JP2015076455A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光取り出し効率を向上させると共に、光放射面における輝度の面内分布を均一にすることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、絶縁基板１１の表面上に配設された各ＬＥＤチップ１２と、絶縁基板１１の表面上にて各ＬＥＤチップ１２を囲繞するように配設された光反射性の枠体１４と、各ＬＥＤチップ１２の上面および側面を被覆し蛍光体を含有する透明な蛍光体層１３と、枠体１４の内部に注入充填されて蛍光体層１３の少なくとも側面を被覆する光散乱性の透明な光散乱層１５と、枠体１４の開口部に嵌合された透明な封着板１６とを備え、封着板１６の表面が発光装置１０の光放射面１０ａになる。
【選択図】 図１

Description

本発明は発光装置に係り、詳しくは、半導体発光素子を備えた発光装置に関するものである。

特許文献１には、発光素子と、発光素子の上方および側面に位置して発光素子の光を波長変換する蛍光体を含む透光性部材からなる波長変換層と、波長変換層の側面に隣接して配置された反射部材と、発光素子および反射部材が実装される基板とを備えた半導体発光装置が開示されている。

特許文献２には、発光素子と、発光素子を実装する実装基板と、発光素子から出射された光を透過する光透過部材と、発光素子および光透過部材の側面を被覆する光反射性の被覆部材と、実装基板上に設けられて内部に被覆部材が充填された光反射性の枠体とを備え、光透過部材は蛍光体を含有する波長変換部材の板状体であり、被覆部材は光反射性材料を含有した樹脂から成る発光装置が開示されている。

特許文献３には、発光素子と、発光素子の上方に設けられた光透過部材と、発光素子を包囲すると共に光透過部材の側面を被覆する被覆部材とを備え、光透過部材は蛍光体を含有する波長変換部材の板状体であり、被覆部材は光反射性材料を含有した樹脂から成る発光装置が開示されている。

特開２００９−２１８２７４号公報 特開２０１１−１３４８２９号公報 ＷＯ２００９／０６９６７１号公報

自動車のヘッドライト（前照灯）に用いられる発光装置では、特に、自動車の前方側の照度を高める必要がある。
そのため、発光素子を囲繞するように反射部材を配置し、発光素子の光を反射部材により反射して一方向に照射させるようにした発光装置が広く使用されており、特許文献１〜３の技術はその具体例である。

特許文献１の技術では、発光素子の上方および側面に蛍光体を含む波長変換層が配置され、波長変換層の側面に反射部材が配置されている。
そのため、発光素子の側面側から放射された光が、波長変換層を介して反射部材に入射され、反射部材によって吸収されることから、発光装置の光取り出し効率が低下するという問題がある。

特許文献２および特許文献３の技術では、発光素子の側面に接するように光反射性の被覆部材（反射部材）が配置されている。
そのため、発光素子の側面側から放射された光が、被覆部材によって吸収されることから、発光装置の光取り出し効率が低下するという問題がある。

また、特許文献１〜３の技術では、発光素子の上面側から放射される光の輝度が高く、それに比べて、発光素子の側面側から放射される光の輝度が低いため、発光装置の光放射面における輝度の面内分布が均一にならないという問題もある。

本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、その目的は、光取り出し効率を向上させると共に、光放射面における輝度の面内分布を均一にすることが可能な発光装置を提供することにある。

本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。

＜第１の局面＞
第１の局面は、
基板の表面上に配設された半導体発光素子と、
基板の表面上にて半導体発光素子を囲繞するように配設された光反射性の枠体と、
半導体発光素子の上面および側面を被覆し、蛍光体を含有する透明な蛍光体層と、
枠体の内部に注入充填され、蛍光体層の少なくとも側面を被覆する光散乱性の透明な光散乱層とを備えた発光装置である。

第１の局面では、光反射性の枠体がリフレクタ（光反射部材）として機能し、枠体の内部に収容された半導体発光素子の放射光を、枠体の内周壁面により反射して枠体の開口部から一方向に照射することができる。
そのため、第１の局面の発光装置は、特に、自動車の前方側の照度を高める必要があるヘッドライト用として好適である。
また、第１の局面では、蛍光体層が波長変換部材として機能し、半導体発光素子の放射光（例えば、青色光）を、蛍光体層の蛍光体によって別の色の光（例えば、白色光）に波長変換した後に、発光装置から外部へ照射することができる。

