JP2015041698A - 有機電子デバイス - Google Patents
有機電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015041698A JP2015041698A JP2013172196A JP2013172196A JP2015041698A JP 2015041698 A JP2015041698 A JP 2015041698A JP 2013172196 A JP2013172196 A JP 2013172196A JP 2013172196 A JP2013172196 A JP 2013172196A JP 2015041698 A JP2015041698 A JP 2015041698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- organic
- electronic device
- layer
- electron injection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 14
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- -1 aryl compound Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
ドライプロセスは、水分や酸素、不純物の混入等がほとんどなく、各層に分離した機能を持たせて、連続的な成膜による積層が可能であることから、従来から一般的な方法として用いられている。
一方、ウェットプロセスは、ドライプロセスに比べて、成膜工程が簡便であり、低コストで、大面積かつフレキシブルな成膜が可能であることから、近年注目されている。
一方、特許文献2には、酸化亜鉛(ZnO)粒子とPO基を有するアリール化合物とを複合化させた有機・無機複合材料を用いることにより、電子注入性及び電子輸送性を高められることが記載されている。
このような極薄膜の電子注入層は、材料自体が不安定であり、しかも、大面積で形成すると、膜厚が不均一となりやすく、隣接する電荷発生層の機能を十分に引き出すことが困難な場合もあった。
電子注入層をこのような塗布膜で形成することにより、有機電子デバイスにおける成膜性の改善を図ることができ、塗布型有機電子デバイスに好適に適用することができる。
これらは導電性を有し、均質に良好な塗布膜を形成し得るため、電子注入材料として好適である。
上記のような電子注入層は、膜の均質性を保持しつつ、隣接する層との密着性が向上し、安定した膜であるため、スタック型有機電子デバイスにおいても好適に適用することができる。
前記電子注入層は、このようなMPE素子の電荷発生層と隣接して形成される場合にも好適である。
前記電子注入層は、スタック型有機電子デバイス、特に、MPE素子において、優れた電子注入性を発揮し、隣接する電荷発生層の良好に機能させることが可能となる。
また、前記電子注入層は、無機材料の塗布膜であるため、蒸着/塗布及び有機/無機を組み合わせたハイブリッド積層構造にも好適に適用することができ、全塗布型有機EL素子、全塗布型MPE素子の製造への展開も期待される。
本発明に係る有機電子デバイスは、1対の電極間に少なくとも1層の有機層を備えたものであり、粒径100nm以下の金属カルコゲナイド微粒子と、粒径100nm以下の金属微粒子との混合物の塗布膜からなる電子注入層を備えていることを特徴とするものである。
ここで、本発明でいう有機電子デバイスとは、有機層を含む積層構造を備えた電子デバイスであり、有機EL素子、有機トランジスタ、有機薄膜太陽電池等の総称として用いる。
塗布型有機電子デバイスにおいて、電子注入層を上記のような塗布膜で形成することにより、成膜性の改善を図ることができる。具体的には、塗布膜又は蒸着膜を積層した場合においても、該電子注入層の組成分布の均一性、すなわち、均質性を保持することができ、また、これらの層及び隣接する層の安定性及び密着性の向上を図ることができる。これにより、結果的にデバイス効率の向上を図ることができる。
これらを組み合わせることにより、前記金属カルコゲナイド微粒子又は前記金属微粒子をそれぞれ単独で用いる場合よりも、良好な電子注入特性及び耐溶媒特性を得ることができる。また、塗布液のための分散媒以外のバインダ等による表面処理や他の添加物を要することなく、均質で安定な塗布膜を得ることができる。
粒径が100nm超の場合は、沈殿しやすくなるため好ましくない。ただし、粒径が小さすぎると、塗布液の分散媒中で該微粒子が凝集しやすくなり、均質な塗布膜の形成が困難となるおそれがある。
前記粒径は、好ましくは10〜20nmである。
前記粒径が100nm超の場合は、塗布成膜のための分散媒中での分散性が低下し、また、極薄膜を平滑に形成することが困難となる。
このようなアルコール分散液として塗布成膜することにより、均質で安定な膜を適度な膜厚で形成することができ、また、成膜後、前記電子注入材料は有機溶剤に対して不溶化するため、その上に塗布積層することが可能となる。
なお、前記アルコールの種類は、特に限定されるものではないが、前記電子注入材料の微粒子の分散性に優れ、比較的揮発性が高く、乾燥後、表面が平滑で良好な膜を形成可能なアルコールを選択して用いることが好ましい。具体的には、メタノール、エタノール、2−エトキシエタノール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。
さらに、ホール輸送発光層、電子輸送発光層等をも含む公知の積層構造であってもよい。
なお、前記電子注入層を構成する塗布膜は、有機薄膜太陽電池における電極や電子アクセプタ層として適用することも可能である。
上記のような積層構造を有する有機電子デバイスは、多くの場合、金属又は金属酸化物材料等を蒸着法で成膜し、有機層を塗布法により成膜する必要があり、このような蒸着/塗布及び無機/有機が組み合わされたハイブリッド有機電子デバイスにおいては、下層と上層の密着性が重要となる。このような場合にも、上記のような電子注入層を形成すれば、これらの膜の均質性を保持しつつ、隣接する層との密着性を向上させることができ、安定した成膜が可能となり、これにより、デバイス効率の向上を図ることができる。
前記各層の膜厚は、各層同士の適応性や求められる全体の層厚さ等を考慮して、適宜状況に応じて定められるが、通常、5nm〜5μmの範囲内であることが好ましい。
なお、透明なITO基板を陰極とし、Alを陽極とした逆積層(インバーテッド)構造であってもよい。
硝酸銀170mgとポリビニルピロリドン170mgを40mlの超純水に溶解し、これに、292mg/ml塩化ナトリウム水溶液400μlを注入して、遮光下15分撹拌し、塩化銀コロイド分散液を得た。
一方、アスコルビン酸2820mgを320mlの超純水に溶解し、これに、1000mg/50ml水酸化ナトリウム水溶液47mlを加えた。
そして、これに、前記塩化銀コロイド分散液を加え、遮光下2時間撹拌して粒径30nm程度のAg微粒子を得た。
超純水とエタノールで遠心分離を行った後、エタノールを用いて2mg/mlに濃度調整し、このAg微粒子エタノール分散液を下記実施例の電子注入層の成膜に用いた。
[実施例1]
図1に示すような層構成からなる有機EL素子を作製した。
ガラス基板上にITOを備えた透明電極(陽極)1の上に、ホール輸送層2としてPEDOT:PSS(ヘレウス社 クレビオス Al4083)、インターレイヤー(IL)3(住友化学株式会社 HT−12)、発光層4としてグリーンポリマー(住友化学株式会社 G1305)、電子注入層5としてZnO微粒子(粒径10nm)83wt%:Ag微粒子17wt%の混合物を、それぞれ、スピンコートにより成膜し、その上に、Al陰極6を蒸着法にて成膜することにより、有機EL素子を作製した。
