JPH11161219A - 発光装置駆動回路 - Google Patents
発光装置駆動回路Info
- Publication number
- JPH11161219A JPH11161219A JP10255357A JP25535798A JPH11161219A JP H11161219 A JPH11161219 A JP H11161219A JP 10255357 A JP10255357 A JP 10255357A JP 25535798 A JP25535798 A JP 25535798A JP H11161219 A JPH11161219 A JP H11161219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- line
- light
- emitting device
- discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発光素子への負担が小さく、かつ、クロストー
クを抑制することが可能な単純マトリクス型発光装置駆
動回路を提供する。 【解決手段】データラインと走査ラインとの電気的交点
に発光素子を接続した単純マトリクス型発光装置を発光
させる発光装置駆動回路であって、選択データラインと
選択走査ラインとの電気的交点に接続された発光対象と
なる発光素子への駆動が終了してから、前記選択走査ラ
インとは別の走査ラインに接続された発光素子への駆動
を開始するまでの走査ライン切り替え時において、前記
選択データラインもしくは前記選択走査ラインと基準電
位ラインとの間に発生した蓄積電荷の少なくとも一部を
放電する放電機能を有することを特徴とする発光装置駆
動回路。
クを抑制することが可能な単純マトリクス型発光装置駆
動回路を提供する。 【解決手段】データラインと走査ラインとの電気的交点
に発光素子を接続した単純マトリクス型発光装置を発光
させる発光装置駆動回路であって、選択データラインと
選択走査ラインとの電気的交点に接続された発光対象と
なる発光素子への駆動が終了してから、前記選択走査ラ
インとは別の走査ラインに接続された発光素子への駆動
を開始するまでの走査ライン切り替え時において、前記
選択データラインもしくは前記選択走査ラインと基準電
位ラインとの間に発生した蓄積電荷の少なくとも一部を
放電する放電機能を有することを特徴とする発光装置駆
動回路。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な発光装置の駆動回路に関し、特にデ
ータラインと走査ラインとの電気的交点に発光素子を配
した単純マトリクス型発光装置の駆動回路に関する。
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な発光装置の駆動回路に関し、特にデ
ータラインと走査ラインとの電気的交点に発光素子を配
した単純マトリクス型発光装置の駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、新しい発光素子として有機電界発
光素子が注目されている。本素子は、陽極から注入され
た正孔と陰極から注入された電子とが両極に挟まれた有
機蛍光体内で再結合することにより発光するものであ
り、低電圧で高輝度に発光することがコダック社のＣ．
Ｗ．Ｔａｎｇらによって初めて示された（Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）２１，ｐ．９１３，１
９８７）。
光素子が注目されている。本素子は、陽極から注入され
た正孔と陰極から注入された電子とが両極に挟まれた有
機蛍光体内で再結合することにより発光するものであ
り、低電圧で高輝度に発光することがコダック社のＣ．
Ｗ．Ｔａｎｇらによって初めて示された（Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）２１，ｐ．９１３，１
９８７）。
【０００３】図１２は有機電界発光素子の代表的な構造
を示す断面図である。ガラス基板１に形成された透明な
陽極２上に正孔輸送層３、有機発光層４、陰極５が積層
され、駆動源６による駆動で生じた発光は陽極およびガ
ラス基板を介して外部に取り出される。本発光素子は、
陽極をプラス極性とした場合（順バイアス方向）に電流
が流れて発光し、陰極をプラス極性とした場合（逆バイ
アス方向）にはほとんど電流が流れないという整流性を
有するのが一般的である。
を示す断面図である。ガラス基板１に形成された透明な
陽極２上に正孔輸送層３、有機発光層４、陰極５が積層
され、駆動源６による駆動で生じた発光は陽極およびガ
ラス基板を介して外部に取り出される。本発光素子は、
陽極をプラス極性とした場合（順バイアス方向）に電流
が流れて発光し、陰極をプラス極性とした場合（逆バイ
アス方向）にはほとんど電流が流れないという整流性を
有するのが一般的である。
【０００４】このような有機電界発光素子は薄型、低電
圧駆動下での高輝度発光や有機蛍光材料を選択すること
による多色発光が可能であり、表示素子やディスプレイ
などに応用する検討が盛んである。
圧駆動下での高輝度発光や有機蛍光材料を選択すること
による多色発光が可能であり、表示素子やディスプレイ
などに応用する検討が盛んである。
【０００５】図１３は有機電界発光素子を利用した単純
マトリクス型発光装置を発光させる従来の駆動回路の一
例を示す等価回路である。Ｍ×Ｎ個の有機電界発光素子
１０（ＥＬ）がＭ本のデータライン１１とＮ本の走査ラ
イン１２の電気的交点に配置されている。なお、図１３
では説明を容易にするため２×２個のみの有機電界発光
素子を示した。データライン１１と走査ライン１２は、
それぞれデータラインスイッチ１３（ＤＳＷ）および走
査ラインスイッチ１４（ＳＳＷ）を介して駆動源１５に
接続されている。
マトリクス型発光装置を発光させる従来の駆動回路の一
例を示す等価回路である。Ｍ×Ｎ個の有機電界発光素子
１０（ＥＬ）がＭ本のデータライン１１とＮ本の走査ラ
イン１２の電気的交点に配置されている。なお、図１３
では説明を容易にするため２×２個のみの有機電界発光
素子を示した。データライン１１と走査ライン１２は、
それぞれデータラインスイッチ１３（ＤＳＷ）および走
査ラインスイッチ１４（ＳＳＷ）を介して駆動源１５に
接続されている。
【０００６】このような単純マトリクス型発光装置では
線順次駆動により各発光素子を所望のパターンに発光さ
せることができる。図１３においてＥＬm,nとＥＬ
m+1,n+1とを（１≦ｍ≦Ｍ−１、１≦ｎ≦Ｎ−１）発光
させる場合には、ＤＳＷmとＳＳＷnとをオン、および、
ＤＳＷm+1とＳＳＷn+1とをオンの状態を高速に繰り返せ
ば、残像効果によりＥＬm,nとＥＬm+1,n+1とが同時に発
光しているように見せることができる。なお、図１３で
はデータライン１１が発光素子の陽極に、走査ライン１
２が陰極に対応しているが、その逆であってもパターン
発生原理は同じである。
線順次駆動により各発光素子を所望のパターンに発光さ
せることができる。図１３においてＥＬm,nとＥＬ
m+1,n+1とを（１≦ｍ≦Ｍ−１、１≦ｎ≦Ｎ−１）発光
させる場合には、ＤＳＷmとＳＳＷnとをオン、および、
ＤＳＷm+1とＳＳＷn+1とをオンの状態を高速に繰り返せ
ば、残像効果によりＥＬm,nとＥＬm+1,n+1とが同時に発
光しているように見せることができる。なお、図１３で
はデータライン１１が発光素子の陽極に、走査ライン１
２が陰極に対応しているが、その逆であってもパターン
発生原理は同じである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】単純マトリクス型発光
