JP2015081200A - 焼結体及びインダクタ - Google Patents
焼結体及びインダクタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015081200A JP2015081200A JP2013218313A JP2013218313A JP2015081200A JP 2015081200 A JP2015081200 A JP 2015081200A JP 2013218313 A JP2013218313 A JP 2013218313A JP 2013218313 A JP2013218313 A JP 2013218313A JP 2015081200 A JP2015081200 A JP 2015081200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- sample
- inductor
- weight
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003254 anti-foaming effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
- H01F1/348—Hexaferrites with decreased hardness or anisotropy, i.e. with increased permeability in the microwave (GHz) range, e.g. having a hexagonal crystallographic structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
【課題】温度依存性の低いL値やQ値を示す、Z型六方晶フェライトの焼結体及びこれを用いたインダクタを提供する。
【解決手段】積層体20は、Z型六方晶フェライト、Bi2O3及びガラス系材料を出発原料とする。前記出発原料の中のZ型六方晶フェライト100重量部に対して、Bi2O3は5重量部以上7重量部以下である。また、積層体20は、前記出発原料を焼成することによって得られる、Z型六方晶フェライトを主相とする焼結体である。前記ガラス系材料が、シリカガラス又はホウケイ酸ガラス若しくは前記2種のガラスの混合材料のいずれかから選択されたものである。
【選択図】図1
【解決手段】積層体20は、Z型六方晶フェライト、Bi2O3及びガラス系材料を出発原料とする。前記出発原料の中のZ型六方晶フェライト100重量部に対して、Bi2O3は5重量部以上7重量部以下である。また、積層体20は、前記出発原料を焼成することによって得られる、Z型六方晶フェライトを主相とする焼結体である。前記ガラス系材料が、シリカガラス又はホウケイ酸ガラス若しくは前記2種のガラスの混合材料のいずれかから選択されたものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、焼結体及びインダクタ、特に、Z型六方晶フェライトを用いた焼結体及びインダクタに関する。
近年の電子部品の高周波化に伴って、インダクタに用いられる焼結体の材料として、例えば、特許文献1に記載のZ型六方晶フェライトが注目されている。Z型六方晶フェライトを用いたインダクタは、高周波領域において、L値やQ特性が良好であるという特徴を持つ。
しかし、Z型六方晶フェライトを用いたインダクタにおけるL値やQ特性は、温度による変化率が大きい、すなわち温度依存性が高いという問題があった。
そこで、本発明の目的は、温度依存性の低いL値やQ特性を示す、Z型六方晶フェライトの焼結体及びこれを用いたインダクタを提供することである。
本発明の第1の形態に係る焼結体は、
Z型六方晶フェライトと、
Bi2O3と、
ガラス系材料と、
を出発原料とし、
前記出発原料中の前記Z型六方晶フェライト100重量部に対して、前記Bi2O3は5重量部以上7重量部以下であり、
前記出発原料を焼成することによって得られ、前記Z型六方晶フェライトを主相とすること、
を特徴とする。
Z型六方晶フェライトと、
Bi2O3と、
ガラス系材料と、
を出発原料とし、
前記出発原料中の前記Z型六方晶フェライト100重量部に対して、前記Bi2O3は5重量部以上7重量部以下であり、
前記出発原料を焼成することによって得られ、前記Z型六方晶フェライトを主相とすること、
を特徴とする。
本発明の第2の形態に係るインダクタは、
前記焼結体を備えること、
を特徴とする。
前記焼結体を備えること、
を特徴とする。
本発明の第1の形態に係る焼結体では、Z型六方晶フェライトに適量のBi2O3を添加するとともに、これにガラス系の材料を加えることで、低温焼結を可能とし、かつ、該焼結体及びこれを用いたインダクタのQ値及びL値の温度依存性を抑制することができる。
本発明によれば、Z型六方晶フェライトを主相とする焼結体及びこれを用いたインダクタのL値及びQ値の温度依存性を抑制することができる。
