JP2014103664A5 - - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
Claims (5)
- 方法であって、
集積回路上の過渡電圧増大を検出することと;
前記過渡電圧増大を制限するためにクランプデバイスの導電状態を制御することと
を含み、
前記検出することおよび前記制御することのうちの少なくとも一方は、第1の時間値および第2の時間値に依存し、
前記第1の時間値は、前記集積回路の非給電状態に適用可能であり、
前記第2の時間値は、前記集積回路の給電状態に適用可能であり、
前記第1の時間値および前記第2の時間値は、共通の容量性素子の容量値に応じて決まり、
前記制御することは、前記第1の時間値および前記第2の時間値に依存し、
前記制御することは、アクティブ期間にわたって行われ、
前記アクティブ期間は、前記集積回路の前記非給電状態については前記第1の時間値に応じて決まり、前記集積回路の前記給電状態については前記第2の時間値に応じて決まる、方法。 - 方法であって、
集積回路上の過渡電圧増大を検出することと;
前記過渡電圧増大を制限するためにクランプデバイスの導電状態を制御することと
を含み、
前記検出することおよび前記制御することのうちの少なくとも一方は、第1の時間値および第2の時間値に依存し、
前記第1の時間値は、前記集積回路の非給電状態に適用可能であり、
前記第2の時間値は、前記集積回路の給電状態に適用可能であり、
前記第1の時間値および前記第2の時間値は、共通の容量性素子の容量値に応じて決まり、
前記制御することは、前記第1の時間値および前記第2の時間値に依存し、
前記制御することは、アクティブ期間にわたって行われ、
前記アクティブ期間は、前記集積回路の前記非給電状態については前記第1の時間値に応じて決まり、前記集積回路の前記給電状態については前記第2の時間値に応じて決まり、
前記検出することは、前記第1の時間値および前記第2の時間値に依存し、
前記検出することは、過渡電圧増大の速度が検出範囲内にあることに応答して行われ、
前記検出範囲は、前記集積回路の前記非給電状態については前記第1の時間値に応じて決まり、前記集積回路の前記給電状態については前記第2の時間値に応じて決まる、方法。 - 方法であって、
集積回路上の過渡電圧増大を検出することと;
前記過渡電圧増大を制限するためにクランプデバイスの導電状態を制御することと
を含み、
前記検出することおよび前記制御することのうちの少なくとも一方は、第1の時間値および第2の時間値に依存し、
前記第1の時間値は、前記集積回路の非給電状態に適用可能であり、
前記第2の時間値は、前記集積回路の給電状態に適用可能であり、
前記第1の時間値および前記第2の時間値は、共通の容量性素子の容量値に応じて決まり、
前記制御することは、前記第1の時間値および前記第2の時間値に依存し、
前記制御することは、アクティブ期間にわたって行われ、
前記アクティブ期間は、前記集積回路の前記非給電状態については前記第1の時間値に応じて決まり、前記集積回路の前記給電状態については前記第2の時間値に応じて決まり、
前記方法はさらに、前記集積回路の前記非給電状態および前記給電状態に応答する信号に基づいて前記第1の時間値と前記第2の時間値との間で選択することを含む、方法。 - 方法であって、
集積回路上の過渡電圧増大を検出することと;
前記過渡電圧増大を制限するためにクランプデバイスの導電状態を制御することと
を含み、
前記検出することおよび前記制御することのうちの少なくとも一方は、第1の時間値および第2の時間値に依存し、
前記第1の時間値は、前記集積回路の非給電状態に適用可能であり、
前記第2の時間値は、前記集積回路の給電状態に適用可能であり、
前記第1の時間値および前記第2の時間値は、共通の容量性素子の容量値に応じて決まり、
前記制御することは、前記第1の時間値および前記第2の時間値に依存し、
前記制御することは、アクティブ期間にわたって行われ、
前記アクティブ期間は、前記集積回路の前記非給電状態については前記第1の時間値に応じて決まり、前記集積回路の前記給電状態については前記第2の時間値に応じて決まり、
前記方法はさらに、前記集積回路の前記非給電状態および前記給電状態に応答する信号に基づいて前記第1の時間値と前記第2の時間値との間で選択することを含み、
前記過渡電圧増大を制限するために前記クランプデバイスの前記導電状態を前記制御することは、
前記給電状態の以前から存在している電圧に対する前記過渡電圧増大に比例して、前記給電状態における前記過渡電圧増大に応答することを含む、方法。 - 方法であって、
集積回路上の過渡電圧増大を検出することと;
前記過渡電圧増大を制限するためにクランプデバイスの導電状態を制御することと
を含み、
前記検出することおよび前記制御することのうちの少なくとも一方は、第1の時間値および第2の時間値に依存し、
前記第1の時間値は、前記集積回路の非給電状態に適用可能であり、
前記第2の時間値は、前記集積回路の給電状態に適用可能であり、
前記第1の時間値および前記第2の時間値は、共通の容量性素子の容量値に応じて決まり、
前記制御することは、前記第1の時間値および前記第2の時間値に依存し、
前記制御することは、アクティブ期間にわたって行われ、
前記アクティブ期間は、前記集積回路の前記非給電状態については前記第1の時間値に応じて決まり、前記集積回路の前記給電状態については前記第2の時間値に応じて決まり、
前記方法はさらに、前記集積回路の前記非給電状態および前記給電状態に応答する信号に基づいて前記第1の時間値と前記第2の時間値との間で選択することを含み、
前記検出することは、前記第1の時間値および前記第2の時間値に依存し、
前記制御することは、第3の時間値および第4の時間値に依存し、
前記第3の時間値および前記第4の時間値は、前記共通の容量性素子の前記容量値に応じて決まる、方法。
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US6760209B1 (en) | 2002-05-16 | 2004-07-06 | Lattice Semiconductor Corporation | Electrostatic discharge protection circuit |
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US20070115600A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and methods for improved circuit protection from EOS conditions during both powered off and powered on states |
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US7777998B2 (en) | 2007-09-10 | 2010-08-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Electrostatic discharge circuit and method therefor |
US7885047B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-02-08 | Microchip Technology Incorporated | Adaptive electrostatic discharge (ESD) protection of device interface for local interconnect network (LIN) bus and the like |
US8009396B2 (en) | 2008-02-13 | 2011-08-30 | Atmel Rousset S.A.S. | Method and apparatus for ESD protection |
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US8456784B2 (en) | 2010-05-03 | 2013-06-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Overvoltage protection circuit for an integrated circuit |
WO2014014733A1 (en) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Electrostatic discharge protection circuit for implantable medical device |
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