JP2015076553A - 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法 - Google Patents

電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015076553A
JP2015076553A JP2013212955A JP2013212955A JP2015076553A JP 2015076553 A JP2015076553 A JP 2015076553A JP 2013212955 A JP2013212955 A JP 2013212955A JP 2013212955 A JP2013212955 A JP 2013212955A JP 2015076553 A JP2015076553 A JP 2015076553A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
sealing
film
electronic device
sealing sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013212955A
Other languages
English (en)
Inventor
豪士 志賀
Goshi Shiga
豪士 志賀
豊田　英志
Hideshi Toyoda
英志 豊田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2013212955A priority Critical patent/JP2015076553A/ja
Priority to PCT/JP2014/076316 priority patent/WO2015053149A1/ja
Priority to TW103134670A priority patent/TW201521163A/zh
Publication of JP2015076553A publication Critical patent/JP2015076553A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】 封止シートの位置ずれを防止できる電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法を提供する。【解決手段】 第１熱融着用フィルム、基板及び基板上に実装された電子デバイスを備える実装基板、熱硬化性の封止シート並びに第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムのうち、実装基板より外側の周囲部を第１の減圧雰囲気下で熱融着することにより、実装基板及び封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、封止シートで電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。【選択図】 図１

Description

本発明は、電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法に関する。
電子デバイスの封止方法として、基板上に配置された電子デバイスを封止シートで封止する方法が知られている。
例えば、特許文献１及び特許文献２は、基板に実装された電子機能素子（ＳＡＷフィルタなど）の上に樹脂シートを配置し、次いで基板上に実装された電子機能素子と樹脂シートとをガスバリア性を備えた袋の中に入れ、次いで袋内を減圧し、次いで袋内の電子機能素子を樹脂シートで封止する方法を開示している。この方法は、減圧下でＳＡＷフィルタを封止できるためボイドの発生を低減できる、簡素な減圧装置により実施できるなどのメリットがある。
国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１号（国際公開第０５／０７１７３１号パンフレット） 特許第５２２３６５７号公報
特許文献１及び特許文献２に記載の方法では、基板及び基板の電子機能素子上に配置された封止用の樹脂シートを含む積層構造物をガスバリア性を備えた袋の中に挿入する工程を行う。しかしながら、挿入する際に樹脂シートが袋の内面と接触し、樹脂シートの位置ずれが生じることがある。
本発明は前記課題を解決し、封止シートの位置ずれを防止できる電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法を提供することを目的とする。
本発明は、第１熱融着用フィルム、基板及び基板上に実装された電子デバイスを備える実装基板、熱硬化性の封止シート並びに第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムのうち、実装基板より外側の周囲部を第１の減圧雰囲気下で熱融着することにより、実装基板及び封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、封止シートで電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
本発明の電子デバイスパッケージの製造方法では、第１熱融着用フィルム、実装基板、封止シート及び第２熱融着用フィルムをこの順に配置した状態で、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムのうち、実装基板より外側の周囲部を熱融着して、実装基板及び封止シートを収容する密閉空間を形成する。本発明の製造方法は、袋を使用する必要がないので、封止シートの位置ずれを防止できる。
本発明の電子デバイスパッケージの製造方法では、封止シート及び実装基板を第２熱融着用フィルムで覆った状態で電子デバイスを封止できるため、軟化した封止シートが基板側面などにはみ出すことを防止できる。また、密閉空間の内外の圧力差を利用して、電子デバイスを封止するため、実装基板の凹凸に封止シートを追従させることができる。また、密閉空間の内外の圧力差を利用するため、均一な圧力で電子デバイスを封止できる。よって、ＳＡＷフィルタなどの中空型電子デバイスの中空部を確保しながら封止することが容易となる。
第１熱融着用フィルム及び／又は第２熱融着用フィルムが、樹脂層、金属箔及び熱融着性層がこの順に配置された構造を有することが好ましい。
これによれば、ヒートシール性に優れるため、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムを容易に熱融着させることができる。また、ガスバリア性に優れるため、密閉空間を気密に維持できる。また、柔軟性に優れるため、密閉空間の内外の圧力差を有効に利用できる。
第１熱融着用フィルム、実装基板、封止シート及び第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程では、第１熱融着用フィルム及び第１熱融着用フィルム上に配置された実装基板を備える積層体上に、第２熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルム上に積層された封止シートを備える封止シート一体型第２熱融着用フィルムを第２の減圧雰囲気下で配置することにより、第１熱融着用フィルム、実装基板、封止シート及び第２熱融着用フィルムをこの順に配置することが好ましい。
