JP2015061931A - Ａｇ合金膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
Ａｇ合金膜、Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット Download PDFInfo
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Abstract
【課題】比抵抗値が低く、かつ、光学特性に優れるとともに、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性に優れ、使用環境下においても比抵抗値および光学特性の変動が小さなＡｇ合金膜、このＡｇ合金膜からなるＡｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とする。または、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とする。
【選択図】なし
【解決手段】Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とする。または、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とする。
【選択図】なし
Description
本発明は、タッチパネル等の配線、光デバイス（光ディスク、有機ＥＬ、ＬＥＤ等）の反射層、赤外線カットフィルム、透明導電膜等に使用されるＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜）、および、上述のＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットに関するものである。
携帯情報端末、情報処理端末等において広く適用されているタッチパネルにおいて、例えば特許文献１に記載されているように、表示パネルの表面側にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）等の透明導電膜をパターニングした回路が形成されている。表示パネルの表面側の周縁部には、前述の回路からの信号を外部へと引き出すための配線が形成されている。従来、上述の配線は、Ａｇペーストの印刷によって形成されており、表示パネルの表面側の周縁部には、配線を視認できないように額縁部が設けられている。
近年では、この額縁部の幅を狭くすること（狭額縁化）の要請から、配線の幅狭化が求められており、Ａｇペーストの印刷では対応できなくなってきている。
そこで、最近では、上述の配線として、Ａｇ等の金属薄膜からなる導電膜が用いられている。特に、純ＡｇからなるＡｇ膜は、比抵抗値が非常に低いことから、上述の配線を構成する導電膜として特に適している。
近年では、この額縁部の幅を狭くすること（狭額縁化）の要請から、配線の幅狭化が求められており、Ａｇペーストの印刷では対応できなくなってきている。
そこで、最近では、上述の配線として、Ａｇ等の金属薄膜からなる導電膜が用いられている。特に、純ＡｇからなるＡｇ膜は、比抵抗値が非常に低いことから、上述の配線を構成する導電膜として特に適している。
一方、上述のＡｇ膜は、反射率が高いことから、例えば特許文献２〜４に開示されているように、有機ＥＬ反射膜、光記録ディスク用反射膜、光学機器用反射ミラー、太陽電池用反射膜等にも利用されている。さらに、特許文献５に記載されているように、膜厚の薄いＡｇ膜は半透過膜としても用いられている。Ａｇからなる半透明膜は、ディスプレイ用の透明導電膜やボトムエミッション方式の有機ＥＬのアノードとしても使用される。
ここで、純ＡｇからなるＡｇ膜は、反射率および透過率が高いものの、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性が不十分であることから、使用環境下において反射率および透過率等の光学特性が低下するおそれがある。そこで、例えば特許文献６〜９には、様々な元素を添加して各種耐性を向上させたＡｇ合金からなる反射膜（Ａｇ合金膜）が提案されている。
ここで、純ＡｇからなるＡｇ膜は、反射率および透過率が高いものの、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性が不十分であることから、使用環境下において反射率および透過率等の光学特性が低下するおそれがある。そこで、例えば特許文献６〜９には、様々な元素を添加して各種耐性を向上させたＡｇ合金からなる反射膜（Ａｇ合金膜）が提案されている。
ところで、純ＡｇからなるＡｇ膜を配線として使用した場合には、熱湿環境下において粒成長が生じ、比抵抗値が変動してしまうといった問題があった。また、上述のように、純Ａｇは、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性が不十分なため、使用環境下や製造プロセスにおいて、Ａｇ膜が変質してしまうおそれがあった。
そこで、特許文献６〜９に開示されているＡｇ合金膜を、配線として使用することが考えられる。
そこで、特許文献６〜９に開示されているＡｇ合金膜を、配線として使用することが考えられる。
しかしながら、最近では、上述のタッチパネルにおいて、マルチタッチ技術の採用による配線数の増加にともなって配線のさらなる微細化（幅狭化）が求められている。また、配線となる導電膜の成膜時間を短縮して生産効率を向上させる観点から、配線の薄膜化も求められている。
この配線の微細化および薄膜化にともなって、さらに比抵抗値が低い導電膜が求められており、特許文献６〜９に開示されたＡｇ合金膜を適用することは困難であった。
また、Ａｇ合金膜を反射膜や半透過膜として使用する場合においても、従来よりも使用環境や製造プロセス条件が厳しくなってきており、さらなる耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性の向上が求められている。すなわち、Ａｇ合金膜には、熱湿環境下においても反射率や透過率といった光学特性が安定していることが求められている。
この配線の微細化および薄膜化にともなって、さらに比抵抗値が低い導電膜が求められており、特許文献６〜９に開示されたＡｇ合金膜を適用することは困難であった。
また、Ａｇ合金膜を反射膜や半透過膜として使用する場合においても、従来よりも使用環境や製造プロセス条件が厳しくなってきており、さらなる耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性の向上が求められている。すなわち、Ａｇ合金膜には、熱湿環境下においても反射率や透過率といった光学特性が安定していることが求められている。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、比抵抗値が低く、かつ、光学特性に優れるとともに、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性に優れ、使用環境下においても比抵抗値および光学特性の変動が小さなＡｇ合金膜、このＡｇ合金膜からなるＡｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明のＡｇ合金膜は、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴としている。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金膜においては、Ｐｄを０．１０原子％以上含有しているので、耐湿性、耐塩水性が向上し、変色等を抑制できる。
また、Ｍｇを０．１０原子％以上含有しているので、熱湿環境下における粒成長を抑制でき、Ａｇ合金膜の比抵抗値や光学特性（反射率および透過率）の変動を抑制することができる。
さらに、Ｐｄの含有量が１．００原子％以下、Ｍｇの含有量が１．００原子％以下に規制されているので、比抵抗値を低く抑えることができるとともに、光学特性（反射率および透過率）を向上させることができる。
また、Ｍｇを０．１０原子％以上含有しているので、熱湿環境下における粒成長を抑制でき、Ａｇ合金膜の比抵抗値や光学特性（反射率および透過率）の変動を抑制することができる。
さらに、Ｐｄの含有量が１．００原子％以下、Ｍｇの含有量が１．００原子％以下に規制されているので、比抵抗値を低く抑えることができるとともに、光学特性（反射率および透過率）を向上させることができる。
また、本発明のＡｇ合金膜は、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴としている。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金膜においては、Ｃａを０．０１原子％以上含有しているので、Ａｇ合金膜の再結晶化を抑制し、Ａｇ合金膜の比抵抗値や光学特性（反射率および透過率）の変動を抑えることができる。
また、Ｃａの含有量が０．１５原子％以下に規制されているので、合金の硬化を抑制でき、このＡｇ合金膜を成膜するためのスパッタリングターゲットを安定して製造することができる。
なお、Ｃａは、Ｍｇと同様の作用効果を奏することから、Ｃａを添加する場合には、Ｍｇの含有量は、０．０５原子％以上１．００原子％以下とすることができる。
また、Ｃａの含有量が０．１５原子％以下に規制されているので、合金の硬化を抑制でき、このＡｇ合金膜を成膜するためのスパッタリングターゲットを安定して製造することができる。
なお、Ｃａは、Ｍｇと同様の作用効果を奏することから、Ｃａを添加する場合には、Ｍｇの含有量は、０．０５原子％以上１．００原子％以下とすることができる。
ここで、上述した本発明のＡｇ合金膜においては、さらに、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内で含有してもよい。
Ａｇ膜においては、熱湿環境下で膜が凝集することにより、膜の表面に突起物が発生し、この突起物により膜が変色（白濁・斑点）することがある。ここで、上述した本発明のＡｇ合金膜において、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上含有させた場合には、Ｍｇとの相乗効果でＡｇの粒成長を抑制でき、熱湿環境下で膜の凝集によって膜が変色（白濁・斑点）することを抑制できる。すなわち、Ａｇ合金膜の耐熱性および耐湿性をさらに向上させることができる。
