JP2015071821A - 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法 - Google Patents

無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015071821A
JP2015071821A JP2014102712A JP2014102712A JP2015071821A JP 2015071821 A JP2015071821 A JP 2015071821A JP 2014102712 A JP2014102712 A JP 2014102712A JP 2014102712 A JP2014102712 A JP 2014102712A JP 2015071821 A JP2015071821 A JP 2015071821A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electroless plating
pretreatment
insulating resin
plating
pretreatment agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014102712A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6367606B2 (ja
Inventor
西條 義司
Yoshiji Saijo
義司 西條
久光 山本
Hisamitsu Yamamoto
久光 山本
雅之 内海
Masayuki Uchiumi
雅之 内海
琢也 岡町
Takuya Okamachi
琢也 岡町
拓也 米田
Takuya Komeda
拓也 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
C Uyemura and Co Ltd
Original Assignee
C Uyemura and Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by C Uyemura and Co Ltd filed Critical C Uyemura and Co Ltd
Priority to JP2014102712A priority Critical patent/JP6367606B2/ja
Priority to TW103120028A priority patent/TWI630176B/zh
Priority to KR1020140086625A priority patent/KR102286510B1/ko
Priority to CN201410453061.3A priority patent/CN104419918B/zh
Priority to US14/478,332 priority patent/US9374913B2/en
Publication of JP2015071821A publication Critical patent/JP2015071821A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6367606B2 publication Critical patent/JP6367606B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1875Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1882Use of organic or inorganic compounds other than metals, e.g. activation, sensitisation with polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • C23C18/1653Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073Multistep pretreatment
    • C23C18/2086Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22Roughening, e.g. by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/30Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
    • H05K2203/0776Uses of liquids not otherwise provided for in H05K2203/0759 - H05K2203/0773
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0783Using solvent, e.g. for cleaning; Regulating solvent content of pastes or coatings for adjusting the viscosity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0789Aqueous acid solution, e.g. for cleaning or etching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

【課題】絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着性に優れるだけでなく、泡の発生を短時間に抑えられて耐起泡性に優れており、且つ、絶縁樹脂基板への浸透性にも優れる新規な無電解めっき用前処理剤を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき用前処理剤は、フッ素化合物と;界面活性剤と;C49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテル、および/またはC49−(OC36)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるプロピレン系グリコールブチルエーテルを含有する。
【選択図】なし