そして、第１の局面によれば、半導体発光素子の側面側から放射された光が、蛍光体層を介して光散乱層に入射され、光散乱層により散乱されるため、枠体の内周壁面によって吸収される光を低減することが可能になり、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。

加えて、第１の局面によれば、半導体発光素子の側面側から放射された光が、光散乱層により散乱された後に、枠体の内周壁面によって反射される。
そのため、半導体発光素子の側面側から放射される光の輝度が高くなり、半導体発光素子の上面側から放射される光の輝度との差が少なくなるため、発光装置の光放射面における輝度の面内分布を均一にすることができる。

＜第２の局面＞
第２の局面は、第１の局面において、枠体の開口部に嵌合された透明な封着板を備える。
第２の局面によれば、枠体の内部の部材（半導体発光素子、蛍光体層、光散乱層）が封着板によって封止されるため、耐熱性・耐候性・耐光性を向上させることが可能になり、枠体の内部の部材の劣化を防止できる。

＜第３の局面＞
第３の局面は、第２の局面において、封着板の表面にて、半導体発光素子の直上に位置する部分には微細な凹凸が形成されている。
第２の局面では、封着板の表面の凹凸により、封着板の表面から放射される光が散乱されるため、半導体発光素子の上面側から放射される光の輝度が低くなり、半導体発光素子の側面側から放射される光の輝度との差が更に少なくなることから、発光装置の光放射面における輝度の面内分布をより均一化することが可能になり、輝度ムラの抑制効果を高めることができる。

＜第４の局面＞
第４の局面は、第２の局面または第３の局面において、封着板の屈折率は、蛍光体層および光散乱層の屈折率よりも低いことである。
第４の局面によれば、空気と封着板の界面反射を抑制することにより、発光装置の光取り出し効率を更に向上させることができる。

＜第５の局面＞
第４の局面は、第１〜第４の局面において、光散乱層は蛍光体層の側面に加えて上面を被覆し、封着板は光散乱層に接着されている。
第５の局面によれば、封着板を光散乱層に隙間無く密着させた状態で容易に取付固定することが可能になるため、第１〜第４の局面の前記作用・効果を確実に得ることができる。

＜第６の局面＞
第６の局面は、第１の局面において、光散乱層は蛍光体層の側面に加えて上面を被覆し、光散乱層の表面にて、半導体発光素子の直上に位置する部分には微細な凹凸が形成されている。

第６の局面では、光散乱層の表面の凹凸により、光散乱層の表面から放射される光が散乱されるため、半導体発光素子の上面側から放射される光の輝度が低くなり、半導体発光素子の側面側から放射される光の輝度との差が更に少なくなることから、発光装置の光放射面における輝度の面内分布をより均一化することが可能になり、輝度ムラの抑制効果を高めることができる。

図１（Ａ）は、本発明を具体化した第１実施形態の発光装置１０の概略構成を示す縦断面図であり、図１（Ｂ）におけるＸ−Ｘ矢示断面図。図１（Ｂ）は発光装置１０の平面図。 発光装置１０の製造方法を説明するための縦断面図。 図３（Ａ）は、本発明を具体化した第２実施形態の発光装置２０の概略構成を示す縦断面図であり、図３（Ｂ）におけるＸ−Ｘ矢示断面図。図３（Ｂ）は発光装置２０の平面図。 発光装置２０の製造方法を説明するための縦断面図。 図５（Ａ）は、本発明を具体化した第３実施形態の発光装置３０の概略構成を示す縦断面図であり、図５（Ｂ）におけるＸ−Ｘ矢示断面図。図５（Ｂ）は発光装置３０の平面図。

以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。
また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは必ずしも一致しないことがある。

＜第１実施形態＞
図１に示すように、第１実施形態の発光装置１０は、絶縁基板１１、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップ１２、蛍光体層１３、枠体１４（内周壁面１４ａ）、光散乱層１５、封着板１６（凹凸１６ａ）、光放射面１０ａを備える。
絶縁基板１１は、矩形板状を成しており、例えば、絶縁材料（例えば、窒化アルミニウムなどのセラミックス材料、合成樹脂材料など）のバルク材から成る基板や、金属材料（例えば、アルミニウム合金、純銅、銅系合金など）の表面に絶縁層が形成された基板などによって形成されている。