以下に、一実施形態に係るインダクタ及び該インダクタの製造方法について説明する。
(インダクタの構成 図1,図2参照)
以下に、一実施形態に係るインダクタの構成について、図面を参照しながら説明する。なお、インダクタ1は、積層コイルであり、その積層方向をz軸方向と定義し、z軸方向から平面視したときに、インダクタの長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。なお、x軸、y軸及びz軸は互いに直交している。
以下に、一実施形態に係るインダクタの構成について、図面を参照しながら説明する。なお、インダクタ1は、積層コイルであり、その積層方向をz軸方向と定義し、z軸方向から平面視したときに、インダクタの長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。なお、x軸、y軸及びz軸は互いに直交している。
インダクタ1は、積層体(焼結体)20、コイル30及び外部電極40a,40bを備えている。また、インダクタ1の形状は、図1に示すように、直方体である。
積層体20は、Z型六方晶フェライトを主相とする絶縁体層22a〜22dを積層・焼結することによって得られる焼結体である。また、絶縁体層22a〜22dは、図2に示すように、z軸方向の正方向側からこの順に並ぶように積層され、z軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。なお、以下で、各絶縁体層22a〜22dのz軸方向の正方向側の面を上面と称す。
外部電極40aは、図1に示すように、積層体20のx軸方向の正方向側の表面及びその周囲の面の一部を覆うように設けられている。また、外部電極40bは、積層体20のx軸方向の負方向側の表面及びその周囲の面の一部を覆うように設けられている。なお、外部電極40a,40bの材料は、Au,Ag,Pd,Cu,Ni等の導電性材料である。
コイル30は、図2に示すように、積層体20の内部に位置し、コイル導体32a,32b及びビア導体34aにより構成されている。また、コイル30は螺旋状を成しており、該螺旋の中心軸はz軸と平行である。つまり、コイル30は、積層方向に進行しながら周回する螺旋状を成している。なお、コイル30の材料は、Au,Ag,Pd,Cu,Ni等の導電性材料である。
コイル導体32aは、絶縁体層22bの上面に設けられている線状の導体である。また、コイル導体32aは、絶縁体層22bのx軸方向の正負両側の外縁及びy軸方向の正負両側の外縁に沿って設けられており、積層方向から見たときロの字状を成している。そして、コイル導体32aの一端は、絶縁体層22bのx軸方向の正方向側の外縁から積層体20の表面に露出し、外部電極40aと接続されている。さらに、コイル導体32aの他端は、絶縁体層22bのx軸方向の正方向側の外縁とy軸方向の正方向側の外縁とが成す角の近傍で、絶縁体層22bをz軸方向に貫通するビア導体34aと接続されている。
コイル導体32bは、絶縁体層22cの上面に設けられている線状の導体であり、絶縁体層22cのx軸方向の正負両側の外縁及びy軸方向の負方向側の外縁に沿って設けられており、積層方向から見たとき略コの字状を成している。そして、コイル導体32bの一端は、絶縁体層22cのx軸方向の正方向側の外縁とy軸方向の正方向側の外縁とが成す角の近傍でビア導体34aと接続されている。さらに、コイル導体32bの他端は、絶縁体層22cのx軸方向の負方向側の外縁から積層体20の表面に露出し、外部電極40bと接続されている。
(製造方法)
一実施形態に係るインダクタの製造方法について以下に説明する。
一実施形態に係るインダクタの製造方法について以下に説明する。
まず、絶縁体層22a〜22dとなるべきフェライトグリーンシートを準備する。具体的には、比表面積が2〜20m2/gであるBaCO3、Co3O4、Fe2O3それぞれの粉末を準備し、主成分が、Ba3Co2Fe24O41(Z型六方晶フェライト)となるように秤量する。秤量した粉末を純水、分散剤及びPSZボールとともに、ボールミルに入れ、湿式にて約8時間の混合粉砕を行う。さらに、これを蒸発乾燥させた後に、1250℃で約5時間仮焼する。
得られた仮焼粉末に、Bi2O3、ホウケイ酸ガラス(SiO2・B2O3・R2O)及びシリカガラス(SiO2)を添加する。このとき、Z型六方晶フェライトの仮焼粉末100重量部に対して、Bi2O3が6重量部、ホウケイ酸ガラスが2重量部及びシリカガラスが2重量部となるように、これらを添加する。Bi2O3等が添加されたZ型六方晶フェライトの仮焼粉末を分散剤及びPSZボールとともに、ボールミルに入れ、湿式にて約20時間の混合粉砕を行う。混合粉砕後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤(酢酸ビニル、水溶性アクリル等)と可塑剤、湿潤剤、分散剤及び消泡材を加えてボールミルで約30分混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。こうして得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアフィルム上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層22a〜22dとなるべきグリーンシートを作製する。