また、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．５０原子％以下含有しているので、比抵抗値を低く抑えることができるとともに、光学特性（反射率および透過率）が劣化することを抑制できる。
Ａｇ膜においては、熱湿環境下で膜が凝集することにより、膜の表面に突起物が発生し、この突起物により膜が変色（白濁・斑点）することがある。ここで、上述した本発明のＡｇ合金膜において、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上含有させた場合には、Ｍｇとの相乗効果でＡｇの粒成長を抑制でき、熱湿環境下で膜の凝集によって膜が変色（白濁・斑点）することを抑制できる。すなわち、Ａｇ合金膜の耐熱性および耐湿性をさらに向上させることができる。
また、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．５０原子％以下含有しているので、比抵抗値を低く抑えることができるとともに、光学特性（反射率および透過率）が劣化することを抑制できる。
本発明のＡｇ合金導電膜は、上述のＡｇ合金膜からなることを特徴とする。
このような構成とされたＡｇ合金導電膜は、上述の組成のＡｇ合金膜からなることから、比抵抗値が低く、かつ、使用環境下（熱湿環境下）においても比抵抗値が変動せずに安定することになり、導電膜として特に優れている。
このような構成とされたＡｇ合金導電膜は、上述の組成のＡｇ合金膜からなることから、比抵抗値が低く、かつ、使用環境下（熱湿環境下）においても比抵抗値が変動せずに安定することになり、導電膜として特に優れている。
本発明のＡｇ合金反射膜は、上述のＡｇ合金膜からなることを特徴とする。
このような構成とされたＡｇ合金反射膜は、上述の組成のＡｇ合金膜からなることから、反射率が高く、かつ、使用環境下（熱湿環境下）においても反射率が変動せずに安定することになり、反射膜として特に優れている。
このような構成とされたＡｇ合金反射膜は、上述の組成のＡｇ合金膜からなることから、反射率が高く、かつ、使用環境下（熱湿環境下）においても反射率が変動せずに安定することになり、反射膜として特に優れている。
本発明のＡｇ合金半透過膜は、上述のＡｇ合金膜からなることを特徴とする。
このような構成とされたＡｇ合金半透過膜は、上述の組成のＡｇ合金膜からなることから、透過率が高く、かつ、使用環境下（熱湿環境下）においても透過率が変動せずに安定することになり、半透過膜として特に優れている。
このような構成とされたＡｇ合金半透過膜は、上述の組成のＡｇ合金膜からなることから、透過率が高く、かつ、使用環境下（熱湿環境下）においても透過率が変動せずに安定することになり、半透過膜として特に優れている。
本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴としている。
さらに、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴としている。
また、上述した本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、さらに、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内で含有してもよい。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、上述した本発明のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜）を成膜することができる。
さらに、本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴としている。
また、上述した本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、さらに、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内で含有してもよい。
このような構成とされた本発明のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、上述した本発明のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜）を成膜することができる。
以上のように、本発明によれば、比抵抗値が低く、かつ、光学特性に優れるとともに、耐塩水性、耐熱性、耐湿性等の各種耐性に優れ、使用環境下においても比抵抗値および光学特性の変動が小さなＡｇ合金膜、このＡｇ合金膜からなるＡｇ合金導電膜、Ａｇ合金反射膜、Ａｇ合金半透過膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供することができる。
以下に、本発明の一実施形態であるＡｇ合金膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットについて説明する。
本実施形態であるＡｇ合金膜は、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するものである。また、本実施形態であるＡｇ合金膜は、光デバイスの反射膜、光デバイスや赤外線カットフィルムや透明導電膜に適用される半透明膜として使用されるものである。
また、本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、上述のＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるものである。
本実施形態であるＡｇ合金膜は、タッチパネルのパネル面周縁部に形成される配線を構成するものである。また、本実施形態であるＡｇ合金膜は、光デバイスの反射膜、光デバイスや赤外線カットフィルムや透明導電膜に適用される半透明膜として使用されるものである。
また、本実施形態であるＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、上述のＡｇ合金膜を成膜する際に用いられるものである。
本実施形態であるＡｇ合金膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成、または、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下含有し、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下含有し、残部がＡｇと不可避不純物とからなる組成を有している。本実施形態であるＡｇ合金膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、さらにＮｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内で含有していてもよい。
以下に、本実施形態であるＡｇ合金膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの組成を上述のように規定した理由について説明する。
以下に、本実施形態であるＡｇ合金膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの組成を上述のように規定した理由について説明する。
（Ｐｄ：０．１０原子％以上１．００原子％以下）
Ｐｄは、耐湿性、耐塩水性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｐｄの含有量が０．１０原子％未満の場合には、耐湿性、耐塩水性が十分に向上せず、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）が不安定となる。
一方、Ｐｄの含有量が１．００原子％を超えた場合には、比抵抗値が上昇し、配線や電極としての特性が低下してしまうおそれがある。また、光学特性（反射率および透過率）が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｐｄの含有量を、０．１０原子％以上１．００原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｐｄの含有量を、０．１５原子％以上、０．４０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
Ｐｄは、耐湿性、耐塩水性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｐｄの含有量が０．１０原子％未満の場合には、耐湿性、耐塩水性が十分に向上せず、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）が不安定となる。
一方、Ｐｄの含有量が１．００原子％を超えた場合には、比抵抗値が上昇し、配線や電極としての特性が低下してしまうおそれがある。また、光学特性（反射率および透過率）が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｐｄの含有量を、０．１０原子％以上１．００原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｐｄの含有量を、０．１５原子％以上、０．４０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
（Ｍｇ：０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｃａ添加の場合は、Ｍｇ：０．０５原子％以上１．００原子％以下）
Ｍｇは、熱湿環境下においてＡｇの粒成長を抑制する作用効果を有する元素である。また、Ｐｄとの相乗効果によって耐塩水性が向上する作用効果も有する。Ｍｇを適量添加することにより、使用環境下においてＡｇ合金膜の比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）が安定することになる。
