配線板型光ファイバにおいても生じ得る。このように光ファイバ毎にクロストーク量が偏るとそれぞれの光ファイバから信号を受信する受信部における信号の再現が困難となる場合がある。
そこで、本発明は、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができるバンドル型マルチコアファイバ、及び、光配線板型光ファイバを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明は、3本以上の光ファイバが互いに結束されてなるバンドル型マルチコアファイバ、或いは、3本以上の光ファイバが平面状に横並びに配置されてなる光配線板型光ファイバであって、少なくとも1本の前記光ファイバと他の光ファイバとの相対的な位置関係が、長手方向に沿って変化することを特徴とするものである。
少なくとも1本の光ファイバと他の光ファイバとの相対的な位置関係が、長手方向に沿って変化することにより、当該1本の光ファイバと他の光ファイバとのクロストークの状態が変化する。このようにクロストークの状態が変化することで、特定のクロストークが維持されることを防止することができる。従って、特定の光ファイバのクロストーク量が大きくなることを抑制することができる。こうして、それぞれの光ファイバの相対的な位置関係が変化しない場合と比べて、本発明のバンドル型マルチコアファイバや光配線板型光ファイバは、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができるのである。
また、前記複数の光ファイバの内、少なくとも2本の光ファイバの位置が長手方向に沿って入れ替わることが好ましい。
少なくとも2本の光ファイバの位置が入れ替わることにより、互いに入れ替わる光ファイバのクロストークの状態が、2本の光ファイバの位置が入れ替わる前後で異なる状態となる。例えば、ある特定の光ファイバのクロストーク量が大きい場合であっても、この光ファイバが他の光ファイバと入れ替わることで、この特定の光ファイバのクロストーク量を低減することができる。一方、特定の光ファイバと位置が入れ替わった光ファイバは、クロストーク量が大きくなる傾向にある。従って、このような構成とすることにより、光ファイバ毎のクロストーク量の差をより低減することができるのである。
また、それぞれの前記光ファイバのクラッドの外径が30μm以上50μm以下であることが好ましい。クラッドの外径が30μm以上であれば、クラッド径が細くなることによる損失増加を抑制することが可能になる。また、必要な機械的強度を確保することが可能になる。また、クラッドの外径が50μm以下とされることで、通常の125μm外径のものに比べて収容径を小さくすることが可能になる。
また、それぞれの前記光ファイバのクラッドを被覆する被覆層の厚みが5μm以上50μm以下であることが好ましい。被覆層の厚みが5μm以上であれば、十分に被覆層の厚みを確保でき、被覆層の厚みが50μm以下であれば、クラッドと被覆層とにおける光の閉じ込め力が大きくなり過ぎずに、高次モードの光を逃げやすくすることができる。
また、それぞれの前記光ファイバのコアには活性元素が非添加とされることとしても良く、この場合、バンドル型マルチコアファイバや光配線板型光ファイバを通信における光信号の長距離伝送用途に用いることができる。そしてこの場合、波長が1550nmの光が前記コアを伝搬する場合に、クロストークが1000mあたり−30dB以下とされることが好ましい。
また、それぞれの前記光ファイバのコアには活性元素が添加されていることとしても良く、この場合、バンドル型マルチコアファイバや光配線板型光ファイバをバンドル型増幅用マルチコアファイバや光配線板型増幅用光ファイバとすることができる。そしてこの場合、波長が1550nmの光が前記コアを伝搬する場合に、クロストークが10mあたり−30dB以下とされることが好ましい。
以上のように、本発明によれば、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができるバンドル型マルチコアファイバ、及び、光配線板型光ファイバが提供される。
本発明の実施形態に係るバンドル型マルチコアファイバの長手方向に垂直な断面図である。 図1に示す光ファイバの様子を示す図である。 コア間距離と結合定数との関係を被覆層の屈折率毎に示す図である。 図1に示すバンドル型マルチコアファイバにおける光ファイバの配置を説明する図である。 マルチコアファイバのシミュレーションモデルを示す図である。 図5のモデルのシミュレーション結果を示す図である。 図4に示すバンドル型マルチコアファイバを用いた光ファイバ増幅器を示す図である。 本発明の実施形態に係る光配線板型光ファイバの長手方向に垂直な断面図である。 図8に示す光配線板型光ファイバにおける光ファイバの配置を説明する図である。 光配線板型光ファイバのシミュレーションモデルを示す図である。 図10のモデルのシミュレーション結果を示す図である。 比較例1の測定結果を示す図である。
以下、本発明に係るバンドル型マルチコアファイバ、光配線板型光ファイバの好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、理解の容易のため、ぞれぞれの図に記載のスケールと、以下の説明に記載のスケールとが異なる場合がある。
(バンドル型マルチコアファイバ)
図1は、本実施形態に係るバンドル型マルチコアファイバ(以下マルチコアファイバと称する場合がある)の長手方向に垂直な断面図である。図1に示すようにマルチコアファイバ1は、互いに結束された複数の光ファイバ10a〜10gと、それぞれの光ファイバ10a〜10gを結束するシース15とを備えている。なお、本実施形態では、光ファイバが7本の例とされ、中心に1本の光ファイバ10aが配置され、中心に配置された光ファイバ10aを取り囲むように外周側に6本の光ファイバ10b〜10gが配置され、互いに隣り合う光ファイバの外周面同士が互いに接している。つまり本実施形態では、それぞれの光ファイバ10a〜10gは、1−6配置とされて、最密充填配置されている。
図2は、図1に示すそれぞれの光ファイバ10a〜10gの様子を示す図である。具体的には、図2(A)は、図1に示す光ファイバ10a〜10gの長手方向に垂直な断面図であり、図2(B)は、図2(A)に示す光ファイバ10a〜10gの径方向での屈折率分布を示す図である。なお、本実施形態では、特に言及がない限り光ファイバ10a〜10gがそれぞれ同様の構成として説明する。