これによれば、減圧雰囲気下で、封止シート一体型第２熱融着用フィルムを積層体の実装基板上に配置するため、封止シートと実装基板の間へのボイドの入り込みを防止できる。
本発明はまた、第１熱融着用フィルム、基板及び基板上に実装された電子デバイスを備える実装基板、熱硬化性の封止シート並びに第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムのうち、実装基板より外側の周囲部を第１の減圧雰囲気下で熱融着することにより、実装基板及び封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、封止シートで電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスの封止方法に関する。
実施形態１の製造方法で使用する真空熱加圧装置の一例を示した概略断面図である。 基板置台上に、第１熱融着用フィルム、実装基板、封止シート及び第２熱融着用フィルムをこの順に配置した様子を示した概略断面図である。 上ヒータ板、上枠部材及び下板部材によって気密に囲われたチェンバーを形成した様子を示した概略断面図である。 第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムを熱融着する様子を示した概略断面図である。 チェンバー内に導入されたガスの圧力により、封止シートが実装基板に密着した様子を示した概略断面図である。 平板を下降させることにより電子デバイスパッケージを平坦化する様子を示した概略断面図である。 第１熱融着用フィルムの一例を示した概略断面図である。 第２熱融着用フィルムの一例を示した概略断面図である。 実施形態１の変形例を示す概略断面図である。 ヒータ枠体に固定された封止シート一体型第２熱融着用フィルムの下方に、第１熱融着用フィルム及び実装基板が配置された様子を示した概略断面図である。 上ヒータ板、上枠部材及び下板部材によって気密に囲われたチェンバーを形成した様子を示した概略断面図である。 実装基板上に封止シート一体型第２熱融着用フィルムを配置した様子を示した概略断面図である。 第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムを熱融着する様子を示した概略断面図である。 チェンバー内に導入されたガスの圧力により、封止シートが実装基板に密着した様子を示した概略断面図である。 平板を下降させることにより電子デバイスパッケージを平坦化する様子を示した概略断面図である。
本発明の電子デバイスパッケージの製造方法は、第１熱融着用フィルム、基板及び基板上に実装された電子デバイスを備える実装基板、熱硬化性の封止シート並びに第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムのうち、実装基板より外側の周囲部を第１の減圧雰囲気下で熱融着することにより、実装基板及び封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、封止シートで電子デバイスを封止する工程とを含む。
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
なお、以下では全ての図面を通じて同一又は相当する要素には同一の参照符号を付して、その重複する説明を省略する。
［実施形態１］
（真空熱加圧装置）
まず、実施形態１の製造方法で使用する真空熱加圧装置（真空加熱接合装置）について説明する。
図１に示すように、真空熱加圧装置においては、基台１上に加圧シリンダ下板２が配置され、加圧シリンダ下板２の上にはスライド移動テーブル３がスライドシリンダ４によって真空熱加圧装置内外を移動可能に配置されている。スライド移動テーブル３の上方には、下ヒータ板５が断熱配置されており、下ヒータ板５の上面には下板部材６が配置され、下板部材６の上面には基板置台７が置かれている。
加圧シリンダ下板２の上には複数の支柱８が配置立設され、支柱８の上端部には加圧シリンダ上板９が固定されている。支柱８は基台１上に直接立設しても良い。加圧シリンダ上板９の下方には支柱８を通して中間移動部材（中間部材）１０が配置されており、中間移動部材１０の下方には断熱板を介して上ヒータ板１１が固定され、上ヒータ板１１の下面の外周部には上枠部材１２が気密に固定され下方に延びている。上ヒータ板１１の下面で上枠部材１２の内方にはヒータ枠体１３が固定されている。上ヒータ板１１の下面でヒータ枠体１３の内方には平板１７が固定されている。上ヒータ板１１は主に封止シート２３を軟化させるヒータとして機能する。下ヒータ板５及びヒータ枠体１３は、主に第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を熱融着するヒートシーラーとして機能する。
ヒータ枠体１３は、下端部の枠状ヒータ部１３ａとそれから上方に延びるロッド１３ｂとを有し、ロッド１３ｂの周りにはスプリングが配置され、ロッド１３ｂは上ヒータ板１１の下面に断熱固定されている。枠状ヒータ部１３ａはロッド１３ｂに対してスプリングにより下方に付勢され、上方へ移動可能となっており、枠状ヒータ部１３ａが基板置台７に当接する場合の衝撃を緩衝する。ヒータ枠体１３の下端部の枠状ヒータ部１３ａは、基板置台７との間に第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を挟んで、熱融着させる。
加圧シリンダ上板９の上面には加圧シリンダ１４が配置され、加圧シリンダ１４のシリンダロッド１５は加圧シリンダ上板９を通って中間移動部材１０の上面に固定され、加圧シリンダ１４によって、中間移動部材１０と上ヒータ板１１と上方枠体１２とが上下に一体的に移動可能となっている。図１において、Ｓは、加圧シリンダ１４による中間移動部材１０と上ヒータ板１１と上方枠体１２の下方の移動を規制するストッパーであり、下降して加圧シリンダ１４本体の上面のストッパープレートに当接するようになっている。加圧シリンダ１４としては、油圧シリンダ、空圧シリンダ、サーボシリンダ等を用いることができる。
加圧シリンダ１４が上枠部材１２を引き上げた状態から下降させ、上枠部材１２の下端部が下板部材６の外周部端部に設けた段差部に気密に摺動し、そこで一旦加圧シリンダ１４を停止させ、その状態で上ヒータ板１１と上枠部材１２と下板部材６とによって真空隔壁が形成され、内部にチェンバーが画成される。なお、上枠部材１２にはチェンバーを真空引きし、加圧するための真空・加圧口１６が設けられている。
チェンバーを開いた状態で、スライドシリンダ４によって、スライド移動テーブル３、下ヒータ板５及び下板部材６を一体として外部に引き出すことができる。これらを引き出した状態で、基板置台７の上に、第１熱融着用フィルム２１、実装基板２２、封止シート２３、第２熱融着用フィルム２４などを配置できる。