次に、絶縁体層22a〜22dとなるべきグリーンシートにレーザービームを照射し、ビアホールを形成する。更に、Au,Ag,Pd,Cu,Ni等を主成分とする導電性ペーストをビアホールに対して充填することにより、ビアホール導体34aを形成する。なお、ビアホールに導電性ペーストを充填する工程は、後述するコイル導体32a,32bを形成する工程と同時に行われてもよい。
ビアホール形成後又はビアホール導体形成後に、絶縁体層22a〜22dとなるべきグリーンシートの表面上に、Au,Ag,Pd,Cu,Ni等を主成分とする導電性ペーストを、スクリーン印刷により塗布し、コイル導体32a,32bを形成する。
次に、絶縁体層22a〜22dとなるべきグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。得られた未焼成のマザー積層体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。
本圧着後、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体20にカットする。そして、未焼成の積層体20に、脱バインダー処理及び焼成を施す。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において500℃で2時間の条件で行う。焼成は、例えば、800℃〜900℃で2.5時間の条件で行う。
焼成後に、バレル加工により積層体20の面取りを行う。
次に、面取りが行われた積層体20に対して、外部電極40a,40bを形成する。まず、Agを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを積層体20の表面に塗布する。次に、塗布した電極ペーストを約800℃の温度で1時間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極40a,40bの下地電極が形成される。
最後に、下地電極の表面にNi/Snめっきを施す。これにより、外部電極40a,40bが形成される。以上の工程により、インダクタ1が完成する。
(効果)
積層体(焼結体)20では、その製造段階において、Z型六方晶フェライトの仮焼粉末に、Bi2O3、ホウケイ酸ガラス及びシリカガラスを添加する。このとき、Z型六方晶フェライトの仮焼粉末100重量部に対して、Bi2O3が6重量部、ホウケイ酸ガラスが2重量部及びシリカガラスが2重量部となるように、これらを添加する。これにより、積層体20の低温焼結を可能とし、かつ、該積層体20及びこれを用いたインダクタ1のL値及びQ値の温度依存性を抑制することができる。
積層体(焼結体)20では、その製造段階において、Z型六方晶フェライトの仮焼粉末に、Bi2O3、ホウケイ酸ガラス及びシリカガラスを添加する。このとき、Z型六方晶フェライトの仮焼粉末100重量部に対して、Bi2O3が6重量部、ホウケイ酸ガラスが2重量部及びシリカガラスが2重量部となるように、これらを添加する。これにより、積層体20の低温焼結を可能とし、かつ、該積層体20及びこれを用いたインダクタ1のL値及びQ値の温度依存性を抑制することができる。
本願発明者は、積層体(焼結体)20におけるBi2O3の添加量と、インダクタンスの温度依存性との関係を調べるため第1の実験を行った。第1の実験では、まず、インダクタ1に相当する第1のサンプル、インダクタ1におけるBi2O3の添加量を4重量部とした第2のサンプル、インダクタ1におけるBi2O3の添加量を5重量部とした第3のサンプル、インダクタ1におけるBi2O3の添加量を7重量部とした第4のサンプル、インダクタ1におけるBi2O3の添加量を8重量部とした第5のサンプルを作製した。
次に、各サンプルに交流電流を流し、−40℃、20℃、125℃におけるインダクタンス値L(-40)、L(20)、L(125)を測定した。これらのインダクタンス値をもとに、各サンプルのインダクタンスの温度変化率、すなわち、温度依存性を調べた。具体的には、各サンプルにおける、−40℃から20℃までのインダクタンスの温度変化率ΔL/L(-40〜20)を下式(1)より算出した。
ΔL/L(-40〜20)=(L(-40)−L(20))/L(20)×100 …(1)
また、各サンプルにおける、20℃から125℃までのインダクタンスの温度変化率ΔL/L(125〜20)を下式(2)より算出した。
ΔL/L(125〜20)=(L(125)−L(20))/L(20)×100 …(2)
ΔL/L(-40〜20)=(L(-40)−L(20))/L(20)×100 …(1)
また、各サンプルにおける、20℃から125℃までのインダクタンスの温度変化率ΔL/L(125〜20)を下式(2)より算出した。
