JP2015046602A - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 - Google Patents
基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015046602A JP2015046602A JP2014192305A JP2014192305A JP2015046602A JP 2015046602 A JP2015046602 A JP 2015046602A JP 2014192305 A JP2014192305 A JP 2014192305A JP 2014192305 A JP2014192305 A JP 2014192305A JP 2015046602 A JP2015046602 A JP 2015046602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- etching solution
- peripheral edge
- peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
ウエハの周縁部および周端部の薄膜を選択的にエッチングするための基板周縁処理装置は、たとえば、ウエハを水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックの上方においてウエハ上の空間を制限する遮断板と、ウエハの下面にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルとを含む。ウエハの下面に供給されたエッチング液は、遠心力によってウエハの下面を伝わってその回転半径方向外方へと向かい、ウエハの端面を伝ってその上面に回り込み、このウエハの上面の周縁部の不要物をエッチングする。このとき、遮断板は、ウエハの上面に近接して配置され、この遮断板とウエハとの間には、窒素ガス等の不活性ガスが供給される。
スピンチャックによってウエハが保持されて回転されている期間に、ウエハの下面からエッチング液が供給されることにより、ウエハの上面の周縁部の不要物がエッチング除去され、その後は、ウエハの上下面に対して純水リンス処理が行われた後、スピンチャックが高速回転されて、ウエハの上下面の水滴を振り切る乾燥処理が行われる。
すなわち、ウエハの上面と遮断板との距離が遠いときには、エッチング液は遮断板に接触しないから、ウエハ上面への回り込み量が少なく、また回り込み量の制御を正確に行うことができない。さらに、この場合には、ウエハ上面と遮断板との間の空間と外部空間との間の連通空間が大きいから、外部からのエッチング液の雰囲気または飛散した液滴または霧もしくは蒸気(いわゆるミスト)がウエハ表面の中央部のデバイス形成領域に侵入するという問題もある。
このように、いずれの場合にも、エッチング液の回り込み量を正確に制御することができない。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板周縁処理装置の構成を説明するための断面図である。この基板周縁処理装置は、ほぼ円形の基板である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wの表面(この実施形態では上面)の周縁部および端面に形成されている薄膜を除去することができるものである。この基板処理周縁装置は、ウエハWをその裏面を下方に向けてほぼ水平に保持するとともに、この保持したウエハWのほぼ中心を通る鉛直軸線回りに回転するスピンチャック1を処理カップ(図示せず)の中に備えている。
エッチング液には、ウエハWの周縁部の表面から除去しようとする薄膜の種類に応じた種類のものが適用される。たとえば、ウエハWの周縁部の表面から銅薄膜等の金属膜を除去するときには、たとえば、塩酸と過酸化水素水との混合液、フッ酸と過酸化水素水との混合液、または硝酸がエッチング液として用いられる。また、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜またはシリコン酸化膜をウエハWから除去するときには、たとえば、フッ酸と硝酸との混合液がエッチング液として用いられる。さらに、ウエハW上の酸化膜または窒化膜を除去するときには、たとえば、DHF(希フッ酸)や50%フッ酸などのフッ酸類がエッチング液として用いられる。
回転軸13は、中空軸とされていて、その内部には、中心軸ノズル14が挿通されている。この中心軸ノズル14には、純水供給源からの純水を純水供給バルブ15を介して供給することができ、薬液(たとえばエッチング液)液供給源からの薬液を薬液供給バルブ16を介して供給できるようになっている。中心軸ノズル14の下端は、遮断板10の中央に形成された貫通孔17に入り込んで、スピンチャック1に保持されたウエハWの上面の中央(回転中心)に臨んでいる。
プロセスガス導入口24には、プロセスガス供給源から、プロセスガス供給バルブ26を介して、プロセスガス(窒素ガス等の不活性ガス)が供給され、シールガス導入口25には、シールガス供給源から、シールガス供給バルブ27を介して、シールガス(乾燥空気等)が供給される。
回転軸13は、内軸13Aと、これを取り囲む外軸13Bとの二重軸構造となっており、内軸13Aの下端付近に形成された外向きのフランジ29によって、外軸13B下端が支持されている。外軸13Bには、ラビリンス部材23の環状溝23bに対向する位置に開口するとともに、その肉厚内で軸方向に延びたプロセスガス通路30が形成されている。このプロセスガス通路30は、フランジ29に形成された貫通孔および遮断板10の上蓋部31に形成された貫通孔を経て、遮断板10の内部空間と連通している。