装置においては、本来発光させたい発光素子以外の発光
素子までが発光するクロストーク現象が大きな問題とな
っている。このクロストークは、副パス電流による半選
択素子の発光と蓄積電荷による非選択素子の発光とに大
きく区別される。
装置においては、本来発光させたい発光素子以外の発光
素子までが発光するクロストーク現象が大きな問題とな
っている。このクロストークは、副パス電流による半選
択素子の発光と蓄積電荷による非選択素子の発光とに大
きく区別される。
【０００８】副パス電流による半選択素子の発光につい
ては、図１４に示すようにＥＬm,nのみを発光させる場
合を例に説明する。主パス電流はＥＬm,nを順方向に流
れて発光させるものであるが、それ以外にＥＬm,n+1、
ＥＬm+1,n+1、ＥＬm+1,nの３素子を順にたどる副パスが
存在する。理想的な有機電界発光素子であれば、ＥＬ
m+1,n+1が逆バイアスとなるので副パス電流は流れない
が、現実的には有機電界発光素子にもある程度の逆バイ
アス方向電流が流れるので、半選択素子であるＥＬ
m,n+1とＥＬm+1,nとに副パス電流が順バイアス方向に流
れて両素子が発光する。特開平９−１０２３９５号公報
で示されているように、この副パス電流はデータライン
数および走査ライン数が増えるにつれて増大する。した
がって、ディスプレイ用途では大型化や微細化が進むに
つれて本来発光しないはずの半選択素子の発光が強くな
る傾向があるが、有機電界発光素子の整流性が十分あれ
ば副パス電流によるクロストーク現象は比較的起こりに
くい。また、駆動源１５の電圧が３素子に分配されるの
で発光素子への負担も比較的小さい。
ては、図１４に示すようにＥＬm,nのみを発光させる場
合を例に説明する。主パス電流はＥＬm,nを順方向に流
れて発光させるものであるが、それ以外にＥＬm,n+1、
ＥＬm+1,n+1、ＥＬm+1,nの３素子を順にたどる副パスが
存在する。理想的な有機電界発光素子であれば、ＥＬ
m+1,n+1が逆バイアスとなるので副パス電流は流れない
が、現実的には有機電界発光素子にもある程度の逆バイ
アス方向電流が流れるので、半選択素子であるＥＬ
m,n+1とＥＬm+1,nとに副パス電流が順バイアス方向に流
れて両素子が発光する。特開平９−１０２３９５号公報
で示されているように、この副パス電流はデータライン
数および走査ライン数が増えるにつれて増大する。した
がって、ディスプレイ用途では大型化や微細化が進むに
つれて本来発光しないはずの半選択素子の発光が強くな
る傾向があるが、有機電界発光素子の整流性が十分あれ
ば副パス電流によるクロストーク現象は比較的起こりに
くい。また、駆動源１５の電圧が３素子に分配されるの
で発光素子への負担も比較的小さい。
【０００９】蓄積電荷による非選択素子の発光について
は、図１５および図１６に示すようにＥＬm,nとＥＬ
m+1,n+1とを発光させる場合を例に説明する。ここで、
キャパシタンス１７（Ｃ）はデータライン１１と基準電
位ライン１６との間に不回避的に存在する浮遊容量であ
る。まず、ＤＳＷmとＳＳＷnをオンにしてＥＬm,nを発
光させるが（図１５）、同時にｍ番目のデータラインと
基準電位ラインとの間に存在するＣmに充電電流が流れ
て、電荷Ｑが蓄積される。次に走査ラインの選択を切り
替えて、ＤＳＷm+1とＳＳＷn+1とをオンにしてＥＬ
m+1,n+1を発光させる（図１６）。この際、ＤＳＷmはオ
フであるが、Ｃmから放電電流がＥＬm,n+1の順バイアス
方向に流れて、非選択素子であるＥＬm,n+1が発光す
る。この放電が不十分であれば、さらにＥＬm,n+2以降
の素子も発光するので、結果的に表示特性は走査方向に
沿って流れるようなパターンとなる。蓄積電荷量が同じ
であれば、有機電界発光素子の発光効率が高くなり、素
子のサイズが小さくなるほどこのような非選択素子の発
光は強くなるので、ディスプレイ用途では高効率化や微
細化が進むにつれて、表示特性はより悪化することにな
る。
は、図１５および図１６に示すようにＥＬm,nとＥＬ
m+1,n+1とを発光させる場合を例に説明する。ここで、
キャパシタンス１７（Ｃ）はデータライン１１と基準電
位ライン１６との間に不回避的に存在する浮遊容量であ
る。まず、ＤＳＷmとＳＳＷnをオンにしてＥＬm,nを発
光させるが（図１５）、同時にｍ番目のデータラインと
基準電位ラインとの間に存在するＣmに充電電流が流れ
て、電荷Ｑが蓄積される。次に走査ラインの選択を切り
替えて、ＤＳＷm+1とＳＳＷn+1とをオンにしてＥＬ
m+1,n+1を発光させる（図１６）。この際、ＤＳＷmはオ
フであるが、Ｃmから放電電流がＥＬm,n+1の順バイアス
方向に流れて、非選択素子であるＥＬm,n+1が発光す
る。この放電が不十分であれば、さらにＥＬm,n+2以降
の素子も発光するので、結果的に表示特性は走査方向に
沿って流れるようなパターンとなる。蓄積電荷量が同じ
であれば、有機電界発光素子の発光効率が高くなり、素
子のサイズが小さくなるほどこのような非選択素子の発
光は強くなるので、ディスプレイ用途では高効率化や微
細化が進むにつれて、表示特性はより悪化することにな
る。
【００１０】蓄積電荷による非選択素子の発光を回避で
きる方法として、有機ＥＬ素子開発戦略（サイエンスフ
ォーラム社、ｐ．６９，１９９２）で示されている図１
７のような駆動回路が知られている。ここでは、データ
ラインスイッチ１３がオフの場合にデータライン１１が
アース電位となる。したがって、ＥＬm,nを発光させて
いる図１７の状態でｍ番目のデータラインと基準電位ラ
インとの間に蓄積された電荷が、走査ラインの選択が切
り替わった際に非選択素子であるＥＬm,n+1を発光させ
ることはない。しかしながら、図１７の状態では駆動源
１５の電圧がＥＬm,n+1とＥＬm+1,n+1との２素子に分配
される。すでに例示した図１４の駆動回路では駆動源１
５の電圧は３素子に分配されていたが、それに比べて本
駆動方法ではＥＬm+1,n+1に掛かる逆バイアス方向電圧
も大きくなるので、副パス電流もより増大し、結果とし
て発光素子への負担が大きく、半選択素子ＥＬm,n+1の
発光もより強くなるという問題があった。
きる方法として、有機ＥＬ素子開発戦略（サイエンスフ
ォーラム社、ｐ．６９，１９９２）で示されている図１
７のような駆動回路が知られている。ここでは、データ
ラインスイッチ１３がオフの場合にデータライン１１が
アース電位となる。したがって、ＥＬm,nを発光させて
いる図１７の状態でｍ番目のデータラインと基準電位ラ
インとの間に蓄積された電荷が、走査ラインの選択が切
り替わった際に非選択素子であるＥＬm,n+1を発光させ
ることはない。しかしながら、図１７の状態では駆動源
１５の電圧がＥＬm,n+1とＥＬm+1,n+1との２素子に分配
される。すでに例示した図１４の駆動回路では駆動源１
５の電圧は３素子に分配されていたが、それに比べて本
駆動方法ではＥＬm+1,n+1に掛かる逆バイアス方向電圧
も大きくなるので、副パス電流もより増大し、結果とし
て発光素子への負担が大きく、半選択素子ＥＬm,n+1の
発光もより強くなるという問題があった。
【００１１】上記の方法を改良してさらにクロストーク
を抑制できる方法としては、特開平６−３０１３５５号
公報や特開平８−３３００７０号公報で示される駆動回
路がある。図１８はその概念を示す等価回路であり、非
選択走査ラインの電位を最大で駆動源１５の電圧にまで
高めることが特徴である。したがって、ＥＬm,nを発光
させている図１８の状態でも副パス電流はＥＬm+1,n+1
を逆バイアス方向に流れるだけなので、図１４で順バイ
アス方向に副パス電流が流れていた半選択素子ＥＬ
m,n+1とＥＬm+1,nとの発光が抑制される。しかしなが
ら、図１８の状態では駆動源１５の電圧が逆バイアス方