図2(A)に示すように、光ファイバ10a〜10gは、コア11と、コア11の外周面を隙間なく囲むクラッド12と、クラッド12の外周面を被覆する被覆層13とを備える。本実施形態では、コア11のモードフィールド直径(MFD:Mode Field Diameter)は例えば波長1550nmにおいて5μm以上10μm以下とされ、クラッド12の外径は例えば30μm以上50μm以下とされる。クラッド12の外径が30μm以上とされることで、伝送損失の増加を抑制することができると共に、必要な機械的強度を確保することができる。また、クラッド12の外径が50μm以下とされることで、クラッド径125μmの従来構造ファイバでは実現不可能な小径での収納を実現することができる。
また、被覆層13の厚みは例えば5μm以上50μm以下とされる。被覆層13は、通常、塗布した紫外線硬化性樹脂等といった未硬化状態の樹脂を硬化させることで形成する。このため被覆層13の厚みには、部分によるばらつきが生じやすい。しかし、被覆層13の厚みが5μm以上であれば、どの部分においても十分に被覆層13の厚みを確保できる。また、被覆層13の厚みが50μm以下であれば、クラッド12と被覆層13とにおける光の閉じ込め力が大きくなり過ぎずに、伝搬する光のうち高次モードの光を逃げやすくすることができ、それぞれの光ファイバ10a〜10gを高次モードの光が伝搬することを抑制することができる。
上記のようにクラッド12の外径が30μm以上50μm以下とされ、被覆層13の厚みが被覆層13の厚みは例えば5μm以上50μm以下とされると、互いに隣り合う光ファイバ10のコア11の中心間距離(コア間距離)は、40μm以上150μm以下とされる。
また、図2(B)に示すように、クラッド12の屈折率nはコア11の屈折率nよりも低くされている。さらに、被覆層13の屈折率nはクラッド12の屈折率n以下とされ、本実施形態ではクラッド12の屈折率nよりも低くされている。コア11とクラッド12の比屈折率差は、光ファイバの用途に応じて大きく異なる。一般的は、伝送用シングルモードファイバの場合は、0.35%前後、増幅用光ファイバの場合は0.9%前後であることが多い。クラッド12には、シリカガラス(SiO)が広く用いられる。必要に応じて塩素やフッ素といったドーパントが添加される。ドーパントを添加された場合のクラッドのシリカガラスに対する比屈折率差は−0.3%以上0.1%以下であることが一般的である。また、被覆層13の屈折率nは、例えばクラッド12の屈折率nが1.456である場合に、例えば1.3以上1.45以下とされる。つまり、クラッド12と被覆層13との比屈折率差(n −n )/n は、例えば−10%以上−1.5%以下とされる。クラッド12に対する被覆層13の比屈折率差が−1.5%以下であれば、クラッドと被覆層の屈折率の波長依存性および温度依存性の違いによらず常に被覆の屈折率をクラッドの屈折率より低くすることが可能になる。また、クラッドに対する被覆層の屈折率差が−10%以上であれば、クラッド厚を適切に設定することにより高次モードの過度の閉じこめを防ぐことが可能になり、コアの光学特性を変えない設計を行うことが可能になる。
なお、コア11には、活性元素が添加されていても良い。この場合、それぞれの光ファイバ10a〜10gは増幅用光ファイバとされ、マルチコアファイバ1はバンドル型増幅用マルチコアファイバとされる。この活性元素は励起光を吸収することで励起状態とされる元素であり、イッテルビウム(Yb)、ネオジウム(Nd)、エルビウム(Er)、プラセオジウム(Pr)、ツリウム(Tm)、ホロミウム(Ho)、テルビウム(Tb)等の希土類元素を挙げることができる。さらに活性元素として、希土類元素の他に、Bi(ビスマス)を挙げることができる。さらに、活性元素として、Ti(チタン)、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)等の遷移金属を挙げることができる。
また、シース15は、複数の光ファイバ10a〜10gを結束する限りにおいて特に限定されないが、例えば紫外線硬化樹脂から成る。またシース15の屈折率は、例えばその屈折率がクラッド12の屈折率n以下であることが好ましく、被覆層13の屈折率nの屈折率より小さいことが好ましい。シース15の屈折率がこのように低くされる場合、仮にシース15を構成する樹脂が光ファイバ10a〜10gの間に入り込む場合があっても、シース15が仮想のコアとされることが無く、この仮想のコアを介したクロストークを防止することができる。このように複数の光ファイバ10を結束するシース15を形成するには、例えば、押し出し成型によりシース15を形成すればよい。
ここで、コア間距離と被覆層13の関係について説明する。まず、コア11とクラッド12とから成り、クラッド12の外径が40μmで屈折率が1.456であって、コア11のクラッド12に対する比屈折率差が1%であり、カットオフ波長が0.91μmである光ファイバ素線を想定した。そして、この光ファイバ素線が、屈折率が1.30,1.40,1.454,1.456,1.458である被覆層で被覆されるそれぞれの場合について、被覆層13の屈折率ごとにコア間距離と結合定数との関係を調べた。
図3は、コア間距離と結合定数との関係を被覆層13の屈折率毎に示す図である。図3に示すように、被覆層13の屈折率が低くなるほど結合定数が低くなり、同じ結合定数であれば被覆層13の屈折率が低くなるほどコア間距離を小さくすることができることが分かる。また、被覆層13の屈折率が1.456から1.458へ変化する場合の結合定数の変化は、被覆層13の屈折率が1.454から1.456へ変化する場合の結合定数の変化よりも大きいことが分かる。つまり、被覆層13の屈折率がクラッド12の屈折率(1.456)よりも高くなると、結合定数が急激に大きくなることが分かる。また、結合定数がある値に定められる場合、被覆層13の屈折率がクラッド12の屈折率(1.456)よりも高くなると、コア間距離を急激に大きくしなければならないことが分かる。上記のように本実施形態のマルチコアファイバ1では、被覆層13の屈折率がクラッド12の屈折率以下とされるため、被覆層13の屈折率がクラッド12の屈折率より高い場合と比べて、結合定数が抑えられており、細線化してもクロストークが抑えられることが分かる。