Description

本発明は、無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法に関する。本発明の無電解めっき用前処理剤は、特に、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板に無電解めっきを行なうための前処理剤として好適に用いられる。
電子機器類などの分野に汎用されるプリント配線基板の多くは、無電解めっきを用いるアディティブ法で製造される。アディティブ法は、無電解めっきだけを用いて配線を形成するフルアディティブ法と、無電解めっきを行なった後、電気めっきを行なって配線を形成するセミアディティブ法に大別される。具体的には、絶縁樹脂基板の表面を粗化した後、触媒を付与し、無電解銅めっきなどの無電解めっき処理を行ない(以上、フルアディティブ法)、必要に応じて電気銅めっきなどの電気めっき処理を行なって(以上、セミアディティブ法)、プリント配線基板が形成される。上記絶縁樹脂には、シリカ系フィラーが含まれることが多く、これにより、絶縁樹脂の機械的特性、電気的特性が改善されると共に、粗化処理時のアンカー効果により、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着性が向上する。しかし、プリント配線基板の高機能化、高集積化に伴い、絶縁樹脂基板表面の粗さ(アンカーとなる凹凸)が小さくなるにつれ、めっき皮膜との密着性が低下するという問題が生じている。
上記事情に鑑み、例えば特許文献1には、プリント配線基板などの表面を処理するための無電解めっき用前処理液として、カチオンポリマー(カチオン系界面活性剤)、ノニオン系界面活性剤、および水に、二フッ化水素アンモニウムを含有するコンディショナーが開示されている。上記特許文献1の実施例には、上記組成のコンディショナーに絶縁樹脂基板を浸漬し、無電解銅めっき、および電解銅めっきを行なうと、下地樹脂とめっき皮膜とのピール強度が高くなり、密着性が向上することが示されている。上記コンディショナーは、スルーホールと呼ばれる微細貫通穴やブラインドビアと呼ばれる微細非貫通穴を有するプリント配線基板にも適用可能であり、スルーホール内部への銅の付き回り性が良好な写真も開示されている。
本願出願人も、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の形成に用いられる無電解めっき用前処理液として、フッ化水素などのフッ素化合物を含有するシリカ系フィラーエッチング処理液を特許文献2に開示している。上記のフッ素化合物含有処理液を用いれば、表面の粗さが小さな基板でも、めっき皮膜との高い密着性が得られることを実証している。
特開2010−106337号公報 特開2009−270174号公報
ところで、プリント配線基板などの表面を処理するために用いられる無電解めっき用前処理液には、通常、界面活性剤が含まれる。界面活性剤は一般に起泡性が強く、泡立ち易い。処理中に発生した泡が、基板表面やスルーホール、ブラインドビアなどの穴に吸着すると、その後に行なわれる無電解めっきなどの工程でめっき金属の付き回りが減少し、めっき性が低下する。
更に無電解めっき用前処理液は、絶縁樹脂基板への浸透性に優れていることが要求される。絶縁樹脂基板への浸透性が低いと、各種工程に用いられる薬液がスルーホール、ブラインドビアなどの穴に入り込まず、上記穴へのめっきの付き回り性が低下してしまうからである。一般に界面活性剤は、基板に対する浸透性向上作用を有すると考えられているが、本発明者らの実験結果によれば、界面活性剤だけでは、絶縁樹脂基板への浸透性が不十分であることが分かった。
このように無電解めっき用前処理液には、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着性に優れるだけでなく、処理中の起泡性が少ないこと(耐起泡性)、および絶縁樹脂基板への浸透性に優れることも強く要求されるが、前述した特許文献1および2では、これらの評価は全く行なっていない。本発明者らが、上記特許文献1および2に記載の前処理液を模擬して起泡性試験および浸透性試験を行ったところ、起泡性が強く、浸透性が低いことが分かった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着性に優れるだけでなく、泡の発生を短時間に抑えられて耐起泡性に優れており、且つ、絶縁樹脂基板への浸透性にも優れた新規な無電解めっき用前処理剤を提供することにある。また、本発明の他の目的は、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理するプリント配線基板の前処理方法、および上記プリント配線基板の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決し得た本発明の無電解めっき用前処理剤は、フッ素化合物と;界面活性剤と;C49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテル、および/またはC49−(OC36)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるプロピレン系グリコールブチルエーテルを含有するところに要旨を有する。
本発明の好ましい実施形態において、上記無電解めっき用前処理剤は、フッ素化合物と;界面活性剤と;C49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテルを含有する。
本発明の好ましい実施形態において、上記無電解めっき用前処理剤のpHは3.1以下である。
また、上記課題を解決し得た本発明に係るプリント配線基板の前処理方法は、上記の無電解めっき用前処理剤を用い、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理するところに要旨を有する。
また、上記課題を解決し得た本発明に係るプリント配線基板の製造方法は、上記の無電解めっき用前処理剤を用い、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理した後、無電解めっきを行なうところに要旨を有する。
本発明によれば、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着性に優れるだけでなく、耐起泡性および浸透性に優れた無電解めっき用前処理剤を提供することができる。耐起泡性の向上により、絶縁樹脂基板の表面やスルーホール、ブラインドビアなどの穴内部への泡の吸着を未然に防止することができ、めっきの付き回り性が改善される。その結果、生産性も高められる。また、浸透性の向上により、粗化された絶縁樹脂基板の表面に前処理剤が十分浸透し、前処理剤の添加効果が高められる。本発明の前処理剤は、特に絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理するのに好適に用いられる。また、本発明の前処理剤は、スルーホールやブラインドビアなどの穴を有するプリント配線基板の表面処理にも適用可能である。
本発明者らは、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着性、耐起泡性、および絶縁樹脂基板への浸透性の全てに優れた無電解めっき用前処理剤を提供するため、前述した特許文献1および2に記載のフッ素化合物含有処理液をベースに検討を行なった。その結果、これらの特許文献に記載のフッ素化合物含有処理液は、めっき皮膜との密着性に優れるものの、耐起泡性および浸透性に劣ることが判明した。そこで、上記フッ素化合物含有処理液における耐起泡性および浸透性を高めるため、更に検討を行なった。その結果、上記フッ素化合物含有処理液に所定のグリコールエーテル;すなわち、C49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテル、C49−(OC36)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるプロピレン系グリコールブチルエーテルの少なくとも一種を添加すれば、めっき皮膜との高い密着強度を維持しつつ、耐起泡性および浸透性の両方が高められ、所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。以下では、本発明に用いられるエチレン系またはプロピレン系のグリコールブチルエーテルを単に、グリコールブチルエーテルと略記する場合がある。
本発明において無電解めっき用前処理剤とは、無電解めっきの前に用いられる処理剤である。詳細には、プリント配線基板に用いられる絶縁樹脂基板を例に挙げると、絶縁樹脂基板に膨潤処理、粗化処理、必要に応じて粗化処理で発生した酸化物を還元するための中和処理を行なった後、無電解めっき処理を行なう前に用いられる処理剤を意味し、一般に、コンディショナーと呼ばれている。上記絶縁樹脂は、シリカ系フィラーを含有しても良い。また、上記絶縁樹脂基板は、スルーホールやブラインドビアの穴を有していても良い。いずれの絶縁樹脂基板を用いた場合であっても、所望とする特性(密着強度、耐起泡性、および浸透性)が得られることを確認している。以下、本発明の無電解めっき用前処理剤(液)を、単に前処理剤(液)と呼ぶ場合がある。