次に、実施形態１の製造方法の各工程について説明する。
（配置工程）
図２に示すように、基板置台７上に、第１熱融着用フィルム２１、実装基板２２、封止シート２３、第２熱融着用フィルム２４をこの順に配置する。
実装基板２２は、基板２２ａ及び基板２２ａ上に実装された電子デバイス２２ｂを備える。
電子デバイス２２ｂとしては、センサー、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタなどの中空構造を有する電子デバイス（中空型電子デバイス）；半導体チップ、ＩＣ（集積回路）、トランジスタなどの半導体素子；コンデンサ；抵抗などが挙げられる。なかでも、ＳＡＷフィルタ、半導体素子に特に好適に使用できる。なお、中空構造とは、電子デバイス２２ｂを基板２２ａに搭載した際に、電子デバイス２２ｂと基板２２ａとの間に形成される中空部をいう。基板２２ａとしては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板（低温同時焼成セラミック基板）、セラミック基板、シリコン基板、金属基板などが挙げられる。
基板２２ａとしては、プラズマ処理を施したものが好ましい。プラズマ化する気体としては、アルゴンなどが挙げられる。これにより、電気的接続の信頼性を向上できる。
なお、配置工程では、実装基板２２の電子デバイス２２ｂが実装された面上に封止シート２３を配置する。
第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４の外形寸法は、実装基板２２及び封止シート２３を覆うことが可能な大きさである。
第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４は、後で詳細に説明する。
封止シート２３の外形寸法は、電子デバイス２２ｂを封止可能な大きさである。具体的には、基板置台７の上面と枠状ヒータ部１３ａの下面との間に第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を気密に保持した場合に、封止シート２３の外形寸法は基板置台７の上面と内方枠部材１３ａの下面との間に挟まれない大きさであり、かつ電子デバイス２２ｂの封止に必要な大きさである。
封止シート２３は、後で詳細に説明する。
（チェンバー形成工程）
図３に示すように、加圧シリンダ１４により上ヒータ板１１及び上枠部材１２を下降させ、上枠部材１２の下端部を下板部材６の外縁部の段差に気密に摺動させ、上ヒータ板１１、上枠部材１２及び下板部材６によって気密に囲われたチェンバーを形成する。チェンバーをした段階で、上ヒータ板１１及び上枠部材１２の下降を停止する。
（真空引き工程）
次いで、真空引きを行い、チェンバー内を減圧状態（例えば、５００Ｐａ以下）とする。
真空引きした後、封止シート２３を加熱し、軟化させる。なお、封止シート２３の加熱は、真空引き前、真空引き中に行ってもよいが、真空引き後に行うことが好ましい。封止シート２３を加熱する方法としては、例えば、上ヒータ板１１及び下ヒータ板５を昇温する方法、上ヒータ板１１を昇温する方法、下ヒータ板５を昇温する方法などがある。封止シート２３の加熱温度は、５０〜１５０℃が好ましい。図３では、軟化した封止シート２３が電子デバイス２２ｂの上面の端部から基板２２ａの外周部端部に向かって傾斜し基板２２ａの上面まで達している様子を示している。
（密閉空間形成工程）
図４に示すように、加圧シリンダ１４により上ヒータ板１１を更に下降させて、ヒータ枠体１３の下端部の下面で、第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を基板置台７の上面に押さえつける。押さえつけた状態で第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を熱融着することにより、実装基板２２及び封止シート２３を収容する密閉空間を形成する。密閉空間は、第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を熱融着することで形成された密閉容器の内部の空間である。なお、真空チェンバー内を減圧状態にした後に密閉空間を形成するため、密閉空間及び密閉空間の外部は減圧状態である。
（封止工程）
図５に示すように、真空・加圧口１６を通して真空チェンバーにガスを導入して、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の内部より高めて、封止シート２３を実装基板２２に押しつける。これにより、封止シート２３で電子デバイス２２ｂが封止された電子デバイスパッケージを得ることができる。電子デバイスパッケージは、実装基板２２及び封止シート２３に由来する樹脂部分を備える。なお、電子デバイスパッケージは、第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を熱融着することで形成された密閉容器に収容されている。ガスとしては特に限定されず、空気、窒素などが挙げられる。また、ガス圧力は特に限定されないが、大気圧以上が好ましい。ガス導入により、密閉空間の外部の圧力を大気圧以上に高められる。
ガス導入後、平板１７を下降させて、第２熱融着用フィルム２４を介して電子デバイスパッケージを加圧し、電子デバイスパッケージを平坦化してもよい（図６参照）。これにより、電子デバイスパッケージの厚みを均一化できる。加圧する圧力としては、０．５〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。
（硬化工程）
次いで、密閉容器ごと電子デバイスパッケージを加熱して、封止シート２３に由来する樹脂部分を熱硬化させる。
具体的な方法としては、例えば、電子デバイスパッケージを収容する密閉容器を加熱用密閉容器に入れた後、加熱用密閉容器内に充填された圧力媒体によって密閉容器に圧力を加えた状態で密閉容器を加熱して、封止シート２３に由来する樹脂部分を熱硬化する方法がある。この方法では、圧力媒体を介して、密閉容器を加圧及び加熱できるので、電子デバイス２２ｂがＳＡＷフィルタなどの中空型電子デバイスである場合、中空部の形状や寸法の管理が容易である。圧力媒体としては、空気、水、油などが挙げられる。
加熱温度は、例えば６０℃〜１５０℃である。
他の具体的な方法として、例えば、プレス機によって密閉容器を熱プレスして、電子デバイスパッケージの封止シート２３に由来する樹脂部分を熱硬化する方法、大気圧下で密閉容器を加熱して、電子デバイスパッケージの封止シート２３に由来する樹脂部分を熱硬化する方法なども好適である。
（その他の工程）
密閉容器から電子デバイスパッケージを取り出した後、必要に応じて、電子デバイスパッケージに再配線や、パンプを形成する。また、必要に応じて、電子デバイスパッケージをダイシングしてチップ化してもよい。
（封止シート２３）
次に、封止シート２３について説明する。
封止シート２３は熱硬化性である。
