JP2015060989A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10内に形成され、チャネル領域14aと接触領域14bとを含むウエル14と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜20と、前記接触領域上に形成され開口24を有する絶縁膜20と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極28aと、前記開口を介し前記接触領域と接触するように形成された接触部28bと、を含むシリコンを主成分とする導電層28と、を具備する半導体装置。
【選択図】図10
Description
(付記1)半導体基板内に形成され、チャネル領域と接触領域とを含むウエルと、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記接触領域上に形成され開口を有する絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記開口を介し前記接触領域と接触するように形成された接触部と、を含むシリコンを主成分とする導電層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
(付記2)前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜を含むことを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3)前記絶縁膜は前記ウエルの上部に形成されたトレンチアイソレーションを含むことを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記4)前記チャネル領域と前記接触領域との間の前記ウエルの上部に形成されたトレンチアイソレーションを具備することを特徴とする付記1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
(付記5)前記ゲート電極は、前記ウエルと異なる導電型を有し、前記接触部は前記ウエルと同じ導電型を有することを特徴とする付記1から4のいずれか一項記載の半導体装置。
(付記6)半導体基板内にチャネル領域と接触領域とを含むウエルを形成する工程と、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にシリコンを主に含む第1導電層を形成する工程と、前記接触領域上の前記第1導電層と前記絶縁膜に開口を形成する工程と、前記開口を含むように、前記第1導電層上にシリコンを主成分とする第2導電層を形成する工程と、前記第1導電層と前記第2導電層とから、前記チャネル領域上にゲート電極を形成し、前記接触領域と前記開口を介し接触する接触部と、を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記7)前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜を含むことを特徴とする付記6記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)前記絶縁膜は前記ウエルの上部に形成されたトレンチアイソレーションを含むことを特徴とする付記6記載の半導体装置の製造方法。
12、14 ウエル
14a チャネル領域
14b 接触領域
16 STI
18 PTI
20 ゲート絶縁膜
22、26、28 導電層
28a ゲート電極
28b 接触部
28c パッド電極
30 サイドウォール
32 ソースまたはドレイン領域
34 シリサイド層
36 層間絶縁膜
38 コンタクト
40 金属層
Claims (6)
- 半導体基板内に形成され、チャネル領域と接触領域とを含むウエルと、
前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記接触領域上に形成され開口を有する絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記開口を介し前記接触領域と接触するように形成された接触部と、を含むシリコンを主成分とする導電層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は前記ウエルの上部に形成されたトレンチアイソレーションを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記チャネル領域と前記接触領域との間の前記ウエルの上部に形成されたトレンチアイソレーションを具備することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は、前記ウエルと異なる導電型を有し、前記接触部は前記ウエルと同じ導電型を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置。
- 半導体基板内にチャネル領域と接触領域とを含むウエルを形成する工程と、
前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にシリコンを主に含む第1導電層を形成する工程と、
前記接触領域上の前記第1導電層と前記絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記開口を含むように、前記第1導電層上にシリコンを主成分とする第2導電層を形成する工程と、
前記第1導電層と前記第2導電層とから、前記チャネル領域上にゲート電極を形成し、前記接触領域と前記開口を介し接触する接触部と、を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
- 2013-09-19 JP JP2013194477A patent/JP2015060989A/ja active Pending
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