上述したように本発明の無電解めっき用前処理剤は、フッ素化合物と;界面活性剤と;C49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテル、および/またはC49−(OC36)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるプロピレン系グリコールブチルエーテルとを含有する。詳細には、本発明の前処理液は、上記成分に水およびpH調整剤を加えたものである。
まず、本発明を最も特徴付けるグリコールエーテルについて説明する。グリコールエーテルは有機溶剤の一種であり、例えば塗料、インキなどの溶剤として使用されている。グリコールエーテルには、例えばエチレングリコールをベースとするエチレングリコール系(E.O.系)、プロピレングリコールをベースとするプロピレングリコール系(P.O.系)などが含まれる。本発明者らは、上述したE.O.系およびP.O.系のグリコールエーテルのうち、特に、末端の水素がブチル基で置換されたもの;具体的には、下式(1)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテル、および下式(2)で表されるプロピレン系グリコールブチルエーテルが、耐起泡性作用および浸透性作用の両方を有することを初めて見出した。
49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)・・・(1)
49−(OC36)n−OH(n=1〜4の整数)・・・(2)
詳細には、後記する実施例に示すように、上式(1)、(2)で表されるグリコールブチルエーテル以外のグリコールエーテルを用いても、所望とする特性を兼備させることはできなかった。例えばE.O.系グリコールエーテルのうち、ブチル基でなくメチル基などを有する比較例(例えばエチレングリコール−ジメチルエーテル、ジエチレングリコール−ジメチルエーテル、トリエチレングリコール−メチルエーテル、トリエチレングリコール−エチルエーテル、トリエチレングリコール−ジメチルエーテル)は、耐起泡性に優れるものの、浸透性に劣っている(後記する表1のNo.14〜18を参照)。同様に、P.O.系グリコールエーテルのうち、ブチル基でなくメチル基を有する比較例(例えばジプロピレングリコール−ジメチルエーテル、ジプロピレングリコール−モノメチルエーテル)は、耐起泡性に優れるものの、浸透性に劣っている(後記する表1のNo.19、20を参照)。これらのうち、例えばNo.15〜19における浸透性は2分以上と、低かった。
これに対し、本発明で規定するグリコールブチルエーテルを用いた場合、浸透性が劇的に向上し、例えばNo.1、3〜5(発明例)における浸透性は1秒以下まで改善された。上記の比較例と比べると、120分の1以上の低減効果が得られたことになる。グリコールエーテルのなかでも、特に本発明で規定するグリコールブチルエーテルのみが、極めて優れた浸透性改善作用を有することは、これまで知られていない。
このように本発明は、グリコールエーテルのなかでも、特に上式(1)、(2)で表されるグリコールブチルエーテルのみが、フッ素化合物含有前処理液の高い密着強度を有効に発揮させつつ、耐起泡性だけでなく、著しい浸透性向上作用も有することを見出した点に技術的意義を有する発明であり、所謂選択発明として位置づけられる。
上式(1)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテルとしては、エチレングリコールブチルエーテル(n=1)、ジエチレングリコールブチルエーテル(n=2)、トリエチレングリコールブチルエーテル(n=3)、テトラエチレングリコールブチルエーテル(n=4)が挙げられる。また、上式(2)で表されるプロピレン系グリコールブチルエーテルとしては、プロピレングリコールブチルエーテル(n=1)、ジプロピレングリコールブチルエーテル(n=2)、トリプロピレングリコールブチルエーテル(n=3)、テトラプロピレングリコールブチルエーテル(n=4)が挙げられる。
ここで、上式(1)、(2)で表されるグリコールブチルエーテル中のブチルは、直鎖状でも分岐状でも良い。
これらのうち、浸透性の更なる向上などを考慮すると、好ましいグリコールブチルエーテルは、上式(1)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテルであり、より好ましくはジエチレングリコールブチルエーテル(例えば、ジエチレングリコール−モノ−n−ブチルエーテルなど)である。
本発明では、上式(1)、(2)で表されるグリコールブチルエーテルを単独で用いても良いし、二種以上を併用しても良い。併用例としては、上式(1)で表されるグリコールブチルエーテルを二種以上用いる例、上式(2)で表されるグリコールブチルエーテルを二種以上用いる例、上式(1)で表されるグリコールブチルエーテルと上式(2)で表されるグリコールブチルエーテルを二種以上用いる例が挙げられる。
ここで、フッ素化合物と、界面活性剤と、エチレン系またはプロピレン系のグリコールブチルエーテルと、水と、pH調整剤の合計量を「前処理剤全量」としたとき、上記前処理液全量に対する上記グリコールブチルエーテルの好ましい含有量(単独で含むときは単独の量であり、二種類以上を含むときは合計量である。)は0.1g/L以上、500g/L以下であり、より好ましくは10g/L以上、300g/L以下である。上記の下限を下回ると、グリコールブチルエーテルの添加効果が有効に発揮されず、耐起泡性や浸透性が低下する。一方、上記の上限を超えて添加しても、グリコールブチルエーテルの添加効果は飽和し、経済的に無駄である。
以上、本発明の前処理剤を最も特徴づけるグリコールブチルエーテルについて説明した。
本発明の前処理剤は、更にフッ素化合物と、界面活性剤と、を含む。
本発明に用いられるフッ素化合物として、例えば、酸性フッ化ナトリウム、酸性フッ化アンモニウム、前述した特許文献1に記載の二フッ化水素アンモニウム、前述した特許文献2に記載のフッ素化合物(フッ化水素;ホウフッ化水素酸;フッ化ナトリウム、フッ化水素ナトリウムなどのナトリウム塩;フッ化水素アンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸アンモニウムなどのアンモニウム塩など)が挙げられる。これらは単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。
上記フッ素化合物は、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着強度向上に有用である。本発明において好ましく用いられるフッ素化合物は酸性フッ化ナトリウムまたは酸性フッ化アンモニウムであり、より好ましくは酸性フッ化アンモニウムである。
前処理液全量に対する上記フッ素化合物の好ましい含有量(単独で含むときは単独の量であり、二種類以上を含むときは合計量である。)は0.01g/L以上、100g/L以下であり、より好ましくは1g/L以上、50g/L以下である。上記の下限を下回ると、フッ素化合物の添加効果が有効に発揮されず、密着強度が低下する。一方、上記の上限を超えて添加しても、フッ素化合物の添加効果は飽和し、経済的に無駄である。
本発明に用いられる界面活性剤の種類は特に限定されず、非イオン(ノニオン)性界面活性剤、イオン性界面活性剤の両方が用いられる。これらは単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。
このうち非イオン(ノニオン)性界面活性剤は、前処理剤の表面張力低減剤として有用である。また、界面活性剤として更にカチオン性界面活性剤を用いる場合は、上記カチオン性界面活性剤の分散剤としての作用も発揮する。好ましい非イオン界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルエーテル;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルである。上記非イオン性界面活性剤は、単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。
また、イオン性界面活性剤には、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤が含まれるが、本発明では、これらのいずれも用いることができる。
このうち上記カチオン性界面活性剤は、マイナスに帯電している絶縁樹脂基板表面に吸着して電荷を中和する作用を有する。好ましいカチオン性界面活性剤は、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライドとアクリルアミドの共重合体、ポリエチレンイミンである。
上記アニオン性界面活性剤は、プラスに帯電している絶縁樹脂基板表面に吸着して電荷を中和する作用を有する。アニオン性界面活性剤として、例えば、特開2011−228517号公報に記載のものを用いることができる。
上記両性界面活性剤は、アルカリ性領域ではアニオン性界面活性剤の性質を、酸性領域ではカチオン性界面活性剤の性質を示すものである。後記するように本発明の前処理液は、好ましくはpH3.1以下の酸性を示すため、両性界面活性剤の使用により、カチオン性界面活性剤の性質が発揮される。上記両性界面活性剤として、例えば、特開2011−228517号公報に記載のものを用いることができる。