封止シート２３は、昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％で測定した最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０〜３０００００Ｐａ・ｓである。最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０Ｐａ・ｓ以上であるので、はみ出しを防止できる。最低複素粘度η＊を示す温度が１００〜１５０℃であり、最低複素粘度η＊が３０００００Ｐａ・ｓ以下であるので、凹凸を良好に埋め込むことができる。
最低複素粘度η＊は、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上である。また、最低複素粘度η＊は、好ましくは１５００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１０００００Ｐａ・ｓ以下である。
最低複素粘度η＊は、無機充填剤の含有量、無機充填剤の種類、有機成分の溶融粘度によりコントロールできる。
最低複素粘度η＊を示す温度は、主には硬化触媒の種類と量によりコントロールできる。
最低複素粘度η及び最低複素粘度η＊を示す温度は、下記方法で測定できる。
複素粘度η＊の測定方法
動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製、ＡＲＥＳ）を用いて封止シート２３（直径８ｍｍ、厚さ５００μｍ）の最低複素粘度η＊を測定する（測定条件：昇温速度１０℃/分、測定周波数１Ｈｚ及び歪み５％）。
封止シート２３は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を含むことが好ましい。
エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
エポキシ樹脂としては特に限定しないが、硬化前の可とう性及び硬化後の成型物硬度、強度を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、ビスフェノール型エポキシ樹脂を含むことが好ましく、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。
また、硬化物の低反り性、低吸水性という点から、ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂を好適に用いることができる。
封止シート２３中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、５重量％以上が好ましく、１０重量％以上がより好ましい。５重量％以上であると、充分な硬化物強度が得られる。封止シート２３中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１５重量％以下がより好ましい。２０重量％以下であると、硬化物の線膨張係数が小さく、かつ低吸水性が得られやすい。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
封止シート２３は、無機充填剤を含む。
無機充填剤としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。
無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。０．３μｍ以上であると、封止シート２３の可撓性、柔軟性を得易い。無機充填剤の平均粒径は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。４０μｍ以下であると、無機充填剤を高充填率化し易い。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
封止シート２３中の無機充填剤の含有量は、６０体積％以上であり、好ましくは６５体積％以上である。６０体積％以上であるので、低吸水性、低反り性の硬化後成型物が得られる。一方、無機充填剤の含有量は、９０体積％以下であり、好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であるので、硬化前の封止シート２３の割れ、欠けを防止できる。
無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、封止シート２３中のシリカの含有量は、７３重量％以上が好ましく、７７重量％以上がより好ましい。封止シート２３中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。
アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、封止シート２３中のアルミナの含有量は、８３重量％以上が好ましく、８６重量％以上がより好ましい。封止シート２３中のアルミナの含有量は、９５重量％以下が好ましく、９３重量％以下がより好ましい。
封止シート２３は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。
シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。
加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。
有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、無機充填剤の凝集を抑制するという理由から、メタクリル基が好ましい。
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。
シランカップリング剤の含有量は特に限定されないが、無機充填剤１００重量部に対して、０．０５〜５重量部が好ましい。
封止シート２３は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。なかでも、良好な保存性が得られるという理由から、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上である。０．１重量部以上であると、実用的な時間内で硬化が完了する。また、硬化促進剤の含有量は、好ましくは５重量部以下、より好ましくは２重量部以下である。５重量部以下であると、良好な保存性が得られる。
封止シート２３は、熱可塑性樹脂（エラストマー）を含むことが好ましい。
熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂への分散性という理由から、ゴム成分からなるコア層とアクリル樹脂からなるシェル層とを有するコアシェル型アクリル樹脂が好ましい。
コアシェル型アクリル樹脂を構成するゴム成分は特に限定されず、例えば、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、アクリルゴム、シリコンゴムなどが挙げられる。