向にＥＬm+1,n+1の１素子に掛かり、しかも、ｎ＋１番
目の走査ラインが選択される以外の期間中であればｍ＋
１番目のデータラインが非選択状態となる度に、その状
態が繰り返される。つまり、有機電界発光素子により大
きな逆バイアス方向電圧がより長期間印加されることに
なるので、素子への負担が格段に大きくなり、整流性の
悪化や発光効率の低下などを引き起こすという問題があ
った。
を抑制できる方法としては、特開平６−３０１３５５号
公報や特開平８−３３００７０号公報で示される駆動回
路がある。図１８はその概念を示す等価回路であり、非
選択走査ラインの電位を最大で駆動源１５の電圧にまで
高めることが特徴である。したがって、ＥＬm,nを発光
させている図１８の状態でも副パス電流はＥＬm+1,n+1
を逆バイアス方向に流れるだけなので、図１４で順バイ
アス方向に副パス電流が流れていた半選択素子ＥＬ
m,n+1とＥＬm+1,nとの発光が抑制される。しかしなが
ら、図１８の状態では駆動源１５の電圧が逆バイアス方
向にＥＬm+1,n+1の１素子に掛かり、しかも、ｎ＋１番
目の走査ラインが選択される以外の期間中であればｍ＋
１番目のデータラインが非選択状態となる度に、その状
態が繰り返される。つまり、有機電界発光素子により大
きな逆バイアス方向電圧がより長期間印加されることに
なるので、素子への負担が格段に大きくなり、整流性の
悪化や発光効率の低下などを引き起こすという問題があ
った。
【００１２】本発明はかかる問題を解決し、単純マトリ
クス型発光装置において、比較的簡単な構成でありなが
ら、発光素子への負担が小さく、副パス電流による半選
択素子の発光と蓄積電荷による非選択素子の発光とに起
因するクロストークをバランスよく抑制することが可能
な駆動回路を提供することが目的である。
クス型発光装置において、比較的簡単な構成でありなが
ら、発光素子への負担が小さく、副パス電流による半選
択素子の発光と蓄積電荷による非選択素子の発光とに起
因するクロストークをバランスよく抑制することが可能
な駆動回路を提供することが目的である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記課題を達成するため
に本発明の発光装置駆動回路は次のことを特徴とする。
すなわち、「データラインと走査ラインとの電気的交点
に発光素子を接続した単純マトリクス型発光装置を発光
させる発光装置駆動回路であって、選択データラインと
選択走査ラインとの電気的交点に接続された発光対象と
なる発光素子への駆動が終了してから、前記選択走査ラ
インとは別の走査ラインに接続された発光素子への駆動
を開始するまでの走査ライン切り替え時において、前記
選択データラインもしくは前記選択走査ラインと基準電
位ラインとの間に発生した蓄積電荷の少なくとも一部を
放電する放電機能を有することを特徴とする発光装置駆
動回路」である。
に本発明の発光装置駆動回路は次のことを特徴とする。
すなわち、「データラインと走査ラインとの電気的交点
に発光素子を接続した単純マトリクス型発光装置を発光
させる発光装置駆動回路であって、選択データラインと
選択走査ラインとの電気的交点に接続された発光対象と
なる発光素子への駆動が終了してから、前記選択走査ラ
インとは別の走査ラインに接続された発光素子への駆動
を開始するまでの走査ライン切り替え時において、前記
選択データラインもしくは前記選択走査ラインと基準電
位ラインとの間に発生した蓄積電荷の少なくとも一部を
放電する放電機能を有することを特徴とする発光装置駆
動回路」である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の発光装置駆動回路の一例
を図１に示す。図１３と同様にＭ×Ｎ個の有機電界発光
素子１０（ＥＬ）がＭ本のデータライン１１とＮ本の走
査ライン１２の電気的交点に配置されている。なお、図
１でも説明を容易にするため２×２個のみの有機電界発
光素子を示した。データライン１１と走査ライン１２
は、それぞれデータラインスイッチ１３（ＤＳＷ）およ
び走査ラインスイッチ１４（ＳＳＷ）を介して駆動源１
５に接続され、さらに各データライン１１は放電スイッ
チ１８（ＤＣＳＷ）を介して基準電位ライン１６に接続
されている。
を図１に示す。図１３と同様にＭ×Ｎ個の有機電界発光
素子１０（ＥＬ）がＭ本のデータライン１１とＮ本の走
査ライン１２の電気的交点に配置されている。なお、図
１でも説明を容易にするため２×２個のみの有機電界発
光素子を示した。データライン１１と走査ライン１２
は、それぞれデータラインスイッチ１３（ＤＳＷ）およ
び走査ラインスイッチ１４（ＳＳＷ）を介して駆動源１
５に接続され、さらに各データライン１１は放電スイッ
チ１８（ＤＣＳＷ）を介して基準電位ライン１６に接続
されている。
【００１５】本発光装置駆動回路による線順次駆動でＥ
Ｌm,nとＥＬm+1,n+1とを発光させてパターン表示を行う
動作を図２〜５を用いて説明する。まず、ＤＳＷmとＳ
ＳＷnのみをオンにして発光対象であるＥＬm,nを発光さ
せる（図２）。ここで図１３と同様の副パス電流が流れ
るが、すでに説明したとおり、発光素子の整流性が十分
あればクロストーク現象は起こりにくく、また、発光素
子への負担も小さい。
Ｌm,nとＥＬm+1,n+1とを発光させてパターン表示を行う
動作を図２〜５を用いて説明する。まず、ＤＳＷmとＳ
ＳＷnのみをオンにして発光対象であるＥＬm,nを発光さ
せる（図２）。ここで図１３と同様の副パス電流が流れ
るが、すでに説明したとおり、発光素子の整流性が十分
あればクロストーク現象は起こりにくく、また、発光素
子への負担も小さい。
【００１６】次に、ＥＬm,nへの駆動を終了するために
ＤＳＷmをオフにする（図３）。図示していないが、ｍ
番目のデータラインと基準電位ライン１６との間にはＥ
Ｌm,nの駆動時に発生した蓄積電荷が存在する。
ＤＳＷmをオフにする（図３）。図示していないが、ｍ
番目のデータラインと基準電位ライン１６との間にはＥ
Ｌm,nの駆動時に発生した蓄積電荷が存在する。
【００１７】次に、前記蓄積電荷を放電するためにＤＣ
ＳＷをオンにする（図４）。直前まで選択されていたｍ
番目のデータラインに対応するＤＣＳＷmのみをオンに
すればよいが、図４のようにすべてのＤＣＳＷをオンに
してもかまわない。また、同図ではＳＳＷnがオンのま
まであるが、ＳＳＷnをオフにしてからＤＣＳＷをオン
にして放電機能を動作させてもよい。なお、この放電動
作には発光素子１０自体に蓄積された電荷を放電させる
効果もある。
ＳＷをオンにする（図４）。直前まで選択されていたｍ
番目のデータラインに対応するＤＣＳＷmのみをオンに
すればよいが、図４のようにすべてのＤＣＳＷをオンに
してもかまわない。また、同図ではＳＳＷnがオンのま
まであるが、ＳＳＷnをオフにしてからＤＣＳＷをオン
にして放電機能を動作させてもよい。なお、この放電動
作には発光素子１０自体に蓄積された電荷を放電させる
効果もある。
【００１８】放電が終了すれば、ＤＣＳＷをオフにして
からＤＳＷm+1とＳＳＷn+1をオンにして、次の発光対象
であるＥＬm+1,n+1を発光させる（図５）。ここではｍ
番目のデータラインと共通ラインとの間に蓄積電荷は存
在しないので、図１５で説明したＥＬm,n+1の発光は生
じない。
からＤＳＷm+1とＳＳＷn+1をオンにして、次の発光対象
であるＥＬm+1,n+1を発光させる（図５）。ここではｍ
番目のデータラインと共通ラインとの間に蓄積電荷は存
在しないので、図１５で説明したＥＬm,n+1の発光は生
じない。
【００１９】以上の動作を繰り返すことで、発光素子へ
の負担を小さく保ったまま、クロストークの抑制された
パターン表示を行わせることができる。
の負担を小さく保ったまま、クロストークの抑制された