ΔL/L(125〜20)=(L(125)−L(20))/L(20)×100 …(2)
これと併せて、各サンプルの焼結が完了しているか否かを確認するために、アルキメデス法により、各サンプルの焼結密度を測定した。このとき、焼結密度が4.70g/cm3以上であれば、焼結が完了していると判定した。そして、各サンプルにおけるインダクタンスの温度変化率及び焼結密度を表1にまとめた。
表1に示すように、Bi2O3の添加量が5重量部以上7重量部以下である、第1のサンプル、第3のサンプル、第4のサンプルにおいて、インダクタンスの温度変化率が±5%以内であり、温度依存性が低いことが確認された。一方、Bi2O3の添加量が4重量部である第2のサンプル、及びBi2O3の添加量が8重量部である第5のサンプルでは、20℃〜125℃の範囲で、インダクタンスの温度変化率が5%を上回り、温度依存性が高いことが確認された。
また、第2のサンプルの焼結密度は3.24g/cm3であり、焼結が完了していない。これは、第2のサンプルにおけるBi2O3の添加量が、他のサンプルよりも少ないため、第2のサンプルにおける焼結温度が、他のサンプルにおける焼結温度よりも高くなったことを意味する。
本願発明者は、さらに、ガラス系材料の添加量とインダクタンスの温度依存性との関係を調べるため第2の実験を行った。第2の実験では、まず、インダクタ1からホウケイ酸ガラスを除いた第6のサンプル、インダクタ1におけるホウケイ酸ガラスの添加量を3重量部とした第7のサンプル、インダクタ1におけるホウケイ酸ガラスの添加量を4重量部とした第8のサンプル、インダクタ1からシリカガラスを除いた第9のサンプル、インダクタ1におけるシリカガラスの添加量を3重量部とした第10のサンプル、インダクタ1におけるシリカガラスの添加量を4重量部とした第11のサンプルを作製した。
次に、各サンプルに交流電流を流し、−40℃、20℃、125℃におけるインダクタンス値L(-40)、L(20)、L(125)を測定し、上式(1)、(2)を用いて、各サンプルの温度変化率を算出した。これに加え、第2の実験においても、各サンプルの焼結密度を測定した。そして、各サンプルにおけるインダクタンスの温度変化率及び焼結密度を表2及び表3にまとめた。表2は、第6〜第8のサンプルのインダクタンスの温度変化率及び焼結密度を表し、表3は、第9〜第11のサンプルのインダクタンスの温度変化率及び焼結密度を表している。なお、比較のため、表2及び表3に第1のサンプルの結果も記載する。
表2及び表3からわかるように、ホウケイ酸ガラス及びシリカガラスの合計の添加量が2重量部以上5重量部以下の、第1のサンプル、第6のサンプル、第7のサンプル、第9のサンプル、第10のサンプルにおいて、インダクタンスの温度変化率が±5%以内に収まっている。一方、ホウケイ酸ガラス及びシリカガラスの合計の添加量が6重量部の第8のサンプル及び第11のサンプルでは、インダクタンスの温度変化率の絶対値が5%を超える。従って、ホウケイ酸ガラス及びシリカガラスの合計の添加量は、2重量部以上5重量部以下が好ましい
さらに、本願発明者は、表1、表2及び表3に示された、第1のサンプル、第6のサンプル、及び第10のサンプルそれぞれのインダクタンスの温度変化率を用いて、各温度におけるインダクタンスの温度変化率を図3で示されるグラフにまとめた。なお、図3において、実線は第1のサンプルにおけるインダクタンスの温度変化率を示し、破線は第6のサンプルにおけるインダクタンスの温度変化率を示し、一点鎖線は第10のサンプルにおけるインダクタンスの温度変化率を示す。
図3からわかるように、ガラス系材料の添加量が2重量部の第6のサンプルは、温度が上昇するにしたがって、インダクタンスの温度変化率も上昇する。また、ガラス系材料の合計の添加量が4重量部の第1のサンプルは、温度が上昇しても、インダクタンスの温度変化率は、わずかに上昇するのみである。第1のサンプルに対して、ガラス系材料の添加量がさらに1重量部多い第10のサンプルでは、温度が上昇するにしたがって、インダクタンスの温度変化率が下降する。従って、図3から、ガラス系材料の添加量が増加すると、インダクタンスの温度変化率の温度に対する傾きが負に向かう傾向が読み取れる。
ところで、積層体20では、ホウケイ酸ガラスとシリカガラスとを含んでいる。これは、シリカガラスを加えることによって、積層体20の誘電率を低減させ高周波用部品に対応させると共に、ホウケイ酸ガラスの低い軟化点を利用して、積層体(焼結体)20の焼結温度を低温に保つためである。つまり、積層体20では、ホウケイ酸ガラスとシリカガラスとを両方含んでいることによって、誘電率と焼結温度とのバランスを適度に保つことを可能としている。
(その他の実施形態)
本発明に係る焼結体及びインダクタは、前記実施形態に係る焼結体及びインダクタに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。例えば、Z型六方晶フェライトの仮焼粉末に添加するガラス系材料は、ホウケイ酸ガラス及びシリカガラスの混合材料だけでなく、例えば、ホウケイ酸ガラス又はシリカガラスいずれか一方だけでもよい。