本発明において、前処理剤全量に対する上記界面活性剤の好ましい含有量(単独で含むときは単独の量であり、二種以上を含むときは合計量である。)は0.1g/L以上、500g/L以下であり、より好ましくは1g/L以上、100g/L以下である。上記の下限を下回ると、界面活性剤の添加効果が有効に発揮されず、ガラスへの無電解Cuめっきの析出性が低下する。一方、上記の上限を超えて添加しても、界面活性剤の添加効果は飽和し、経済的に無駄である。
以上、本発明の前処理剤を構成する成分について詳述した。
本発明に係る前処理剤のpHは3.1以下であることが好ましい。pHが3.1を超えると、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着強度が低下する。上記前処理剤のpHは、より好ましくは3.0以下である。
本発明の前処理剤は、上記成分に水を加え、pH調整剤を添加して所定のpHに制御することが好ましい。pH調整剤の種類は、上記の酸性領域に調整できるものであれば特に限定されないが、例えば、硫酸が好ましく用いられる。
本発明において、前処理剤全量に対するpH調整剤の好ましい含有量は、好ましいpHが得られるように前処理剤の組成に応じて適切に制御すれば良いが、例えば0.1g/L以上、100g/L以下であり、より好ましくは0.5g/L以上、50g/L以下である。上記の下限を下回ると、所定のpHが得られず、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着強度が低下する。一方、上記の上限を超えて添加してもpH低下作用は飽和し、経済的に無駄である。
以上、本発明の前処理剤について説明した。
本発明の前処理剤は、プリント配線基板を製造するための前処理剤として好適に用いられるが、これに限定されない。具体的には、例えば、ビルドアップ工法による高密度多層配線基板のほか、ウエハレベルCSP(Chip SizエポキシPackageまたはChip ScalエポキシPackage)、TCP(Tape Carrier Package)などの多層配線基板を製造するための前処理剤としても用いられる。
次に、本発明に係るプリント配線基板の前処理方法について説明する。本発明の前処理方法は、上記の無電解めっき用前処理剤を用い、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理するものである。
本発明の前処理方法は、前述した本発明の無電解めっき用前処理剤を用いた点に特徴があり、シリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理する方法は特に限定されない。以下、本発明の前処理方法について説明するが、詳細は、例えば前述した特許文献2に記載の方法を参照することができる。
まず、絶縁樹脂基板を準備する。本発明に用いられる絶縁樹脂としては、その後のデスミア処理[レーザやドリルによる穴開け加工時に発生するスミア(樹脂残渣)を除去する処理]や、シリカ系フィラーのエッチング処理などに用いられる溶液に容易に溶解しない樹脂であれば特に限定されない。このような絶縁樹脂として、例えば、電気絶縁樹脂として汎用されているエポキシ樹脂の他、イミド樹脂や、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ビスマレイミド―トリアジン樹脂、シロキサン樹脂、マレイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルホンなどが挙げられ、上記樹脂を単独または併用することができる。例えば、上記樹脂のうち、少なくとも二種以上の樹脂を任意の割合で混合して得られた樹脂を用いることもできる。
次に、上記絶縁樹脂基板に対し、膨潤処理を行なう。膨潤処理は、後工程における粗化処理の際、基板表面を粗化し易くするために行なわれる。膨潤処理の方法は特に限定されず、膨潤処理に通常用いられる溶液中に絶縁樹脂基板を所定時間浸漬処理すれば良い。膨潤処理に用いられる溶液として、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。これらは、単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。膨潤処理のための浸漬は、例えば、約60〜90℃程度の温度で10〜30分間程度行なうことが好ましい。
膨潤処理の後、絶縁樹脂基板を水洗してから、樹脂表面をエッチング液で粗化する。エッチング液として、例えば、過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸ナトリウム、クロム酸カリウムなどのエッチング剤が好ましく用いられる。これらは、単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。
次いで、必要に応じて、粗化処理によって絶縁樹脂基板の表面に生じた残留物を溶解除去する。この残留物は必ず生じるものではないが、例えば、過マンガン酸ナトリウムや過マンガン酸カリウムなどのエッチング剤を用いたときは、Mnに由来するマンガン酸化物が基板表面に残留する。そこで、当該酸化物を還元して中和し、溶解除去する目的で、還元処理液に浸漬し、基板表面を清浄にすることが好ましい。上記還元処理液としては、例えば、硫酸ヒドロキシルアミン、次亜リン酸ナトリウム、アミノボラン、ジメチルアミンボラン、ハイドロサルファイト、ホルマリンなどの還元剤を、単独で、または二種以上含む還元処理液が好適に用いられる。還元処理液中の浸漬は、例えば、約20〜90℃程度の温度で約5〜30分間行なうことが好ましい。
上記の前処理を行なった後、無電解めっき、更に必要に応じて電気めっきを行なう(これらの詳細は後述する)。本発明の前処理剤は、上述した膨潤処理→粗化処理(更には、必要に応じて還元処理)を行なった後、無電解めっきの前に用いられる。詳細には、還元処理を行なわない場合は粗化処理の後;還元処理を行なうときは、還元処理と同時に、または、還元処理の後に、本発明の前処理剤を用いる。例えば還元処理と同時に本発明の前処理剤を用いる場合、前述した還元剤と、本発明の前処理液を構成するフッ素化合物、界面活性剤、グリコールブチルエーテルとを加え、更に水およびpH調整剤を加えてpHが例えば1〜4の範囲に調整された処理剤を用いることが好ましい。
次に、本発明に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。本発明の製造方法は、上記の無電解めっき用前処理剤を用い、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理した後、無電解めっきを行なうものである。更に必要に応じて、電気めっきを行なっても良い。
本発明の製造方法は、前述した本発明の無電解めっき用前処理剤を用いた点に特徴があり、シリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理する方法、およびその後の無電解めっき方法は特に限定されず、例えば前述した特許文献2に記載の方法を参照することができる。これらのうち、プリント配線基板の表面処理方法は前述したとおりであり、以下では、無電解めっき法について説明する。
無電解めっき法は、外部からの電流を用いる電気めっき法に対し、電気を作用させないめっき方法であり、被めっき物の金属を溶液に浸漬してめっきする置換めっき法(浸漬めっき法とも呼ばれる。)と、化学的還元反応を利用した還元めっき法(化学めっき法とも呼ばれる。)に大別される。プリント配線基板の製造に用いられる無電解めっきは、上記の還元めっき法の一つである。
まず、無電解めっきを行なう前に、上記の方法で表面を処理した絶縁樹脂基板を清浄処理し、クリーニングする。これにより、絶縁樹脂基板表面のゴミや油脂などが除去される。また、濡れ性が改善され、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着強度が一層向上する。清浄処理は特に限定されず、清浄処理に通常用いられる溶液中に絶縁樹脂基板を所定時間浸漬処理すれば良い。
次に、硫酸や過硫酸ナトリウムなどのエッチング液で基板表面を軽く粗化(ソフトエッチング)した後、表面に残留した残渣を硫酸などの酸洗液を用いて除去する。
次に、無電解めっきの核となる触媒金属を絶縁樹脂基板の表面に付与(吸着)する。触媒金属の付与方法は特に限定されず、例えば、触媒金属を含む溶液に絶縁樹脂基板を所定時間浸漬する方法が挙げられる。上記触媒金属として、Pd(例えばPd2+)、塩化パラジウム(PdCl2・2H2Oなど)、塩化第一スズ(SnCl2・2H2Oなど)などが挙げられる。これらは、単独または二種以上を組み合わせたもの(代表的にはPd−Sn錯体など)を用いることができる。上記触媒金属に塩酸(HCl)などを加え、水を加えたものが触媒溶液として用いられる。触媒溶液に占める上記触媒金属の好ましい濃度は、例えば、Pd濃度:100〜300mg/L、Sn濃度:10〜20g/L、HCl濃度:150〜250mL/Lである。具体的には、例えば、上記濃度の触媒溶液中に絶縁樹脂基板を入れ、30〜40℃の温度で1〜3分間浸漬させることにより、Pd−Snコロイドが絶縁樹脂基板の表面に吸着する。