ここで、Ｍｇの含有量が０．１０原子％未満の場合には、粒成長を十分に抑制できず、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）の安定化を図ることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１．００原子％を超えた場合には、酸化物が発生し、熱湿環境下において比抵抗値が上昇してしまうとともに、光学特性（反射率および透過率）が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｍｇの含有量を、０．１０原子％以上１．００原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｍｇの含有量を、０．２５原子％以上０．８０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
また、Ｃａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で添加する場合には、Ｍｇの含有量は、０．０５原子％以上１．００原子％以下とすることが好ましい。
Ｍｇは、熱湿環境下においてＡｇの粒成長を抑制する作用効果を有する元素である。また、Ｐｄとの相乗効果によって耐塩水性が向上する作用効果も有する。Ｍｇを適量添加することにより、使用環境下においてＡｇ合金膜の比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）が安定することになる。
ここで、Ｍｇの含有量が０．１０原子％未満の場合には、粒成長を十分に抑制できず、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）の安定化を図ることができなくなるおそれがある。一方、Ｍｇの含有量が１．００原子％を超えた場合には、酸化物が発生し、熱湿環境下において比抵抗値が上昇してしまうとともに、光学特性（反射率および透過率）が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｍｇの含有量を、０．１０原子％以上１．００原子％以下の範囲内に設定している。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｍｇの含有量を、０．２５原子％以上０．８０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
また、Ｃａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で添加する場合には、Ｍｇの含有量は、０．０５原子％以上１．００原子％以下とすることが好ましい。
（Ｃａ：０．０１原子％以上０．１５原子％以下）
Ｃａは、Ａｇにほとんど固溶せず、結晶粒界に析出することから、結晶粒同士の結合を阻害してＡｇ合金膜の再結晶化を防止することが可能となる。よって、Ｃａは、Ｍｇと同様に、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）をさらに安定化させる作用効果を有する。
ここで、Ｃａの含有量が０．０１原子％未満の場合には、Ａｇ合金膜の再結晶化を十分に抑制できず、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）の安定化を図ることができないおそれがある。一方、Ｃａの含有量が０．１５原子％を超えた場合には、合金が著しく硬化し、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの製造時に割れ等が発生してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｃａを添加する場合には、Ｃａの含有量を、０．０１原子％以上０．１５原子％以下の範囲内に設定することが好ましい。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｃａの含有量を、０．０３原子％以上０．１３原子％以下の範囲内とすることがさらに好ましい。
なお、Ｃａは、上述のように、Ｍｇと同様の作用効果を有することから、Ｃａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で添加する場合には、Ｍｇの含有量は、０．０５原子％以上１．００原子％以下の範囲内としてもよい。
Ｃａは、Ａｇにほとんど固溶せず、結晶粒界に析出することから、結晶粒同士の結合を阻害してＡｇ合金膜の再結晶化を防止することが可能となる。よって、Ｃａは、Ｍｇと同様に、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）をさらに安定化させる作用効果を有する。
ここで、Ｃａの含有量が０．０１原子％未満の場合には、Ａｇ合金膜の再結晶化を十分に抑制できず、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）の安定化を図ることができないおそれがある。一方、Ｃａの含有量が０．１５原子％を超えた場合には、合金が著しく硬化し、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの製造時に割れ等が発生してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｃａを添加する場合には、Ｃａの含有量を、０．０１原子％以上０．１５原子％以下の範囲内に設定することが好ましい。なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｃａの含有量を、０．０３原子％以上０．１３原子％以下の範囲内とすることがさらに好ましい。
なお、Ｃａは、上述のように、Ｍｇと同様の作用効果を有することから、Ｃａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で添加する場合には、Ｍｇの含有量は、０．０５原子％以上１．００原子％以下の範囲内としてもよい。
（Ｎｉ及びＳｎ：少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下）
Ｎｉ及びＳｎは、Ｍｇとの相乗効果により、Ａｇの粒成長をさらに抑制する作用効果を有する元素である。よって、Ｎｉ及びＳｎを添加することにより、膜の凝集による突起物の発生を抑制でき、膜の表面の白濁や斑点の発生を抑制可能となる。
ここで、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量が０．０５原子％未満の場合には、上述の作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量が０．５０原子％を超える場合には、比抵抗値が上昇してしまうとともに、光学特性（反射率および透過率）が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｎｉ及びＳｎを添加する場合には、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量を、０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内に設定することが好ましい。
Ｎｉ及びＳｎは、Ｍｇとの相乗効果により、Ａｇの粒成長をさらに抑制する作用効果を有する元素である。よって、Ｎｉ及びＳｎを添加することにより、膜の凝集による突起物の発生を抑制でき、膜の表面の白濁や斑点の発生を抑制可能となる。
ここで、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量が０．０５原子％未満の場合には、上述の作用効果を十分に奏功せしめることができなくなるおそれがある。一方、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量が０．５０原子％を超える場合には、比抵抗値が上昇してしまうとともに、光学特性（反射率および透過率）が劣化してしまうおそれがある。
このような理由から、Ｎｉ及びＳｎを添加する場合には、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量を、０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内に設定することが好ましい。
なお、本実施形態であるＡｇ合金膜、および、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットにおいては、金属元素として質量比でＡｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂｉを合計で５００ｐｐｍ以下含んでいてもよい。
また、本実施形態であるＡｇ合金膜においては、表面粗さが３μｍ未満、粒径が５００μｍ未満であることが好ましい。
また、本実施形態であるＡｇ合金膜においては、表面粗さが３μｍ未満、粒径が５００μｍ未満であることが好ましい。
なお、本実施形態であるＡｇ合金膜を配線材として使用する場合には、以下のように比抵抗値を設定することが好ましい。
配線材としては一般に導電膜のシート抵抗が、０．５０Ω／□以下、好ましくは０．４０Ω／□以下の範囲にあることが好ましいとされている。これを実現するために、導電膜の膜厚を調整しているが、この膜厚を一層薄くすることが求められている。
近年の薄膜化の要求を考慮すると、上述の組成からなる本実施形態であるＡｇ合金膜の膜厚は１２０ｎｍ以下にできることが好ましく、１００ｎｍ以下にできることが一層好ましい。ここで、１００ｎｍで０．５０Ω／□以下、好ましくは０．４０Ω／□以下のシート抵抗を実現するために、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）の比抵抗値は５．００μΩ・ｃｍ以下、好ましくは４．００μΩ・ｃｍ以下が必要となる。
配線材としては一般に導電膜のシート抵抗が、０．５０Ω／□以下、好ましくは０．４０Ω／□以下の範囲にあることが好ましいとされている。これを実現するために、導電膜の膜厚を調整しているが、この膜厚を一層薄くすることが求められている。