本発明に係る焼結体及びインダクタは、前記実施形態に係る焼結体及びインダクタに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。例えば、Z型六方晶フェライトの仮焼粉末に添加するガラス系材料は、ホウケイ酸ガラス及びシリカガラスの混合材料だけでなく、例えば、ホウケイ酸ガラス又はシリカガラスいずれか一方だけでもよい。
以上のように、本発明は、Z型六方晶フェライトを主相とする焼結体及びこれを用いたインダクタに対して有用であり、L値及びQ値の温度依存性を抑制することができる点において優れている。
1 インダクタ
20 積層体(焼結体)
20 積層体(焼結体)
Claims (6)
- Z型六方晶フェライトと、
Bi2O3と、
ガラス系材料と、
を出発原料とし、
前記出発原料中の前記Z型六方晶フェライト100重量部に対して、前記Bi2O3は5重量部以上7重量部以下であり、
前記出発原料を焼成することによって得られ、前記Z型六方晶フェライトを主相とすること、
を特徴とする焼結体。 - 前記ガラス系材料は、ホウケイ酸ガラスであること、
を特徴とする請求項1に記載の焼結体。 - 前記ガラス系材料は、シリカガラスであること、
を特徴とする請求項1に記載の焼結体。 - 前記ガラス系材料は、ホウケイ酸ガラスとシリカガラスとの混合材料であること、
を特徴とする請求項1に記載の焼結体。 - 前記出発原料の中のZ型六方晶フェライト100重量部に対して、前記ガラス系材料は2重量部以上5重量部以下であること、
を特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の焼結体。 - 前記請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の焼結体を備えること、
を特徴とするインダクタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013218313A JP2015081200A (ja) | 2013-10-21 | 2013-10-21 | 焼結体及びインダクタ |
US14/504,709 US20150108393A1 (en) | 2013-10-21 | 2014-10-02 | Sintered body and inductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013218313A JP2015081200A (ja) | 2013-10-21 | 2013-10-21 | 焼結体及びインダクタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015081200A true JP2015081200A (ja) | 2015-04-27 |
Family
ID=52825366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013218313A Pending JP2015081200A (ja) | 2013-10-21 | 2013-10-21 | 焼結体及びインダクタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150108393A1 (ja) |
JP (1) | JP2015081200A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002015913A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-18 | Tdk Corp | 磁性フェライト粉末、磁性フェライト焼結体、積層型フェライト部品および積層型フェライト部品の製造方法 |
JP2002252109A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
JP2003243218A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Toda Kogyo Corp | 軟磁性六方晶フェライト複合粒子粉末、該軟磁性六方晶フェライト複合粒子粉末を用いたグリーンシート並びに軟磁性六方晶フェライト焼結体 |
JP2004002110A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁性セラミック焼結体及びその製造方法 |
JP2004014620A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物磁性材料及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1121048C (zh) * | 2000-08-25 | 2003-09-10 | 清华大学 | 高性能低烧甚高频叠层片式电感材料及其制备方法 |