パターン表示を行わせることができる。
【００２０】図１〜５に示した回路ではデータライン１
１と基準電位ライン１６との電位差がゼロになるが、こ
の電位差の値は特に限定されるものではない。しかしな
がら、蓄積電荷による非選択素子の発光を抑制するとい
う観点から、本発明の発光装置駆動回路が有する放電機
能は蓄積電荷の少なくとも一部を放電させて前記電位差
を発光素子の発光開始電圧以下にせしめることが望まし
い。
１と基準電位ライン１６との電位差がゼロになるが、こ
の電位差の値は特に限定されるものではない。しかしな
がら、蓄積電荷による非選択素子の発光を抑制するとい
う観点から、本発明の発光装置駆動回路が有する放電機
能は蓄積電荷の少なくとも一部を放電させて前記電位差
を発光素子の発光開始電圧以下にせしめることが望まし
い。
【００２１】例えば図６に示すように、放電スイッチ１
８と基準電位ライン１６との間に定電圧ダイオード２０
（もしくは直流電圧源）を挿入し、データライン１１と
基準電位ライン１６との電位差を発光素子の発光開始電
圧程度かそれよりやや小さい値に固定すれば、浮遊容量
による充放電電流値が小さくなり、駆動回路が消費する
電流値を少なくすることができる。
８と基準電位ライン１６との間に定電圧ダイオード２０
（もしくは直流電圧源）を挿入し、データライン１１と
基準電位ライン１６との電位差を発光素子の発光開始電
圧程度かそれよりやや小さい値に固定すれば、浮遊容量
による充放電電流値が小さくなり、駆動回路が消費する
電流値を少なくすることができる。
【００２２】放電時間については特に限定されないが、
放電機能が動作している間は発光素子の駆動動作が停止
するので、実効デューティー比を必要以上に低下させな
いという観点からは放電時間は短い方が望ましい。
放電機能が動作している間は発光素子の駆動動作が停止
するので、実効デューティー比を必要以上に低下させな
いという観点からは放電時間は短い方が望ましい。
【００２３】短時間で十分な放電を実現するためには放
電回路の時定数を小さくすることが好ましいが、図７に
示すように、放電スイッチ１８と基準電位ライン１６と
の間に直流電圧源２１を逆方向極性に挿入することもで
きる。これにより、データライン１１と基準電位ライン
１６との間に発生した蓄積電荷だけでなく、発光素子自
体に蓄積された電荷もより短時間で放電させることがで
きる。
電回路の時定数を小さくすることが好ましいが、図７に
示すように、放電スイッチ１８と基準電位ライン１６と
の間に直流電圧源２１を逆方向極性に挿入することもで
きる。これにより、データライン１１と基準電位ライン
１６との間に発生した蓄積電荷だけでなく、発光素子自
体に蓄積された電荷もより短時間で放電させることがで
きる。
【００２４】本発明では図１に例示した駆動回路におい
て非選択走査ラインの電位を最大で駆動源１５の電圧に
まで高めることも可能である。この場合の等価回路は図
１８と同様になるが、走査ライン切り替え時のみに放電
機能が働くので、駆動源１５の電圧が逆バイアス方向に
ＥＬm+1,n+1の１素子に印加される時間は放電スイッチ
が機能する短い時間（データラインスイッチＤＳＷ１３
が基準電位ライン１６側に接続される時間）に制限さ
れ、有機電界発光素子への負担は従来より軽減されるこ
とになる。
て非選択走査ラインの電位を最大で駆動源１５の電圧に
まで高めることも可能である。この場合の等価回路は図
１８と同様になるが、走査ライン切り替え時のみに放電
機能が働くので、駆動源１５の電圧が逆バイアス方向に
ＥＬm+1,n+1の１素子に印加される時間は放電スイッチ
が機能する短い時間（データラインスイッチＤＳＷ１３
が基準電位ライン１６側に接続される時間）に制限さ
れ、有機電界発光素子への負担は従来より軽減されるこ
とになる。
【００２５】本発明では、上記例のようにデータライン
と走査ラインスイッチＳＳＷを介して走査ラインと接続
された基準電位ラインとの間に発生した蓄積電荷を放電
することが好ましいが、特に限定されるものではない。
例えば、図８のように発光素子の陰極をデータライン１
１に、陽極を走査ライン１２に接続して、放電スイッチ
１８（ＤＣＳＷ）により走査ライン１２と基準電位ライ
ン１６との間に発生した蓄積電荷を放電することもでき
る。さらに、ディスプレイ用途などでは各発光素子に流
れる電流値（あるいは印加する電圧値）を制御して輝度
変調を行うことも多く、データラインスイッチ１３と直
列に電流制御機構１９を挿入してもよい。この電流制御
機構はデータラインスイッチ１３を兼用することもでき
る。
と走査ラインスイッチＳＳＷを介して走査ラインと接続
された基準電位ラインとの間に発生した蓄積電荷を放電
することが好ましいが、特に限定されるものではない。
例えば、図８のように発光素子の陰極をデータライン１
１に、陽極を走査ライン１２に接続して、放電スイッチ
１８（ＤＣＳＷ）により走査ライン１２と基準電位ライ
ン１６との間に発生した蓄積電荷を放電することもでき
る。さらに、ディスプレイ用途などでは各発光素子に流
れる電流値（あるいは印加する電圧値）を制御して輝度
変調を行うことも多く、データラインスイッチ１３と直
列に電流制御機構１９を挿入してもよい。この電流制御
機構はデータラインスイッチ１３を兼用することもでき
る。
【００２６】なお、上記の例では有機電界発光素子を用
いた発光装置を対象として説明を行ったが、本発明の発
光装置駆動回路は発光素子を限定するものではない。
いた発光装置を対象として説明を行ったが、本発明の発
光装置駆動回路は発光素子を限定するものではない。
【００２７】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
【００２８】実施例１ まず、ＩＴＯ透明電極膜のついたガラス基板３１を１２
０×１００ｍｍの大きさに切断した。通常のフォトリソ
グラフィー法によってＩＴＯを長さ９０ｍｍ、ピッチ３
００μｍ（ＩＴＯ幅２７０μｍ）×２７２本にパターン
加工して、ストライプ状透明陽極３２を得た。
０×１００ｍｍの大きさに切断した。通常のフォトリソ
グラフィー法によってＩＴＯを長さ９０ｍｍ、ピッチ３
００μｍ（ＩＴＯ幅２７０μｍ）×２７２本にパターン
加工して、ストライプ状透明陽極３２を得た。
【００２９】この基板を洗浄し、ＵＶ−オゾン処理を施
してから真空蒸着機に固定して、装置内の真空度が２×
１０-4Ｐａ以下になるまで排気した。基板を回転させな
がら、銅フタロシアニンを２０ｎｍ、ビス（ｍ−メチル
フェニルカルバゾール）を１５０ｎｍ順に蒸着して正孔
輸送層３３を形成した。さらに、Ａｌｑ3を１００ｎｍ
蒸着して有機発光層３４を形成し、この有機層をリチウ
ム蒸気にさらしてドーピング（膜厚換算量１ｎｍ）し
た。次に、磁性体からなるシャドーマスクを基板前方
に、磁石を基板後方に置いてこれらを固定し、Ａｌを４
００ｎｍの厚さに蒸着して、長さ１００ｍｍ、ピッチ３
００μｍ（Ａｌ幅２５０μｍ）×２００本のストライプ
状陰極３５を形成した。
してから真空蒸着機に固定して、装置内の真空度が２×
１０-4Ｐａ以下になるまで排気した。基板を回転させな
がら、銅フタロシアニンを２０ｎｍ、ビス（ｍ−メチル
フェニルカルバゾール）を１５０ｎｍ順に蒸着して正孔
輸送層３３を形成した。さらに、Ａｌｑ3を１００ｎｍ
蒸着して有機発光層３４を形成し、この有機層をリチウ
ム蒸気にさらしてドーピング（膜厚換算量１ｎｍ）し
た。次に、磁性体からなるシャドーマスクを基板前方
に、磁石を基板後方に置いてこれらを固定し、Ａｌを４
００ｎｍの厚さに蒸着して、長さ１００ｍｍ、ピッチ３
００μｍ（Ａｌ幅２５０μｍ）×２００本のストライプ
状陰極３５を形成した。
【００３０】このように作製された有機電界発光ディス
プレイの構造の概略を図９に示す。互いに直交するスト