次に、上記のようにして吸着させた触媒金属を、アクセレータ(促進剤)を含む溶液に浸漬し、触媒金属を活性化させる。この活性化処理により、例えばPd−Sn錯体中のSnが除去され、金属Pdが基板表面に生成して吸着する。最終的に、この金属Pdが触媒となって、その後の無電解めっきによるめっき金属(代表的にはCu)の析出が促進される。アクセレータとして、例えば、硫酸溶液、塩酸溶液、水酸化ナトリウム溶液、アンモニア溶液などが挙げられる。上記溶液の好ましい濃度は、例えば50〜100mL/Lの範囲である。また、好ましい浸漬条件は、常温(20〜25℃)下で1〜5分程度である。
なお、触媒金属の付与に当たっては、上述したアクセレータを用いる前に、例えば、プレディップ、アクチベーター、レデューサーなどの各種溶液を用いて前処理を行なっても良い。これにより、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着強度が一層高められる。更には、絶縁樹脂基板表面への触媒の馴染み性も一層良好になる。上記各種溶液は公知のものを用いることができ、市販品を用いても良い。
このようにして触媒金属を付与した後、必要に応じて、プリント配線基板に施される所定の回路パターンを形成するためのめっきレジストパターンを形成し、めっき皮膜を析出させる箇所以外をマスキングする。このレジストパターンは、めっき処理後、エッチン処理などによって除去しても良いし、めっき処理後に除去せずにソルダーレジストとして用いても良い。めっきレジストパターンの形成方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。
次いで、無電解めっき法によりめっき皮膜を形成し、回路パターンを形成する。なお、無電解めっきを行なう前に、絶縁樹脂基板の表面に付着した触媒を還元して活性化させ、めっき金属の析出が促進するよう、公知の処理液に浸漬処理しても良い。このような処理液として、例えば、10%硫酸溶液、レデューサーなどが挙げられる。上記レデューサーは公知のものを用いることができ、市販品を用いても良い。
無電解めっき方法は特に限定されず、無電解めっき浴に絶縁樹脂基板を浸漬すれば良い。無電解めっき浴として、例えば、銅を含み、EDTA、ロッシェル塩などの錯化剤を含むめっき浴が挙げられる。無電解めっき浴の組成は特に限定されないが、例えば、EDTA含有無電解銅めっき浴の組成の一例として、硫酸銅(10g/L)、EDTA(30g/L)を含有し、水酸化ナトリウムによりpH12.5に調整したものが挙げられる。無電解めっき浴への好ましい浸漬条件は、例えば、60〜80℃の温度で30〜600分間である。また、ブラインドビアなどを有する多層配線基板を用いる場合は、無電解めっき中、めっき液の撹拌を十分行って、ブラインドビア内に銅イオンが十分に供給されるようにすることが好ましい。撹拌方法は特に限定されず、例えば、空気撹拌やポンプ循環などによる撹拌などを適用することができる。
無電解めっき処理において、絶縁樹脂基板とめっき皮膜との密着性を更に向上させるため、二段階めっきを行なっても良い。具体的には、絶縁樹脂基板の上に、まず、下地めっき皮膜を形成する一次めっき処理を行ない、次いで、下地めっき皮膜の上に、下地めっき皮膜よりも膜厚が厚くなるような厚付けめっき皮膜を形成する二次めっき処理を行って回路パターンを形成しても良い。
このようにして所望とするプリント配線基板が得られるが、必要に応じて、無電解めっきの後、電気めっきを行う。電気めっきの方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。また、電気めっきの前に、クリーナーなどで洗浄し、酸洗しても良い。これらの方法も特に限定されない。
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例によって制限されず、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
実施例1
本実施例では、表1に記載の成分を含み、pH調整剤として硫酸(5g/L)と、水を加え、pHを3.0に調整した種々の前処理液を用いた。表1中、フッ素化合物は酸性フッ化アンモニウム(キシダ化学株式会社製の酸性フッ化アンモニウム)、ノニオン系界面活性剤は日油株式会社製のナイミーンS220、カチオン系界面活性剤はセンカ株式会社製のFPA1001Lを意味する。フッ素化合物の濃度は全て5g/Lであり、界面活性剤の濃度は種類を問わず、全て4g/Lである。
上記の各種前処理液について、以下のようにして浸透性および耐起泡性を評価した。
(浸透性の評価)
本実施例では、フェルト沈降法により前処理液の浸透性を評価した。浸透性評価のため、縦20mm×横20mm×厚さ3mmのサイズにカットしたフェルト(米島フェルト産業株式会社製JA 3t)を準備した。
まず、100mLビーカーに各種前処理液を100mL注ぎ、後記する表2に記載の前処理温度(40℃)まで昇温した。次に、前処理液の液面より上20〜30mmの位置からフェルトを落下させ、フェルトが前処理液の液面に接したときから、前処理液の液面を離れる(沈降し始める)までの時間を測定した。フェルトに前処理液が浸透すると沈降するため、この時間が短いほど、浸透性に優れると評価される。
(耐起泡性の評価)
本実施例では、振とう法により前処理液の耐起泡性を評価した。
まず、100mLの有栓メスシリンダーに各種前処理液を20mL注ぎ、表2に記載の処理温度(40℃)まで昇温した。次に、メスシリンダーに栓をし、10回上下に振った後、栓を開け、栓を開けた直後(t=0分)における、液面からの泡の高さ(Ht=0分
を測定した。3分間放置し、泡が消えるまでの時間(秒)を測定した。泡が消えるまでの時間が短いほど、耐起泡性に優れている。なお、3分間放置後も泡が消えないときは、3分間放置後(t=3分)における、液面からの泡の高さ(Ht=3分)を測定し、その差(
=Ht=0分−Ht=3分、消えずに残った泡の高さ)を算出した。
更に、めっき皮膜と絶縁樹脂基板との密着強度を測定するため、以下の試料を作製した。
まず、ガラス・エポキシ基板(NEMA記号FR−4)上に、味の素ファインテクノ社製の樹脂フィルムABF−GXT31を積層した絶縁樹脂基板を用い、表2に記載の手順で、膨潤、粗化、還元液による中和の後、乾燥してから、表1に記載の各種前処理液を用いて処理した。次いで、ソフトエッチング、酸洗を行なってから、触媒付与プロセス(プレディップ、アクチベーター、レデューサー、アクセレータ)によりPd触媒を付与した後、無電解銅めっきを行ない、乾燥して厚み1μmのめっき皮膜を形成した。更に乾燥、熱処理、クリーナー、酸洗を行なってから、2.5A/dm2の条件で電気銅めっきを行ない、厚み25μmの銅めっき皮膜を形成した。その後、変色防止処理、乾燥、熱処理を行ない、試料を作製した。
このようにして作製した試料を用い、めっき皮膜と絶縁樹脂基板との密着強度を以下のようして測定した。
(めっき皮膜と絶縁樹脂基板との密着強度の測定)
上記試料に1cm幅の切り込みを入れ、JIS−C5012「8.5 めっき密着性」に記載の方法に基づき、90°剥離試験を行ない、ピール強度を測定した。ピール強度は、島津製作所製AUTOGRAPH AGS−Xを用いて測定した。
これらの結果を表1に併記する。
Figure 2015071821
Figure 2015071821
表1より以下のように考察することができる。
まず、No.1〜11は、本発明で規定するグリコールブチルエーテルを用いた本発明例であり、エチレングリコール系(No.1〜7)、プロピレングリコール系(No.8〜11)のいずれにおいても、浸透性、耐起泡性、密着性の全てに優れている。また、上記効果は、界面活性剤の種類にかかわらず有効に発揮された(No.3と4を参照)。
これに対し、本発明のいずれかの要件を満足しない処理液を用いたNo.12〜20の比較例は、以下の不具合を抱えている。
まず、No.13は、本発明で規定するグリコールブチルエーテルと、界面活性剤を含むが、フッ素化合物を含まない比較例である。表1に示すようにNo.13は、浸透性および耐起泡性に優れているが、密着性が著しく低下した。従って、めっき皮膜との高い密着強度を確保するためには、フッ素化合物の添加が不可欠であることが分かる。
No.12は、フッ素化合物および界面活性剤を含有するがグリコールブチルエーテルを含まない比較例であり、前述した特許文献1または2の処理液を模擬した例である。表1に示すように、No.12はフッ素化合物を含むため、密着性に優れているが、グリコールブチルエーテルを含まないために浸透性が低く、且つ、起泡性試験を行なうと3分間放置後も泡が残り、耐起泡性に劣っている。No.12と前述したNo.13の結果から、浸透性と耐起泡性を確保するためには、グリコールブチルエーテルの添加が不可欠であることが分かる。
No.14〜20は、フッ素化合物と界面活性剤を含むが、本発明で規定しない、他のグリコールエーテルを用いた比較例である。いずれも、密着性および耐起泡性は良好であったが、浸透性が著しく低下した。特に浸透性について検討すると、これらの比較例は、本発明で規定するグリコールブチルエーテルを用いたNo.1〜11に比べ、浸透性が著しく低下した。
これらの結果から、グリコールエーテルのなかでも、特に本発明で規定するグリコールブチルエーテルのみが、耐起泡性のみならず浸透性の両方を向上させることが実証された。