コアシェル型アクリル樹脂の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上である。０．１μｍ以上であると、分散性が良好である。コアシェル型アクリル樹脂の平均粒子径は、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。２００μｍ以下であると、作製したシートの平坦性が良好である。
なお、平均粒子径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
熱可塑性樹脂の含有量は、有機成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、硬化促進剤など）１００重量部に対して、好ましくは１重量部以上、より好ましくは５重量部以上である。１重量部以上であると、可とう性が良好である。また、熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは４０重量部以下である。５０重量部以下であると、流動性、変形性が良好である。
封止シート２３には、顔料、難燃剤成分などを含有させてもよい。
顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。封止シート２３中の顔料の含有量は、０．０１〜１重量％が好ましい。
難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。
封止シート２３の製造方法は特に限定されないが、前記各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤及び硬化促進剤）を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、無機充填剤を高充填できる。
具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤及び硬化促進剤をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ２である。
溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。
封止シート２３の厚さは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、封止シート２３の厚さは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。上記範囲内であると、良好に電子デバイス２２ｂを封止できる。
封止シート２３は、単層構造であってもよいし、２以上の封止シートを積層した多層構造であってもよいが、層間剥離のおそれがなく、シート厚の均一性が高いという理由から、単層構造が好ましい。
（第１熱融着用フィルム２１）
第１熱融着用フィルム２１としては、ガスバリア性、ヒートシール性を備えるものを使用することが好ましい。例えば、図７に示すように、樹脂層２１ａ、金属箔２１ｂ及び熱融着性層２１ｃがこの順に配置された構造を有するものが好ましい。樹脂層２１ａとしては、ポリエステル系フィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルムなどが挙げられる。金属箔２１ｂとしては、アルミ箔などが挙げられる。熱融着性層２１ｃ（シーラント層２１ｃ）としては、ポリエチレン系フィルム、ポリプロピレン系フィルムなどが挙げられる。なお、樹脂層２１ａ及び金属箔２１ｂの間には接着剤層などが配置されていてもよい。金属箔２１ｂ及び熱融着性層２１ｃの間には接着剤層などが配置されていてもよい。
第１熱融着用フィルム２１として、樹脂層２１ａ、金属箔２１ｂ及び熱融着性層２１ｃがこの順に配置された構造を有するものを使用する場合、熱融着性層２１ｃ上に実装基板２２を配置できる。
（第２熱融着用フィルム２４）
第２熱融着用フィルム２４としては、第１熱融着用フィルム２１と同様に、ガスバリア性、ヒートシール性を備えるものを使用することが好ましい。第１熱融着用フィルム２１と同様に、例えば、図８に示すように、樹脂層２４ａ、金属箔２４ｂ及び熱融着性層２４ｃがこの順に配置された構造を有するものが好ましい。
第２熱融着用フィルム２４として、樹脂層２４ａ、金属箔２４ｂ及び熱融着性層２４ｃがこの順に配置された構造を有するものを使用する場合、熱融着性層２４ｃ上に封止シート２３を配置できる。
第２熱融着用フィルム２４の表面は、凹凸形状が好ましい。これにより、第２熱融着用フィルム２４を封止シート２３から良好に剥離できる。
第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４の厚さは特に限定されないが、好ましくは１０〜２００μｍである。上記範囲内であると、良好に電子デバイス２２ｂを封止できる。
なお、図１〜図６では、基板２２ａ上にひとつの電子デバイス２２ｂが実装されている場合を示しているが、電子デバイス２２ｂの個数は特に限定されず、複数であってもよい。
図１〜図６では、第１熱融着用フィルム２１上にひとつの実装基板２２を配置している場合を示しているが、実装基板２２の個数は特に限定されず、複数であってもよく、例えば２〜５００個である。これにより、複数の実装基板２２を一括封止でき、生産性を向上できる。この場合、図９に示すように、第１熱融着用フィルム２１上に台座２５を配置し、台座２５上に複数の実装基板２２を配置することが好ましい。これにより、実装基板２２の取扱いが容易となる。台座２５としては平板形状のものが好ましい。台座２５としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、６−４Ａｌｌｏｙなどが挙げられる。
実施形態１では、封止シート２３と第２熱融着用フィルム２４に代えて、後述の封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を用いてもよい。
以上のとおり、実施形態１の製造方法は、例えば、第１熱融着用フィルム、基板及び基板上に実装された電子デバイスを備える実装基板、熱硬化性の封止シート並びに第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、熱硬化性の封止シートを軟化させる工程と、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムのうち、実装基板より外側の周囲部を減圧雰囲気下で熱融着することにより、実装基板及び封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、軟化させた封止シートで電子デバイスを封止する工程とを含む。
実施形態１の製造方法は、袋を使用する必要がないので、封止シートの位置ずれを防止できる。また、実施形態１の製造方法は、封止シート及び実装基板を第２熱融着用フィルムで覆った状態で電子デバイスを封止できるため、軟化した封止シートが基板側面などにはみ出すことを防止できる。また、密閉空間の内外の圧力差を利用して、電子デバイスを封止するため、実装基板の凹凸に封止シートを追従させることができる。また、密閉空間の内外の圧力差を利用するため、均一な圧力で電子デバイスを封止できる。よって、ＳＡＷフィルタなどの中空型電子デバイスの中空部を確保しながら封止することが容易となる。