CN1174443C (zh) * | 2001-07-19 | 2004-11-03 | 清华同方股份有限公司 | 制备甚高频片感器材料的方法 |
-
2013
- 2013-10-21 JP JP2013218313A patent/JP2015081200A/ja active Pending
-
2014
- 2014-10-02 US US14/504,709 patent/US20150108393A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002015913A (ja) * | 2000-04-28 | 2002-01-18 | Tdk Corp | 磁性フェライト粉末、磁性フェライト焼結体、積層型フェライト部品および積層型フェライト部品の製造方法 |
JP2002252109A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
JP2003243218A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Toda Kogyo Corp | 軟磁性六方晶フェライト複合粒子粉末、該軟磁性六方晶フェライト複合粒子粉末を用いたグリーンシート並びに軟磁性六方晶フェライト焼結体 |
JP2004002110A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁性セラミック焼結体及びその製造方法 |
JP2004014620A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物磁性材料及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150108393A1 (en) | 2015-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101586137B1 (ko) | 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 복합 전자 부품 | |
JP6743836B2 (ja) | コモンモードチョークコイル | |
KR20140133479A (ko) | 복합 페라이트 조성물 및 전자 부품 | |
JP5598452B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
US9299487B2 (en) | Laminated coil component and method for manufacturing same | |
JP2010235327A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
US20140253276A1 (en) | Laminated inductor | |
US20140085038A1 (en) | Electronic component | |
JP5126616B2 (ja) | 磁性体セラミック、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 | |
JP2020194810A (ja) | 積層型コイル部品 | |
JP2019210204A (ja) | 複合磁性材料およびそれを用いた電子部品 | |
JP2007145705A (ja) | 多結晶セラミック磁性体材料、マイクロ波磁性体、及びこれを用いた非可逆回路素子 | |
JP2020194807A (ja) | 積層型コイル部品 | |
JP2011216521A (ja) | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 | |
WO2013054700A1 (ja) | 金属粉末及び電子部品 | |
JP2020194808A (ja) | 積層型コイル部品 | |
JP2020194811A (ja) | 積層型コイル部品 | |
JP6318537B2 (ja) | インダクタの製造方法及びインダクタ | |
WO2016072427A1 (ja) | 積層コイル部品 | |
JP2005317924A (ja) | 積層型インダクタ | |
JP2015081200A (ja) | 焼結体及びインダクタ | |
JP6205149B2 (ja) | 非磁性材料および非磁性磁器組成物の製造方法 | |
JP2010150051A (ja) | 磁気組成物及びインダクタ並びに電子回路用基板 | |
JP2019156664A (ja) | 複合磁性材料およびそれを用いた電子部品 | |
JP2020194803A (ja) | 積層型コイル部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150414 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160126 |