近年の薄膜化の要求を考慮すると、上述の組成からなる本実施形態であるＡｇ合金膜の膜厚は１２０ｎｍ以下にできることが好ましく、１００ｎｍ以下にできることが一層好ましい。ここで、１００ｎｍで０．５０Ω／□以下、好ましくは０．４０Ω／□以下のシート抵抗を実現するために、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）の比抵抗値は５．００μΩ・ｃｍ以下、好ましくは４．００μΩ・ｃｍ以下が必要となる。
以上のような構成とされた本実施形態であるＡｇ合金膜およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットによれば、Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下の範囲で含有しているので、耐湿性、耐塩水性が向上し、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）が安定するとともに、比抵抗値を低く、かつ、反射率および透過率を高く維持することができる。
また、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下の範囲で含有しているので、熱湿環境下における粒成長を抑制でき、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）が安定するとともに、比抵抗値を低く、かつ、反射率および透過率を高く維持することができる。
また、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下の範囲で含有しているので、熱湿環境下における粒成長を抑制でき、比抵抗値、光学特性（反射率および透過率）が安定するとともに、比抵抗値を低く、かつ、反射率および透過率を高く維持することができる。
さらに、Ｃａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下の範囲内で含有しているので、Ａｇ合金膜の再結晶化を抑制し、比抵抗値の変動を抑えることができるとともに、Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを安定して製造することができる。
なお、Ｃａを添加する場合には、Ｍｇと同様の作用効果を有することから、Ｍｇの含有量を０．０５原子％以上１．００原子％以下の範囲内とすることができる。
なお、Ｃａを添加する場合には、Ｍｇと同様の作用効果を有することから、Ｍｇの含有量を０．０５原子％以上１．００原子％以下の範囲内とすることができる。
また、本実施形態であるＡｇ合金膜は、膜厚１００ｎｍで比抵抗値が４．００μΩ・ｃｍ以下の範囲内とされているので、タッチパネルの配線として好適に使用することができる。また、配線の幅狭化及び薄膜化に十分に対応することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、タッチパネルのパネル面周縁部の配線を構成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の用途、例えば液晶や有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイの配線膜、電極膜等に適用してもよい。また、反射膜や半透明膜等として用いてもよい。
さらに、Ａｇ合金膜の比抵抗値、厚さ、幅は、本実施形態で例示したものに限定されることはなく、要求に合わせて適宜変更してもよい。
例えば、本実施形態では、タッチパネルのパネル面周縁部の配線を構成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の用途、例えば液晶や有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイの配線膜、電極膜等に適用してもよい。また、反射膜や半透明膜等として用いてもよい。
さらに、Ａｇ合金膜の比抵抗値、厚さ、幅は、本実施形態で例示したものに限定されることはなく、要求に合わせて適宜変更してもよい。
（実施例１）
以下に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
以下に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットの作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａを準備し、表１に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａを添加し、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表１に示す組成の鋳塊を製造した。ここで、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａを準備し、表１に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａを添加し、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表１に示す組成の鋳塊を製造した。ここで、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
次いで、得られた鋳塊に対して、圧下率７０％で冷間圧延を行った後、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を実施した。そして、機械加工を実施することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍ寸法を有する本発明例１〜１７の組成のスパッタリングターゲット、及び、比較例１〜５の組成のスパッタリングターゲットを作製した。
また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
＜Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）＞
上述した本発明例１〜１７、比較例１〜５のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ導電膜を形成した試料を作製した。
上述した本発明例１〜１７、比較例１〜５のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ導電膜を形成した試料を作製した。
＜成膜後の比抵抗値＞
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表１に示す。
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表１に示す。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜の比抵抗値を上述と同様の方法で算出した。そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗率の変化率を求めた。恒温恒湿試験後の比抵抗値、及び、恒温恒湿試験前後の比抵抗率の変化率を表１に示す。
さらに、恒温恒湿試験後の試料外観を目視し、恒温恒湿試験前後で外観に変化がないものを「○」、腐食による斑点や白濁が認められたものを「×」と評価した。評価結果を表１に示す。なお、「○」と評価された本発明例８の外観観察結果を図１に、「×」と評価された従来例の外観観察結果を図２に示す。ここで、図１，２の黒い影は、カメラのレンズの影であり、図２の大小の白い丸が白濁点を示している。
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜の比抵抗値を上述と同様の方法で算出した。そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗率の変化率を求めた。恒温恒湿試験後の比抵抗値、及び、恒温恒湿試験前後の比抵抗率の変化率を表１に示す。
さらに、恒温恒湿試験後の試料外観を目視し、恒温恒湿試験前後で外観に変化がないものを「○」、腐食による斑点や白濁が認められたものを「×」と評価した。評価結果を表１に示す。なお、「○」と評価された本発明例８の外観観察結果を図１に、「×」と評価された従来例の外観観察結果を図２に示す。ここで、図１，２の黒い影は、カメラのレンズの影であり、図２の大小の白い丸が白濁点を示している。
＜塩水試験＞
基板をＩＴＯ膜（厚さ１０ｎｍ）付のガラス基板として、上述した条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を成膜して、試料を作製した。
この試料を、５％ＮａＣｌ水溶液に１２時間浸漬し、取り出した後の外観を目視および光学顕微鏡にて観察した。光学顕微鏡観察でも外観変化が認められないものを「◎」、目視では光沢が失われていないが光学顕微鏡観察により黒い斑点が確認されたものを「○」、目視で腐食による白濁が確認されたものを「×」と評価した。評価結果を表１に示す。なお、「◎」と評価された本発明例８の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図３に、「○」と評価された本発明例７の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図４に、「×」と評価された従来例の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図５に示す。
基板をＩＴＯ膜（厚さ１０ｎｍ）付のガラス基板として、上述した条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を成膜して、試料を作製した。