遮断板10は、円板形状の上蓋部31と、この上蓋部31の周縁部においてその下面に結合された円筒状の環状部材32と、この環状部材32の内方において、上蓋部31に下方から結合された円板状の中央板33とを備えている。上蓋部31、環状部材32および中央板33によって、遮断板10の内部にはガス空間34が区画されている。このガス空間34には、プロセスガス通路30からのプロセスガスが導かれる。
図2は、環状部材32の近傍の構成を説明するための拡大断面図である。処理対象のウエハWは、スピンチャック1に備えられた複数本(たとえば3本)のチャックピン41によって挟持されている。チャックピン41は、ウエハWの下面の周縁部を支持する支持部42と、ウエハWの端面に当接して、このウエハWの水平移動を規制するガイドピン43とを備えている。
一方、中央板33は、ウエハWに対向する表面である下面の外周縁に半径方向外方に開放された環状の溝(座繰り部)51を有し、さらに、ウエハWに対向していない上面側の周縁部にC面取り部52を有している。C面取り部52は、ガス空間34からガスノズル35へと供給されるプロセスガスの流路を絞り、ガスノズル35から環状部材32の内壁面47に沿って、ウエハWの上面に向かう鉛直下方に向けてプロセスガスを勢いよく吹き出させる。すなわち、プロセスガスは、環状部材32の内壁面47によって、ウエハWに向かう下方へと方向を変え、ガスノズル35から、内壁面47に沿って、ウエハWの上面に向けて吹き出される。
また、ガイドエッジ部46の下端(ウエハWに最も近接する部位)とウエハWの表面との間の間隔は、エッチング液の種類やウエハWの表面状態によって異なるが、たとえば、0.1〜3mm程度とすることが好ましい。
図1に示されているように、スピンチャック1には、円盤状のスピンベース441と、このスピンベース441上に立設されたチャックピン41を作動させるためのチャックピン駆動機構44が備えられている。このチャックピン駆動機構44は、たとえば、スピンベース441の内部に設けられたリンク機構442と、このリンク機構442を駆動する駆動機構443とを含む。この駆動機構443は、回転軸3とともに回転する回転側駆動力伝達部材444と、この回転側駆動力伝達部材444の外周側に軸受け445を介して結合された固定側駆動力伝達部材446と、この固定側駆動力伝達部材446を昇降させるためのチャックピン駆動用昇降駆動機構447とを備えている。
そして、図2に示されているように、環状部材32のウエハ対向面45とウエハWの周縁部の表面との間の隙間に液膜50を形成する。この液膜50は、ウエハ対向面45に接触し、さらにガイドエッジ部46のエッチング液規制面46aに接触する。ガイドエッジ部46の内方側はウエハWの表面に対してほぼ垂直に立ち上がった内壁面47に連なっているから、エッチング液の液膜50は環状部材32の内壁面47から大きくウエハWの内方の領域に入り込むことはできない。これにより、ウエハWの上面の周縁部におけるエッチング幅を高精度で制御することができる。
以上のように、この実施形態によれば、ウエハWの周縁部におけるエッチング液の液膜50が、環状部材32によって、ウエハWの内方の領域に侵入しないように確実に規制される。これにより、ウエハWの周縁部におけるエッチング幅を精度よく制御することができ、ウエハWの周縁部に対して、良好な処理を施すことができる。
この実施形態では、スピンチャック1のスピンベース441には、遮断板60を受け止めて保持するためのレシーブピン61が、周方向に間隔を開けて複数本(たとえば等角度間隔で3本)設けられている。遮断板60は、ウエハWよりも大きな外径を有する板状体で構成されており、その周縁部に、レシーブピン61と嵌まり合う複数の貫通孔62が周方向に間隔を開けて複数個形成されている。遮断板60は、レシーブピン61のショルダ部61aに貫通孔62の周縁部の下面が支持されることによって、スピンベース441上に保持され、かつこのスピンベース441とともに回転駆動される。レシーブピン61によって保持された状態の遮断板60は、その下面63がスピンチャック1に保持されたウエハWの上面にごく近接して位置している。
遮断板フランジ72の上面には、遮断側ラビリンス部材73が固定されており、この遮断側ラビリンス部材73には、ノズル側ラビリンス部材74が、非接触状態で結合されている。そして、遮断側ラビリンス部材73とノズル側ラビリンス部材74との間の空間には、シールガス(パージガス)が供給されるようになっている。
一方、遮断板60を昇降するために、遮断板用ハンド81と、この遮断板用ハンド81を昇降するための遮断板昇降駆動機構82とが備えられている。遮断板用ハンド81は、フランジパイプ71を貫通させる貫通孔と、遮断板フランジ72の周縁部に形成された複数の貫通孔72aにそれぞれ嵌まり合う複数のハンドピン83とを備えている。
この基板周縁処理装置では、遮断板60がスピンチャック1からの回転力を受けて、このスピンチャック1とともに回転することになるが、ウエハWの上面の周縁部の処理に関しては、上述の第1の実施形態の場合とほぼ同様である。
また、環状部65には環状溝66内の空間と遮断板60の外方の空間とを連通させるガス抜き路80が形成されているから、環状部65の内外における気圧差が大きくなることがない。これにより、ウエハWの上面の周縁部に形成されたエッチング液の液膜がいずれかの箇所において破れるおそれはない。
