WO2012073142A3 - Verfahren und vorrichtung zur ionenimplantation - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ionenimplantationsvorrichtung und ein Verfahren zur Ionenimplantation von wenigstens einem Substrat, wobei in der Ionenimplantationsvorrichtung durch eine Plasmaquelle in einem Entladungsraum ein Plasma mit einer Ionendichte von wenigstens 1010 cm-3, beispielsweise von 1010 cm-3 bis 1012 cm-3, erzeugt wird, wobei der Entladungsraum in Richtung des zu implantierenden Substrates durch eine voneinander beabstandete Durchgangsöffnungen aufweisende, sich auf Plasmapotenzial oder einem Potenzial von maximal ±100 V befindliche plasmabegrenzende Wand begrenzt wird, und der Druck im Entladungsraum höher als der Druck in dem Raum ist, in dem sich das Substrat in der Ionenimplantationsvorrichtung befindet; wobei das Substrat auf einer Substratauflage, mit seiner Substratoberfläche gegenüber der plasmabegrenzenden Wand aufliegt; und wobei das Substrat und/oder die Substratauflage als Substratelektrode genutzt wird, welche auf ein derart hohes negatives Potenzial gegenüber dem Plasma gelegt wird, dass Ionen aus dem Plasma in Richtung des Substrates beschleunigt und in das Substrat implantiert werden. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Ionenimplantation zur Verfügung zu stellen, welche eine flächige als auch eine selektive Ionenimplantation einer Vielzahl von Substraten bei möglichst hoher Effektivität ermöglichen. Die Aufgabe wird durch ein Verfahren und eine Ionenimplantationsvorrichtung der oben genannten Gattung gelöst, bei welchen das wenigstens eine Substrat und/oder die Substratauflage auf einer gegenüber der plasmabegrenzenden Wand verlaufenden Substrattransportvorrichtung in einer Substrattransportrichtung zu dem Entladungsraum hin, an dem Entladungsraum kontinuierlich oder diskontinuierlich entlang und an dem Entladungsraum vorbei bewegt wird, wobei der Entladungsraum hinsichtlich seiner Gasversorgung und Gasabsaugung von dem Raum, in dem sich das wenigstens eine Substrat bei der Ionenimplantation befindet, getrennt ist.
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