この試料を、５％ＮａＣｌ水溶液に１２時間浸漬し、取り出した後の外観を目視および光学顕微鏡にて観察した。光学顕微鏡観察でも外観変化が認められないものを「◎」、目視では光沢が失われていないが光学顕微鏡観察により黒い斑点が確認されたものを「○」、目視で腐食による白濁が確認されたものを「×」と評価した。評価結果を表１に示す。なお、「◎」と評価された本発明例８の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図３に、「○」と評価された本発明例７の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図４に、「×」と評価された従来例の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図５に示す。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例１においては、恒温恒湿試験後、塩水試験後の外観観察で腐食が認められており、耐熱性、耐湿性、耐塩水性が不十分であることが確認された。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２においては、成膜後の比抵抗値が６．０８μΩ・ｃｍと高くなっていた。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２においては、成膜後の比抵抗値が６．０８μΩ・ｃｍと高くなっていた。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例３においては、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。粒成長を十分に抑制できなかったためと推測される。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４においては、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４においては、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。
Ｃａの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例５においては、スパッタリングターゲットを製造する際に圧延割れが発生し、スパッタリングターゲットを作製できなかった。
純Ａｇからなる従来例においては、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。また、恒温恒湿試験後、塩水試験後の外観観察で腐食が認められており、耐熱性、耐湿性、耐塩水性が不十分であった。
純Ａｇからなる従来例においては、恒温恒湿試験前後で比抵抗値が大きく変化した。また、恒温恒湿試験後、塩水試験後の外観観察で腐食が認められており、耐熱性、耐湿性、耐塩水性が不十分であった。
これに対して、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａの含有量が本発明の範囲内とされた本発明例１〜１７においては、成膜後の比抵抗値がすべて４．５０μΩ・ｃｍ未満となっており、恒温恒湿試験前後における比抵抗値の変化率も±１０％以内であった。また、恒温恒湿試験後、塩水試験後の外観観察で腐食は認められなかった。
特に、Ｃａを適量添加した本発明例１１〜１７においては、恒温恒湿試験前後における比抵抗値の変化がほとんどなく、比抵抗値が安定していることが確認された。
特に、Ｃａを適量添加した本発明例１１〜１７においては、恒温恒湿試験前後における比抵抗値の変化がほとんどなく、比抵抗値が安定していることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、比抵抗値が低く、かつ、耐熱性、耐湿性、耐塩水性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
（実施例２）
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットに対して、ＮｉおよびＳｎを添加した場合の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットに対して、ＮｉおよびＳｎを添加した場合の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを準備し、表２に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを添加し、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表２に示す組成の鋳塊を製造した。ここで、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを準備し、表２に示す所定の組成となるように秤量した。
次に、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを添加し、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解した。その後、鋳型へと注湯して、表２に示す組成の鋳塊を製造した。ここで、Ａｇの溶解時には、雰囲気を一度真空（５×１０−２Ｐａ以下）にしたあとＡｒガスで置換した雰囲気で行った。また、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎの添加は、Ａｒガス雰囲気中で実施した。
次いで、得られた鋳塊に対して、圧下率７０％で冷間圧延を行った後、大気中で６００℃、２時間保持の熱処理を実施した。そして、機械加工を実施することにより、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍ寸法を有する本発明例１００〜１０８の組成のスパッタリングターゲット、及び、比較例１０１、１０２の組成のスパッタリングターゲットを作製した。
また、従来例１０１として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
また、従来例１０１として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
＜Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）＞
上述した本発明例１００〜１０８、比較例１０１、１０２のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、以下の条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を成膜した。
上述した本発明例１００〜１０８、比較例１０１、１０２のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ＩＴＯ付きＰＥＴフィルム（初期シート抵抗値：３００Ω／□）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例１０１のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ導電膜を形成した試料を作製した。
上述した本発明例１００〜１０８、比較例１０１、１０２のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、以下の条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を成膜した。
上述した本発明例１００〜１０８、比較例１０１、１０２のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ＩＴＯ付きＰＥＴフィルム（初期シート抵抗値：３００Ω／□）との距離：７０mm、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例１０１のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ導電膜を形成した試料を作製した。
＜成膜後の比抵抗値＞
上述のようにしてＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値を四探針法によって測定した。得られた成膜後のシート抵抗値を表３に示す。なお、ＩＴＯが導電性を有していることから、ここで測定されるシート抵抗値は、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜自体の抵抗値ではなく、ＩＴＯを含めた抵抗値となる。
上述のようにしてＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値を四探針法によって測定した。得られた成膜後のシート抵抗値を表３に示す。なお、ＩＴＯが導電性を有していることから、ここで測定されるシート抵抗値は、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜自体の抵抗値ではなく、ＩＴＯを含めた抵抗値となる。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値を上述と同様の方法で算出した。そして、恒温恒湿試験前後のシート抵抗値の変化率を求めた。恒温恒湿試験後のシート抵抗値、及び、恒温恒湿試験前後のシート抵抗値の変化率を表３に示す。
さらに、恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜の表面を顕微鏡観察し、膜表面の白濁や斑点の原因となる突起物の個数を測定した。膜表面を対物５０倍、対眼１０倍の光学顕微鏡の暗視野像にて観察、撮影した。暗視野像であるため、表面に突起物が生じている場合には、突起物が白く光る点として検出される。撮影した画像の２９０μｍ×２００μｍの範囲に存在する突起物の個数を画像処理ソフトウエア（三谷商事社製：Ｗｉｎｒｏｏｆ）により計測した。
なお、本発明例１００、本発明例１０２、従来例１０１の恒温恒湿試験後の突起物観察結果を図６に示す。
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値を上述と同様の方法で算出した。そして、恒温恒湿試験前後のシート抵抗値の変化率を求めた。恒温恒湿試験後のシート抵抗値、及び、恒温恒湿試験前後のシート抵抗値の変化率を表３に示す。
さらに、恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜の表面を顕微鏡観察し、膜表面の白濁や斑点の原因となる突起物の個数を測定した。膜表面を対物５０倍、対眼１０倍の光学顕微鏡の暗視野像にて観察、撮影した。暗視野像であるため、表面に突起物が生じている場合には、突起物が白く光る点として検出される。撮影した画像の２９０μｍ×２００μｍの範囲に存在する突起物の個数を画像処理ソフトウエア（三谷商事社製：Ｗｉｎｒｏｏｆ）により計測した。