実施形態１の製造方法は、必要に応じて、封止シートで電子デバイスを封止することにより得られた電子デバイスパッケージの上方から平板を下降させて、第２熱融着用フィルムを介して電子デバイスパッケージを加圧する工程をさらに含む。これにより、電子デバイスパッケージの厚みを均一化できる。
実施形態１の製造方法は、必要に応じて、電子デバイスパッケージの封止シートに由来する樹脂部分を熱硬化させる工程をさらに含む。
［実施形態２］
実施形態２は、第２熱融着用フィルム２４及び封止シート２３が一体となった封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を用いる点、及び真空チェンバー内を減圧した後に封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を実装基板２２と接触させる点で、実施形態１と異なる。
（準備工程）
まず、第２熱融着用フィルム２４及び第２熱融着用フィルム２４上に積層された封止シート２３を備える一体型第２熱融着用フィルム３１を準備する。
一体型第２熱融着用フィルム３１において、封止シート２３から第２熱融着用フィルム２４を剥離する際の剥離力は、好ましくは０．１Ｎ／２０ｍｍ以下である。０．１Ｎ／２０ｍｍ以下であると、第２熱融着用フィルム２４を封止シート２３から良好に剥離できる。
なお、本明細書において、剥離力とは、引っ張り試験機（エー・アンド・デイ製 テンシロン）を用いて、封止シート２３から第２熱融着用フィルム２４を剥離する際の剥離力をいう（試験片幅：２０ｍｍ、引っ張り速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０度）。
（配置工程）
図１０に示すように、基板置台７上に、第１熱融着用フィルム２１及び実装基板２２をこの順に配置し、次いで枠状ヒータ部１３ａに封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を固定する。これにより、電子デバイス２２ｂと封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１との間に隙間を設けることができる。なお、枠状ヒータ部１３ａに封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を固定した後に、基板置台７上に第１熱融着用フィルム２１及び実装基板２２をこの順に配置してもよい。
枠状ヒータ部１３ａに封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を固定する方法は特に限定されず、例えば、封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を把持するための把持手段を備える枠状ヒータ部１３ａを用い、把持手段で封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を把持する方法、枠状ヒータ部１３ａの下面に粘着剤を介して封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を貼り付ける方法などが挙げられる。把持手段としては、クリップ、封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を吸引することで把持する吸引孔などが挙げられる。
（チェンバー形成工程）
図１１に示すように、加圧シリンダ１４により上ヒータ板１１及び上枠部材１２を下降させ、上枠部材１２の下端部を下板部材６の外縁部の段差に気密に摺動させ、上ヒータ板１１、上枠部材１２及び下板部材６によって気密に囲われたチェンバーを形成する。チェンバーをした段階で、上ヒータ板１１及び上枠部材１２の下降を停止する。
（真空引き工程）
真空引き工程では、真空引きを行い、チェンバー内を減圧状態（例えば、５００Ｐａ以下）とする。
真空引きした後、封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を加熱し、封止シート２３を軟化させる。なお、封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１の加熱は、真空引き前、真空引き中に行ってもよいが、真空引き後に行うことが好ましい。封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を加熱する方法としては、例えば、上ヒータ板１１及び下ヒータ板５を昇温する方法、上ヒータ板１１を昇温する方法などがある。封止シート２３の加熱温度は、５０〜１５０℃が好ましい。
（接触工程）
図１２に示すように、加圧シリンダ１４によりヒータ板１１を下降させて、実装基板２２上に封止シート一体型第２熱融着用フィルム３１を配置する。真空チェンバー内を減圧状態とした後に、封止シート２３を実装基板２２上に配置するため、封止シート２３と実装基板２２の間へのボイドの入り込みを防止できる。電子デバイスパッケージを連続して封止する場合、真空熱加圧装置内が高温となりボイドが入り込み易いが、本工程では、ボイドの入り込みを防止できるため、連続運転が可能となり、生産性を向上できる。
（密閉空間形成工程）
図１３に示すように、加圧シリンダ１４により上ヒータ板１１を更に下降させて、ヒータ枠体１３の下端部の下面で、第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を基板置台７の上面に押さえつける。押さえつけた状態で第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を熱融着することにより、実装基板２２及び封止シート２３を収容する密閉空間を形成する。密閉空間は、第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を熱融着することで形成された密閉容器の内部の空間である。なお、真空チェンバー内を減圧状態にした後に密閉空間を形成するため、密閉空間及び密閉空間の外部は減圧状態である。
（封止工程）
図１４に示すように、真空・加圧口１６を通して真空チェンバーにガスを導入して、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の内部より高めて、封止シート２３を実装基板２２に押しつける。これにより、封止シート２３で電子デバイス２２ｂが封止された電子デバイスパッケージを得ることができる。なお、電子デバイスパッケージは、第１熱融着用フィルム２１及び第２熱融着用フィルム２４を熱融着することで形成された密閉容器に収容されている。ガスとしては特に限定されず、空気、窒素などが挙げられる。また、ガス圧力は特に限定されないが、大気圧以上が好ましい。ガス導入により、密閉空間の外部の圧力を大気圧以上に高められる。
