JP2015060216A5

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Publication number: JP2015060216A5
Application number: JP2013196253A
Authority: JP
Filing date: 2013-09-20
Publication date: 2016-06-02
Anticipated expiration: 2033-09-20

Description

放電装置Ａ１〜３は、一端が共通ラインＬ１１〜１３側に接続され他端がグランド側に接続される配線などを有しているが、例えば、図１（ａ）に示すような負荷１１〜１３を有していてもよい。放電装置Ａ１〜３が負荷１１〜１３を有する場合は、放電装置Ａ１〜３が有する配線などに過大な電流が流れることが抑制される。

放電制限装置Ｂ１〜３は、一端が共通ラインＬ１１〜１３側に接続され他端が電圧供給部Ｖ２１〜２３側に接続される配線などを有しているが、例えば、図１（ａ）に示すように、負荷２１〜２３を有していてもよい。放電制限装置Ｂ１〜３が負荷２１〜２３を有する場合は、放電装置Ａ１〜３が有する配線などに過大な電流が流れることが抑制される。なお、具体的な数値を挙げて理解を容易にするため、図１（ａ）では、一例として、放電制限装置Ｂ１〜３の他端に接続された電圧供給部Ｖ２１〜２３が供給する電圧をそれぞれ５Ｖ、８Ｖ、３Ｖにしているが、電圧供給部Ｖ２１〜２３が供給する電圧はこれらの値に限定されず、例えば同じであってもよい（例：Ｖ２１〜２３は、ともに５Ｖであってもよい）。

Ｘ１〜３で示した点の電圧は、放電制限装置Ｂ１〜３の電圧供給部Ｖ２１〜２３により供給される電圧と、放電制限装置Ｂ１〜３の負荷２１〜２３及び放電装置Ａ１〜３の負荷１１〜１３と、の関係によって決まり、整流装置Ｄ１〜３の電圧降下とは無関係である。したがって、本発明の実施形態１に係る表示装置によれば、たとえ整流装置Ｄ１〜３の電圧降下にバラツキが存在していても、アクティブでない共通ラインの電圧（寄生容量による電圧）を均一にする又は均一に近づけることができる。なお、本発明の実施形態１では、電圧供給部Ｖ２１〜２３が供給する電圧がそれぞれ５Ｖ、８Ｖ、３Ｖであり、放電制限装置Ｂ１〜３の負荷２１〜２３がそれぞれ５．６ｋΩ、６．８ｋΩ、２．７ｋΩであり、放電装置Ａ１〜３の負荷１１〜１３がそれぞれ３．６ｋΩ、２．２ｋΩ、５．６ｋΩであり、Ｘ１〜３で示した点の電圧（所定の値の一例）がともに２．０Ｖである場合について説明したが、所定の値はこれに限定されない。なお、本発明の実施形態１において、放電装置Ａ１〜３の負荷１１〜１３は、Ｘ１〜３で示した点の電圧（所定の値の一例）を決めるだけではなく、放電にかかる時間を決める要因ともなる。放電装置Ａ１〜３の負荷１１〜１３は、これを小さくすれば放電にかかる時間を短くすることができる。他方、放電装置Ａ１〜３の負荷１１〜１３は、これを大きくすれば消費電力の低減を図ることができる。

図２（ａ）に示すように、本発明の実施形態２に係る表示装置は、放電装置Ａ１〜３が半導体スイッチＳＷ１〜３（例：Ｎチャネル型ＦＥＴやＮＰＮトランジスタ）を備えているとともに、放電制限装置Ｂ１〜３が負荷２１〜２３を備えていない点で、本発明の実施形態１に係る表示装置と相違する。半導体スイッチＳＷ１〜３は、一端が共通ラインＬ１１〜１３側に接続され他端がグランド側に接続される。

放電装置Ａ１が有する半導体スイッチＳＷ１は、ソースドライバが共通ラインＬ１１への電圧の印加を終了してから共通ラインＬ１２への電圧の印加を開始するまでの間、すなわち、半導体スイッチＣＯＭ１が閉じてから半導体スイッチＣＯＭ２が開くまでの間に閉じる。これにより、共通ラインＬ１１は、アクティブでない間（ソースドライバにより電圧を印加されていない間）、その寄生容量が整流装置Ｄ１及び放電装置Ａ１を介して放電される。

同様に、放電装置Ａ２が有する半導体スイッチＳＷ２は、ソースドライバが共通ラインＬ１２への電圧の印加を終了してから共通ラインＬ１３への電圧の印加を開始するまでの間、すなわち、半導体スイッチＣＯＭ２が閉じてから半導体スイッチＣＯＭ３が開くまでの間に閉じる。これにより、共通ラインＬ１２は、アクティブでない間（ソースドライバにより電圧を印加されていない間）、その寄生容量が整流装置Ｄ２及び放電装置Ａ２を介して放電される。

同様に、放電装置Ａ３が有する半導体スイッチＳＷ３は、ソースドライバが共通ラインＬ１３への電圧の印加を終了してから共通ラインＬ１１への電圧の印加を開始するまでの間、すなわち、半導体スイッチＣＯＭ３が閉じてから半導体スイッチＣＯＭ１が開くまでの間に閉じる。これにより、共通ラインＬ１３は、アクティブでない間（ソースドライバにより電圧を印加されていない間）、その寄生容量が整流装置Ｄ３及び放電装置Ａ３を介して放電される。