なお、本発明例１００、本発明例１０２、従来例１０１の恒温恒湿試験後の突起物観察結果を図６に示す。
＜塩水試験＞
基板をＩＴＯ膜（厚さ１０ｎｍ）付のガラス基板として、上述した条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を成膜して、試料を作製した。
この試料を、５％ＮａＣｌ水溶液に１２時間浸漬し、取り出した後の外観を目視および光学顕微鏡にて観察した。光学顕微鏡観察でも外観変化が認められないものを「◎」、目視では光沢が失われていないが光学顕微鏡観察により黒い斑点が確認されたものを「○」、目視で腐食による白濁が確認されたものを「×」と評価した。評価結果を表３に示す。
なお、「◎」と評価された本発明例１００の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図７に、本発明例１０２の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図８に、「×」と評価された従来例１０１の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図９に示す。
基板をＩＴＯ膜（厚さ１０ｎｍ）付のガラス基板として、上述した条件でＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）およびＡｇ導電膜を成膜して、試料を作製した。
この試料を、５％ＮａＣｌ水溶液に１２時間浸漬し、取り出した後の外観を目視および光学顕微鏡にて観察した。光学顕微鏡観察でも外観変化が認められないものを「◎」、目視では光沢が失われていないが光学顕微鏡観察により黒い斑点が確認されたものを「○」、目視で腐食による白濁が確認されたものを「×」と評価した。評価結果を表３に示す。
なお、「◎」と評価された本発明例１００の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図７に、本発明例１０２の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図８に、「×」と評価された従来例１０１の外観観察結果及び光学顕微鏡観察結果を図９に示す。
Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量が本発明の範囲よりも多い比較例１０１，１０２においては、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値が０．５５８Ω／□、０．６３０Ω／□と、比較的高くなっていた。
また、純Ａｇからなる従来例１０１においては、恒温恒湿試験前後でシート抵抗値が大きく変化した。また、恒温恒湿試験後の突起物が１０００個以上観察されており、膜表面に白濁が認められた。さらに、塩水試験後の外観観察で腐食が認められた。
また、純Ａｇからなる従来例１０１においては、恒温恒湿試験前後でシート抵抗値が大きく変化した。また、恒温恒湿試験後の突起物が１０００個以上観察されており、膜表面に白濁が認められた。さらに、塩水試験後の外観観察で腐食が認められた。
Ｎｉ及びＳｎを添加しなかった本発明例１００においては、成膜後のシート抵抗値（Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値）は０．３１４Ω／□と低く、恒温恒湿試験前後でシート抵抗値も大きく変化していない。なお、恒温恒湿試験後の突起物が６３４個と比較的多かった。
これに対して、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５原子％以下の範囲内で含有する本発明例１０１〜１０８においては、恒温恒湿試験後の突起物が９４個以下と少なく、さらに耐熱性及び耐湿性が向上していることが確認された。また、成膜後のシート抵抗値（Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値）は０．４９２Ω／□以下と比較的低く、恒温恒湿試験前後でシート抵抗値も大きく変化していない。
これに対して、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５原子％以下の範囲内で含有する本発明例１０１〜１０８においては、恒温恒湿試験後の突起物が９４個以下と少なく、さらに耐熱性及び耐湿性が向上していることが確認された。また、成膜後のシート抵抗値（Ａｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）を形成したＩＴＯ付きＰＥＴフィルムのシート抵抗値）は０．４９２Ω／□以下と比較的低く、恒温恒湿試験前後でシート抵抗値も大きく変化していない。
以上のことから、本発明のＡｇ合金膜（Ａｇ合金導電膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットに対して、さらに、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内で含有させることによって、耐熱性及び耐湿性をさらに向上できることが確認された。
（実施例３）
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａを準備し、実施例１に示した方法により、表４に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａを準備し、実施例１に示した方法により、表４に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
＜Ａｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）＞
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ反射膜を形成した試料を作製した。
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍを有するＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１００ｎｍのＡｇ反射膜を形成した試料を作製した。
＜反射率の測定＞
上述のようにして得られた成膜直後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ反射膜の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表５に示す。
上述のようにして得られた成膜直後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ反射膜の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表５に示す。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ反射膜の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表５に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の反射の変化率を表５に示す。
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）およびＡｇ反射膜の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表５に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の反射の変化率を表５に示す。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例２１においては、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率が比較的大きく、反射率が安定していなかった。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２２においては、成膜後の反射率が本発明例に比べて低く、十分な反射率を得ることができなかった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例２３及びＭｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２４においては、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率が比較的大きく、反射率が安定していなかった。
Ｃａの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２５においては、スパッタリングターゲットを製造する際に圧延割れが発生し、スパッタリングターゲットを作製できなかった。
純Ａｇからなる従来例においては、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率が大きく、反射率が安定していなかった。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２２においては、成膜後の反射率が本発明例に比べて低く、十分な反射率を得ることができなかった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例２３及びＭｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２４においては、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率が比較的大きく、反射率が安定していなかった。
Ｃａの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２５においては、スパッタリングターゲットを製造する際に圧延割れが発生し、スパッタリングターゲットを作製できなかった。