このようなマルチコアファイバ1のそれぞれの光ファイバ10a〜10gのコア11に信号光が入射すると、信号光はそれぞれのコア11を伝搬する。このとき上記のように被覆層13の屈折率nが、クラッド12の屈折率n以下とされるため、互いに隣り合う光ファイバのクラッド12間に位置する被覆層13が仮想のコアとして働くことを抑制できる。また、本実施形態におけるそれぞれの光ファイバ10a〜10gの被覆層13の屈折率nは、クラッド12の屈折率より低くされている。このため被覆層13が、上記のように仮想のコアとして働かないばかりか、互いに隣り合う光ファイバ10a〜10gのクラッド12間におけるクロストークのバリア層として機能することができる。従って、マルチコアファイバ1の細径化のために、それぞれの光ファイバ10a〜10gのクラッド12の外径が小さくされたり、被覆層13が薄くされたりする場合であっても、互いに隣り合う光ファイバにおける被覆層13を介したクロストークを抑制することができる。こうして、本実施形態のマルチコアファイバ1によれば、細径化される場合であってもクロストークを抑制することができる。
なお、マルチコアファイバ1は、通信における伝送用途に用いられることができる。この場合、数百mから1万m程度の長さで使用され、1000mあたり−30dB以下のクロストークであれば十分に実用可能である。
また、上記のようにコア11に活性元素が添加され、マルチコアファイバ1がバンドル型増幅用マルチコアファイバとされる場合においては、10m程度の長さで使用され、10mあたり−30dB以下のクロストークであれば十分に実用可能である。この場合コア11に信号光および励起光が入射すると、活性元素は励起光を吸収して励起状態とされる。そして、励起状態の活性元素が信号光により誘導放出を起こすことで、信号光は増幅される。この場合であっても、上記と同様にして互いに隣り合う光ファイバにおける被覆層13を介したクロストークを防止することができる。従って、細径化される場合であってもクロストークを抑制することができる。
なお、マルチコアファイバ1において、コア11とクラッド12との屈折率差が、互いに隣り合う光ファイバにおいて互いに異なるようにしても良い。このように屈折率差が異なることにより、互いに隣り合う光ファイバにおける光の伝搬条件を異ならすことができ、よりクロストークを小さくすることができる。この場合、互いに隣り合う光ファイバのコア11の屈折率が互いに等しく、かつ、互いに隣り合う光ファイバのクラッド12の屈折率が互いに異なることにより、互いに隣り合う光ファイバのコア11とクラッド12の屈折率差が互いに異なる構成とされることが好ましい。或いは、互いに隣り合う光ファイバのクラッド12の屈折率が互いに等しく、かつ、互いに隣り合う光ファイバのコア11の屈折率が互いに異なることにより、互いに隣り合う光ファイバのコア11とクラッド12の屈折率差が互いに異なる構成とされてもやはり好ましい。また、それぞれの被覆層13の屈折率が、互いに隣り合う光ファイバにおいて互いに異なるようにしても良い。
次にマルチコアファイバ1を構成するそれぞれの光ファイバ10a〜10gの配置について説明する。
図4は、図1に示すバンドル型マルチコアファイバ1における光ファイバ10a〜10gの配置を説明する図である。なお、図4では、シース15は省略されている。上記のように本実施形態のマルチコアファイバ1では、7本の光ファイバ10a〜10gが最密充填配置されている。本実施形態では、図4に示すように、マルチコアファイバ1の長手方向に沿った区間S1では、中心に光ファイバ10aが配置され、光ファイバ10aを取り囲むように光ファイバ10b〜光ファイバ10gが配置されている。区間S1に隣接する区間S2にかけて、複数の光ファイバ10a〜10gの内、2本の光ファイバの位置が入れ替わる。具体的には、光ファイバ10aと光ファイバ10bの位置が入れ替わる。このため、区間S1と区間S2とでは、光ファイバ10a及び光ファイバ10bと他の光ファイバ10c〜10gとの相対的な位置関係が変化している。また、ある特定の区間Snでは、区間S2から1回以上2本の光ファイバが入れ替わることで、区間S1における光ファイバ10a〜10gの配置に対して、光ファイバ10aと光ファイバ10gとが入れ替わった配置とされている。
次に、マルチコアファイバ1のクロストークについて説明する。
図5は、マルチコアファイバ1のシミュレーションモデルを示す図である。図5に示すように本モデルでは、それぞれの光ファイバ10a〜10gがコア11、クラッド12から成り、図1に示す被覆層13を有さない。そして互いに隣り合う光ファイバ10のクラッド12同士が接して、複数の光ファイバが1−6配置されている。また、それぞれの光ファイバ10a〜10gにおいて、コア11の屈折率を径方向で一定として、コア11とクラッド12の比屈折率差を1%とし、カットオフ波長を0.91μmとし、クラッド12の屈折率を1.456とし、クラッド12の周囲の空間の屈折率をクラッド12と同じとした。また、クラッドの外径を40μmとした。この場合、互いに隣り合う光ファイバ同士のコア間距離(コア11の中心間距離)Λは40μmとなり、光ファイバ10bと光ファイバ10fのように次に離れている光ファイバ同士のコア間距離Λは69.3μmとなり、光ファイバ10bと光ファイバ10eのように最も離れている光ファイバ同士のコア間距離Λは80μmとなる。そして、光ファイバ同士の結合定数は、コア間距離が40μmの光ファイバ同士で3.57×10−3(/m)とし、コア間距離が69.3μmの光ファイバ同士で3.81×10−8(/m)とし、コア間距離が80μmの光ファイバ同士で5.81×10−10(/m)とした。
また、本シミュレーションモデルでは、マルチコアファイバ1の長さを5mとして、光ファイバ10a〜10gのうち2本の光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を420とした。
上記のような条件のシミュレーションモデルにおけるクロストークのシミュレーションを行った。その結果を図6に黒丸で示す。図6に示すように光ファイバ10a〜10gのクロストーク量に差はなかった。