ライプ状透明陽極３２とストライプ状陰極３５によって
有機層３３および３４が挟まれており、両電極の交点に
有機電界発光素子（１ドット）が形成された典型的な単
純マトリクス型発光装置である。ドットの大きさは２７
０μｍ×２５０μｍであり、ドット数は２７２×２００
個である。なお、有機電界発光素子の発光開始電圧は直
流駆動において約５Ｖであった。
プレイの構造の概略を図９に示す。互いに直交するスト
ライプ状透明陽極３２とストライプ状陰極３５によって
有機層３３および３４が挟まれており、両電極の交点に
有機電界発光素子（１ドット）が形成された典型的な単
純マトリクス型発光装置である。ドットの大きさは２７
０μｍ×２５０μｍであり、ドット数は２７２×２００
個である。なお、有機電界発光素子の発光開始電圧は直
流駆動において約５Ｖであった。
【００３１】上記ディスプレイの透明陽極をデータライ
ン５１、陰極を走査ライン５２として、図１０に示す駆
動回路にてパターン表示を行った。なお、図１０におい
ても説明を容易にするため２×２個のみの有機電界発光
素子を示した。データラインスイッチ５３、走査ライン
スイッチ５４、放電スイッチ５８はトランジスタスイッ
チである。それぞれのスイッチはバイポーラートランジ
スタにより構成されているが、電界効果トランジスタな
ど他のスイッチを使用することも可能である。駆動源５
５は２０Ｖの直流電圧源であり、データラインには保護
抵抗６２を直列に挿入した。また、放電スイッチ５８の
スイッチングノイズにより発光対象以外の発光素子が誤
発光するのを防ぐために、データライン５１と放電スイ
ッチ５８との電気的接続位置に、放電機構動作時に流れ
る放電電流方向を順方向とするダイオード６３を直列に
挿入した。なお、同図では制御信号発生部分などは示さ
ず省略した。線順次駆動条件としては、フレーム周波数
６０Ｈｚ、Ｄｕｔｙ１／２００であり、１ライン走査割
り当て時間８３μｓのうち、最後の５μｓを放電機能動
作時間とした。また、放電時のデータライン５１と基準
電位ライン５６との電位差は約１Ｖである。
ン５１、陰極を走査ライン５２として、図１０に示す駆
動回路にてパターン表示を行った。なお、図１０におい
ても説明を容易にするため２×２個のみの有機電界発光
素子を示した。データラインスイッチ５３、走査ライン
スイッチ５４、放電スイッチ５８はトランジスタスイッ
チである。それぞれのスイッチはバイポーラートランジ
スタにより構成されているが、電界効果トランジスタな
ど他のスイッチを使用することも可能である。駆動源５
５は２０Ｖの直流電圧源であり、データラインには保護
抵抗６２を直列に挿入した。また、放電スイッチ５８の
スイッチングノイズにより発光対象以外の発光素子が誤
発光するのを防ぐために、データライン５１と放電スイ
ッチ５８との電気的接続位置に、放電機構動作時に流れ
る放電電流方向を順方向とするダイオード６３を直列に
挿入した。なお、同図では制御信号発生部分などは示さ
ず省略した。線順次駆動条件としては、フレーム周波数
６０Ｈｚ、Ｄｕｔｙ１／２００であり、１ライン走査割
り当て時間８３μｓのうち、最後の５μｓを放電機能動
作時間とした。また、放電時のデータライン５１と基準
電位ライン５６との電位差は約１Ｖである。
【００３２】すでに図２〜５において説明したのと同様
に、走査ライン切り替え時においてすべての放電スイッ
チ５８をオンにして蓄積電荷を放電させる回路動作によ
って実際にパターン表示をさせたところ、クロストーク
の発生が抑制された良好な表示特性が得られた。
に、走査ライン切り替え時においてすべての放電スイッ
チ５８をオンにして蓄積電荷を放電させる回路動作によ
って実際にパターン表示をさせたところ、クロストーク
の発生が抑制された良好な表示特性が得られた。
【００３３】実施例２ 図１１に示す駆動回路のように、各走査ライン５２をプ
ルアップ抵抗６４を介して逆バイアス電圧源５７に接続
したこと以外は実施例１と同様にしてディスプレイを駆
動したところ、非選択走査ラインが逆バイアス電圧源５
７の電位にプルアップされるために副パス電流量が少な
くなり、実施例１に比べてさらにクロストークが抑制さ
れた。
ルアップ抵抗６４を介して逆バイアス電圧源５７に接続
したこと以外は実施例１と同様にしてディスプレイを駆
動したところ、非選択走査ラインが逆バイアス電圧源５
７の電位にプルアップされるために副パス電流量が少な
くなり、実施例１に比べてさらにクロストークが抑制さ
れた。
【００３４】実施例３ 図１０の駆動回路において、図６において説明したよう
に放電スイッチ５８と基準電位ライン５６との間に定電
圧ダイオードを挿入し、放電時にデータライン５１と基
準電位ライン５６との電位差が約５Ｖになるよう調整し
たこと以外は実施例１と同様にしてディスプレイを駆動
させたところ、クロストーク現象はみられず、良好な表
示特性が得られた。また、充放電電流ロスは実施例１に
比べて約２０％減少した。
に放電スイッチ５８と基準電位ライン５６との間に定電
圧ダイオードを挿入し、放電時にデータライン５１と基
準電位ライン５６との電位差が約５Ｖになるよう調整し
たこと以外は実施例１と同様にしてディスプレイを駆動
させたところ、クロストーク現象はみられず、良好な表
示特性が得られた。また、充放電電流ロスは実施例１に
比べて約２０％減少した。
【００３５】比較例１ 図１０の駆動回路において、放電信号を強制的にカット
することで放電スイッチ５８を常にオフ状態とし、放電
機能を動作させなかったこと以外は実施例１と同様にし
てディスプレイを駆動させたところ、蓄積電荷による非
選択素子の発光によるクロストーク現象が発生した。発
光対象のドットと同一データライン上で、かつ、走査方
向に隣接する２つのドットが、次第に輝度を弱めながら
も発光してしまい、表示パターンが走査方向に流れるよ
うな表示特性であった。
することで放電スイッチ５８を常にオフ状態とし、放電
機能を動作させなかったこと以外は実施例１と同様にし
てディスプレイを駆動させたところ、蓄積電荷による非
選択素子の発光によるクロストーク現象が発生した。発
光対象のドットと同一データライン上で、かつ、走査方
向に隣接する２つのドットが、次第に輝度を弱めながら
も発光してしまい、表示パターンが走査方向に流れるよ
うな表示特性であった。
【００３６】比較例２ さらにデータラインスイッチ５３を変更し、図１７にお
いて説明したように非選択データラインがアース電位と
なるようにしたこと以外は比較例１と同様にしてディス
プレイを駆動させたところ、蓄積電荷による非選択素子
からの発光は起こらなかったが、副パス電流が増大した
ために半選択素子からの発光によるクロストーク現象が
認められた。
いて説明したように非選択データラインがアース電位と
なるようにしたこと以外は比較例１と同様にしてディス
プレイを駆動させたところ、蓄積電荷による非選択素子
からの発光は起こらなかったが、副パス電流が増大した
ために半選択素子からの発光によるクロストーク現象が
認められた。
【００３７】比較例３ さらに走査ラインスイッチ５４を変更し、図１８におい
て説明したように非選択走査ラインの電位を駆動源５５
の電圧にまで高めたこと以外は比較例２と同様にしてデ
ィスプレイを駆動させたところ、クロストーク現象はみ
られず、良好な表示特性が得られた。しかしながら、有
機電界発光素子に駆動源の電圧が逆バイアス方向に長期
間印加されたため、１時間の連続駆動中に１０個以上の
ドットが絶縁破壊を引き起こして短絡した。それらのド
ットは非発光化しただけでなく、短絡によるディスプレ
イ表示特性の悪化を招いた。
て説明したように非選択走査ラインの電位を駆動源５５
の電圧にまで高めたこと以外は比較例２と同様にしてデ
ィスプレイを駆動させたところ、クロストーク現象はみ
