JP2015005752A5 - - Google Patents

Description

本開示の第１態様によれば、埋め込みフォトダイオード画素構造が提供され、これは、第２ドープ領域の上に形成され、第１電位の内部バイアスが印加されている第１ドープ領域と、
第１ドープ領域の上に形成され、第２電位に外部からバイアスされている第３ドープ領域と、を備え、
少なくとも第２ドープ領域は、第２電位から独立した第３電位の外部バイアスが印加されて、第１ドープ領域と第２ドープ領域との間にアバランシェ領域を生成することを特徴とする。

Claims (12)

1. 第２ドープ領域（１２０）の上に形成され、第１電位に内部からバイアスされている第１ドープ領域（１７０）と、
   第１ドープ領域（１７０）の上に形成され、第２電位に外部からバイアスされている第３ドープ領域（１８０）とを備え、
   少なくとも第２ドープ領域（１２０）は、第２電位から独立した第３電位に外部からバイアスされて、第１ドープ領域（１７０）と第２ドープ領域（１２０）との間にアバランシェ領域（２３０）を生成することを特徴とする埋め込みフォトダイオード画素構造（１００）。
2. 基板（１１０）をさらに備え、
   基板（１１０）の上に第２ドープ領域（１２０）が形成され、
   基板（１１０）は、第３電位に外部からバイアスされる、請求項１記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
3. 第２ドープ領域（１２０）の上で第１ドープ領域（１７０）の下方に形成された第４ドープ領域（１３０）をさらに備え、
   第４ドープ領域（１３０）は、第１ドープ領域（１７０）と同様な材料型である、請求項１または２記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
4. 少なくとも第１ドープ領域（１７０）の中に延びており、第２ドープ領域（１２０）から垂直に分離している注入部（１４０，１６０）をさらに備える、請求項１〜３のいずれかに記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
5. 注入部の一方（１４０）は、注入部（１４０）自体に対して反対のドーピング型のドープ領域（１５０）を含み、
   注入部（１４０）およびドープ領域（１５０）は、少なくとも１つのトランジスタエリアを画定する、請求項４記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
6. 少なくとも１つのトランジスタエリアと関連した転送ゲート（１９０）をさらに備える、請求項５記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
7. 注入部の他方（１６０）は、ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）エリア（１６５）を含む、請求項４記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
8. 第１ドープ領域（１７０）は、ｎ型材料を含み、第２ドープ領域（１２０）は、ｐ型材料を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
9. 第３電位は、負の電位を含む、請求項８記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
10. 第３ドープ領域（１８０）は、グランド電位にバイアスされたｐ型材料を含む、請求項８または９記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
11. 第２ドープ領域（１７０）は、転送ゲート（１９０）を経由して電荷を抽出することによって、ピンニング電圧に内部からバイアスされる、請求項１〜１０のいずれかに記載の埋め込みフォトダイオード画素構造。
12. 請求項１〜１１のいずれかに記載の、少なくとも１つの埋め込みフォトダイオード画素構造を備えたイメージセンサ。