Claims (5)

  1. フッ素化合物と;界面活性剤と;C49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテル、および/またはC49−(OC36)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるプロピレン系グリコールブチルエーテルを含有することを特徴とする無電解めっき用前処理剤。
  2. フッ素化合物と;界面活性剤と;C49−(OC24)n−OH(n=1〜4の整数)で表されるエチレン系グリコールブチルエーテルを含有することを特徴とする無電解めっき用前処理剤。
  3. pHが3.1以下である請求項1または2に記載の無電解めっき用前処理剤。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載の無電解めっき用前処理剤を用い、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理することを特徴とするプリント配線基板の前処理方法。
  5. 請求項1〜3のいずれかに記載の無電解めっき用前処理剤を用い、絶縁樹脂中にシリカ系フィラーを含有するプリント配線基板の表面を処理した後、無電解めっきを行なうことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
JP2014102712A 2013-09-09 2014-05-16 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法 Active JP6367606B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014102712A JP6367606B2 (ja) 2013-09-09 2014-05-16 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法
TW103120028A TWI630176B (zh) 2013-09-09 2014-06-10 Pretreatment agent for electroless plating, pretreatment method using printed wiring substrate using the above pretreatment agent for electroless plating, and manufacturing method thereof
KR1020140086625A KR102286510B1 (ko) 2013-09-09 2014-07-10 무전해 도금용 전처리제, 및 상기 무전해 도금용 전처리제를 사용한 프린트 배선기판의 전처리방법 및 그 제조방법
CN201410453061.3A CN104419918B (zh) 2013-09-09 2014-09-05 用于化学镀的前处理剂和印刷电路板的前处理方法及其制备方法
US14/478,332 US9374913B2 (en) 2013-09-09 2014-09-05 Pretreatment agent for electroless plating, and pretreatment and production of printed wiring board using same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013186687 2013-09-09
JP2013186687 2013-09-09
JP2014102712A JP6367606B2 (ja) 2013-09-09 2014-05-16 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015071821A true JP2015071821A (ja) 2015-04-16
JP6367606B2 JP6367606B2 (ja) 2018-08-01