４個のＬＥＤチップ１２は、略直方体状を成しており、間隙を空けて一列に配列されている。
各ＬＥＤチップ１２の下面側は、絶縁基板１１の表面上に形成されている配線層（図示略）に対して、各種接合方法（例えば、ハンダ付け、スタッドバンプ接合、金属微粒子接合、表面活性化接合など）を用い、電気的に接続されると共に取付固定されている。

蛍光体層１３は、蛍光体（例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）系など）を含有する透明な基材から成り、各ＬＥＤチップ１２の上面および側面を被覆するように絶縁基板１１の表面上に形成されている。
尚、蛍光体層１３の基材は、合成樹脂材料（例えば、シリコーン樹脂など）や、ゾルゲルガラスなどによって形成されている。
そして、発光装置１０の光取り出し効率を高めるには、蛍光体層１３の屈折率を１．５以上にすることが望ましい。
また、蛍光体層１３の膜厚は、含有する蛍光体粒子が蛍光体層１３の厚み方向（上下方向）に重なり合わないような膜厚にすることが望ましく、例えば、蛍光体粒子の粒径が２０〜３０μｍの場合には、蛍光体層１３の膜厚は４０μｍ以下に設定すればよい。

枠体１４は、矩形枠状（額縁状）を成しており、蛍光体層１３に被覆された各ＬＥＤチップ１２を囲繞するように、絶縁基板１１の表面上に配置形成されている。
尚、枠体１４は、光反射性の高い材料（例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど）の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など）、光反射性のセラミックス材料（例えば、酸化アルミニウムなど）、光反射性の金属材料（例えば、アルミニウム合金など）などによって形成されている。

光散乱層１５は、光散乱性の高い材料（例えば、シリカ、酸化チタンなど）の微粒子を含有する透明な基材から成り、蛍光体層１３の上面および側面を被覆するように、枠体１４の内部に注入充填されている。
尚、光散乱層１５の基材には、蛍光体層１３と光散乱層１５の剥離を防止するため、蛍光体層１３の基材と熱膨張率が等しい材料を用いることが望ましく、例えば、蛍光体層１３の基材と同一材料を用いればよい。
そして、発光装置１０の光取り出し効率を高めるには、光散乱層１５の屈折率を１．５以上にすることが望ましく、光散乱性の微粒子の屈折率を、光散乱層１５の基材の屈折率よりも低くすることが望ましい。

封着板（封止板）１６は、矩形板状を成しており、枠体１４の開口部に隙間無く嵌合され、光散乱層１５に隙間無く密着している。
尚、封着板１６は、透明な合成樹脂材料（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など）やガラスによって形成されている。
また、封着板１６の表面が発光装置１０の光放射面（光放射領域、発光領域、発光部）１０ａになる。

また、封着板１６の表面において、各ＬＥＤチップ１２の直上に位置する部分には、粗面加工が施されて微細な凹凸１６ａが形成されている。
そして、発光装置１０の光取り出し効率を高めるには、封着板１６の屈折率を、蛍光体層１３および光散乱層１５の屈折率よりも低くすることが望ましい。
すなわち、前記のように、各層１３，１５の屈折率を１．５以上にした場合には、封着板１６の屈折率を１．５以下にすればよい。

［発光装置１０の製造方法］
第１工程（図２（Ａ）参照）：絶縁基板１１の表面上に形成されている配線層（図示略）に対して各ＬＥＤチップ１２を接合する。

第２工程（図２（Ｂ）参照）：各ＬＥＤチップ１２の上面および側面を被覆するように絶縁基板１１の表面上に蛍光体層１３を形成する。
このとき、蛍光体層１３の基材が合成樹脂材料の場合には、静電塗布法を用い、液状の合成樹脂材料を各ＬＥＤチップ１２に塗布した後に、その合成樹脂材料を硬化させればよい。
また、蛍光体層１３の基材がゾルゲルガラスの場合には、静電塗布法を用い、ゾルゲルガラスの液状の形成材料（例えば、テトラエトキシシランなどの金属アルコキシドなど）を各ＬＥＤチップ１２に塗布し、次に、その形成材料を加水分解させた後に縮重合させてゾルとし、続いて、そのゾルから水分を除去して生じたゲルを焼結させてガラス化させることにより、ゾルゲルガラスを形成すればよい。