られず、良好な表示特性が得られた。しかしながら、有
機電界発光素子に駆動源の電圧が逆バイアス方向に長期
間印加されたため、１時間の連続駆動中に１０個以上の
ドットが絶縁破壊を引き起こして短絡した。それらのド
ットは非発光化しただけでなく、短絡によるディスプレ
イ表示特性の悪化を招いた。
【００３８】
【発明の効果】本発明の発光装置駆動回路では走査ライ
ンの切り替え時にのみ蓄積電荷を放電する放電機能が動
作するので、単純マトリクス型発光装置を駆動する際に
クロストーク現象を抑制して良好な表示特性を得ること
ができ、しかも、発光素子に与えるダメージが小さいの
で長期に渡って安定した表示を持続させることができ
る。
ンの切り替え時にのみ蓄積電荷を放電する放電機能が動
作するので、単純マトリクス型発光装置を駆動する際に
クロストーク現象を抑制して良好な表示特性を得ること
ができ、しかも、発光素子に与えるダメージが小さいの
で長期に渡って安定した表示を持続させることができ
る。
【００３９】さらに、蓄積電荷の放電により各発光素子
それぞれに実際に印加される電圧（電流）を正確に制御
することが可能となり、フルカラーディスプレイなどに
おいて正確な階調表示を実施する上でも有用である。
それぞれに実際に印加される電圧（電流）を正確に制御
することが可能となり、フルカラーディスプレイなどに
おいて正確な階調表示を実施する上でも有用である。
【図１】本発明の発光装置駆動回路の一例を示す等価回
路。
路。
【図２】本発明の発光装置駆動回路の動作を説明する等
価回路（ＥＬm,n駆動時）。
価回路（ＥＬm,n駆動時）。
【図３】本発明の発光装置駆動回路の動作を説明する等
価回路（ＥＬm,n駆動終了時）。
価回路（ＥＬm,n駆動終了時）。
【図４】本発明の発光装置駆動回路の動作を説明する等
価回路（放電機能動作時）。
価回路（放電機能動作時）。
【図５】本発明の発光装置駆動回路の動作を説明する等
価回路（ＥＬm+1,n+ 1駆動時）。
価回路（ＥＬm+1,n+ 1駆動時）。
【図６】本発明の発光装置駆動回路の別の一例を示す等
価回路。
価回路。
【図７】本発明の発光装置駆動回路の別の一例を示す等
価回路。
価回路。
【図８】本発明の発光装置駆動回路の別の一例を示す等
価回路。
価回路。
【図９】実施例１の有機電界発光ディスプレイの構造を
示す図。
示す図。
【図１０】実施例１の発光装置駆動回路を示す等価回
路。
路。
【図１１】実施例２の発光装置駆動回路を示す等価回
路。
路。
【図１２】従来の有機電界発光素子の構造を示す断面
図。
図。
【図１３】従来の発光装置駆動回路の一例を示す等価回
路。
路。
【図１４】副パス電流による半選択素子の発光を説明す
る等価回路。
る等価回路。
【図１５】蓄積電荷による非選択素子の発光を説明する
等価回路（ＥＬm,n駆動時）。
等価回路（ＥＬm,n駆動時）。
【図１６】蓄積電荷による非選択素子の発光を説明する
等価回路（ＥＬm+1, n+1駆動時）。
等価回路（ＥＬm+1, n+1駆動時）。
【図１７】従来の発光装置駆動回路の別の一例を示す等
価回路。
価回路。
【図１８】従来の発光装置駆動回路の別の一例を示す等
価回路。
価回路。
１、３１ ガラス基板 ２、３２ 陽極 ３、３３ 正孔輸送層 ４、３４ 有機発光層 ５、３５ 陰極 ６、１５、５５ 駆動源 １０ 有機電界発光素子 １１、５１ データライン １２、５２ 走査ライン １３、５３ データラインスイッチ １４、５４ 走査ラインスイッチ １６、５６ 共通電位ライン １７ キャパシタンス（浮遊容量） １８、５８ 放電スイッチ １９ 電流制御機構 ２０ 定電圧ダイオード ２１ 直流電圧源 ５７ 逆バイアス電圧源 ６２ 保護抵抗 ６３ ダイオード ６４ プルアップ抵抗
Claims (6)
- 【請求項１】データラインと走査ラインとの電気的交点
に発光素子を接続した単純マトリクス型発光装置を発光
させる発光装置駆動回路であって、選択データラインと
選択走査ラインとの電気的交点に接続された発光対象と
なる発光素子への駆動が終了してから、前記選択走査ラ
インとは別の走査ラインに接続された発光素子への駆動
を開始するまでの走査ライン切り替え時において、前記
選択データラインもしくは前記選択走査ラインと基準電
位ラインとの間に発生した蓄積電荷の少なくとも一部を
放電する放電機能を有することを特徴とする発光装置駆
動回路。 - 【請求項２】放電機能が選択データラインもしくは選択
走査ラインと基準電位ラインとの間に発生した蓄積電荷
による電位差を発光素子の発光開始電圧以下にせしめる
ことを特徴とする請求項１記載の発光装置駆動回路。 - 【請求項３】データラインもしくは走査ラインと放電機
能動作部分との電気的接続位置に、前記放電機構動作時
に流れる放電電流方向を順方向とする向きに直列接続さ
れた整流素子が存在することを特徴とする請求項１記載
の発光装置駆動回路。 - 【請求項４】走査ライン切り替え時において選択データ
ラインと基準電位ラインとの間に発生した蓄積電荷の少
なくとも一部を放電する放電機能を有することを特徴と
する請求項１〜３のいずれか記載の発光装置駆動回路。 - 【請求項５】発光素子が整流特性を有することを特徴と
する請求項１記載の発光装置駆動回路。 - 【請求項６】発光素子が有機電界発光素子であることを
特徴とする請求項１記載の発光装置駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10255357A JPH11161219A (ja) | 1997-09-10 | 1998-09-09 | 発光装置駆動回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24569697 | 1997-09-10 | ||
| JP9-245696 | 1997-09-10 | ||
| JP10255357A JPH11161219A (ja) | 1997-09-10 | 1998-09-09 | 発光装置駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11161219A true JPH11161219A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=26537360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10255357A Pending JPH11161219A (ja) | 1997-09-10 | 1998-09-09 | 発光装置駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11161219A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001109433A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Texas Instr Japan Ltd | ドットマトリクス表示装置 |
| KR20020093335A (ko) * | 2001-06-08 | 2002-12-16 | 주식회사 엘리아테크 | 데이터 정렬기를 구비한 유기 전계발광 표시소자의 구동회로 |
| JP2003017257A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| US6545652B1 (en) | 1999-07-08 | 2003-04-08 | Nichia Corporation | Image display apparatus and its method of operation |