この実施形態では、遮断板10の上蓋部31には、環状部材32の上方に対応する周縁部に、全周にわたる断面が漏斗状の液受け溝85が形成されている。この液受け溝85の底部には、たとえば、周方向に適当な間隔をあけて開口(吐出口)が形成されており、この開口は、環状部材32に鉛直方向に沿って形成された複数の処理液供給路86とそれぞれ連通している。すなわち、処理液供給路86は、環状部材32の周方向に沿って、たとえば、等角度間隔で複数個(たとえば、5度間隔で72個)形成されている。
ただし、この実施形態の構成の場合には、ウエハWの上面の周縁部をエッチング処理する工程において、ウエハWの下方に向けられた中心軸ノズル5からのエッチング液の供給は必ずしも必要ではない。すなわち、ウエハWの下面をエッチング処理する必要のない場合には、中心軸ノズル5からのエッチング液の供給は行わないようにしてもよい。
さらに、この実施形態の構成では、スピンチャック1を実質的に静止状態に保持したままでウエハWの周縁部のエッチング処理を行うことができる。
なお、上述の説明では、スピンチャック1の回転を停止させつつ遮断板10を低速で回転させた状態で、エッチング液を供給しているが、これに限らず、エッチング液の供給を、スピンチャック1および遮断板10を互いに異なる低い速度で回転させた状態で行ってもよいし、遮断板10の回転を静止させつつスピンチャック1を低速で回転させた状態で行ってもよい。あるいは、スピンチャック1および遮断板10をともに回転を停止させておき、移動ノズル88を液受け溝85の全周に沿って移動させつつ、エッチング液を供給してもよい。いずれの場合でも、ウエハW上面周縁部の全周に渡ってエッチング液を液盛りすることができる。
以上のように、環状部材32のウエハ対向面45をウエハW上面周縁部に近接させた状態でウエハW上面周縁部にエッチング液を供給すれば、ウエハ対向面45とウエハW上面周縁部との隙間にエッチング液が安定して保持され、エッチング液を多く消費せずにエッチング処理を良好に行うことができる。
図5は、ウエハWの表面の周縁部においてエッチング液の液膜を制御する環状部材の種々の形態を説明するための部分拡大断面図である。図5(f)には、図1および図2に示された第1の実施形態の場合と同様な構成例が示されており、図5(d)には図3に示された第2の実施形態の場合と同様な構成が示されている。図中、符号Eはエッチング液を示す。
図5(b)の形態をさらに発展させて、環状部材の内壁面47に対して内方側に隣接する位置に環状溝51を形成した構成が図5(c)に示されている。図5(d)の構成は、この図5(c)の構成をさらに発展させた形態であり、ガイドエッジ部46を設けることによって、エッチング液Eの液膜のウエハWの内方領域への侵入を確実に制御している。
さらに、図5(e)の構成を変形して、中央板33の下面の外周縁に座繰り部を形成して、環状部材の内壁面47との間に環状溝51を形成することにより、図5(f)の構成が得られる。図5(e)の形態と図5(f)の形態とを比較すれば、図5(e)の形態では、環状部材の内壁面47に対して内方側に隣接する位置に環状溝が設けられていないため、エッチング液Eの液膜の制御能力において、図5(f)の構成の方が勝っているといえる。
図6(b)の例では、内壁面47は、ウエハWの上面から離れるに従ってウエハWの外方側へと向かう傾斜面(逆円錐面)をなしている。
環状部材の内壁面47を、図6(a)の形態の傾斜面とすると、ウエハWの内方へと向かうエッチング液Eは、この傾斜した内壁面47に沿ってウエハWの表面から離れようとするが、このようなエッチング液Eの内壁面47に沿う移動は重力によって妨げられる。あるいは、とくに環状部材が回転している場合には、エッチング液Eの内壁面47に沿う移動は、遠心力によって妨げられる。そのため、エッチング液Eの液膜を、ウエハ対向面の下方に確実に制御して、ウエハWの内方へとエッチング液Eが到達することを確実に防止できる。
また、図7(b)の例では、ウエハ対向面45は、ウエハWの内方に向かうに従ってウエハWの上面に接近するように湾曲した湾曲面となっている。
図8(c)の例は、エッチング液規制面46aを、傾斜面(円錐面)ではなく、断面において曲面をなす湾曲面とした例である。
さらに、図8(d)の例は、エッチング液規制面46aをウエハWの外方側に後退させることによって、ガイドエッジ部46の下端にウエハWに対向するウエハ対向部46bを設け、このウエハ対向部46bにおいて開口する液抜き路95を環状部材に形成した例である。この液抜き路95は、環状部材の外壁面48において開口している。
図9は、ウエハWの上面の周縁部にエッチング液を供給するための形態例を示す図解的な断面図である。図9(a)には、図1および図3に示された例が示されている。すなわち、ウエハWの下面の中央に向けてエッチング液Eが供給され、このエッチング液Eは、遠心力によってウエハWの外方へと導かれ、その周端面を回り込んでウエハWの上面の周縁部へと至る。
図9(g)の例では、環状部材32の外壁面48に開口する液受け部110が設けられていて、この液受け部110に対して、ノズル111からのエッチング液Eが側方から供給される。液受け部110は、環状部材32の内部に形成された液供給路112と連通しており、この液供給路112は、ウエハ対向面45において開口している。