純Ａｇからなる従来例においては、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率が大きく、反射率が安定していなかった。
これに対して、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａの含有量が本発明の範囲内とされた本発明例２１〜２９においては、成膜後の反射率が十分に高く、恒温恒湿試験前後における反射率の変化率も小さく安定していた。
以上のことから、本発明例によれば、反射率が高く、かつ、耐熱性、耐湿性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、反射率が高く、かつ、耐熱性、耐湿性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
（実施例４）
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）に対して、ＮｉおよびＳｎを添加した場合の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）に対して、ＮｉおよびＳｎを添加した場合の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを準備し、実施例２に示した方法により、表６に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを準備し、実施例２に示した方法により、表６に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。
＜Ａｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）＞
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を形成した試料を作製した。
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）を形成した試料を作製した。
＜反射率の測定＞
上述のようにして得られた成膜直後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表７に示す。
上述のようにして得られた成膜直後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表７に示す。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表７に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の反射の変化率を表７に示す。
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の反射率を、分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）を用いて、波長８００ｎｍから４００ｎｍの範囲の光を用いて測定した。波長６５０ｎｍ、５５０ｎｍ、４５０ｎｍの光の反射率を表７に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の反射率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の反射の変化率を表７に示す。
Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量が本発明の範囲よりも多い比較例３１，３２においては、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金反射膜）の反射率が低く、不十分であった。
これに対して、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５原子％以下の範囲内で含有する本発明例３１〜３８においては、反射率が比較的高く、かつ、恒温恒湿試験後の反射率の変化率が小さく反射率が安定していることが確認された。
これに対して、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５原子％以下の範囲内で含有する本発明例３１〜３８においては、反射率が比較的高く、かつ、恒温恒湿試験後の反射率の変化率が小さく反射率が安定していることが確認された。
（実施例５）
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａを準備し、実施例１に示した方法により、表８に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａを準備し、実施例１に示した方法により、表８に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。また、従来例として、純Ａｇ（純度９９．９質量％以上）のスパッタリングターゲットを準備した。
＜Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）＞
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１５ｎｍのＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１５ｎｍのＡｇ半透過膜を形成した試料を作製した。
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１５ｎｍのＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）を形成した試料を作製した。
なお、上述した従来例のスパッタリングターゲットを用いて、同様の条件でガラス基板上に厚さ：１５ｎｍのＡｇ半透過膜を形成した試料を作製した。
＜成膜後の比抵抗値＞
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表９に示す。
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表９に示す。
＜透過率測定＞
分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）により波長３８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲でＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜の透過率を測定した。透過率測定の際には、最初に基板をセットしない中空の状態で測定を行って、分光光度計のキャリブレーションを行った。続いてＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜が成膜されていないガラス基板の透過率Ｔｓを測定し、その後、半透明Ａｇ合金膜が成膜されたガラス基板の透過率Ｔｔを測定し、半透明Ａｇ合金膜の透過率Ｔｆを Ｔｆ=Ｔｔ／Ｔｓ として計算した。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜の比抵抗値、透過率を、上述と同様の方法で測定した。測定結果を表９に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を表９に示す。
分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）により波長３８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲でＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜の透過率を測定した。透過率測定の際には、最初に基板をセットしない中空の状態で測定を行って、分光光度計のキャリブレーションを行った。続いてＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜が成膜されていないガラス基板の透過率Ｔｓを測定し、その後、半透明Ａｇ合金膜が成膜されたガラス基板の透過率Ｔｔを測定し、半透明Ａｇ合金膜の透過率Ｔｆを Ｔｆ=Ｔｔ／Ｔｓ として計算した。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）およびＡｇ半透過膜の比抵抗値、透過率を、上述と同様の方法で測定した。測定結果を表９に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を表９に示す。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例４１においては、恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率が比較的大きく、比抵抗値および透過率が安定していなかった。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４２においては、成膜後の比抵抗値が高く、かつ、透過率が低かった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例４３においては、恒温恒湿試験前後の透過率の変化率が大きく、透過率が安定していなかった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４４においては、恒温恒湿試験前後の比抵抗値の変化率が大きく、比抵抗値が安定していなかった。
Ｃａの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４５においては、スパッタリングターゲットを製造する際に圧延割れが発生し、スパッタリングターゲットを作製できなかった。
純Ａｇからなる従来例においては、恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率が大きく、比抵抗値および透過率が安定していなかった。
Ｐｄの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４２においては、成膜後の比抵抗値が高く、かつ、透過率が低かった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例４３においては、恒温恒湿試験前後の透過率の変化率が大きく、透過率が安定していなかった。
Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４４においては、恒温恒湿試験前後の比抵抗値の変化率が大きく、比抵抗値が安定していなかった。
Ｃａの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例４５においては、スパッタリングターゲットを製造する際に圧延割れが発生し、スパッタリングターゲットを作製できなかった。
純Ａｇからなる従来例においては、恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率が大きく、比抵抗値および透過率が安定していなかった。
これに対して、Ｐｄ，Ｍｇ，Ｃａの含有量が本発明の範囲内とされた本発明例４１〜４９においては、成膜後の比抵抗値が低く、かつ、透過率が高く、恒温恒湿試験前後における比抵抗値および透過率の変化率も小さく安定していた。
以上のことから、本発明例によれば、比抵抗値が低く、かつ、透過率が高く、耐熱性、耐湿性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、比抵抗値が低く、かつ、透過率が高く、耐熱性、耐湿性に優れたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
（実施例６）
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）に対して、ＮｉおよびＳｎを添加した場合の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
次に、本発明に係るＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）に対して、ＮｉおよびＳｎを添加した場合の作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
＜Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット＞
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを準備し、実施例２に示した方法により、表１０に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。
溶解原料として、純度９９．９質量％以上のＡｇと、純度９９．９質量％以上のＰｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｓｎを準備し、実施例２に示した方法により、表１０に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。
＜Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）＞
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１５ｎｍのＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）を形成した試料を作製した。
上述のスパッタリングターゲットをスパッタ装置に装着し、ガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）との距離：７０ｍｍ、電力：直流２５０Ｗ、到達真空度：５×１０−５Ｐａ以下、Ａｒガス圧：０．５Ｐａの条件でスパッタリングを実施し、ガラス基板の表面に、厚さ：１５ｎｍのＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）を形成した試料を作製した。
＜成膜後の比抵抗値＞
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表１１に示す。
上述のようにして得られたＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）のシート抵抗値を四探針法によって測定し、比抵抗値を算出した。得られた成膜後の比抵抗値を表１１に示す。
＜透過率測定＞
分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）により波長３８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲でＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の透過率を測定した。透過率測定の際には、最初に基板をセットしない中空の状態で測定を行って、分光光度計のキャリブレーションを行った。続いてＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）が成膜されていないガラス基板の透過率Ｔｓを測定し、その後、半透明Ａｇ合金膜が成膜されたガラス基板の透過率Ｔｔを測定し、半透明Ａｇ合金膜の透過率Ｔｆを Ｔｆ=Ｔｔ／Ｔｓ として計算した。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の比抵抗値、透過率を、上述と同様の方法で測定した。測定結果を表１１に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を表１１に示す。
分光光度計（日本分光株式社製Ｕｂｅｓｔシリーズ）により波長３８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲でＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の透過率を測定した。透過率測定の際には、最初に基板をセットしない中空の状態で測定を行って、分光光度計のキャリブレーションを行った。続いてＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）が成膜されていないガラス基板の透過率Ｔｓを測定し、その後、半透明Ａｇ合金膜が成膜されたガラス基板の透過率Ｔｔを測定し、半透明Ａｇ合金膜の透過率Ｔｆを Ｔｆ=Ｔｔ／Ｔｓ として計算した。
＜恒温恒湿試験＞
上述の試料を、温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中に２５０時間放置した。
この恒温恒湿試験後のＡｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の比抵抗値、透過率を、上述と同様の方法で測定した。測定結果を表１１に示す。
そして、恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を求めた。恒温恒湿試験前後の比抵抗値および透過率の変化率を表１１に示す。
Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上の含有量が本発明の範囲よりも多い比較例５１，５２においては、Ａｇ合金膜（Ａｇ合金半透過膜）の比抵抗値が高く、かつ、透過率が低かった。
これに対して、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５原子％以下の範囲内で含有する本発明例５１〜５８においては、成膜後の比抵抗値が低く、かつ、透過率が高く、恒温恒湿試験前後における比抵抗値および透過率の変化率も小さく安定していた。
これに対して、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５原子％以下の範囲内で含有する本発明例５１〜５８においては、成膜後の比抵抗値が低く、かつ、透過率が高く、恒温恒湿試験前後における比抵抗値および透過率の変化率も小さく安定していた。
Claims (9)
- Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とするＡｇ合金膜。
- Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とするＡｇ合金膜。
- さらに、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内で含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＡｇ合金膜。
- 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のＡｇ合金膜からなることを特徴とするＡｇ合金導電膜。
- 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のＡｇ合金膜からなることを特徴とするＡｇ合金反射膜。
- 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のＡｇ合金膜からなることを特徴とするＡｇ合金半透過膜。
- Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．１０原子％以上１．００原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とするＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
- Ｐｄを０．１０原子％以上１．００原子％以下、Ｍｇを０．０５原子％以上１．００原子％以下、さらにＣａを０．０１原子％以上０．１５原子％以下、残部が実質的にＡｇと不可避不純物とからなる組成を有することを特徴とするＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
- さらに、Ｎｉ及びＳｎから選択される少なくとも１種以上を０．０５原子％以上０．５０原子％以下の範囲内で含有することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット。
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