各層の具体的な塗布成膜工程及び条件を以下に示す。
PEDOT:PSSは、大気下、2500rpmで30秒間スピンコートした後、120℃で10分間熱処理した。
ILは、7mg/mlのp−キシレン溶液とし、窒素雰囲気下、4000rpmで10秒間スピンコートし、180℃で1時間熱処理した。
G1305は、12mg/mlのp−キシレン溶液とし、窒素雰囲気下、3000rpmで30秒間スピンコートし、130℃で10分間熱処理した。
ZnO微粒子83wt%:Ag微粒子17wt%の混合物は、エタノール溶液を、窒素雰囲気下、2000rpmで20秒間スピンコートし、熱処理は行わなかった。
上記のようにして作製した有機EL素子の層構成を簡略化して表すと、ITO/PEDOT:PSS(40nm)/IL(20nm)/G1305(80nm)/ZnO83wt%:Ag17wt%(20〜30nm)/Al(100nm)である。
実施例1において、電子注入層をZnO微粒子のみにより構成し、それ以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
ZnO微粒子は、10mg/mlのエトキシエタノール溶液とし、窒素雰囲気下、2000rpmで20秒間スピンコートすることにより成膜した。
実施例1において、電子注入層をAg微粒子のみにより構成し、それ以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
Ag微粒子は、2mg/mlのエトキシエタノール溶液とし、窒素雰囲気下、2000rpmで20秒間スピンコートすることにより成膜した。
実施例1において、電子注入層をZnO微粒子83wt%:Liq17wt%の混合物により構成し、それ以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
ZnO微粒子83wt%:Liq17wt%の混合物は、エタノール溶液を、窒素雰囲気下、2000rpmで20秒間スピンコートすることにより成膜した。
上記実施例及び比較例の各素子は、いずれも、G1305由来の緑色発光を呈した。
各素子について、発光輝度100cd/m2、1000cd/m2のときの駆動電圧、電力効率、電流効率及び外部量子効率の測定を行った。
これらの測定結果をまとめて表1に示す。
また、図2に実施例1及び比較例1,2について、図3に実施例1及び比較例3についての各有機EL素子の電流効率−電流密度曲線を示す。
これに対して、ZnO微粒子とAg微粒子との混合物からなる塗布膜とした場合(実施例1)は、駆動電圧が低減化され、電流効率が向上することが認められた。
2 ホール輸送層
3 インターレイヤー(IL)
4 発光層
5 電子注入層
6 陰極
Claims (6)
- 1対の電極間に少なくとも1層の有機層を備えた有機電子デバイスであって、粒径100nm以下の金属カルコゲナイド微粒子と、粒径100nm以下の金属微粒子との混合物の塗布膜からなる電子注入層を備えていることを特徴とする有機電子デバイス。
- 前記金属カルコゲナイド微粒子が、Zn、In、Ti及びPbのうちのいずれかの酸化物又は硫化物であることを特徴とする請求項1に記載の有機電子デバイス。
- 前記金属微粒子が、Ag又はAuであることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機電子デバイス。
- 前記金属カルコゲナイド微粒子がZnOであり、前記金属微粒子がAgであることを特徴とする請求項1に記載の有機電子デバイス。
- 前記有機層は、複数の活性層が直列式に積層されたスタック型構造を含むものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
- 前記有機層が、複数の発光ユニットが前記電子注入層及び電荷発生層を介して直列式に積層されたマルチフォトンエミッション構造を含むものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013172196A JP6156797B2 (ja) | 2013-08-22 | 2013-08-22 | 有機電子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013172196A JP6156797B2 (ja) | 2013-08-22 | 2013-08-22 | 有機電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015041698A true JP2015041698A (ja) | 2015-03-02 |
JP6156797B2 JP6156797B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=52695689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013172196A Active JP6156797B2 (ja) | 2013-08-22 | 2013-08-22 | 有機電子デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6156797B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015152148A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2020121398A1 (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109768176B (zh) * | 2019-01-10 | 2022-02-22 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种有机发光二极管和显示面板 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002367784A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2004247279A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法及び電子機器 |
JP2004327436A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Zheng-Hong Lu | フラーレン層を有する発光装置 |
WO2005027587A1 (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 |
JP2009212238A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Kyushu Electric Power Co Inc | 有機電界発光素子およびその製造方法等 |
WO2011046166A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置 |
JP2011086796A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US20120037895A1 (en) * | 2009-03-24 | 2012-02-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