第３工程（図２（Ｃ）参照）：絶縁基板１１の表面上に枠体１４を配置形成する。
このとき、枠体１４が合成樹脂材料の場合には、スクリーン印刷法などを用いて形成すればよい。
また、枠体１４がセラミックス材料や金属材料の場合には、別個に成形した枠体１４を絶縁基板１１に取付固定すればよい。
次に、枠体１４の内部に光散乱層１５を注入充填する。

第４工程（図１参照）：枠体１４の開口部に封着板１６を嵌合させ、光散乱層１５を接着剤として用いることにより、封着板１６と光散乱層１５を接着固定する。
このとき、封着板１６の表面には、各種粗面加工法（例えば、プレス加工、サンドブラスト加工、エッチング加工など）を用い、予め凹凸１６ａを形成しておく。

［第１実施形態の作用・効果］
第１実施形態の発光装置１０によれば、以下の作用・効果を得ることができる。

［１−１］発光装置１０は、絶縁基板１１の表面上に配設された各ＬＥＤチップ１２と、絶縁基板１１の表面上にて各ＬＥＤチップ１２を囲繞するように配設された光反射性の枠体１４と、各ＬＥＤチップ１２の上面および側面を被覆し蛍光体を含有する透明な蛍光体層１３と、枠体１４の内部に注入充填されて蛍光体層１３の少なくとも側面を被覆する光散乱性の透明な光散乱層１５とを備える。

光反射性の枠体１４はリフレクタ（光反射部材）として機能し、枠体１４の内部に収容された各ＬＥＤチップ１２の放射光を、枠体１４の内周壁面１４ａにより反射して枠体１４の開口部から一方向に照射することができる。
そのため、発光装置１０は、特に、自動車の前方側の照度を高める必要があるヘッドライト用として好適である。
また、蛍光体層１３は波長変換部材として機能し、各ＬＥＤチップ１２から放射された一次光（青色光）と、その一次光の一部が蛍光体層１３に含有される蛍光体で励起されることにより波長変換された二次光（黄色光）とを混色させて白色光を生成し、その白色光を発光装置１０の光放射面１０ａから外部へ放射する。

そして、発光装置１０によれば、各ＬＥＤチップ１２の側面側から放射された光が、蛍光体層１３を介して光散乱層１５に入射され、光散乱層１５により散乱されるため、枠体１４の内周壁面１４ａによって吸収される光を低減することが可能になり、発光装置１０の光取り出し効率を向上させることができる。

加えて、発光装置１０によれば、各ＬＥＤチップ１２の側面側から放射された光が、光散乱層１５により散乱された後に、枠体１４の内周壁面１４ａによって反射される。
そのため、各ＬＥＤチップ１２の側面側から放射される光の輝度が高くなり、各ＬＥＤチップ１２の上面側から放射される光の輝度との差が少なくなるため、発光装置１０の光放射面１０ａにおける輝度の面内分布を均一にすることができる。

［１−２］枠体１４の開口部に嵌合された透明な封着板１６を備え、枠体１４の内部の部材（各ＬＥＤチップ１２、蛍光体層１３、光散乱層１５）が封着板１６によって封止されるため、耐熱性・耐候性・耐光性を向上させることが可能になり、枠体１４の内部の部材の劣化を防止できる。

［１−３］封着板１６の表面にて、各各ＬＥＤチップ１２の直上に位置する部分には微細な凹凸１６ａが形成されている。
そのため、封着板１６の表面の凹凸１６ａにより、封着板１６の表面から放射される光が散乱されるため、各ＬＥＤチップ１２の上面側から放射される光の輝度が低くなり、各ＬＥＤチップ１２の側面側から放射される光の輝度との差が更に少なくなることから、発光装置１０の光放射面１０ａにおける輝度の面内分布をより均一化することが可能になり、輝度ムラの抑制効果を高めることができる。

［１−４］封着板１６の屈折率は、蛍光体層１３および光散乱層１５の屈折率よりも低いため、空気と封着板１６の界面反射を抑制することにより、発光装置１０の光取り出し効率を更に向上させることができる。