また、ウエハWを回転させて処理するときには、図9(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)の形態をとる場合に、二点鎖線矢印で示すように、ウエハWの下面中央に向けてのエッチング液Eの供給を併せて行うこととすれば、ウエハWの下面に対する処理も同時に行うことができる。
また、上記の実施形態では、ウエハWの周端面を挟持する構成のスピンチャック1を例示したが、ウエハWの下面を吸着して保持するバキュームチャックや、ウエハWの端面に当接するとともにその状態で回転することによってウエハWを回転させるローラ式のチャックを採用してもよい。あるいは、ウエハWを回転させることのない場合には、ウエハWを空間移動のみさせる保持手段、あるいは、地面に対して固定された複数のピンなどでウエハW下面を保持する固定式保持手段を採用してもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
1.基板(W)の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手段(5,85,86,88,100,101,102,105,108,107,110,112)と、上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって近接するように配置され、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有し、基板の周縁部の表面におけるエッチング液による処理幅を規定する環状部材(32,65)とを含むことを特徴とする基板周縁処理装置。なお、括弧内の英数字は前述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下同じ。
環状部材の内周縁は、基板の外周縁に対応する形状を有することになるから、ほぼ円形の基板を処理するときにはほぼ円形形状を有し、角形の基板を処理するときには角形の形状を有することになる。
2.上記基板を一方表面側から保持する基板保持手段(1)をさらに備え、上記環状部材は、上記基板の他方表面側に配置されている、項1記載の基板周縁処理装置。
たとえば、上記基板保持手段は、基板を下方から保持するものであって、上記環状部材が基板の上面側に近接して配置されるようになっていてもよい。
3.上記基板を静止状態(非回転状態または低速回転(遠心力によりエッチング液が基板外に飛び出さない速さ)状態)に保持しつつ、上記エッチング液供給手段から基板の周縁部にエッチング液が供給されるようになっている、項1または2記載の基板周縁処理装置。
基板上にエッチング液を液盛りしてその周縁部の処理を行うことにより、エッチング液の消費量を著しく削減することができる。とくに、環状部材の働きにより、環状部材と基板表面の周縁部との隙間にエッチング液が安定して保持されるので、エッチング液が基板の内方へ侵入したり外方へこぼれ出てしまったりすることを抑制し、さらにエッチング液の消費量を著しく削減することができる。
4.上記基板は、ほぼ円形の基板であり、この基板を回転させる基板回転手段(1,2)をさらに含み、上記環状部材の内周縁は、基板の直径以下の内径を有する円形形状を有している、項1または2記載の基板周縁処理装置。
上記環状部材は、基板の回転と同期して(すなわち基板と回転方向および回転速度が同じであるように)回転駆動されることが好ましいが、この環状部材は、静止状態に保たれてもよいし、基板の回転速度とは異なる回転速度で回転されてもよい。また、上記環状部材が基板の回転と同期して回転駆動される場合には、上記回転駆動機構とは別の回転駆動機構によって環状部材が同期回転されてもよいし、あるいは、基板保持手段上に環状部材が載置されることにより、基板保持手段および環状部材がともに上記回転駆動機構によって回転されるようにしてもよい。
5.上記基板回転手段によって基板を回転状態としつつ、上記エッチング液供給手段から基板の周縁部にエッチング液が供給されるようになっている、項4記載の基板周縁処理装置。
6.上記環状部材は、上記内周縁から外方に延び、基板の周縁部の表面に対向する基板対向面(45,67)を有している、項1ないし5のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
7.上記基板対向面が、基板の周縁部の表面とほぼ平行な面である、項6記載の基板周縁処理装置。
8.上記基板対向面は、上記内周縁に向かうに従って基板との間隔が減少するように傾斜した傾斜面である、項6記載の基板周縁処理装置。
上記傾斜面は平面であってもよいし、湾曲面であってもよい。上記環状部材がほぼ円形の内周縁を有する場合には、上記傾斜面は円錐面であってもよいし、円錐面に対して凹状または凸状に湾曲した湾曲面であってもよい。
9.上記基板対向面の外周縁は、基板の外周縁よりも外方に位置している、項6ないし8のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
たとえば、基板をほぼ水平に保持してその中心を通る回転軸線まわりに回転させるとともに、基板の上面側に上記環状部材を配置する構成をとる場合に、基板の下面側にエッチング液を供給すると、このエッチング液は遠心力を受け、基板の下面を伝い、その端面から基板上面の周縁部へと回り込む。このとき、基板対向面の外周縁が基板の外周縁よりも外方に位置していれば、基板の端面を回り込んだエッチング液を良好に捕獲することができ、基板上面の周縁部に確実に導くことができる。