Ｘ１〜３で示した点の電圧は、放電制限装置Ｂ１〜３の電圧供給部Ｖ２１〜２３により供給される電圧によって決まり、整流装置Ｄ１〜３の電圧降下とは無関係である。したがって、本発明の実施形態２に係る表示装置によれば、たとえ整流装置Ｄ１〜３の電圧降下にバラツキが存在していても、アクティブでない共通ラインの電圧（寄生容量による電圧）を均一にする又は均一に近づけることができる。なお、本発明の実施形態２では、電圧供給部Ｖ２１〜２３が供給する電圧がそれぞれ２．８Ｖ、２．０Ｖ、１．２Ｖであり、Ｘ１〜３で示した点の電圧（所定の値の一例）がそれぞれ２．８Ｖ、２．０Ｖ、１．２Ｖである場合について説明したが、所定の値はこれらの値に限定されない。なお、本発明の実施形態２において、放電装置Ａ１〜３の負荷１１〜１３は、Ｘ１〜３で示した点の電圧（所定の値の一例）を決める要因ではなく、放電にかかる時間を決める要因となる。本発明の実施形態２では、消費電力の低減が半導体スイッチＳＷ１〜３により図られるため、放電装置Ａ１〜３の負荷１１〜１３の値は小さく（例：２００Ω）、放電にかかる時間は短い。

Ｘで示した点の電圧は、放電制限装置Ｂの電圧供給部Ｖ２により供給される電圧と、放電制限装置Ｂの負荷２１及び放電装置Ａの負荷１１と、の関係によって決まり、整流装置Ｄ１〜３の電圧降下とは無関係である。したがって、本発明の実施形態３に係る表示装置によれば、たとえ整流装置Ｄ１〜３の電圧降下にバラツキが存在していても、アクティブでない共通ラインの電圧（寄生容量による電圧）を均一にする又は均一に近づけることができる。なお、本発明の実施形態３では、電圧供給部Ｖ２が供給する電圧が５Ｖであり、放電制限装置Ｂの負荷２１が４７０Ωであり、放電装置Ａの負荷１１が４７０Ωであり、Ｘで示した点の電圧（所定の値の一例）が２．５Ｖである場合について説明したが、所定の値はこれに限定されない。なお、本発明の実施形態３において、放電装置Ａの負荷１１は、Ｘで示した点の電圧（所定の値の一例）を決めるだけではなく、放電にかかる時間を決める要因ともなる。放電装置Ａの負荷１１は、これを小さくすれば放電にかかる時間を短くすることができる。他方、放電装置Ａの負荷１１は、これを大きくすれば消費電力の低減を図ることができる。

放電装置Ａが有する半導体スイッチＳＷは、ソースドライバが共通ラインＬ１１〜１３のいずれかへの電圧の印加を終了してから共通ラインＬ１１〜１３のいずれかへの電圧の印加を開始するまでの間、すなわち、半導体スイッチＣＯＭ１〜３のいずれかが閉じてから半導体スイッチＣＯＭ１〜３のいずれかが開くまでの間に閉じる。これにより、共通ラインＬ１１〜１３は、アクティブでない間（ソースドライバにより電圧を印加されていない間）、その寄生容量が整流装置Ｄ１〜３及び放電装置Ａを介してそれぞれ放電される。

Ｘ１〜３で示した点の電圧は、放電制限装置Ｂの電圧供給部Ｖ２により供給される電圧と、放電制限装置Ｂの負荷２１及び放電装置Ａの負荷１１と、の関係によって決まり、整流装置Ｄ１〜３の電圧降下とは無関係である。したがって、本発明の実施形態４に係る表示装置によれば、たとえ整流装置Ｄ１〜３の電圧降下にバラツキが存在していても、アクティブでない共通ラインの電圧（寄生容量による電圧）を均一にする又は均一に近づけることができる。なお、本発明の実施形態４では、電圧供給部Ｖ２が供給する電圧が５Ｖであり、放電制限装置Ｂの負荷２１が５６０Ωであり、放電装置Ａの負荷１１が３６０Ωであり、Ｘで示した点の電圧（所定の値の一例）が２．０Ｖである場合について説明したが、所定の値はこれに限定されない。なお、本発明の実施形態４において、放電装置Ａの負荷１１は、Ｘで示した点の電圧（所定の値の一例）を決めるだけではなく、放電にかかる時間を決める要因ともなる。放電装置Ａの負荷１１は、これを小さくすれば放電にかかる時間を短くすることができる。他方、放電装置Ａの負荷１１は、これを大きくすれば消費電力の低減を図ることができる。なお、本発明の実施形態４において、消費電力の低減は、半導体スイッチＳＷ１〜３によっても図られる。

電圧供給部Ｖ１が供給する電圧は、５Ｖであるものとした。また、電圧供給部Ｖ２が供給する電圧は５Ｖであるものとし、放電制限装置Ｂの負荷２１には３．９ｋΩの抵抗器を用い、放電装置Ａの負荷１１には５．１ｋΩの抵抗器を用いた。所定の値は、電圧供給部Ｖ２が供給する電圧と放電制限装置Ｂの負荷２１と放電装置Ａの負荷１１とにより決まり、２．８Ｖ（図３中のＸに相当する点の電圧）である。整流装置Ｄ１、Ｄ２、・・・Ｄ２４にはスイッチングダイオードを用いた。

Ｌ１１〜１３共通ライン
Ｌ２１、２２駆動ライン
１〜６発光素子
ＣＯＭ１〜３半導体スイッチ
ＳＥＧ１、２半導体スイッチ
Ａ、Ａ１〜３放電装置
Ｂ、Ｂ１〜３放電制限装置
Ｖ１電圧供給部
Ｖ２、Ｖ２１〜２３電圧供給部
ＳＷ１〜３半導体スイッチ
Ｄ、Ｄ１〜３ダイオード
１１〜１３負荷
２１〜２３負荷