次に、光ファイバ10a〜10gの配置が図5と同様であり、それぞれの光ファイバのパラメータが上記のシミュレーションモデルと同様であるものの、光ファイバの位置が変化しない比較のシミュレーションモデルを準備した。そして、この比較のシミュレーションモデルに対してクロストークのシミュレーションを行った。その結果を図6に白丸で示す。図6に示すように、比較のシミュレーションモデルでは、中心に配置された光ファイバ10aのクロストーク量が他の光ファイバ10b〜10gよりも大きい結果となった。従って、本実施形態のマルチコアファイバ1によれば、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができることが示された。また、比較のシミュレーションモデルでは、どの光ファイバのクロストーク量も、上記マルチコアファイバ1のシミュレーションモデルにおける光ファイバのクロストーク量よりも大きい結果となった。本シミュレーションの場合、光ファイバの位置が変化しない場合と比べて、光ファイバの位置が変化する場合には、クロストーク値を最大4.8dB低減できることが確認できた。このように本実施形態のマルチコアファイバ1によれば、光ファイバのクロストーク量も小さくなる結果となった。
以上説明したように、本発明のマルチコアファイバ1によれば、2本の光ファイバの位置が入れ替わるように変化することにより、これら2本の光ファイバと他の光ファイバとのクロストークの状態が変化する。このようにクロストークの状態が変化することで、特定のクロストークの状態が維持されることを防止することができる。従って、特定の光ファイバのクロストーク量が大きくなることを抑制することができる。こうして、それぞれの光ファイバの相対的な位置関係が変化しない場合と比べて、マルチコアファイバ1は、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができる。
なお、本実施形態では、2本の光ファイバ10a,10bが互いに入れ替わることにより、2本の光ファイバ10a,10bと他の光ファイバ10c〜10gの相対的位置関係が、長手方向に沿って変化した。しかし、光ファイバ同士の位置が入れ替わらずとも、本発明のバンドル型マルチコアファイバは、少なくとも1本の光ファイバと他の光ファイバとの相対的位置関係が長手方向に沿って変化する構成とすればよい。例えば、区間S1ではそれぞれの光ファイバ10a〜10gの配置が図4と同様とされるものの、区間S1において光ファイバ10bのみが移動されて、光ファイバ10bが光ファイバ10c及び光ファイバ10dに隣り合うようにそれぞれの光ファイバが配置される構成としても良い。ただし、この場合、区間S1において光ファイバ10bが配置されていた場所が、区間S2においては空き領域となりマルチコアファイバの細線化に反するため、上記実施形態のように少なくとも2本の光ファイバの位置が入れ替わることにより、光ファイバ同士の相対的な位置関係が長手方向に沿って変化することが好ましい。また、光ファイバ同士の相対的な位置関係が長手方向に沿って変化する限りにおいて、3本以上の光ファイバの位置が同時に入れ替わっても良い。
(光ファイバ増幅器)
次に、図1に示すマルチコアファイバ1を用いた光ファイバ増幅器について説明する。
図7は、図1に示すマルチコアファイバ1を用いた光ファイバ増幅器を示す図である。図7に示すように光ファイバ増幅器5は、マルチコアファイバ1と、マルチコアファイバ1のそれぞれの光ファイバ10a〜10gに対応する複数の入力部20と、マルチコアファイバ1のそれぞれの光ファイバ10a〜10gに対応する複数の出力部30と、制御部40とを主な構成として備える。なお、理解の容易のため、図7において電気信号が伝導する信号線は破線で示されている。
光ファイバ増幅器5に用いられるマルチコアファイバ1のそれぞれの光ファイバ10a〜10gのコア11には活性元素が添加されており、マルチコアファイバ1は上記のバンドル型増幅用マルチコアファイバとされている。この活性元素としては、例えばエルビウムとされる。
それぞれの入力部20は、アイソレータ21と、励起光を出射する励起光源23と、アイソレータ21から出射する信号光および励起光源23から出射する励起光をマルチコアファイバ1のそれぞれの光ファイバ10に接続される光ファイバ25に入射するWDMカプラ(Wavelength Division Multiplexing Coupler)22とを備える。
アイソレータ21は、入射する信号光をマルチコアファイバ1側に出射して、これとは逆側に伝搬する光を損失させる。
励起光源23は、マルチコアファイバ1におけるそれぞれの光ファイバ10a〜10gのコア11に添加される活性元素に吸収される波長の励起光を出射する。この励起光の波長は、上記のように活性元素がエルビウムである場合、例えば1480nmとされる。
WDMカプラ22は、アイソレータ21から出射する信号光および励起光源23から出射する励起光をマルチコアファイバ1のそれぞれの光ファイバ10a〜10gに接続される光ファイバ25に入射する。
また、それぞれの出力部30は、WDMカプラ32と、アイソレータ31と、光検出部33とを備える。
WDMカプラ32は、マルチコアファイバ1の光ファイバ10a〜10gに接続される光ファイバ35に接続されており、光ファイバ35を介してマルチコアファイバ1の光ファイバ10a〜10gから出射する信号光の一部を分離する。
アイソレータ31は、WDMカプラ32から出射する信号光が入射して、入射する信号光を出力側の光ファイバ34に出射する。
光検出部33は、WDMカプラ32により分離された信号光を電気信号に変換する光電変換素子から構成される。この光電変換素子としては、例えばフォトダイオードを挙げることができる。そして、光検出部33は、WDMカプラ32で分離された信号光の強度に基づいた電気的信号を制御部40に出力する。
制御部40は、比較器や、論理ゲート、CPU(Central Processing Unit)等で構成されており、光検出部33から受ける信号に基づいた制御信号を生成し、この制御信号を励起光源23に出力する。
このような光ファイバ増幅器5では、まず、図7に示すそれぞれの光ファイバ24から出射する信号光が、それぞれの入力部20において、アイソレータ21、WDMカプラ22、光ファイバ25を介してマルチコアファイバ1におけるそれぞれの光ファイバ10a〜10gのコア11に入射する。また、それぞれの入力部20において、励起光源23から出射する励起光が、WDMカプラ、光ファイバ25を介してマルチコアファイバ1におけるそれぞれの光ファイバ10a〜10gのコア11に入射する。