10.上記環状部材は、上記基板対向面から基板に向かって突出し、基板内方に向かうエッチング液を規制する凸部(46,68)を有している、項6ないし9のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
この構成によれば、凸部の働きにより、エッチング液の液膜が基板の内方の領域へと侵入することをより確実に防止できる。これによって、エッチング幅精度をさらに向上することができる。
11.上記凸部は、基板表面から離れるに従って基板の外方側へと向かう傾斜面からなるエッチング液規制面(46a)を、上記環状部材の外方側に有している、項10記載の基板周縁処理装置。
12.上記環状部材は、上記基板対向面において開口するとともに、当該環状部材の外方の空間と連通した液排出路(95)を有している、項6ないし11のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
たとえば、基板および環状部材を回転させながら基板の周縁部の表面を処理するときには、液排出路内に入り込んだエッチング液に対して作用する遠心力を利用して、基板対向面と基板との間の液膜を形成するエッチング液を吸い出すことができる。そこで、基板対向面と基板との間にエッチング液を連続的にまたは間欠的に供給しながらエッチング処理を行えば、基板対向面と基板との間の余剰分のエッチング液が液排出路を介して排出されるので、液膜に対して新たなエッチング液を供給することができる。これによって、エッチング液のエッチング能力を維持することができるので、処理時間を短縮することができる。
13.上記エッチング液供給手段は、上記環状部材に形成され、上記基板対向面において開口する吐出口を有する液吐出路(86,105)を含むものである、項6ないし12のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
14.上記エッチング液供給手段は、上記基板対向面に開口する吐出口と、この吐出口と連通した液受け部(85,107)と、この液受け部にエッチング液を供給するノズル(88,108)とを含む、項6ないし13のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
15.上記環状部材は、上記基板対向面が基板に対して上方から対向するように設けられており、上記液受け部は、上記環状部材の上面に形成されている、項14記載の基板周縁処理装置。
16.上記エッチング液供給手段は、上記周縁部の表面を含む基板の表面とは反対側の面に向けてエッチング液を供給するノズル(5,100)を含む、項1ないし12のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
上記反対側の表面に供給されたエッチング液を上記周縁部の表面に導くためには、基板を回転させて、上記ノズルから供給されたエッチング液を遠心力により基板の端面へと導くことが好ましい。また、上記基板が円形基板の場合に、上記基板の周縁部の表面へのエッチング液の供給がより良好に行える。
17.上記ノズルは、上記反対側の面の中央部に向けてエッチング液を供給するものである、項16記載の基板周縁処理装置。
18.上記エッチング液供給手段は、上記環状部材の外壁面(48)に向けてエッチング液を供給するノズル(102)を含むものである、項1ないし12のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
19.上記エッチング液供給手段は、基板表面に対して垂直、または基板の外方に傾斜した方向に向かってエッチング液を吐出する吐出口(100,105)を有するものである、項1ないし18のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
20.上記環状部材は、上記内周縁から、基板の表面から遠ざかる方向に立ち上がる内壁面(47)を有している、項1ないし19のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
21.上記内壁面は、基板の表面から離れるに従って基板の中央側へと向かう傾斜面である、項20記載の基板周縁処理装置。
22.上記環状部材の内側の空間を実質的に閉塞する蓋部材(31,90)をさらに含む、項1ないし21のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
23.上記環状部材は、上記内周縁の内方側に隣接して形成された環状の溝(51,66)を有している、項22記載の基板周縁処理装置。
この構成によれば、エッチング液は、環状の溝を通り越して基板の中央領域に至ることはできないので、エッチング幅精度をさらに向上することができる。
24.上記環状部材の内側の空間に気体を供給する気体供給手段(18,30,77)をさらに含む、項1ないし23のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
25.上記環状部材は、上記内周縁から、基板の表面から遠ざかる方向に立ち上がる内壁面を有しており、上記気体供給手段から供給される気体が、上記内壁面に向けて供給されるようになっている、項24記載の基板周縁処理装置。
26.上記環状部材は、この環状部材の内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路(49,80)を有している、項20ないし25のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