ガス導入後、平板１７を下降させて、第２熱融着用フィルム２４を介して電子デバイスパッケージを加圧し、電子デバイスパッケージを平坦化してもよい（図１５参照）。これにより、電子デバイスパッケージの厚みを均一化できる。加圧する圧力としては、０．５〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２が好ましい。
（硬化工程）
次いで、密閉容器ごと電子デバイスパッケージを加熱して、封止シート２３に由来する樹脂部分を熱硬化させる。
（その他の工程）
密閉容器から電子デバイスパッケージを取り出した後、必要に応じて、電子デバイスパッケージに再配線や、パンプを形成する。また、必要に応じて、電子デバイスパッケージをダイシングしてチップ化してもよい。
なお、図９〜図１４では、基板２２ａ上にひとつの電子デバイス２２ｂが実装されている場合を示しているが、電子デバイス２２ｂの個数は特に限定されず、複数であってもよい。また、実施形態１と同様に、実装基板２２の個数は複数であってもよい。
以上のとおり、実施形態２の封止方法は、例えば、第１熱融着用フィルム及び第１熱融着用フィルム上に配置された実装基板を備える積層体上に、封止シート一体型第２熱融着用フィルムを減圧雰囲気下で配置することにより、第１熱融着用フィルム、実装基板、封止シート及び第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、第１熱融着用フィルム及び第２熱融着用フィルムのうち、実装基板より外側の周囲部を減圧雰囲気下で熱融着することにより、実装基板及び封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、密閉空間の外部の圧力を密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、軟化させた封止シートで電子デバイスを封止する工程とを含む。
第１熱融着用フィルム、実装基板、封止シート及び第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程の雰囲気圧力と、密閉空間を形成する工程の雰囲気圧力は、製法を簡素化する点で同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。
実施形態２の製造方法は、減圧雰囲気下で、封止シート一体型第２熱融着用フィルムを積層体の実装基板上に配置するため、封止シートと実装基板の間へのボイドの入り込みを防止できる。
また、実施形態２の製造方法は、実施形態１と同様の効果も奏する。すなわち、実施形態２の製造方法は、袋を使用する必要がないので、封止シートの位置ずれを防止できる。また、実施形態１の製造方法は、封止シート及び実装基板を第２熱融着用フィルムで覆った状態で電子デバイスを封止できるため、軟化した封止シートが基板側面などにはみ出すことを防止できる。また、密閉空間の内外の圧力差を利用して、電子デバイスを封止するため、実装基板の凹凸に封止シートを追従させることができる。また、密閉空間の内外の圧力差を利用するため、均一な圧力で電子デバイスを封止できる。よって、ＳＡＷフィルタなどの中空型電子デバイスの中空部を確保しながら封止することが容易となる。
実施形態２の製造方法は、必要に応じて、封止シートで電子デバイスを封止することにより得られた電子デバイスパッケージの上方から平板を下降させて、第２熱融着用フィルムを介して電子デバイスパッケージを加圧する工程をさらに含む。これにより、電子デバイスパッケージの厚みを均一化できる。
実施形態１の製造方法は、必要に応じて、電子デバイスパッケージの封止シートに由来する樹脂部分を熱硬化させる工程をさらに含む。
１ 基台
２ 加圧シリンダ下板
３ スライド移動テーブル
４ スライドシリンダ
５ 下ヒータ板
６ 下板部材
７ 基板置台
８ 支柱
９ 加圧シリンダ上板
１０ 中間移動部材
１１ 上ヒータ板
１２ 上枠部材
１３ ヒータ枠体
１３ａ 枠状ヒータ部
１３ｂ ロッド
１４ 加圧シリンダ
１５ シリンダロッド
１６ 真空・加圧口
１７ 平板
２１ 第１熱融着用フィルム
２１ａ 樹脂層
２１ｂ 金属箔
２１ｃ 熱融着性層
２２ａ 基板
２２ｂ 電子デバイス
２２ 実装基板
２３ 封止シート
２４ 第２熱融着用フィルム
２４ａ 樹脂層
２４ｂ 金属箔
２４ｃ 熱融着性層
２５ 台座
３１ 封止シート一体型第２熱融着用フィルム
Ｓ ストッパー

Claims (4)

  1. 第１熱融着用フィルム、基板及び基板上に実装された電子デバイスを備える実装基板、熱硬化性の封止シート並びに第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、
    前記第１熱融着用フィルム及び前記第２熱融着用フィルムのうち、前記実装基板より外側の周囲部を第１の減圧雰囲気下で熱融着することにより、前記実装基板及び前記封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、
    前記密閉空間の外部の圧力を前記密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、前記封止シートで前記電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスパッケージの製造方法。
  2. 前記第１熱融着用フィルム及び／又は前記第２熱融着用フィルムが、樹脂層、金属箔及び熱融着性層がこの順に配置された構造を有する請求項１に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
  3. 前記第１熱融着用フィルム、実装基板、封止シート及び第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程では、
    前記第１熱融着用フィルム及び前記第１熱融着用フィルム上に配置された前記実装基板を備える積層体上に、前記第２熱融着用フィルム及び前記第２熱融着用フィルム上に積層された前記封止シートを備える封止シート一体型第２熱融着用フィルムを第２の減圧雰囲気下で配置することにより、前記第１熱融着用フィルム、前記実装基板、前記封止シート及び前記第２熱融着用フィルムをこの順に配置する請求項１又は２に記載の電子デバイスパッケージの製造方法。
  4. 第１熱融着用フィルム、基板及び基板上に実装された電子デバイスを備える実装基板、熱硬化性の封止シート並びに第２熱融着用フィルムをこの順に配置する工程と、
    前記第１熱融着用フィルム及び前記第２熱融着用フィルムのうち、前記実装基板より外側の周囲部を第１の減圧雰囲気下で熱融着することにより、前記実装基板及び前記封止シートを収容する密閉空間を形成する工程と、
    前記密閉空間の外部の圧力を前記密閉空間の圧力より高めることによって生じた圧力差を利用して、前記封止シートで前記電子デバイスを封止する工程とを含む電子デバイスの封止方法。
JP2013212955A 2013-10-10 2013-10-10 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法 Pending JP2015076553A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013212955A JP2015076553A (ja) 2013-10-10 2013-10-10 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法
