JP2015023157A5 - - Google Patents

Description

本発明は、プラズマで発生するイオンによりシリコン基板を第一の面からエッチングして凹部を形成する、シリコン基板のエッチング方法であって、前記シリコン基板に形成された未貫通孔の開口内に保護膜を形成する工程（１）と、前記開口の底部に形成された保護膜部分をイオンによりエッチングする工程（２）と、前記開口の底部に露出したシリコン基板部分をイオンによりエッチングする工程（３）と、をこの順で繰り返すことにより、前記凹部を形成する工程を含み、
前記工程（２）において、前記保護膜部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化する、
あるいは、
前記工程（３）において、前記シリコン基板部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化する、
ことを特徴とするシリコン基板のエッチング方法である。

以下において、実施例１及び実施例３は、参考例１及び参考例２と読み替えるものとする。
（実施例１）
以下、本発明の実施例１について説明する

Claims (9)

1. プラズマで発生するイオンによりシリコン基板を第一の面からエッチングして凹部を形成する、シリコン基板のエッチング方法であって、
   前記シリコン基板に形成された未貫通孔の開口内に保護膜を形成する工程（１）と、前記開口の底部に形成された保護膜部分をイオンによりエッチングする工程（２）と、前記開口の底部に露出したシリコン基板部分をイオンによりエッチングする工程（３）と、をこの順で繰り返すことにより、前記凹部を形成する工程を含み、
   前記工程（２）において、前記保護膜部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化することを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
2. 前記工程（２）において、前記希ガスの導入およびイオン化の次に、前記保護膜部分のエッチングを行う請求項１に記載のシリコン基板のエッチング方法。
3. 前記工程（２）において、前記希ガスの導入およびイオン化と、前記保護膜部分のエッチングとを交互に行う請求項１又は２に記載のシリコン基板のエッチング方法。
4. 高周波電源によって前記希ガスに放電することによって、前記希ガスをプラズマ化させてイオン化する請求項１乃至３のいずれかに記載のシリコン基板のエッチング方法。
5. 前記保護膜部分をエッチングする際、基板電極のバイアスがパルス化されている請求項１乃至４のいずれかに記載のシリコン基板のエッチング方法。
6. 前記第一の面と反対側の面である第二の面の上にエッチングストップ層が形成されており、前記エッチングストップ層に達すまでエッチングを行う請求項１乃至５のいずれかに記載のシリコン基板のエッチング方法。
7. プラズマで発生するイオンによりシリコン基板を第一の面からエッチングして凹部を形成する、シリコン基板のエッチング方法であって、
   前記シリコン基板に形成された未貫通孔の開口内に保護膜を形成する工程（１）と、前記開口の底部に形成された保護膜部分をイオンによりエッチングする工程（２）と、前記開口の底部に露出したシリコン基板部分をイオンによりエッチングする工程（３）と、をこの順で繰り返すことにより、前記凹部を形成する工程を含み、
   前記工程（３）において、前記シリコン基板部分のエッチングとは別に時間を設けて、反応系内に希ガスを導入して前記希ガスをイオン化することを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。
8. 前記工程（３）において、前記希ガスの導入およびイオン化の次に、前記シリコン基板部分のエッチングを行う請求項７に記載のシリコン基板のエッチング方法。
9. 前記工程（３）において、前記希ガスの導入およびイオン化と、前記シリコン基板部分のエッチングとを交互に行う請求項７又は８に記載のシリコン基板のエッチング方法。