この構成は、特に蓋部材(項22参照)によって環状部材の内側の空間が実質的に閉塞されている場合に特に効果的である。
27.上記環状部材の内方において、基板の中央に向けてエッチング保護液を供給する保護液供給手段(14)をさらに含む、項1ないし29のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
上記エッチング保護液は、たとえば、純水、炭酸水、水素水、還元水、イオン水または磁気水などであってもよい。
28.基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、基板を静止状態に保持して、基板の周縁部の表面にエッチング液を液盛りする工程と、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有する環状部材を、基板の周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって上記基板の周縁部の表面に対して近接配置することにより、基板の周縁部の表面における上記エッチング液による処理幅を規定する工程とを含む、基板周縁処理方法。
29.基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、基板を回転させる基板回転工程と、この基板回転工程と並行して、回転している基板の周縁部の表面にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有する環状部材を、基板の周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって上記基板の周縁部の表面に対して近接配置することにより、基板の周縁部の表面における上記エッチング液による処理幅を規定する工程とを含む、基板周縁処理方法。
30.上記エッチング液供給工程は、上記周縁部の表面を含む基板の表面とは反対側の面に向けてエッチング液を供給する工程を含む、項29記載の基板周縁処理方法。
この方法により、項16記載の構成と同様な効果を奏することができる。
31.上記環状部材の内側の空間に気体を供給する気体供給工程をさらに含む、項28ないし30のいずれかに記載の基板周縁処理方法。
32.上記環状部材の内方において、基板の中央領域にエッチング保護液を供給する保護液供給工程をさらに含む、項28ないし31のいずれかに記載の基板周縁処理方法。
この方法により、項27記載の構成と同様な効果を奏することができる。
2 回転駆動機構
3 回転軸
4 処理液供給管
5 中心軸ノズル
6 純水供給バルブ
7 エッチング液供給バルブ
8 プロセスガス供給路
9 プロセスガス供給バルブ
10 遮断板
11 遮断板昇降駆動機構
12 モータ
13 回転軸
14 中心軸ノズル
15 純水供給バルブ
16 薬液供給バルブ
17 貫通孔
18 プロセスガス供給路
19 プロセスガス供給バルブ
20 ハウジング
21 軸受け
22 プロセスガス供給機構
23 ラビリンス部材
24 プロセスガス導入口
25 シールガス導入口
26 プロセスガス供給バルブ
27 シールガス供給バルブ
28 吸引口
29 フランジ
30 プロセスガス通路
31 上蓋部
32 環状部材
33 中央板
34 ガス空間
35 ガスノズル
41 チャックピン
42 支持部
43 ガイドピン
44 チャックピン駆動機構
45 ウエハ対向面
45a 外周側平行部
45b 内周側平行部
45c 傾斜部
46 ガイドエッジ部
46a エッチング液規制面
46b ウエハ対向部
47 内壁面
47a 垂直立ち上がり面
47b 傾斜面
48 外壁面
49 ガス抜き路
50 液膜
51 環状溝
52 面取り部
60 遮断板
61 レシーブピン
62 貫通孔
63 下面
64 貫通孔
65 環状部
66 環状溝
67 ウエハ対向面
68 ガイドエッジ部
69 内壁面
70 外壁面
71 フランジパイプ
72 遮断板フランジ
73 遮断側ラビリンス部材
74 ノズル側ラビリンス部材
75 中心軸ノズル
76 処理液供給管
77 プロセスガス供給管
78 ノズル保持部
79 ノズル昇降駆動機構
80 ガス抜き路
81 遮断板用ハンド
82 遮断板昇降駆動機構
83 ハンドピン
85 液受け溝
86 処理液供給路
88 移動ノズル
89 エッチング液供給バルブ
90 蓋部
95 液抜き路
100 ノズル
101 ノズル
102 ノズル
105 エッチング液供給路
107 液受け部
108 エッチング液供給ノズル
110 液受け部
111 ノズル
112 液供給路
115 エッチング液供給路
116 排液路
441 スピンベース
442 リンク機構
443 駆動機構
444 回転側駆動力伝達部材
445 軸受け
446 固定側駆動力伝達部材
447 チャックピン駆動用昇降駆動機構
E エッチング液
W ウエハ
Claims (8)
- 基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理装置であって、
上記基板の周縁部にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記基板よりも大きな外形を有する蓋部材と、
上記蓋部材の周縁部に設けられた複数の係合部と、
上記基板を保持して回転するスピンチャックと、
上記スピンチャックを回転させる回転駆動機構と、
上記スピンチャックの周方向に間隔を空けて設けられた複数の支持部材と、
上記蓋部材を昇降するための昇降手段と、
を有し、