Family

ID=52625883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014102712A Active JP6367606B2 (ja) 2013-09-09 2014-05-16 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9374913B2 (ja)
JP (1) JP6367606B2 (ja)
KR (1) KR102286510B1 (ja)
CN (1) CN104419918B (ja)
TW (1) TWI630176B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016148076A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 上村工業株式会社 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法
JP2018024916A (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 上村工業株式会社 還元処理と同時に用いられる無電解めっき用前処理液、およびプリント配線基板の製造方法
WO2018092410A1 (ja) 2016-11-17 2018-05-24 上村工業株式会社 プリント配線基板の製造方法
WO2018117160A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 マクセルホールディングス株式会社 メッキ成形体の製造方法及びメッキ成形体
KR20200136831A (ko) 2019-05-28 2020-12-08 우에무라 고교 가부시키가이샤 프린트 배선 기판의 제조 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018194414A1 (ko) * 2017-04-21 2018-10-25 주식회사 아모그린텍 인쇄회로 나노섬유웹 제조방법, 이를 통해 제조된 인쇄회로 나노섬유웹 및 이를 이용한 전자기기
CN110709155A (zh) 2017-06-09 2020-01-17 阿莫绿色技术有限公司 过滤器滤材、其制造方法及包括其的过滤器单元
US10787743B2 (en) 2017-08-28 2020-09-29 The Boeing Company Depositing a structurally hard, wear resistant metal coating onto a substrate
CN111328337B (zh) 2017-11-15 2022-01-25 阿莫绿色技术有限公司 石墨-高分子复合材料制造用组合物及通过其体现的石墨-高分子复合材料
US11266025B2 (en) * 2017-11-21 2022-03-01 Qualtec Co., Ltd. Electronic-component manufacturing method and electronic components
KR102305877B1 (ko) * 2020-04-13 2021-09-30 주식회사 디에이피 약품 탱크
CN112095110B (zh) * 2020-11-18 2021-03-12 苏州天承化工有限公司 一种abf表面处理剂及其制备方法和应用
WO2023242157A1 (en) * 2022-06-14 2023-12-21 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Method for cleaning a nonconductive surface and use

