JP2015042001A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
12 基板
12c 接地パターン
12d 出力配線
14 半導体チップ
14a HEMT
16 部品
16a〜16d 配線パターン
16e ビア配線
Claims (8)
- 上面に信号配線、および接地パターンを有する基板と、
前記基板の上面に設けられ、出力端子を備え、前記出力端子が前記信号配線に接続された半導体チップと、
前記基板とは別の絶縁体により形成され、前記基板上に設けられた部品と、を具備し、
前記部品は、前記信号配線との間に前記絶縁体を介して対向する第1パターン、前記接地パターンと接続される第2パターン、および前記第1パターンおよび前記第2パターンとの間を接続し、前記第1パターンの幅より小さい幅を有する第3パターンを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1パターンは前記部品の上面に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1パターンは前記部品の内部に設けられ、
前記第1パターンと前記第3パターンとを接続するビア配線を具備することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。 - 前記第3パターンは前記部品の上面および側面に設けられていることを特徴とする請求項1から3いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1パターンは、前記第2パターンと、前記基板の上面の広がる方向において離間していることを特徴とする請求項1から4いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1パターンは、平面的に見て前記第2パターンと離間していることを特徴とする請求項1から5いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第3パターンはインダクティブスタブ、またはコイルインダクタであることを特徴とする請求項1から6いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記部品は、前記第2パターンと前記第3パターンとの間であって、前記部品の側面に、前記第3パターンより幅の大きい第4パターンを有することを特徴とする請求項1から6いずれか一項記載の半導体装置。
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