JP2015022788A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- 一組のソリッドステート不揮発性メモリセルに、前記組の中の各メモリセルが書込により関連する初期プログラム状態になるように、データを書込むステップと、
前記組の中の選択されたメモリセルのプログラム状態のドリフトを検出するステップと、
前記選択されたメモリセルを部分的に再プログラムして前記選択されたメモリセルを前記関連する初期プログラム状態に戻すステップとを含み、前記組の中の少なくとも1つのその他のメモリセルは部分的に再プログラムされない、方法。 - 前記一組のソリッドステート不揮発性メモリセルは、各フラッシュメモリセルのフローティングゲートに電荷を蓄積することにより1ページ分のデータを同時に格納することによってプログラムされる一行のフラッシュメモリセルを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フラッシュメモリセルは各々、2ページ分のデータが前記メモリセルによって格納されるように、マルチレベルセル(MLC)として構成される、請求項2に記載の方法。
- 第1の書込パルス幅を与えることによって、各メモリセルを前記関連する初期プログラム状態にプログラムし、その後第2の書込パルス幅を与えることによって、選択されたメモリセルをその関連するプログラム状態に再プログラムし、前記第2の書込パルス幅は前記第1の書込パルス幅よりも短い、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記プログラム状態のドリフトは、電圧しきい値を選択されたメモリセルに与えることによって検出される、請求項1に記載の方法。
- 前記プログラム状態のドリフトは、選択されたメモリセルに関連するビットエラーレート(BER)に応じて検出される、請求項1に記載の方法。
- 前記プログラム状態のドリフトは、選択されたメモリセルが前記関連する初期プログラム状態にプログラムされてから経過した時間に応じて検出される、請求項1に記載の方法。
- 前記プログラム状態のドリフトは、選択されたメモリセルに関連する温度測定値に応じて検出される、請求項1に記載の方法。
- 電荷の複数の増分を与えて前記選択されたメモリセルを前記初期プログラム状態にプログラムし、その後、電荷の、より小さい複数の増分を与えて前記選択されたメモリセルを部分的に再プログラムして前記初期プログラム状態に戻す、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記メモリセルは、抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM(登録商標))セル、相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)セル、またはスピントルクトランスファーランダムアクセスメモリ(STRAM)セルのうちの選択されたいずれか1つである、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記選択されたメモリセルを、再プログラムされたものとして、前記選択されたメモリセルに関連する制御データにマークするステップをさらに含む、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の方法。
- アドレス可能な単位になるように配列されたソリッドステート不揮発性メモリセルのアレイと、
メモリの選択されたアドレス可能単位に、前記選択されたアドレス可能単位の中の各メモリセルが関連する初期プログラム状態を有するように、データを書込むようにされた書込回路と、
前記選択されたアドレス可能単位の中のメモリセルのうちの少なくとも1つのプログラム状態のドリフトを検出するように、かつ、前記選択されたアドレス可能単位の中の全メモリセルよりも少ないメモリセルを部分的に再プログラムして前記関連する初期プログラム状態にすることを前記書込回路に指示するようにされた、部分再プログラミング回路とを備える、装置。 - 前記選択されたアドレス可能単位は、1行のフラッシュメモリセルであり、前記書込回路は、前記フラッシュメモリセルに電荷の第1の増分を蓄積し移動することによって1ページのデータを前記行に書込み、前記書込回路は、前記電荷の第1の増分よりも小さい電荷の第2の増分を蓄積し移動することによって前記行の前記フラッシュメモリセルを部分的に再プログラムする、請求項12に記載の装置。
- 第1の書込パルス幅を与えることによって、各メモリセルを前記関連する初期プログラム状態にプログラムし、その後第2の書込パルス幅を与えることによって、選択されたメモリセルをその関連するプログラム状態に再プログラムし、前記第2の書込パルス幅は前記第1の書込パルス幅よりも短い、請求項12または請求項13に記載の装置。
- 前記プログラム状態のドリフトは、電圧しきい値を選択されたメモリセルに与えることによって検出される、請求項12に記載の装置。
- 前記プログラム状態のドリフトは、選択されたメモリセルに関連するビットエラーレート(BER)に応じて検出される、請求項12に記載の装置。
- 前記プログラム状態のドリフトは、選択されたメモリセルが前記関連する初期プログラム状態にプログラムされてから経過した時間に応じて検出される、請求項12に記載の装置。
- 前記プログラム状態のドリフトは、選択されたメモリセルに関連する温度測定値に応じて検出される、請求項12に記載の装置。
- 一単位として消去され割当てられる複数のガーベジコレクション単位(GCU)になるように配列された不揮発性フラッシュメモリセルを含むフラッシュメモリアレイと、
選択されたGCUからデータを読出し選択されたGCUにデータを書込み選択されたGCUを消去するようにされた、読出/書込/消去(R/W/E)回路と、
前記選択されたGCUの中のプログラムされた一組のフラッシュメモリセルをプログラミングドリフトが生じたものであると識別し、かつ、前記プログラムされた一組のフラッシュメモリセルを部分的に再プログラムすることで電荷を前記メモリセルに移動させて前記メモリセルを前記選択されたGCUの消去を挟まずにその初期プログラム状態に戻すことを前記R/W/E回路に指示する、部分再プログラミング回路とを備える、装置。 - 前記部分再プログラミング回路はさらに、前記部分的に再プログラムする動作の前に1つ以上の電圧しきい値を前記プログラムされた一組のフラッシュメモリセルに与えて各々のプログラム状態を評価することを前記R/W/E回路に指示する、請求項19に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/943,441 US9378830B2 (en) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | Partial reprogramming of solid-state non-volatile memory cells |
US13/943,441 | 2013-07-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015022788A JP2015022788A (ja) | 2015-02-02 |
JP2015022788A5 true JP2015022788A5 (ja) | 2015-03-12 |
JP6027059B2 JP6027059B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=52343461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014144986A Expired - Fee Related JP6027059B2 (ja) | 2013-07-16 | 2014-07-15 | メモリ内のデータを管理するための方法および装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9378830B2 (ja) |
JP (1) | JP6027059B2 (ja) |
KR (2) | KR20150009478A (ja) |
CN (1) | CN104332178B (ja) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8762620B2 (en) | 2007-12-27 | 2014-06-24 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Multiprocessor storage controller |
US9699263B1 (en) | 2012-08-17 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc. | Automatic read and write acceleration of data accessed by virtual machines |
US9501398B2 (en) | 2012-12-26 | 2016-11-22 | Sandisk Technologies Llc | Persistent storage device with NVRAM for staging writes |
US9612948B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-04-04 | Sandisk Technologies Llc | Reads and writes between a contiguous data block and noncontiguous sets of logical address blocks in a persistent storage device |
