JP2015043100A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】描画装置100は、EUV光の吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能なIDが形成された基板からIDを読み取る読取装置121と、IDに対応付けされた、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶装置109と、パターンデータのうちの少なくとも欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報とを入力し、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する検証部66と、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
極端紫外(EUV:Extreme Ultra Violet)光を吸収する吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能な識別子(ID)が形成された基板から識別子を読み取る読取部と、
識別子に対応付けされた、基板の欠陥の位置を示す欠陥位置情報と、欠陥のサイズを示す欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶部と、
パターンデータのうちの少なくとも欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報とを入力し、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する検証部と、
パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、荷電粒子ビームを用いて前記基板にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
描画部は、さらに、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されていなかったパターンデータに基づいて、オフセット値で補正された位置にパターンを描画すると好適である。
検証の結果、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置しない場合に、照射量マップを用いてパターニング後に吸収体膜が残る領域を検出する検出部と、
をさらに備え、
オフセット値算出部は、検出された領域に欠陥が位置するように補正するためのオフセット値を算出すると好適である。
オフセット値算出部は、検出された領域に欠陥が位置するように補正するためのオフセット値を算出すると好適である。
極端紫外(EUV:Extreme Ultra Violet)光を吸収する吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能な識別子(ID)が形成された基板から識別子を読み取る工程と、
識別子に対応付けされた、基板の欠陥の位置を示す欠陥位置情報と、欠陥のサイズを示す欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶装置から、パターンデータのうちの少なくとも欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報とを読み出し、パターニング後に体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する工程と、
パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、荷電粒子ビームを用いて基板にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。ここでは、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置の一例を示している。描画装置100は、描画部150、制御部160、搬出入口(I/F)120、ロードロック(L/L)チャンバ130、ロボット(R)チャンバ140、アライメント(ALN)チャンバ146、及び真空ポンプ170を備えている。そして、描画装置100は、電子ビーム200を用いて、基板101に所望するパターンを描画する。描画対象となる基板101として、例えば、EUV光を使用して半導体ウェハにパターンを転写するマスク基板のマスクブランクスが含まれる。
図9は、実施の形態1における照射量マップの一例を示す図である。図9では、図4の部分領域56に相当する照射量マップの部分領域55を示している。図9において、ポジ型レジストを用いる場合、ハッチングで黒くなっているメッシュ領域は電子ビーム200を照射する照射量が0ではない照射域を示している。すなわち、パターニング後に吸収体膜16が残る領域44に相当する。逆に、ハッチングされていないメッシュ領域は照射量が0である非照射域を示している。すなわち、パターニング後に吸収体膜16が残らずに除去される領域42に相当する。検出部68は、かかる照射量マップ上で欠陥40の位置に相当するメッシュを特定し、欠陥40が位置するメッシュの付近に位置する欠陥サイズより面積が大きくなる照射域(領域44)のメッシュ群を検出する。図9の例では、左下に欠陥サイズより面積が大きくなる照射域(領域44)のメッシュ群が存在することがわかる。逆に、左上、右上、右、及び右下でも照射域(領域44)のメッシュは存在するが、欠陥40が位置するメッシュと幅が同じである。よって、欠陥40の直径Dより太い幅かどうかわからないのでかかるメッシュは検出しないようにすると好適である。このように、照射量マップを使用することで改めてパターンデータ(部分パターンデータ)からレイアウトを計算する必要がないので処理時間を短くできる。
12 多層膜
14 キャップ膜
16 吸収体膜
18 反射防止膜
20 レジスト膜
22 導電膜
30 ID
40 欠陥
42,44 領域
50 描画領域
52,54 ALN−マーク
55,56,58,59 部分領域
60 ID取得部
62 欠陥座標・サイズ取得部
64 部分パターンデータ/ずらし量および方向取得部
66 検証部
68 検出部
70 ALN―マーク位置取得部
72 オフセット値算出部
74 オフセット処理部
76 描画データ処理部
78 メモリ
100 描画装置
101 基板
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
106 支持ピン
108,109 記憶装置
110 計算機ユニット
120 搬出入口
121 読取装置
122,142 搬送ロボット
130 ロードロックチャンバ
132,134,136 ゲートバルブ
140 ロボットチャンバ
146 アライメントチャンバ
150 描画部
160 制御部
162 制御回路
164 検出回路
170 真空ポンプ
172,174,176 バルブ
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
212 検出器
330 電子線
340 試料
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (3)
- 極端紫外(EUV:Extreme Ultra Violet)光を吸収する吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能な識別子(ID)が形成された基板から前記識別子を読み取る読取部と、
前記識別子に対応付けされた、前記基板の欠陥の位置を示す欠陥位置情報と、前記欠陥のサイズを示す欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶部と、
前記パターンデータのうちの少なくとも前記欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、前記欠陥位置情報と、前記欠陥サイズ情報とを入力し、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する検証部と、
パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、荷電粒子ビームを用いて前記基板にパターンを描画する描画部と、
前記基板に荷電粒子ビームを照射する照射量マップを作成する照射量マップ作成部と、
検証の結果、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置しない場合に、前記照射量マップを用いてパターニング後に前記吸収体膜が残る領域を検出する検出部と、
検証の結果、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置しない場合に、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するように補正するためのオフセット値を算出するオフセット値算出部と、
を備え、
前記オフセット値算出部は、検出された領域に前記欠陥が位置するように補正するためのオフセット値を算出することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記描画部は、さらに、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されていなかったパターンデータに基づいて、前記オフセット値で補正された位置にパターンを描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 極端紫外(EUV:Extreme Ultra Violet)光を吸収する吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能な識別子(ID)が形成された基板から前記識別子を読み取る工程と、
前記識別子に対応付けされた、前記基板の欠陥の位置を示す欠陥位置情報と、前記欠陥のサイズを示す欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶装置から、前記パターンデータのうちの少なくとも前記欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、前記欠陥位置情報と、前記欠陥サイズ情報とを読み出し、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する工程と、
パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、荷電粒子ビームを用いて前記基板にパターンを描画する工程と、
前記基板に荷電粒子ビームを照射する照射量マップを作成する工程と、
検証の結果、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置しない場合に、前記照射量マップを用いてパターニング後に前記吸収体膜が残る領域を検出する工程と、
検証の結果、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置しない場合に、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するように補正するためのオフセット値を算出する工程と、
を備え、
検出された領域に前記欠陥が位置するように補正するためのオフセット値を算出することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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US11475557B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Nuflare Technology, Inc. | Mask inspection apparatus, electron beam inspection apparatus, mask inspection method, and electron beam inspection method |
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