光ファイバ10a〜10gのコア11に入射した励起光は、コア11に添加されている活性元素に吸収され、活性元素は励起状態とされる。そして、励起された活性元素は、信号光により誘導放出を起こし、この誘導放出により信号光が増幅されて、光ファイバ10a〜10gから出射する。このとき上記のようにマルチコアファイバ1において、クロストークが抑制されるので、光ファイバ10a〜10gからはクロストークが抑制された光が出射する。
光ファイバ10a〜10gから出射した増幅された信号光は、それぞれの出力部30において、光ファイバ35、WDMカプラ32、アイソレータ31を介して、それぞれの光ファイバ34から出射する。このとき、それぞれのWDMカプラ32を信号光が通過するとき、その一部が分離されて光検出部33に入射する。光検出部33では、入射した光の強度に基づいた電気信号が生成され、この電気信号が制御部に入力する。つまり、出射する信号光の強度に応じた電気信号が制御部に入力する。制御部は、光検出部33から入力する電気信号の強度に応じて、励起光源23を制御する。具体的には、光検出部33から入力する電気信号が、光検出部33に入射する光の強度が大きいことを示す信号であれば、制御部40は対応する励起光源23を制御してこの励起光源23から出射する励起光の強度を小さくする。一方、光検出部33から入力する電気信号が、光検出部33に入射する光の強度が小さいことを示す信号であれば、制御部40は対応する励起光源23を制御してこの励起光源23から出射する励起光の強度を大きくする。こうして、信号光の増幅率が一定とされる。
このように本実施形態の光ファイバ増幅器5によれば、増幅用光ファイバ毎のクロストーク量の差が低減された状態で、信号光を増幅することができる。
(光配線板型光ファイバ)
次に本発明の光配線板型光ファイバの実施形態について説明する。なお、上記のバンドル型マルチコアファイバの実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
図8は本実施形態の光配線板型光ファイバ2の長手方向に垂直な断面図である。図8に示すように本実施形態の光配線板型光ファイバ2は、ベースフィルム7とベースフィルム7上において、互いに横並びに配置されて結束される複数の光ファイバ10a〜10cと、それぞれの光ファイバ10a〜10cを覆うカバーフィルム8と、それぞれの光ファイバ10a〜10cをベースフィルム上に固定する接着剤9とを備える。
それぞれの光ファイバ10a〜10cは互いに隣り合う光ファイバが互いに接する状態で、複数の光ファイバ10a〜10cが横並びに配置されている。本実施形態では、光ファイバが3本の例とされ、それぞれの光ファイバ10a〜10cは、上記のバンドル型マルチコアファイバ1におけるそれぞれの光ファイバ10a〜10gと同様の構成とされる。
ベースフィルム7は、例えば、可橈性を有する樹脂製のフィルムとされる。また、カバーフィルム8は、例えば、可橈性を有する樹脂製のフィルムとされ、ベースフィルム7よりも柔らかいフィルムとされることが好ましい。例えば、カバーフィルム8は、ベースフィルム7と同様の材料から構成され、ベースフィルムよりも薄くされる。また、接着剤9は、ベースフィルム7とカバーフィルム8との間に充填されることで、それぞれの光ファイバ10a〜10cの隙間を埋めている。
なお、ベースフィルム7、カバーフィルム8及び接着剤9の屈折率は、クラッド4の屈折率以下であることが好ましい。ベースフィルム7、カバーフィルム8及び接着剤9の屈折率がこのような屈折率とされることで、光ファイバ10a〜10cを伝搬する光がベースフィルム7やカバーフィルム8や接着剤9に漏えいすることを抑制することができる。
図9は、図8に示す光配線板型光ファイバ2における光ファイバ10a〜10cの配置を説明する図である。なお、図9では、ベースフィルム7、カバーフィルム8及び接着剤9は省略されている。上記のように本実施形態の光配線板型光ファイバ2では、3本の光ファイバ10a〜10cが横並びに接して配置されている。本実施形態では、図9に示すように、マルチコアファイバ1の長手方向に沿った区間S1では、中心に光ファイバ10bが配置され、光ファイバ10bの両脇に光ファイバ10a,10cが配置されている。しかし、区間S1に隣接する区間S2では、複数の光ファイバ10a〜10cの内、2本の光ファイバの位置が入れ替わる。具体的には、光ファイバ10bと光ファイバ10cの位置が入れ替わる。このため区間S1と区間S2とでは、光ファイバ10b及び光ファイバ10cと他の光ファイバ10aとの相対的な位置関係が変化している。また、区間S2と区間S2に隣接する区間S3とでは、光ファイバ10c及び光ファイバ10aと他の光ファイバ10bとの相対的な位置関係が変化している。
次に、光配線板型光ファイバ2のクロストークについて説明する。
図10は、光配線板型光ファイバ2のシミュレーションモデルを示す図である。図10に示すように本モデルでは、それぞれの光ファイバ10a〜10cがコア11、クラッド12から成り、図8に示す被覆層13を有さない。そして互いに隣り合う光ファイバ10のクラッド12同士が接して、複数の光ファイバ10a〜10cが横並びに配置されている。また、それぞれの光ファイバ10a〜10cは、図5に示すシミュレーションモデルのそれぞれの光ファイバ10a〜10gと同様としている。この場合、互いに隣り合う光ファイバ同士のコア間距離Λは40μmとなり、最も離れている光ファイバ同士のコア間距離Λは80μmとなる。そして、光ファイバ同士の結合定数は、図5に示すシミュレーションモデルの結合定数と同様とした。また、本シミュレーションモデルでは、光配線板型光ファイバ2の長さを3mとして、図9に示すように3つの区間S1〜S3に分けられるものとした。
上記のような条件のシミュレーションモデルにおけるクロストークのシミュレーションを行った。その結果を図11に黒丸で示す。図11に示すように光ファイバ10a〜10cのクロストーク量に差はなかった。
次に、光ファイバ10a〜10cの配置が図8と同様であり、それぞれの光ファイバのパラメータが上記のシミュレーションモデルと同様であるものの、各区間で光ファイバの位置が変化しない比較のシミュレーションモデルを準備した。そして、この比較のシミュレーションモデルに対してクロストークのシミュレーションを行った。その結果を図11に白丸で示す。図11に示すように、比較のシミュレーションモデルでは、中心に配置された光ファイバ10bのクロストーク量が他の光ファイバ10a〜10cよりも大きい結果となった。従って、本実施形態の光配線板型光ファイバ2によれば、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができることが示された。また、比較のシミュレーションモデルでは、どの光ファイバのクロストーク量も、上記の光配線板型光ファイバ2のシミュレーションモデルにおけるそれぞれの光ファイバ10a〜10cのクロストーク量よりも大きい結果となった。本シミュレーションの場合、光ファイバの位置が変化しない場合と比べて、光ファイバの位置が変化する場合には、クロストーク値を最大2.8dB低減できることが確認できた。このように本実施形態の光配線板型光ファイバ2によれば、各光ファイバのクロストーク量も小さくなる結果となった。
以上説明したように、本発明の光配線板型光ファイバ2は、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができる。
なお、光配線板型光ファイバ2を用いた光ファイバ増幅器もあり得る。具体的には、図7を用いて説明した光ファイバ増幅器5において、マルチコアファイバ1の代わりに光配線板型光ファイバ2を用いればよい。その際、入力部20や出力部30の数が光配線板型光ファイバ2の光ファイバ10a〜10cの数と合わされればよい。
以上、本発明について、実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、マルチコアファイバ1における光ファイバの数を7本としたが、光ファイバの数は3つ以上であれば7本以外であっても良い。また、光配線板型光ファイバ2の光ファイバの数も3本以上であれば特に制限はない。
また、ぞれぞれの光ファイバ10a〜10gの被覆層13の屈折率がクラッド12の屈折率よりも大きくされても良い。ただし、上記実施形態のように被覆層13の屈折率がクラッドの屈折率以下とされることで、クロストークが低減できるため好ましい。
また、上記実施形態では、複数の光ファイバ10がシース15で囲まれる構成としたが、それぞれの光ファイバ10の隙間がシース15と同様の樹脂で埋められてもよい。また、シース15の屈折率は、光ファイバ10のクラッド12の屈折率以下とされることが好ましく、被覆層13の屈折率より低いことが更に好ましいが、被覆層13やクラッド12の屈折率より高くても良い。更に複数の光ファイバ10は、シース15を用いた結束以外の方法により結束されても良い。また、光配線板型光ファイバ2のカバーフィルム8が配されず、樹脂から成る接着剤9により、それぞれの光ファイバ10a〜10cがベースフィルム7上に固定されても良い。
また、上記実施形態では、それぞれの光ファイバ10a〜10gのクラッド12の外周面が被覆層13で被覆される構成とされたが、それぞれの光ファイバ10a〜10gは、コア11とクラッド12から成りクラッド12が被覆層13で被覆されない構成であっても良い。この場合、それぞれの光ファイバ10a〜10gのクラッド12の外周面同士は、図5や図10で示すシュミレーションモデルのように互いに接しても良く、それぞれのクラッド12の間にシース15や接着剤9が入り込んで互いに離れていても良い。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明の内容をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。
(比較例1)
エルビウムが添加され直径が3.32μmで屈折率が1.471であるコアと、外径が40μmで屈折率が1.456のクラッドと、厚みが5μmで屈折率が1.456の紫外線硬化樹脂からなる被覆層とで構成される長さ7mの増幅用光ファイバを6本準備した。これらの増幅用光ファイバのエルビウムによる励起光(波長1480nm)の吸収は、13dB/mであった。次に準備した6本の増幅用光ファイバを図1に示すように押し出し成型により、外径が200μmで屈折率が1.456のシースにより結束してバンドル型増幅用マルチコアファイバを作製した。中心に配列される増幅用光ファイバを図1と同様に増幅用光ファイバ10aとして、増幅用光ファイバ10aの周囲に配置される増幅用光ファイバをそれぞれ増幅用光ファイバ10b〜10gとした。ただし、本比較例では、図4に示すようなそれぞれの増幅用光ファイバの相対的な位置が長手方向に沿って変化する構造を採用せず、バンドル型増幅用マルチコアファイバ全体にわたって、それぞれの増幅用光ファイバの相対的位置が一定となる構造とした。そして、このバンドル型増幅用マルチコアファイバを用いて、図7に示す光ファイバ増幅器を作製した。励起光源として1480nm帯の光が出射する半導体レーザを用いた。
次に、励起光源から波長1480nm帯の励起光をそれぞれの増幅用光ファイバのコアに入射すると共に、波長が1547nmの信号光を増幅用光ファイバ10aのコアに入射し、波長が1547.5nmの信号光を増幅用光ファイバ10bのコアに入射し、波長が1548nmの信号光を増幅用光ファイバ10cのコアに入射し、波長が1548.5nmの信号光を増幅用光ファイバ10dのコアに入射し、波長が1549nmの信号光を増幅用光ファイバ10eのコアに入射し、波長が1549.5nmの信号光を増幅用光ファイバ10fのコアに入射し、波長が1550nmの信号光を増幅用光ファイバ10gのコアに入射した。このとき制御部により励起光の強度を調整して、入射する信号光のパワー(−16dBm)に対して、それぞれの増幅用光ファイバの利得が16dBになるようにした。