US9454420B1 (en) | 2012-12-31 | 2016-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Method and system of reading threshold voltage equalization |
US9870830B1 (en) | 2013-03-14 | 2018-01-16 | Sandisk Technologies Llc | Optimal multilevel sensing for reading data from a storage medium |
US9244763B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Sandisk Enterprise Ip Llc | System and method for updating a reading threshold voltage based on symbol transition information |
US9367246B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-06-14 | Sandisk Technologies Inc. | Performance optimization of data transfer for soft information generation |
US9524235B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-12-20 | Sandisk Technologies Llc | Local hash value generation in non-volatile data storage systems |
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US9442662B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Device and method for managing die groups |
US9298608B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-03-29 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Biasing for wear leveling in storage systems |
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US9582058B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-02-28 | Sandisk Technologies Llc | Power inrush management of storage devices |
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US9390814B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-07-12 | Sandisk Technologies Llc | Fault detection and prediction for data storage elements |
US9454448B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Fault testing in storage devices |
US9448876B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Fault detection and prediction in storage devices |
US9390021B2 (en) | 2014-03-31 | 2016-07-12 | Sandisk Technologies Llc | Efficient cache utilization in a tiered data structure |
US9626399B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-18 | Sandisk Technologies Llc | Conditional updates for reducing frequency of data modification operations |
US9626400B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-18 | Sandisk Technologies Llc | Compaction of information in tiered data structure |
US9697267B2 (en) | 2014-04-03 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc | Methods and systems for performing efficient snapshots in tiered data structures |
US10656840B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-05-19 | Sandisk Technologies Llc | Real-time I/O pattern recognition to enhance performance and endurance of a storage device |
US10114557B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Identification of hot regions to enhance performance and endurance of a non-volatile storage device |
US10656842B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-05-19 | Sandisk Technologies Llc | Using history of I/O sizes and I/O sequences to trigger coalesced writes in a non-volatile storage device |
US9703491B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Using history of unaligned writes to cache data and avoid read-modify-writes in a non-volatile storage device |
US10162748B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-12-25 | Sandisk Technologies Llc | Prioritizing garbage collection and block allocation based on I/O history for logical address regions |
US10372613B2 (en) | 2014-05-30 | 2019-08-06 | Sandisk Technologies Llc | Using sub-region I/O history to cache repeatedly accessed sub-regions in a non-volatile storage device |
US10146448B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-12-04 | Sandisk Technologies Llc | Using history of I/O sequences to trigger cached read ahead in a non-volatile storage device |
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-
2013
- 2013-07-16 US US13/943,441 patent/US9378830B2/en active Active
-
2014
- 2014-07-15 JP JP2014144986A patent/JP6027059B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-16 KR KR20140089781A patent/KR20150009478A/ko active Application Filing
- 2014-07-16 CN CN201410534322.4A patent/CN104332178B/zh active Active
-
2016
- 2016-11-24 KR KR1020160157730A patent/KR20160137501A/ko not_active Application Discontinuation
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