| WO2003098587A1 (fr) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Nichia Corporation | Circuit de commande de charge/decharge, dispositif electroluminescent, et procede d'attaque associe |
| JP2004004848A (ja) * | 1999-07-08 | 2004-01-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 表示装置の駆動方法 |
| KR100432173B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2004-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기ｅｌ표시장치 및 그 구동방법 |
| WO2004045251A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光装置 |
| JP2005202256A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法 |
| JP2006349882A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 発光表示装置 |
| JP2007094370A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Lg Electron Inc | 発光素子及びその駆動方法 |
| KR100736574B1 (ko) | 2006-04-28 | 2007-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구동하는 방법 |
| KR100752341B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-08-27 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구동하는 방법 |
| KR100752340B1 (ko) | 2005-12-21 | 2007-08-27 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구동하는 방법 |
| JP2008020583A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Meidensha Corp | Ｌｅｄ表示器の制御回路 |
| JP2015060216A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 表示装置 |
| JP2015525947A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-09-07 | インスティトゥシオン ウニベルシタリア コレヒオ マヨール デ アンティオキア | 多重化超低電力ｌｅｄ照明器具 |
| JP2017167532A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | レイヤード オプトエレクトロニック カンパニー リミテッド | 表示回路及びその制御方法 |
-
1998
- 1998-09-09 JP JP10255357A patent/JPH11161219A/ja active Pending
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847342B2 (en) | 1999-07-08 | 2005-01-25 | Nichia Corporation | Image display apparatus |
| US6545652B1 (en) | 1999-07-08 | 2003-04-08 | Nichia Corporation | Image display apparatus and its method of operation |
| JP2004004848A (ja) * | 1999-07-08 | 2004-01-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 表示装置の駆動方法 |
| JP2001109433A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Texas Instr Japan Ltd | ドットマトリクス表示装置 |
| US6985124B1 (en) | 1999-10-12 | 2006-01-10 | Texas Instruments Incorporated | Dot matrix display device |
| JP4576647B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2010-11-10 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ドットマトリクス表示装置 |
| KR100432173B1 (ko) * | 2000-09-28 | 2004-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기ｅｌ표시장치 및 그 구동방법 |
| KR20020093335A (ko) * | 2001-06-08 | 2002-12-16 | 주식회사 엘리아테크 | 데이터 정렬기를 구비한 유기 전계발광 표시소자의 구동회로 |
| JP4614588B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-01-19 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| JP2003017257A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| EP1507251A4 (en) * | 2002-05-17 | 2007-07-04 | Nichia Corp | CHARGE / DISCHARGE CONTROL CIRCUIT, ELECTROLUMINESCENT DEVICE, AND ATTACK METHOD THEREOF |
| US6847193B2 (en) | 2002-05-17 | 2005-01-25 | Nichia Corporation | Control circuit for charging and discharging, illuminating apparatus and driving method thereof |
| EP1507251A1 (en) * | 2002-05-17 | 2005-02-16 | Nichia Corporation | Charge/discharge control circuit, light emitting device, and drive method thereof |
| WO2003098587A1 (fr) | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Nichia Corporation | Circuit de commande de charge/decharge, dispositif electroluminescent, et procede d'attaque associe |
| US7796098B2 (en) | 2002-11-13 | 2010-09-14 | Panasonic Corporation | Light emitting device |
| JPWO2004045251A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2006-03-16 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置 |
| WO2004045251A1 (ja) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光装置 |
| JP4640755B2 (ja) * | 2004-01-19 | 2011-03-02 | 東北パイオニア株式会社 | 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法 |
| JP2005202256A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法 |
| JP2006349882A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Mitsubishi Electric Corp | 発光表示装置 |
| JP2007094370A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Lg Electron Inc | 発光素子及びその駆動方法 |
| KR100752341B1 (ko) * | 2005-11-30 | 2007-08-27 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구동하는 방법 |
| KR100752340B1 (ko) | 2005-12-21 | 2007-08-27 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구동하는 방법 |
| KR100736574B1 (ko) | 2006-04-28 | 2007-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구동하는 방법 |
| JP2008020583A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Meidensha Corp | Ｌｅｄ表示器の制御回路 |
| JP2015525947A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-09-07 | インスティトゥシオン ウニベルシタリア コレヒオ マヨール デ アンティオキア | 多重化超低電力ｌｅｄ照明器具 |
| JP2015060216A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 表示装置 |
| JP2017167532A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | レイヤード オプトエレクトロニック カンパニー リミテッド | 表示回路及びその制御方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3063453B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子の駆動方法 | |
| JPH11161219A (ja) | 発光装置駆動回路 | |
| JP3765918B2 (ja) | 発光ディスプレイ及びその駆動方法 | |
| JP2001296837A (ja) | 電流制御型表示装置の駆動方法 | |
| US6680719B2 (en) | Light emitting display device in which light emitting elements are sequentially connected to a first drive source and a second drive source during emission of light and a method therefore | |
| US20040256617A1 (en) | Display device and display device driving method | |
| JPH11185957A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
| US6552703B1 (en) | Display apparatus of capacitive light emitting devices | |
| JPH09106887A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法 | |
| KR100716628B1 (ko) | 표시 패널 및 그것을 이용한 표시 장치 | |
| JP2004151194A (ja) | アクティブ型発光表示パネルの駆動装置 | |
| JP2004245904A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の駆動方法 | |
| US7202840B2 (en) | Method for driving an organic electroluminescent display device | |
| JPH11305727A (ja) | 発光ディスプレイの駆動方法 | |
| US20040189560A1 (en) | Drive device for light-emitting display panel | |
| JP2001085159A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法、駆動装置およびそれを用いた表示装置 | |
| JP4456868B2 (ja) | シャンティングされたメモリ効果を有するエレクトロルミネッセンスセルのマトリクスを有する画像表示パネル | |
| US6882330B2 (en) | Field emission displaying device and driving method thereof | |
| US20020041162A1 (en) | Method of driving organic electroluminescence element, apparatus for driving organic electroluminescence element and display using the same | |
| US7397181B2 (en) | Image display panel consisting of a matrix of memory-effect electroluminescent cells | |
| WO2003046876A1 (fr) | Circuit d'entrainement destine a un dispositif a diode organique electroluminescente | |
| JP3646916B2 (ja) | 多色発光表示パネルの駆動装置 | |
| JPH09102395A (ja) | 光学的素子 | |
| KR20060093054A (ko) | 유기 ｅｌ 표시 장치 및 그 장치의 구동방법 | |
| JP3587355B2 (ja) | 発光ディスプレイ装置及びその駆動方法 |