PCT/JP2014/076316 WO2015053149A1 (ja) 2013-10-10 2014-10-01 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法
TW103134670A TW201521163A (zh) 2013-10-10 2014-10-03 電子裝置封裝體之製造方法及電子裝置之封裝方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013212955A JP2015076553A (ja) 2013-10-10 2013-10-10 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015076553A true JP2015076553A (ja) 2015-04-20

Family

ID=52812965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013212955A Pending JP2015076553A (ja) 2013-10-10 2013-10-10 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2015076553A (ja)
TW (1) TW201521163A (ja)
WO (1) WO2015053149A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6181807B1 (ja) * 2016-04-27 2017-08-16 日機装株式会社 加圧装置および加圧方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0219292A (ja) * 1988-02-26 1990-01-23 Hitachi Ltd 面実装型半導体パッケージ包装体
JPH034542A (ja) * 1989-06-01 1991-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH06293364A (ja) * 1993-04-01 1994-10-21 Dainippon Printing Co Ltd 無塵容器
JP3689414B2 (ja) * 2003-06-03 2005-08-31 東洋通信機株式会社 弾性表面波デバイスの製造方法
TWI263403B (en) * 2004-01-22 2006-10-01 Murata Manufacturing Co Electronic component manufacturing method
JP5189194B2 (ja) * 2011-09-05 2013-04-24 ミカドテクノス株式会社 真空加熱接合装置及び真空加熱接合方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015053149A1 (ja) 2015-04-16
TW201521163A (zh) 2015-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014014008A1 (ja) 封止層被覆半導体素子および半導体装置の製造方法
WO2015098833A1 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP2015216229A (ja) 半導体装置の製造方法及び熱硬化性樹脂シート
WO2014188825A1 (ja) 電子部品装置の製造方法、積層シート、及び、電子部品装置
WO2014203830A1 (ja) 電子デバイスの封止方法、電子デバイスパッケージの製造方法及び封止シート
WO2015098838A1 (ja) 半導体装置の製造方法及び熱硬化性樹脂シート
JP2009278058A (ja) 電子部品の製造方法及び製造装置
CN104064481A (zh) 粘接装置及电子装置的制造方法
JP2015216230A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20160102214A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
JP6302693B2 (ja) 中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法
WO2015053149A1 (ja) 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法
JP2015065368A (ja) 樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
CN104160492B (zh) 密封用树脂片材制造方法
US10297470B2 (en) Resin sheet for sealing electronic device and method for manufacturing electronic-device package
JP2018198337A (ja) 中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法
WO2015041076A1 (ja) 電子デバイス封止用シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
JP2015220400A (ja) 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法
JP2015076444A (ja) 樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
JP2015220401A (ja) 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスの封止方法
WO2016092964A1 (ja) 電子デバイスパッケージ、及び、封止用シート
JP6234410B2 (ja) 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
JP2015079909A (ja) 電子デバイスパッケージの製造方法
WO2014188824A1 (ja) 電子部品装置の製造方法
US20140083760A1 (en) Method for production of sealed body, frame-shaped spacer for production of sealed body, sealed body and electronic instrument