次に増幅用光ファイバ10aから出射する信号光のスペクトルを測定した。この結果を図12に示す。図12において、増幅用光ファイバ10aにおける増幅用光ファイバ10bとのクロストークがab示され、増幅用光ファイバ10cとのクロストークがac示され、増幅用光ファイバ10dとのクロストークがadで示され、増幅用光ファイバ10eとのクロストークがae示され、増幅用光ファイバ10fとのクロストークがaf示され、増幅用光ファイバ10gとのクロストークがag示されている。図12に示すように、増幅用光ファイバ10aから出力する信号光には、他の増幅用光ファイバ10b〜10gに入射した信号光と同じ波長の光が含まれており、クロストークがあることがうかがえる。図12より、増幅用光ファイバ10aにおける増幅用光ファイバ10b〜10gとのクロストークは、それぞれ−40.2dB,−39.8dB,−40.1dB,−40dB,−40.2dB,−39.9dBであった。これより、増幅用光ファイバ10aのクロストーク値は、−32dBとなった。同様にして、増幅用光ファイバ10b〜10gのクロストーク値は、それぞれ表1に示す値となった。
(実施例1)
光の入射端側の増幅用光ファイバの配列が比較例1と同様となる様にして増幅用光ファイバを配列し、図4に示す2本の増幅用光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を100とした。ただし、増幅用光ファイバの入れ替わりにより、各増幅用光ファイバの端部が揃わなくなることを防止するため、僅かに各増幅用光ファイバの長さを調整した。その他は比較例1と同様にしてバンドル型増幅用マルチコアファイバを作製した。
(実施例2)
2本の増幅用光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を200としたこと以外は、実施例1と同様のバンドル型増幅用マルチコアファイバを作製した。
(実施例3)
2本の増幅用光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を300としたこと以外は、実施例1と同様のバンドル型増幅用マルチコアファイバを作製した。
次に実施例1〜3について、比較例1と同様にして、励起光、信号光をそれぞれの増幅用光ファイバ10a〜10gに入射し、それぞれの増幅用光ファイバ10a〜10gのクロストーク値を求めた。その結果を表1に示す。
Figure 2015087614
表1に示すように、実施例1〜3における各増幅用光ファイバ10a〜10gのクロストーク値の差は、比較例1における各増幅用光ファイバ10a〜10gのクロストーク値の差よりも小さい結果となった。また、実施例1〜3より、増幅用光ファイバが互いに入れ替わる区間の数が多いほど、増幅用光ファイバ10a〜10gのクロストーク値の差が小さくなる結果となった。
(比較例2)
希土類元素等の活性元素が添加されず直径が3.32μmで屈折率が1.471であるコアと、外径が40μmで屈折率が1.456のクラッドと、厚みが6μmで屈折率が1.456の紫外線硬化樹脂からなる被覆層とで構成される長さ9mの光ファイバを6本準備した。次に準備した6本の光ファイバを図1に示すように押し出し成型により、外径が200μmで屈折率が1.456のシースにより結束してバンドル型マルチコアファイバを作製した。比較例1と同様に中心に配列される光ファイバを図1と同様に光ファイバ10aとして、光ファイバ10aの周囲に配置される光ファイバをそれぞれ光ファイバ10b〜10gとした。また比較例1と同様にして、図4に示すようなそれぞれの光ファイバの相対的な位置が長手方向に沿って変化する構造を採用せず、バンドル型マルチコアファイバ全体にわたって、それぞれの光ファイバの相対的位置が一定となる構造とした。
次に、比較例1と同じ波長の信号光をそれぞれの光ファイバ10a〜10gのコアに入射した。そして、比較例1と同様にして、それぞれの光ファイバ10a〜10gのクロストーク値を求めた。その結果を表2に示す。
(実施例4)
光の入射端側の光ファイバの配列が比較例2と同様となる様にして光ファイバを配列し、図4に示す2本の光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を100とした。ただし、光ファイバの入れ替わりにより、各光ファイバの端部が揃わなくなることを防止するため、僅かに各光ファイバの長さを調整した。その他は比較例2と同様にしてバンドル型マルチコアファイバを作製した。
(実施例5)
2本の光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を200としたこと以外は、実施例4と同様のバンドル型マルチコアファイバを作製した。
(実施例6)
2本の光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を300としたこと以外は、実施例4と同様のバンドル型マルチコアファイバを作製した。
次に、実施例4〜6のバンドル型マルチコアファイバにおいて、比較例1と同じ波長の信号光をそれぞれの光ファイバ10a〜10gのコアに入射した。そして、比較例1と同様にして、それぞれの光ファイバ10a〜10gのクロストーク値を求めた。その結果を表2に示す。
Figure 2015087614
表2に示すように、実施例4〜6における各光ファイバ10a〜10gのクロストーク値の差は、比較例2における各光ファイバ10a〜10gのクロストーク値の差よりも小さい結果となった。また、実施例4〜6より、光ファイバが互いに入れ替わる区間の数が多いほど、光ファイバ10a〜10gのクロストーク値の差が小さくなる結果となった。
(比較例3)
比較例1で用いた増幅用光ファイバと同様の増幅用光ファイバを3本準備した。また、準備した増幅用光ファイバを横並びに並べられる幅であり、長さが7mであり、屈折率が1.457で厚みが500μmのポリイミドフィルムを2枚準備した。このポリイミドフィルムの一方を図8に示すベースフィルムとし、他方をカバーフィルムとした。次に準備した3本の増幅用光ファイバを図8に示すように横並びにベースフィルム上に配置して、カバーフィルムでカバーして、屈折率が1.456の紫外線硬化性樹脂から成る接着剤で隙間を埋めた。こうして、増幅用光ファイバの数が3本の光配線板型増幅用光ファイバを作製した。この光配線板型増幅用光ファイバの一方の端に配置される増幅用光ファイバを図8と同様に増幅用光ファイバ10aとして、中心に配置される増幅用光ファイバを増幅用光ファイバ10bとし、他方の端に配置される増幅用光ファイバを増幅用光ファイバ10cとした。ただし、本比較例では、図9に示すようなそれぞれの増幅用光ファイバの相対的な位置が長手方向に沿って変化する構造を採用せず、光配線板型増幅用光ファイバ全体にわたって、それぞれの増幅用光ファイバの相対的位置が一定となる構造とした。そして、この光配線板型増幅用光ファイバを用いて、図7に示す光ファイバ増幅器を作製した。各励起光源は比較例1に用いた励起光源と同様とした。ただし、励起光源の数は増幅用光ファイバ10a〜10cの数に合わせた。