［１−５］光散乱層１５は蛍光体層１３の側面に加えて上面を被覆し、封着板１６は光散乱層１５に接着されている。
そのため、封着板１６を光散乱層１５に隙間無く密着させた状態で容易に取付固定することが可能になるため、前記［１−１］〜［１−４］の作用・効果を確実に得ることができる。

＜第２実施形態＞
図３に示すように、第２実施形態の発光装置２０は、絶縁基板１１、ＬＥＤチップ１２、蛍光体層１３、枠体１４（内周壁面１４ａ）、光散乱層１５（凹凸１５ａ）、光放射面２０ａを備える。
第２実施形態の発光装置２０において、第１実施形態の発光装置１０と異なるのは以下の点だけである。

［２−１］封着板１６が省かれている。
［２−２］光散乱層１５は、光散乱性の微粒子を含有する透明なガラスによって形成されている。
［２−３］光散乱層１５の表面が露出しており、その光散乱層１５の表面が発光装置２０の光放射面２０ａになる。
［２−４］光散乱層１５の表面において、各ＬＥＤチップ１２の直上に位置する部分には、粗面加工が施されて微細な凹凸１５ａが形成されている。

［発光装置２０の製造方法］
第２実施形態の発光装置２０の製造方法において、第１工程（図４（Ａ）参照）および第２工程（図４（Ｂ）参照）はそれぞれ、第１実施形態の第１工程（図２（Ａ）参照）および第２工程（図２（Ｂ）参照）と同じである。

第３工程（図４（Ｃ）参照）：絶縁基板１１の表面上に枠体１４を配置形成する。
次に、光散乱性の微粒子を含有する透明なガラス板２１を、枠体１４の開口部に嵌合させる。

第４工程（図３参照）：ガラス板２１を加熱しながらプレス加工することにより、軟化させたガラス板２１によって蛍光体層１３の上面および側面を被覆し、ガラス板２１を光散乱層１５にする。
このとき、プレス加工の金型の内面に微細な凹凸加工を施しておき、その金型内の凹凸をガラス板２１の表面に転写させることにより、光散乱層１５の表面に凹凸１５ａを形成する。
ここで、蛍光体層１３の基材には、加熱軟化させたガラス板２１の高温に耐えられる材料を用いる必要があり、そのような材料として、例えば、ゾルゲルガラスや、高粘度の溶剤とガラス粉末との混合物などがある。
尚、蛍光体層１３の基材として、高粘度の溶剤とガラス粉末との混合物を用いた場合には、加熱軟化させたガラス板２１を蛍光体層１３に押し当てた際に、溶剤が蒸発してガラス粉末が焼結し、焼結ガラスから成る蛍光体層１３が形成される。

第２実施形態の発光装置２０によれば、第１実施形態の発光装置１０の前記［１−１］と同様の作用・効果が得られる。
そして、第２実施形態では、光散乱層１５の表面の凹凸１５ａにより、光散乱層１５の表面から放射される光が散乱されるため、各ＬＥＤチップ１２の上面側から放射される光の輝度が低くなり、各ＬＥＤチップ１２の側面側から放射される光の輝度との差が更に少なくなることから、発光装置２０の光放射面２０ａにおける輝度の面内分布をより均一化することが可能になり、輝度ムラの抑制効果を高めることができる。
尚、光散乱層１５の表面の凹凸１５ａを形成しないで、光散乱層１５の表面を略平坦にしてもよい。

加えて、第２実施形態によれば、第１実施形態に比べて、製造工程が簡略化されるため製造コストが低減され、ガラスから成る光散乱層１５によって蛍光体層１３および各ＬＥＤチップ１２をガラス封止するため、耐熱性・耐候性・耐光性を更に向上させることができる。

＜第３実施形態＞
図５に示すように、第３実施形態の発光装置３０は、絶縁基板１１、ＬＥＤチップ１２、蛍光体層１３、枠体１４（内周壁面１４ａ）、光散乱層１５、光放射面３０ａを備える。
第３実施形態の発光装置３０において、第２実施形態の発光装置２０と異なるのは以下の点だけである。

