JP2015037326A - 電子機器用カバー、アンテナアセンブリ、電子機器、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
101 金属プレート
110 第1金属領域
120 第2金属領域
125 アンテナ放射部
130 電気的なオープン経路
131 凹溝
132 金属酸化層
150 貫通孔
160 電気的なオープン領域
161 凹溝
162 金属酸化層
180 電気的なオープン経路
181 凹溝
182 金属酸化層
200 アンテナモジュール
500 携帯端末機本体
600 セットトップボックス本体
700 ノート型パソコン本体
Claims (61)
- 金属物質からなる第1金属領域及び第2金属領域を有する金属プレートと、
前記第1金属領域と前記第2金属領域を電気的に分離する電気的なオープン経路と、
前記第2金属領域に形成されたアンテナ放射部と、を含む電子機器用カバー。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項1に記載の電子機器用カバー。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項1に記載の電子機器用カバー。
- 前記電気的なオープン経路は、前記金属プレートの金属物質の一部が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項1に記載の電子機器用カバー。 - 前記アンテナ放射部は、前記電子機器の内部アンテナと電磁気的カップリングされる、請求項1に記載の電子機器用カバー。
- 前記アンテナ放射部は、前記電子機器の電気回路部と電気的コネクションされる、請求項1に記載の電子機器用カバー。
- 前記アンテナ放射部は、前記金属酸化法により形成されたアンテナパターンを含む、請求項1に記載の電子機器用カバー。
- 前記電気的なオープン経路は、
前記第1金属領域と前記第2金属領域との境界に沿って凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項1に記載の電子機器用カバー。 - 少なくとも前記電気的なオープン経路を覆うように前記金属プレートに配置された非金属部材をさらに含む、請求項1に記載の電子機器用カバー。
- 金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバー。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項10に記載の電子機器用カバー。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項10に記載の電子機器用カバー。
- 前記電気的なオープン経路は、前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項10に記載の電子機器用カバー。 - 前記電気的なオープン経路は、
前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部まで凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項10に記載の電子機器用カバー。 - 少なくとも前記電気的なオープン経路を覆うように前記金属プレートに配置された非金属部材をさらに含む、請求項10に記載の電子機器用カバー。
- 金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器用カバー。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項16に記載の電子機器用カバー。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項16に記載の電子機器用カバー。
- 前記電気的なオープン領域は、前記第1金属領域の一部領域が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、前記電気的なオープン経路は、前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項16に記載の電子機器用カバー。 - 前記電気的なオープン領域は、
前記第1金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項16に記載の電子機器用カバー。 - 前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項16に記載の電子機器用カバー。 - 少なくとも前記電気的なオープン領域及び前記電気的なオープン経路を覆うように前記金属プレートに配置された非金属部材をさらに含む、請求項16に記載の電子機器用カバー。
- 少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリ。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項23に記載のアンテナアセンブリ。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項23に記載のアンテナアセンブリ。
- 前記電気的なオープン経路は、前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項23に記載のアンテナアセンブリ。 - 前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項23に記載のアンテナアセンブリ。 - 少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、アンテナアセンブリ。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項28に記載のアンテナアセンブリ。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項28に記載のアンテナアセンブリ。
- 前記電気的なオープン領域は、前記第1金属領域の一部領域が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、前記電気的なオープン経路は、前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項28に記載のアンテナアセンブリ。 - 前記電気的なオープン領域は、
前記第1金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項28に記載のアンテナアセンブリ。 - 前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項28に記載のアンテナアセンブリ。 - 少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、
前記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域に形成された貫通孔と、
前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む、電子機器。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項34に記載の電子機器。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項34に記載の電子機器。
- 前記電気的なオープン経路は、前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項34に記載の電子機器。 - 前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項34に記載の電子機器。 - 少なくとも一部が金属物質である電子機器用カバーと、
前記電子機器用カバーの内側に配置されるアンテナモジュールと、
前記アンテナモジュールと電気的に連結された電気回路部を含む電子機器本体と、を含み、
前記電子機器用カバーは、
金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートと、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域に形成された電気的なオープン領域と、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部まで形成された電気的なオープン経路と、を含む電子機器。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項39に記載の電子機器。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項39に記載の電子機器。
- 前記電気的なオープン領域は、前記第1金属領域の一部領域が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、前記電気的なオープン経路は、前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が金属酸化法により非金属化されることにより形成され、
前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項39に記載の電子機器。 - 前記電気的なオープン領域は、
前記第1金属領域の一部領域に凹状に形成される凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項39に記載の電子機器。 - 前記電気的なオープン経路は、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が非金属化された凹溝と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属物質が金属酸化法により非金属化された金属酸化層と、を含む、請求項39に記載の電子機器。 - 金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、
前記金属プレートの第1金属領域と電気的に分離された第2金属領域を提供するために、前記金属プレートの金属物質の一部を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法。 - 前記第2金属領域の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、非金属化された一部領域により、非酸化の金属領域からなるアンテナパターンを含むアンテナ放射部を形成する段階をさらに含む、請求項45に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項45に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項45に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項45に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記電気的なオープン経路を形成する段階は、
前記第1金属領域と前記第2金属領域との境界に沿って凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項45に記載の電子機器用カバーの製造方法。 - 金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、前記金属プレートの第1金属領域の一部領域に貫通孔を形成する段階と、
前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項51に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項51に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項51に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記電気的なオープン経路を形成する段階は、
前記貫通孔から前記第1金属領域の一側端部まで凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項51に記載の電子機器用カバーの製造方法。 - 金属物質からなる第1金属領域を有する金属プレートを準備する段階と、
前記金属プレートの第1金属領域の一部領域を介して空間的な電磁波の出入りを許容するように、前記第1金属領域の一部領域を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン領域を形成する段階と、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質を金属酸化法により非金属化させることで、電気的なオープン経路を形成する段階と、を含む電子機器用カバーの製造方法。 - 前記金属物質は、蒸着、めっき、及び塗装の少なくとも一つにより形成される、請求項56に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記金属物質は、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、チタン、ステンレス鋼、及び鉄の少なくとも一つを含む、請求項56に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記金属酸化法は陽極酸化法(anodizing process)である、請求項56に記載の電子機器用カバーの製造方法。
- 前記電気的なオープン領域を形成する段階は、
前記第1金属領域の一部領域に凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項56に記載の電子機器用カバーの製造方法。 - 前記電気的なオープン経路を形成する段階は、
前記電気的なオープン領域から前記第1金属領域の一側端部までの金属物質が凹溝を形成する段階と、
前記凹溝の内部底面から反対側の他面までの金属を金属酸化法により非金属化させることで、金属酸化層を形成する段階と、を含む、請求項56に記載の電子機器用カバーの製造方法。
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