JP2015053749A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015053749A5 JP2015053749A5 JP2013183887A JP2013183887A JP2015053749A5 JP 2015053749 A5 JP2015053749 A5 JP 2015053749A5 JP 2013183887 A JP2013183887 A JP 2013183887A JP 2013183887 A JP2013183887 A JP 2013183887A JP 2015053749 A5 JP2015053749 A5 JP 2015053749A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- short
- power semiconductor
- semiconductor element
- reference value
- gate voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 6
Claims (2)
- 前記積分部による積分値を初期化する積分値初期化部をさらに備えた、請求項2または3に記載の電力用半導体素子の駆動回路。
- 前記第1の基準値および前記第2の基準値は、前記電力用半導体素子のゲート電圧と電荷量の関係を示すグラフにおいて、正常なターンオン動作時の前記電力用半導体素子のゲート電圧−電荷量曲線と、アーム短絡状態でのターンオン動作時の前記電力用半導体素子のゲート電圧−電荷量曲線と、前記電力用半導体素子のゲート駆動電源電圧を示す直線とで囲まれる領域内に含まれ、前記第1の短絡判定部は、前記電荷量検出部で検出された電荷量が前記第1の基準値よりも小さく、かつ前記ゲート電圧検出部で検出されたゲート電圧が前記第2の基準値よりも大きい場合に、前記電力用半導体素子が短絡状態であると判定し、
前記電力用半導体素子の駆動回路は、さらに、
前記電荷量検出部で検出された電荷量と、第3の基準値とを比較する第3の比較器と、
前記ゲート電圧検出部で検出されたゲート電圧と、第4の基準値とを比較する第4の比較器と、
前記第3の比較器の比較結果と前記第4の比較器の比較結果に基づいて、前記電力用半導体素子が短絡状態か否かを判定する第2の短絡判定部とを備え、
前記第3の基準値は、前記ゲート電圧が前記ゲート駆動電源電圧のときに検出される電荷量よりも小さな値であり、かつ前記第4の基準値は、前記ゲート駆動電源電圧以上の値であり、
前記第2の短絡判定部は、前記電荷量検出部で検出された電荷量が前記第3の基準値よりも小さく、かつ前記ゲート電圧検出部で検出されたゲート電圧が前記第4の基準値よりも大きい場合に、前記電力用半導体素子が短絡状態であると判定し、
前記検出信号保持部は、前記電力用半導体素子が短絡状態であることを前記第1の短絡判定部が判定した際に、前記第1の短絡判定部の出力信号を保持し、前記電力用半導体素子が短絡状態であることを前記第2の短絡判定部が判定した際に、前記第2の短絡判定部の出力信号を保持する、請求項1記載の電力用半導体素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013183887A JP6076223B2 (ja) | 2013-09-05 | 2013-09-05 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013183887A JP6076223B2 (ja) | 2013-09-05 | 2013-09-05 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015053749A JP2015053749A (ja) | 2015-03-19 |
JP2015053749A5 true JP2015053749A5 (ja) | 2015-12-17 |
JP6076223B2 JP6076223B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=52702392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013183887A Active JP6076223B2 (ja) | 2013-09-05 | 2013-09-05 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6076223B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6773499B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-10-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体駆動装置ならびにこれを用いた電力変換装置 |
KR102578357B1 (ko) | 2016-12-16 | 2023-09-15 | 현대자동차주식회사 | 회로 소자 보호 회로, 상기 회로 소자 보호 회로가 설치된 차량, 회로 소자 보호 방법 및 차량의 제어 방법 |
JP6300964B1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-03-28 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP6264491B1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-01-24 | 富士電機株式会社 | 短絡検出装置および装置 |
CN110741542B (zh) * | 2017-06-13 | 2021-12-14 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件的驱动电路 |
DE112018003834T5 (de) | 2017-07-28 | 2020-04-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Treiberschaltung für ein leistungshalbleiterelement |
CN110521122B (zh) | 2017-10-17 | 2023-06-13 | 富士电机株式会社 | 过电流检测装置、控制装置及过电流检测方法 |
JP7087373B2 (ja) | 2017-12-20 | 2022-06-21 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の電流検出回路及び電流検出方法 |
US10845428B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method and circuit for detecting a loss of a bondwire in a power switch |
US11404953B2 (en) * | 2018-12-11 | 2022-08-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Drive circuit for power semiconductor element and power semiconductor module employing the same |
JP7408934B2 (ja) | 2019-07-03 | 2024-01-09 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の電流検出回路及び電流検出方法、並びに半導体モジュール |
JP7346944B2 (ja) | 2019-07-03 | 2023-09-20 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の電流検出回路及び電流検出方法、並びに半導体モジュール |
JP7431528B2 (ja) * | 2019-08-08 | 2024-02-15 | 株式会社東芝 | 半導体増幅回路 |
CN111474460B (zh) * | 2020-05-29 | 2022-03-22 | 中煤科工集团重庆研究院有限公司 | Igbt栅极电阻故障检测系统 |
JP7471426B2 (ja) * | 2020-08-25 | 2024-04-19 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動制御回路、電力用半導体モジュール、および電力変換装置 |
DE112020007591T5 (de) * | 2020-09-07 | 2023-06-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Treibereinrichtung zum treiben eines halbleiterelements, halbleitereinrichtung, sowie energie-umwandlungseinrichtung |
JP7420273B2 (ja) | 2020-09-11 | 2024-01-23 | 富士電機株式会社 | 過電流検出回路および駆動回路 |
JP7414700B2 (ja) * | 2020-12-01 | 2024-01-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN112803373B (zh) * | 2020-12-14 | 2024-05-07 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备 |
CN112967695A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-15 | 武汉京东方光电科技有限公司 | 液晶显示模组的驱动装置、驱动方法和液晶显示装置 |
FR3128995B1 (fr) * | 2021-11-08 | 2023-10-27 | Thales Sa | Détection et protection de court-circuit d’un composant à grille isolée par monitoring et contrôle de la tension de grille. |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101421910B (zh) * | 2006-04-06 | 2011-06-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件的驱动电路 |
JP5721137B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2015-05-20 | 国立大学法人九州工業大学 | 半導体装置の短絡保護装置 |
-
2013
- 2013-09-05 JP JP2013183887A patent/JP6076223B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015053749A5 (ja) | ||
JP2012249509A5 (ja) | ||
JP2014103664A5 (ja) | ||
JP2012019682A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014007386A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015115338A5 (ja) | ||
JP2013102158A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014138423A5 (ja) | ||
JP2014007399A5 (ja) | ||
EP3076009A3 (en) | Semiconductor device | |
JP2015070641A5 (ja) | ||
TWI456549B (zh) | 閘極驅動電路 | |
JP2013102150A5 (ja) | ||
JP2016533157A5 (ja) | ソリッドステート故障電流限流デバイス、故障電流を制限する方法及びシステム | |
JP2015192491A5 (ja) | ||
JP2013110392A5 (ja) | ||
JP2011129108A5 (ja) | 電子機器 | |
MY175546A (en) | Semiconductor device and control for testing a transistor and diode | |
JPWO2021117096A5 (ja) | 水電気分解装置 | |
JP2012134142A5 (ja) | ||
RU2015119991A (ru) | Устройство электропитания транспортного средства | |
JP2011142315A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014006889A5 (ja) | 半導体装置 | |
IN2013MU01204A (ja) | ||
JP2019169825A5 (ja) |