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01123078A (ja) * 1987-09-25 1989-05-16 Harshaw Chem Ltd プラスチック基材のエツチング前処理
US5308387A (en) * 1987-09-25 1994-05-03 Elf Atochem North America, Inc. Pre-etch treatment of a plastic substrate
US20040038154A1 (en) * 2002-08-14 2004-02-26 Masafumi Muramatsu Separation-material composition for photo-resist and manufacturing method of semiconductor device
JP2004536963A (ja) * 2001-07-25 2004-12-09 チョン ヤング ケミカル カンパニー リミテッド アルミニウムダイカスト素材のエッチング時発生する珪素成分及び還元性金属塩を除去するための表面処理組成物及び処理方法
JP2007327131A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 樹脂表面への無電解めっき方法
JP2009270174A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 C Uyemura & Co Ltd プリント配線基板を形成するための表面処理方法及びその表面処理方法に用いられるエッチング処理液
JP2010106337A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 無電解めっき用コンディショナー

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4515829A (en) * 1983-10-14 1985-05-07 Shipley Company Inc. Through-hole plating
US4891069A (en) * 1986-06-06 1990-01-02 Techno Instruments Investments 1983 Ltd. Composition for the electrolytic coating of circuit boards without an electroless metal coating
US5250105A (en) * 1991-02-08 1993-10-05 Eid-Empresa De Investigacao E Desenvolvimento De Electronica S.A. Selective process for printing circuit board manufacturing
EP1138726B1 (en) * 2000-03-27 2005-01-12 Shipley Company LLC Polymer remover
US7399365B2 (en) * 2003-04-18 2008-07-15 Ekc Technology, Inc. Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
KR20090021429A (ko) * 2007-08-27 2009-03-04 동우 화인켐 주식회사 세정액 조성물
JP2011162806A (ja) * 2010-02-04 2011-08-25 Rohm & Haas Denshi Zairyo Kk 無電解めっきを行うための前処理液
JP2011179085A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 C Uyemura & Co Ltd 電気めっき用前処理剤、電気めっきの前処理方法及び電気めっき方法
JP5676908B2 (ja) 2010-04-21 2015-02-25 上村工業株式会社 プリント配線基板の表面処理方法及び表面処理剤
KR101114502B1 (ko) * 2010-06-28 2012-02-24 램테크놀러지 주식회사 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 패턴의 형성방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01123078A (ja) * 1987-09-25 1989-05-16 Harshaw Chem Ltd プラスチック基材のエツチング前処理
US5308387A (en) * 1987-09-25 1994-05-03 Elf Atochem North America, Inc. Pre-etch treatment of a plastic substrate
JP2004536963A (ja) * 2001-07-25 2004-12-09 チョン ヤング ケミカル カンパニー リミテッド アルミニウムダイカスト素材のエッチング時発生する珪素成分及び還元性金属塩を除去するための表面処理組成物及び処理方法
US20040038154A1 (en) * 2002-08-14 2004-02-26 Masafumi Muramatsu Separation-material composition for photo-resist and manufacturing method of semiconductor device
JP2004133384A (ja) * 2002-08-14 2004-04-30 Sony Corp レジスト用剥離剤組成物及び半導体装置の製造方法
JP2007327131A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 樹脂表面への無電解めっき方法
US20080053834A1 (en) * 2006-06-09 2008-03-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Electroless plating method for resin surfaces
JP2009270174A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 C Uyemura & Co Ltd プリント配線基板を形成するための表面処理方法及びその表面処理方法に用いられるエッチング処理液
JP2010106337A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 無電解めっき用コンディショナー

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016148076A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 上村工業株式会社 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法
WO2016129373A1 (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 上村工業株式会社 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法
US10138558B2 (en) 2015-02-12 2018-11-27 C. Uyemura & Co., Ltd. Pretreatment agent for electroless plating, and pretreatment and production of printed wiring board using same
JP2018024916A (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 上村工業株式会社 還元処理と同時に用いられる無電解めっき用前処理液、およびプリント配線基板の製造方法
WO2018092410A1 (ja) 2016-11-17 2018-05-24 上村工業株式会社 プリント配線基板の製造方法
JP2018080369A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 上村工業株式会社 プリント配線基板の製造方法
CN109983157B (zh) * 2016-11-17 2021-08-24 上村工业株式会社 印刷电路板的制备方法
WO2018117160A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 マクセルホールディングス株式会社 メッキ成形体の製造方法及びメッキ成形体
JP2018104725A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 マクセルホールディングス株式会社 メッキ成形体の製造方法及びメッキ成形体
KR20200136831A (ko) 2019-05-28 2020-12-08 우에무라 고교 가부시키가이샤 프린트 배선 기판의 제조 방법
US11421325B2 (en) 2019-05-28 2022-08-23 C. Uyemura & Co., Ltd. Method for producing a printed wiring board

Also Published As

Publication number Publication date
CN104419918A (zh) 2015-03-18
TWI630176B (zh) 2018-07-21
KR20150029525A (ko) 2015-03-18
JP6367606B2 (ja) 2018-08-01
US9374913B2 (en) 2016-06-21
TW201509812A (zh) 2015-03-16
US20150072070A1 (en) 2015-03-12
CN104419918B (zh) 2018-08-28
KR102286510B1 (ko) 2021-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6367606B2 (ja) 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法
KR102502531B1 (ko) 환원 처리와 동시에 사용되는 무전해 도금용 전처리액, 및 프린트 배선 기판의 제조 방법
KR102440121B1 (ko) 프린트 배선 기판의 제조 방법
JP2010106337A (ja) 無電解めっき用コンディショナー
EP3196339B1 (en) Method for manufacturing wiring substrate
KR102162190B1 (ko) 무전해 도금용 전처리제, 그리고 상기 무전해 도금용 전처리제를 사용한 프린트 배선 기판의 전처리 방법 및 그 제조 방법
JP6176841B2 (ja) 無電解銅めっき液
JP5490942B2 (ja) プリント配線基板を形成するための表面処理方法及びその表面処理方法に用いられるエッチング処理液

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180703

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180705

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6367606

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250