次に、励起光源から波長1480nm帯の励起光をそれぞれの増幅用光ファイバのコアに入射すると共に、波長が1547nmの信号光を増幅用光ファイバ10aのコアに入射し、波長が1548nmの信号光を増幅用光ファイバ10bのコアに入射し、波長が1549nmの信号光を増幅用光ファイバ10cのコアに入射した。このとき制御部により励起光の強度を調整して、入射する信号光のパワー(−16dBm)に対して、それぞれの増幅用光ファイバの利得が16dBになるようにした。そして、比較例1と同様にして、それぞれの増幅用光ファイバ10a〜10cのクロストーク値を求めた。その結果、増幅用光ファイバ10aのクロストーク値は40.1となり、増幅用光ファイバ10bのクロストーク値は−37.1となり、増幅用光ファイバ10cのクロストーク値は−39.8となった。
(実施例7)
光の入射端側の増幅用光ファイバの配列が比較例1と同様となる様にして増幅用光ファイバを配列し、図9と同様に2本の増幅用光ファイバが互いに入れ替わる区間の数を3とした。ただし、増幅用光ファイバの入れ替わりにより、各増幅用光ファイバの端部が揃わなくなることを防止するため、僅かに各増幅用光ファイバの長さを調整した。その他は比較例3と同様にして光配線板型増幅用光ファイバを作製した。
次に比較例3と同様にして、励起光と信号光とをそれぞれの増幅用光ファイバ10a〜10cに入射し、比較例1と同様にして、それぞれの増幅用光ファイバ10a〜10cのクロストーク値を求めた。その結果、増幅用光ファイバ10aのクロストーク値は40.5となり、増幅用光ファイバ10bのクロストーク値は−40.2となり、増幅用光ファイバ10cのクロストーク値は−40.4となった。
従って、実施例7における各増幅用光ファイバ10a〜10cのクロストーク値の差は、比較例3における各増幅用光ファイバ10a〜10cのクロストーク値の差よりも小さい結果となった。
以上の実施例及び比較例から、本発明のバンドル型マルチコアファイバ、及び、光配線板型光ファイバによれば、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができることが確認された。
以上説明したように、本発明によれば、クロストークが生じる場合であっても、光ファイバ毎のクロストーク量の差を低減することができるバンドル型マルチコアファイバ、及び、光配線板型光ファイバが提供され、光通信用ケーブルや光の増幅を行う機器等に良好に利用することができる。
1・・・バンドル型マルチコアファイバ(バンドル型増幅用マルチコアファイバ)
2・・・光配線板型光ファイバ(光配線板型増幅用光ファイバ)
5・・・光ファイバ増幅器
7・・・ベースフィルム
8・・・カバーフィルム
9・・・接着剤
10a〜10g・・・光ファイバ(増幅用光ファイバ)
11・・・コア
12・・・クラッド
13・・・被覆層
15・・・シース
20・・・入力部
21・・・アイソレータ
22・・・WDMカプラ
23・・・励起光源
30・・・出力部
31・・・アイソレータ
32・・・WDMカプラ
33・・・光検出部
40・・・制御部

Claims (12)

  1. 3本以上の光ファイバが互いに結束されてなるバンドル型マルチコアファイバであって、
    少なくとも1本の前記光ファイバと他の光ファイバとの相対的な位置関係が、長手方向に沿って変化する
    ことを特徴とするバンドル型マルチコアファイバ。
  2. 前記複数の光ファイバの内、少なくとも2本の光ファイバの位置が長手方向に沿って入れ替わる
    ことを特徴とする請求項1に記載のバンドル型マルチコアファイバ。
  3. それぞれの前記光ファイバのクラッドの外径が30μm以上50μm以下である
    ことを特徴とする請求項1または2に記載のバンドル型マルチコアファイバ。
  4. それぞれの前記光ファイバのクラッドを被覆する被覆層の厚みが5μm以上50μm以下である
    ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のバンドル型マルチコアファイバ。
  5. それぞれの前記光ファイバのコアには活性元素が非添加とされる
    ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のバンドル型マルチコアファイバ。
  6. それぞれの前記光ファイバのコアには活性元素が添加される
    ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のバンドル型マルチコアファイバ。
  7. 3本以上の光ファイバが平面状に横並びに配置されてなる光配線板型光ファイバであって、
    少なくとも1本の前記光ファイバと他の光ファイバとの相対的な位置関係が、長手方向に沿って変化する
    ことを特徴とする光配線板型光ファイバ。
  8. 前記複数の光ファイバの内、少なくとも2本の光ファイバの位置が長手方向に沿って入れ替わる
    ことを特徴とする請求項7に記載の光配線板型光ファイバ。
  9. それぞれの前記光ファイバのクラッドの外径が30μm以上50μm以下である
    ことを特徴とする請求項7または8に記載の光配線板型光ファイバ。
  10. それぞれの前記光ファイバのクラッドを被覆する被覆層の厚みが5μm以上50μm以下である
    ことを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載の光配線板型光ファイバ。
  11. それぞれの前記光ファイバのコアには活性元素が非添加とされる
    ことを特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の光配線板型光ファイバ。
  12. それぞれの前記光ファイバのコアには活性元素が添加される
    ことを特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の光配線板型光ファイバ。
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