［３−１］光散乱層１５は、光散乱性の微粒子を含有する透明なゾルゲルガラスによって形成されている。
［３−２］光散乱層１５の表面が露出しており、その光散乱層１５の表面が発光装置３０の光放射面３０ａになる。
［３−３］光散乱層１５の表面には凹凸が形成されていない。

［発光装置３０の製造方法］
第３実施形態の発光装置３０の製造方法において、第１工程（図６（Ａ）参照）および第２工程（図６（Ｂ）参照）はそれぞれ、第１実施形態の第１工程（図２（Ａ）参照）および第２工程（図２（Ｂ）参照）と同じである。

第３工程（図５参照）：絶縁基板１１の表面上に枠体１４を配置形成する。
そして、光散乱性の微粒子を含有するゾルゲルガラスの形成材料を枠体１４の内部に注入充填し、次に、その形成材料を加水分解させた後に縮重合させてゾルとし、続いて、そのゾルから水分を除去して生じたゲルを焼結させてガラス化させることにより、ゾルゲルガラスから成る光散乱層１５を形成する。

第３実施形態の発光装置３０によれば、第１実施形態の発光装置１０の前記［１−１］と同様の作用・効果が得られる。
加えて、第３実施形態によれば、第１実施形態に比べて、製造工程が簡略化されるため製造コストが低減され、ゾルゲルガラスから成る光散乱層１５によって蛍光体層１３および各ＬＥＤチップ１２をガラス封止するため、耐熱性・耐候性・耐光性を更に向上させることができる。

＜別の実施形態＞
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。

［Ａ］ＬＥＤチップ１２は、４個に限らず適宜な個数にしてもよく、一列に配置するのではなく、複数列に配置したり、適宜な形状（例えば、碁盤目状など）に並べて配置してもよい。
その場合、枠体１４の形状は、ＬＥＤチップ１２の配置に合わせて適宜変更すればよい。

［Ｂ］ＬＥＤチップ１２は、どのような半導体発光素子（例えば、有機ＥＬチップなど）に置き換えてもよい。

［Ｃ］光散乱層１５と同様に、封着板１６の基材に光散乱性の微粒子を含有させてもよく、その場合には封着板１６が光散乱性を有するようになるため、前記［１−１］の作用・効果を更に高めることができる。

［Ｄ］焼結ガラスは内部の結晶界面により光散乱性を有する。そのため、封着板１６を焼結ガラスによって形成すれば、封着板１６が光散乱性を有するようになるため、前記［１−１］の作用・効果を更に高めることができる。

［Ｅ］光散乱層１５をゾルゲルガラスによって形成した場合、ゾルゲルガラスは焼結ガラスであって光散乱性を有するため、光散乱性の微粒子を含有させなくてもよい。

本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。

１０，２０，３０…発光装置
１０ａ，２０ａ，３０ａ…光放射面
１１…絶縁基板
１２…ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
１３…蛍光体層
１４…枠体
１４ａ…枠体１４の内周壁面
１５…光散乱層
１６…封着板
１５ａ，１６ａ…凹凸

Claims (6)

1. 基板の表面上に配設された半導体発光素子と、
   前記基板の表面上にて前記半導体発光素子を囲繞するように配設された光反射性の枠体と、
   前記半導体発光素子の上面および側面を被覆し、蛍光体を含有する透明な蛍光体層と、
   前記枠体の内部に注入充填され、前記蛍光体層の少なくとも側面を被覆する光散乱性の透明な光散乱層と
   を備えた発光装置。
2. 前記枠体の開口部に嵌合された透明な封着板を備えた、
   請求項１に記載の発光装置。
3. 前記封着板の表面にて、前記半導体発光素子の直上に位置する部分には微細な凹凸が形成されている、
   請求項２に記載の発光装置。
4. 前記封着板の屈折率は、前記蛍光体層および前記光散乱層の屈折率よりも低い、
   請求項２または請求項３に記載の発光装置。
5. 前記光散乱層は前記蛍光体層の側面に加えて上面を被覆し、
   前記封着板は前記光散乱層に接着されている、
   請求項２〜４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記光散乱層は前記蛍光体層の側面に加えて上面を被覆し、前記光散乱層の表面にて、前記半導体発光素子の直上に位置する部分には微細な凹凸が形成されている、
   請求項１に記載の発光装置。

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