上記複数の係合部材と上記複数の支持部材は、上記蓋部材を上記昇降手段により昇降させることにより係合/離反するように構成されており、かつ、当該係合時において上記スピンチャックを回転させた際に上記蓋部材が当該スピンチャックとともに回転するように構成されていることを特徴とする基板周縁処理装置。 - 上記基板の周縁部の表面に対して、この周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって近接するように配置され、基板の外周縁上またはそれよりも内側に内周縁を有し、上記基板の周縁部の表面におけるエッチングによる処理幅を規定する環状部材をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の基板周縁処理装置。
- 上記蓋部材が、上記環状部材の内側の空間を実質的に閉塞することを特徴とする、請求項2に記載の基板周縁処理装置。
- 上記環状部材の内側の空間に気体を供給する気体供給手段をさらに備えることを特徴とする、請求項2または請求項3に記載の基板周縁処理装置。
- 基板の周縁部の表面にエッチング液を供給して、この周縁部の表面の不要物をエッチング除去する基板周縁処理方法であって、
上記基板の周縁部の表面にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、
上記基板よりも大きな外形を有する蓋部材の周縁部に設けられた複数の係合部材と、基板を保持して回転するスピンチャックの周方向に間隔を空けて設けられた複数の支持部材とを係合させる係合工程と、
上記複数の係合部材と上記複数の支持部材とが係合した状態で、上記蓋部材を上記スピンチャックの回転とともに回転させる一体回転工程と、
上記複数の係合部材と上記複数の支持部材とを離反させる工程と、
を含むことを特徴とする基板周縁処理方法。 - 上記基板の外周縁上またはそれよりも内側に配置された内周縁を有する環状部材を、上記基板の周縁部の表面に形成された上記エッチング液の液膜に接触することができる所定の隙間をもって上記基板の周縁部の表面に対して近接配置することにより、上記基板の周縁部の表面における上記エッチング液による処理幅を規定する工程と、
上記環状部材の内側の空間を蓋部材によって実質的に閉塞する工程と、
上記環状部材の内側の空間に気体を供給する気体供給工程とをさらに含むことを特徴とする、請求項5に記載の基板周縁処理方法。 - 上記エッチング液供給工程は、基板を静止状態に保持して、基板の周縁部の表面に上記エッチング液を液盛りする工程を含むことを特徴とする、請求項5または請求項6に記載の基板周縁処理方法。
- 上記エッチング液供給工程は、上記一体回転工程と並行して、回転している上記基板の周縁部の表面に上記エッチング液を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項5乃至請求項7に記載の基板周縁処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014192305A JP6121962B2 (ja) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 基板周縁処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014192305A JP6121962B2 (ja) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 基板周縁処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013197221A Division JP2014030045A (ja) | 2013-09-24 | 2013-09-24 | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015046602A true JP2015046602A (ja) | 2015-03-12 |
JP6121962B2 JP6121962B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=52671849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014192305A Expired - Lifetime JP6121962B2 (ja) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 基板周縁処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6121962B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6318385B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
JP2002124501A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-04-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 基板の表面の局所化された液体処理のための方法及び装置 |
US20020050244A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-02 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Device for liquid treatment of wafer-shaped articles |
JP2002170810A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2014
- 2014-09-22 JP JP2014192305A patent/JP6121962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6318385B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
JP2002124501A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-04-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 基板の表面の局所化された液体処理のための方法及び装置 |
US20020050244A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-02 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Device for liquid treatment of wafer-shaped articles |
JP2002170810A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6121962B2 (ja) | 2017-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102102001B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP5270607B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4179593B2 (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
JP5188217B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI631640B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP6231328B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5420222B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013187395A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4409312B2 (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
JP6331189B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US10882080B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of processing substrate | |
JP4739361B2 (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
JP2014030045A (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
JP5513432B2 (ja) | 基板周縁処理装置及び基板周縁処理方法 | |
JP6121962B2 (ja) | 基板周縁処理方法 | |
JP5341939B2 (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
TWI779204B (zh) | 基板處理裝置 | |
TWI712095B (zh) | 基板斜邊和背面保護裝置 | |
CN111095495A (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
JP2005277210A (ja) | 基板保持回転機構およびそれを用いた基板処理装置 | |
TWI796778B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP3619667B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7025873B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI650187B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2023122439A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160913 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6121962 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |