JP2015056627A - 半導体装置の評価方法、並びに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11上に、バッファ層12とC−GaN層13と窒化物系半導体からなる電子走行層14および電子供給層15を順次積層した半導体積層体とを設ける。半導体積層体上に、フィールドプレート層16およびパッシベーション膜17をそれぞれ選択的に設ける。アノード電極18は、パッシベーション膜17上に乗り上げて少なくとも2段の段差形状を有する。アノード電極18におけるパッシベーション膜17上に乗り上げた部分の段差の1段目の段差の直下におけるピンチオフ電圧が所定電圧以下、具体的に25V以下か否かによって半導体装置を評価する。カソード電極19は、半導体積層体を構成する少なくとも一部の層の上にアノード電極18と離間して設ける。
【選択図】図3
Description
If/Ir>106 ……(1)
次に、以上の鋭意検討に基づいた本発明の実施の形態1による半導体装置について説明する。図3は、本発明の実施の形態1による半導体装置としてのショットキーバリアダイオード(SBD)の模式的な断面図である。
以上のように構成された半導体装置100は、次のように製造することができる。まず、基板11上に、たとえばMOCVD法等の結晶成長法を用いて、バッファ層12、C−GaN層13、電子走行層14、および電子供給層15を順次成長させる。
以上のように製造された半導体装置100に対し、例えばCV測定装置を用いて、アノード電極18のパッシベーション膜17上に乗り上げた部分(図3中、計測位置)における1段目の段差部分の直下のCV特性を計測する。これにより、ピンチオフ電圧を測定して半導体装置100の評価を行う。そして、このピンチオフ電圧が所定電圧以下、具体的には25V以下の半導体装置100についてのみ抽出し、製品として採用する。これにより、実機動作の効率の改善と、(1)式が成立するデバイス特性とがともに成立した半導体装置が得られる。
次に、本発明の実施の形態2による半導体装置としてのショットキーバリアダイオードについて説明する。図5は、この実施の形態2によるショットキーバリアダイオードの模式的な断面図である。
次に、本発明の実施の形態3による半導体装置としてのHEMT型のトランジスタについて説明する。図6は、この実施の形態3によるHEMT型のトランジスタの模式的な断面図である。
次に、本発明の実施の形態4による半導体装置としてのHEMT型のトランジスタについて説明する。図7は、この実施の形態4によるHEMT型のトランジスタの模式的な断面図である。
12,12a,12b,22 バッファ層
13,23 C−GaN層
14,24 電子走行層
15,25 電子供給層
16 フィールドプレート層
17,26,31 パッシベーション膜
18,27 アノード電極
19,28 カソード電極
32 ゲート電極
33 ドレイン電極
34 ソース電極
100,200,300,400,500 半導体装置
Claims (13)
- 基体と、
前記基体上に形成された窒化物系半導体からなる第1半導体層、および前記第1半導体層の上に形成され前記第1半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第2半導体層を含む半導体積層体と、
前記半導体積層体の少なくとも一部の上に選択的に設けられ、少なくとも1段の段差を有する階段状を成す絶縁膜と、
前記絶縁膜の少なくとも前記1段の段差の上に乗り上げて少なくとも2段の段差を有する階段状を成す第1電極と、
前記半導体積層体を構成する少なくとも一部の層の上に、前記第1電極と離間して設けられる第2電極と、
を備えた半導体装置の評価方法において、
前記第1電極における前記絶縁膜の上に乗り上げた段差のうちの1段目の段差部分の直下におけるピンチオフ電圧が所定電圧以下であるか否かによって、前記半導体装置の良否を評価する
ことを特徴とする半導体装置の評価方法。 - 前記所定電圧が25(V)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の評価方法。
- 前記半導体積層体がさらに第3半導体層を含み、前記第3半導体層は、前記第2半導体層よりもバンドギャップが狭い窒化物系半導体からなるとともに、前記第2半導体層の上に選択的に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の評価方法。
- 基体と、
前記基体上に形成された窒化物系半導体からなる第1半導体層、および前記第1半導体層の上に形成され前記第1半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第2半導体層を含む半導体積層体と、
前記半導体積層体の少なくとも一部の上に選択的に設けられ、少なくとも1段の段差を有する階段状を成す絶縁膜と、
前記絶縁膜の少なくとも前記1段の段差の上に乗り上げて少なくとも2段の段差を有する階段状を成す第1電極と、
前記半導体積層体を構成する少なくとも一部の層の上に、前記第1電極と離間して設けられる第2電極と、
を備えた半導体装置において、
前記第1電極における前記絶縁膜の上に乗り上げた段差のうちの1段目の段差部分の直下におけるピンチオフ電圧が所定電圧以下である
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記所定電圧が25(V)であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記半導体積層体がさらに第3半導体層を含み、前記第3半導体層は、前記第2半導体層よりもバンドギャップが狭い窒化物系半導体からなるとともに、前記第2半導体層の上に選択的に設けられていることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記第1電極が前記第3半導体層の上面の少なくとも一部と接していることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記第3半導体層と前記第2電極とが離間して設けられていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置。
- 前記第1電極が、前記第2半導体層とショットキー接触していることを特徴とする請求項4〜8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2電極が、前記第2半導体層とオーミック接触していることを特徴とする請求項4〜9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 基体上に窒化物系半導体からなる第1半導体層を成長させるステップと、前記第1半導体層上に、前記第1半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第2半導体層を成長させるステップとを含み、基体上に前記第1半導体層および前記第2半導体層を含む半導体積層体を形成するステップと、
前記半導体積層体の上に、少なくとも1段の段差を有する絶縁膜を選択的に形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記少なくとも1段の段差に乗り上げて少なくとも2段の段差を有する階段状を成す電極を形成するステップと、
を含み、
前記電極における前記絶縁膜の上に乗り上げた段差のうちの1段目の段差部分の直下におけるピンチオフ電圧が所定電圧以下になるようにする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記所定電圧が25(V)であることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2半導体層上に、前記第2半導体層よりも狭いバンドギャップの窒化物系半導体からなる第3半導体層を成長させるステップと、前記第3半導体層の一部をエッチング除去するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項11または12に記載の半導体装置の製造方法。
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