WO2012160714A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 国立大学法人山形大学 | 有機電子デバイス及びその製造方法 |
JP2012533156A (ja) * | 2009-07-07 | 2012-12-20 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インク. | 安定な全塗布型(allsolutionprocessable)量子ドット発光ダイオード |
-
2013
- 2013-08-22 JP JP2013172196A patent/JP6156797B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002367784A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2004247279A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法及び電子機器 |
JP2004327436A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Zheng-Hong Lu | フラーレン層を有する発光装置 |
WO2005027587A1 (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 有機デバイス用電極、有機デバイス用電極を有する電子機器、および有機デバイス用電極の形成方法 |
JP2009212238A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Kyushu Electric Power Co Inc | 有機電界発光素子およびその製造方法等 |
US20120037895A1 (en) * | 2009-03-24 | 2012-02-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
JP2012533156A (ja) * | 2009-07-07 | 2012-12-20 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インク. | 安定な全塗布型(allsolutionprocessable)量子ドット発光ダイオード |
WO2011046166A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置 |
JP2011086796A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
WO2012160714A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 国立大学法人山形大学 | 有機電子デバイス及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015152148A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2020121398A1 (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6156797B2 (ja) | 2017-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5682877B2 (ja) | 有機電子デバイス及びその製造方法 | |
US9425411B2 (en) | Organic electroluminescent element | |
KR102120534B1 (ko) | 용액-가공성 금속 산화물 완충 층을 포함하는 광전자 장치 | |
Sessolo et al. | Hybrid organic–inorganic light‐emitting diodes | |
US10957868B2 (en) | Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making | |
EP3426008B1 (en) | Transparent layers of high conductivity and high efficiency in oleds and process for their production | |
CN111384256B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN111384278B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
KR20140044786A (ko) | 광기전력 전지 | |
JP6156797B2 (ja) | 有機電子デバイス | |
JP2015153864A (ja) | 有機膜及びこれを用いた有機電子デバイス | |
Shen et al. | Silver–Bismuth Bilayer Anode for Perovskite Nanocrystal Light-Emitting Devices | |
Zhu et al. | All-solution-processed high-performance quantum dot light emitting devices employing an inorganic thiocyanate as hole injection layer | |
WO2020108071A1 (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN110649167A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
JP6278347B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2022249648A1 (ja) | 組成物およびそれを用いた電子デバイスの製造方法 | |
CN115568239A (zh) | 一种qled器件及qled器件的制备方法 | |
CN115996585A (zh) | 一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置 | |
JP6512654B2 (ja) | 電子注入層の形成方法及びそれを用いた塗布型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
CN118019425A (zh) | 光电器件的制备方法、光电器件及显示装置 | |
CN114695721A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN114695706A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN103137877A (zh) | 电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20141201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170502 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6156797 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |