JP2014533887A - 貫通ビア構造等の半導電性又は導電性基板の空洞を金属化する機械 - Google Patents
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Abstract
Description
・シリコンウエハ内又はウエハを貫通してビアのエッチングを行う;
・絶縁誘電体層を堆積させる;
・一般的に銅である充填金属の移動又は拡散を防止するのに役立つ、拡散に対するバリア層又はライナーを堆積させる;
・拡散バリア層を構成する材料の強い抵抗にもかかわらず、銅によるビアの充填を可能にする、銅のシード層(種層、Seed Layer)と呼ばれる銅の薄層を堆積させる;
・銅を電着してビアを充填する;
・基板のアニーリングする:
・化学機械研磨により余分な銅を除去する。
(a)前記空洞内に絶縁誘電体層を堆積する工程と、
(b)充填金属を拡散するバリア層を堆積する工程と、
(c)好ましくは銅等の金属の電着により前記空洞を充填する工程と、
(d)前記基板をアニールする工程と、を含み、
前記機械は、
薬浴内で前記(a)、(b)及び(c)のウエットプロセスを実施する一連の複数のウエットプロセスモジュールと、
前記アニール工程(d)を前記基板上で実施する少なくとも1つの追加モジュールと、を有し、
前記機械は前記空洞の全ての金属化処理の完結が可能である。
前記各ウエットプロセスモジュールは、前記薬浴を収容する容器を備え、該容器の底部には、該底部と反対方向の上向きに前記基板の前記活性面が向くように前記基板の前記裏面を受け止めるための支持体が水平に配列されている。
実際、半導電性基板では活性面が上を向いているので、プロセスにおける異なる各工程を実施するには、薬浴Bに使用される化学溶液では膜のみが必要である。
これに対して、公知の機械では、様々な接続を保護するために薬浴B内で基板の活性面が下向きであるので、その結果、基板が確実に完全に浸かるようにするため、大容量の薬浴が使用され、薬浴が進化して、非常に複雑な監視装置が使用される。
本発明においては、機械で処理される半導電性基板当たりに必要な消耗品の量が減少して、薬浴Bが再利用できるので、半導電性基板あたりの金属化処理の全体のコストを削減することができる。最終的に、この構成は、一般的なプロセスの監視を限定できる。そして実際に、より少ない量の薬液が利用されることになり、従来の湿式処理機械の場合よりも薬浴をより頻繁にリフレッシュすることが可能である。したがって、機械は非常に簡素化する。
前記一連の複数のウエットプロセスモジュールは、
少なくとも1つの前記基板のためのプリウエッティングモジュールと、
前記絶縁誘電体層を堆積する少なくとも1つの堆積モジュールと、
少なくとも1つの洗浄・乾燥モジュールと、
前記拡散バリア層を活性化する少なくとも1つの活性化モジュールと、
前記拡散バリア層を堆積する少なくとも1つの堆積モジュールと、
前記金属の電着により充填する少なくとも1つの充填モジュールと、を備える。
前記一連の複数のウエットプロセスモジュールは、
少なくとも2つの前記基板のためのプリウエッティングモジュールと、
前記絶縁誘電体層を堆積する少なくとも3つの堆積モジュールと、
少なくとも1つの洗浄・乾燥モジュールと、
前記拡散バリア層を活性化する少なくとも1つの活性化モジュールと、
前記拡散バリア層を堆積する少なくとも1つの堆積モジュールと、
前記金属の電着により充填する少なくとも8つの充填モジュールと、を備える。
電解質を含む前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止めるための支持体が配置されている容器と、
前記容器内に配置された不活性金属を含むアノードと、
前記基板の表面を活性化させるように、光ビームを発光する光源及び前記光ビームを前記基板の表面全体へ均一にする手段を備える照明と、
前記基板と、電気化学反応を可能にする電位で前記基板の前記表面を分極させるための前記アノードと、を接続させる接続手段を備える電源と、
前記電解質から前記電源を絶縁するシール接合部と、を有する。
電界質を含む前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止める支持体が配置されている容器と、
不活性金属又は前記空洞を充填している間に堆積する金属と同一の金属を含むアノードと、
前記拡散バリア層と、電子化学反応を可能にする電界で該拡散バリア層の表面を分極するための前記アノードと、を接続する接続手段を、備える電源と、
前記電解質から前記電源を絶縁するために適用されるシール接合部と、を有する。
前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止める支持体が配置されている容器と、
前記基板を50℃〜80℃程度、好ましくは65℃まで熱し前記基板を受け止める前記支持体により構成されることが可能である第1の加熱部、及び/又は、前記容器内に活性で挿入され、前記薬浴を50℃〜80℃程度、好ましくは65℃まで熱する第2の加熱部と、
超音波あるいは電波トランスミッタと、
前記薬浴から前記基板の周辺ゾーンを絶縁するシール接合部と、を有する。
脱イオン水等の前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止める支持体が配置されている容器と、
前記容器内に真空を作成するポンプと、を備える。
(a)絶縁誘電体層を堆積する工程と、
(b)充填金属の拡散バリア層を堆積する工程と、
(c)銅等の金属の電着により前記空洞を埋める工程と、
(d)前記基板をアニーリングする工程と、を有し、
これらの工程は、上記記載の機械により全て実施される。
前記金属化方法はサブステップとして
(i) 前記基板をプリウエッティングする工程と、
(ii) 前記絶縁誘電体層を堆積する工程と、
(iii) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(iv) 前記基板をアニーリングする工程と
(v) 前記充填金属の拡散バリア層を活性化する工程と、
(vi) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(vii) 前記基板のプリウエッティング工程と、
(viii) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(ix) 前記金属の電着により空洞を充填する工程と、
(x) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(xi) 前記基板をアニーリングする工程と、を連続的に含む。
少なくとも1つの、基板Sのプリウエッティングモジュール10と、
前記絶縁誘電体層を堆積するための少なくとも1つの堆積モジュール20と、
少なくとも1つの洗浄・乾燥モジュール60と、
拡散バリア層を活性化するための少なくとも1つの活性化モジュール30と、
拡散バリア層を堆積するための少なくとも1つの堆積モジュール40と、
機械は、少なくとも1つの、基板Sのアニーリングモジュール70を備える。
機械は、
少なくとも2つの基板Sのプリウエッティングモジュール10と、
前記絶縁誘電体層を堆積するための少なくとも3つの堆積モジュール20と、
1つの洗浄・乾燥モジュール60と、
拡散バリア層を活性化するための1つの活性化モジュール30と、
拡散バリア層を堆積するための1つの堆積モジュール40と、
金属(このましくは銅)の電着により充填する、8つの充填モジュール50と、1基板、又は22のモジュールに、6つのアニーリングモジュール70を含む。
これらのモジュールだと、その収率は、毎時少なくとも10つの基板Sを金属化できる。
従って、支持体4は、基板S、接続および金属化処理(例えば、電気接点、シール接合部、超音波送信器、電解質など)の工程に関連付けられている薬浴Bが、すべて含まれるように十分に大きくなるように、各モジュール(10,20,30,40,50)の容器2は、寸法が選択される。そして、利用される消耗品の量と同様に、機械の設置面積全体を限定する必要最小限の量が削減される。
第1の位置は、低位置であって、容器2の底部2aに近接しており、金属化処理に関連する工程が実行される位置である。第2の位置は、高位置であって、各モジュール10〜60の容器2の開口部2cに近接する位置である。好ましくはロボット(ロボット手段)80によって自動的に、基板Sは、特定の時に支持体4の上に位置し、その後その支持体4から取り外される。
そして、回転中の基板Sの周囲を移動するように、アノードは、基板Sに対して回転可能に取り付けられる。ここで、円板の場合には、アノードは、プレートと支持体4との対称軸の周りを回転可能に取り付けられている。例えば、絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュール20は、アノードを支持体4に対して回転させる回転手段を備えてもよい。
電源への接続を可能にしながら電解質からの接点7を絶縁するトロイダル(Toroidal)シール接合部8によって、これらの接点7はまた、基板Sの周縁全周に沿って保護されている。(基板Sの周縁に対しての)トロイダル接合8の径方向範囲は、好ましくは約2mm〜4mm程度である。
そして、水は基板Sに洗浄するために送られ、その後、水を排出して基板Sを乾燥させるために、基板Sは回転するように設定される。
ロボット80が、さらに、基板Sをピンセットでしっかりと保持されることを保証するように真空を生成するためのノズル等の固定手段を備えている。
a)絶縁誘電体層を堆積する;
b)充填する金属の拡散バリア層を堆積する;
c)金属、好ましくは銅の電着により空洞を充填する;
d)基板Sのアニーリングを実施する。
(i)基板をプリウエッティングする。(S110)
(ii)絶縁誘電体層を堆積させる。(S120)
(iii)基板を洗浄・乾燥させる。(S130)
(iv)基板をアニーリングする。(S140)
(v)金属拡散バリア層を活性化する。(S150)
(vi)基板を洗浄・乾燥させる。(S160)
(vii)充填金属の拡散バリア層を堆積させる。(S170)
(viii)基板を洗浄・乾燥させる。(S180)
(ix)基板をプリウエッティングする。(S190)
(x)金属の電着により空洞を充填する。(S200)
(xi)基板を洗浄・乾燥する。(S210)
(xii)基板をアニーリングする。(S220)
金属化処理はさらに、基板を洗浄・乾燥するステップS180と、基板のプリウエッティングするステップS190との間に、さらに、基板Sのアニーリング工程を含むことができる。
金属化処理100は次にように実施することができる。
有利には、ロボット80は、支持体4上の中央にプレートを配置する。
そして、絶縁誘電体層を堆積するための堆積モジュールは、蓋3によって閉じられて、絶縁誘電体層の堆積工程が実施される。
任意の方法で、洗浄・乾燥モジュールは、蓋3によって閉鎖することができ、洗浄・乾燥工程を実施することができる。
20 絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュール
30 活性化モジュール
40 拡散バリア層を堆積する堆積モジュール
50 充填モジュール
60 洗浄・乾燥モジュール
70 アニーリングモジュール
2 容器
4 支持体
S 基板
Claims (32)
- シリコン貫通ビア型構造等の半導電性又は導電性の基板の空洞を金属化するための機械であって、当該機械での金属化処理は、
(a)前記空洞内に絶縁誘電体層を堆積する工程と、
(b)充填金属を拡散するバリア層を堆積する工程と、
(c)好ましくは銅等の金属の電着により前記空洞を充填する工程と、
(d)前記基板をアニールする工程と、を含み、
機械は、
薬浴内で前記(a)、(b)及び(c)のウエットプロセスを実施する一連の複数のウエットプロセスモジュールと、
前記アニール工程(d)を前記基板上で実施する少なくとも1つの追加モジュールと、を有し、
当該機械は前記空洞の全ての金属化処理の完結が可能である、
機械。 - 前記基板は、前記空洞が形成される活性面及び該活性面と反対側の裏面を備え、
前記各ウエットプロセスモジュールは、前記薬浴を収容する容器を備え、該容器の底部には、該底部と反対方向の上向きに前記基板の前記活性面が向くように前記基板の前記裏面を受け止めるための支持体が水平に配列されている、
請求項1に記載の機械。 - 前記支持体は、前記金属化処理の間、前記基板の位置を保持させる配置を含む、
請求項2に記載の機械。 - 前記支持体は、前記基板の前記裏面を保護するための保護部を含む
請求項2又は3に記載の機械。 - 請求項3記載の前記配置と請求項4記載の前記保護部は、前記支持体と前記基板との間の真空を生成するための少なくとも1つのチャネルによって形成される、
請求項3及び4に記載の機械。 - 前記各ウエットプロセスモジュールの前記容器は、前記容器の内部体積を制限する、前記支持体と実質的に隣接する側壁を備える、
請求項2から5のいずれか一項記載の機械。 - 少なくとも1つの前記基板のためのアニーリングモジュールを有しており、
前記一連の複数のウエットプロセスモジュールは、
少なくとも1つの前記基板のためのプリウエッティングモジュールと、
前記絶縁誘電体層を堆積する少なくとも1つの堆積モジュールと、
少なくとも1つの洗浄・乾燥モジュールと、
前記拡散バリア層を活性化する少なくとも1つの活性化モジュールと、
前記拡散バリア層を堆積する少なくとも1つの堆積モジュールと、
前記金属の電着により充填する少なくとも1つの充填モジュールと、を備える、
請求項1から6のいずれか1項記載の機械。 - 少なくとも6つの前記基板のためのアニーリングモジュールを有しており、
前記一連の複数のウエットプロセスモジュールは、
少なくとも2つの前記基板のためのプリウエッティングモジュールと、
前記絶縁誘電体層を堆積する少なくとも3つの堆積モジュールと、
少なくとも1つの洗浄・乾燥モジュールと、
前記拡散バリア層を活性化する少なくとも1つの活性化モジュールと、
前記拡散バリア層を堆積する少なくとも1つの堆積モジュールと、
前記金属の電着により充填する少なくとも8つの充填モジュールと、を備える、
請求項7項記載の機械。 - 前記プリウエッティングモジュールと、前記絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュールと、前記洗浄・乾燥モジュールと、前記活性化モジュールと、前記拡散バリア層を堆積する堆積モジュールと、前記充填モジュールとは、前記基板を前記支持体の上に配置できるように、請求項2記載の前記支持体が前記各モジュールの開口部に隣接する高位置と、ウエットプロセス処理が可能になるように前記基板が前記各モジュールよりも低い位置にある低位置と、の間で前記基板を垂直にシフトさせる手段を夫々備えている、
請求項2と、請求項7項又は請求項8に記載の機械。 - 前記絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュール、前記拡散バリア層を活性化する活性化モジュール、前記拡散バリア層を堆積する堆積モジュール、及び/又は前記充填モジュールは、前記基板を洗浄・乾燥する洗浄・乾燥装置をさらに備える、
請求項7から9のいずれか1項記載の機械。 - 前記洗浄・乾燥装置は、洗浄液を前記基板の前記活性面上に堆積するためのアームを含む、
請求項10項記載の機械。 - 前記洗浄・乾燥装置は、前記支持体を前記支持体の中心軸周りに回転させるモータ及び/又は前記基板を乾燥させるために前記基板に不活性ガスを送るためのノズルを備える、
請求項11項記載の機械。 - 前記絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュール、前記拡散バリア層を活性化する活性化モジュール、前記拡散バリア層を堆積する堆積モジュール、及び/又は前記金属の電着により充填する充填モジュールは、
前記支持体が回転している間、前記洗浄液を受け取るためのリセプタクル内に配置されている、
請求項12記載の機械。 - 前記プリウエッティングモジュールと、前記絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュールと、前記拡散バリア層を活性化する活性化モジュールと、前記拡散バリア層を堆積する堆積モジュールと、前記充填モジュールとは、前記薬浴の少なくとも部分的な排出を可能にする排出手段を有する、
請求項7から13のいずれか一項記載の機械。 - 前記排出手段は、前記モジュールの蓋から延伸し、前記薬浴を部分的に吸引するためのチューブ及び/又は前記薬浴を部分的に吸引するためのノズルを含む、
請求項14記載の機械。 - 複数の前記基板を収容するカセットを受け取るためのリセプタクルと、
前記複数の各基板の空洞を金属化するように、前記カセットの前記複数の各基板を連続的に取り出して、あるモジュールからから他のモジュールへ連続的に移動させるロボットと、をさらに有する、
請求項7から15のいずれか一項記載の機械。 - 前記アニーリングモジュールは、
冷却源を形成するプレートと加熱源を形成するプレートとが底部に配置され、連続的に前記基板を受け取るための容器と、
前記基板を前記冷却源から前記加熱源へ、及びその反対へ動かす内部ロボットと、
前記容器内に広まったガスを不活性ガスによって置換する、及びその反対を行うガス置換手段と、を備える、
請求項7から16のいずれか一項記載の機械。 - 前記絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュールは、
電解質を含む前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止めるための支持体が配置されている容器と、
前記容器内に配置された不活性金属を含むアノードと、
前記基板の表面を活性化させるように、光ビームを発光する光源及び前記光ビームを前記基板の表面全体へ均一にする手段を備える照明と、
前記基板と、電気化学反応を可能にする電位で前記基板の前記表面を分極させるための前記アノードと、を接続させる接続手段を備える電源と、
前記電解質から前記電源を絶縁するシール接合部と、を有する、
請求項7から17のいずれか一項記載の機械。 - 前記絶縁誘電体層を堆積する堆積モジュールは、前記支持体に対して前記アノードを回転させる回転手段をさらに備える、
請求項18項記載の機械。 - 前記充填モジュールは、前記基板を受け止める支持体と、前記薬浴から一部を排出するように該支持体を該支持体の中心軸周りに回転させるモータを備える、
請求項7から19のいずれか一項記載の機械。 - 前記充填モジュールは、充填層として同じ金属内に形成されるシード層を前記拡散バリア層の上に堆積させるのに適用される
請求項7から20のいずれか一項記載の機械。 - 前記充填モジュールは、
電界質を含む前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止める支持体が配置されている容器と、
不活性金属又は前記空洞を充填している間に堆積する金属と同一の金属を含むアノードと、
前記拡散バリア層と、電子化学反応を可能にする電界で該拡散バリア層の表面を分極するための前記アノードと、を接続する接続手段を、備える電源と、
前記電解質から前記電源を絶縁するためのシール接合部と、を有する
請求項7から21のいずれか一項記載の機械。 - 前記充填モジュールは、前記支持体に対して前記アノードを回転させる回転手段をさらに有する、
請求項22記載の機械。 - 前記活性化モジュール及び/又は前記拡散バリア層を堆積する堆積モジュールは、
前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止める支持体が配置されている容器と、
前記基板を50℃〜80℃程度、好ましくは65℃まで熱し前記基板を受け止める前記支持体により構成されることが可能である第1の加熱部、及び/又は、前記容器内に活性で挿入され、前記薬浴を50℃〜80℃程度、好ましくは65℃まで熱する第2の加熱部と、
超音波あるいは電波トランスミッタと、
前記薬浴から前記基板の周辺ゾーンを絶縁するシール接合部と、を有する
請求項7から23のいずれか一項記載の機械。 - 前記プリウエッティングモジュールは、
脱イオン水等の前記薬浴を収容し、底部に前記基板を受け止める支持体が配置されている容器と、
前記容器内に真空を作成するポンプと、を備える、
請求項7から24のいずれか一項記載の機械。 - シリコン貫通ビア型構造等の半導電性及び導電性の基板の空洞の金属化方法であって、
(a)絶縁誘電体層を堆積する工程と、
(b)充填金属の拡散バリア層を堆積する工程と、
(c)銅等の金属の電着により前記空洞を埋める工程と、
(d)前記基板をアニーリングする工程と、を有し、
これらの工程は、請求項1から25のいずれか1項記載の機械により全て実施される、方法。 - 方法はサブステップとして
(i) 前記基板をプリウエッティングする工程と、
(ii) 前記絶縁誘電体層を堆積する工程と、
(iii) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(iv) 前記基板をアニーリングする工程と
(v) 前記充填金属の拡散バリア層を活性化する工程と、
(vi) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(vii) 前記基板のプリウエッティング工程と、
(viii) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(ix) 前記金属の電着により空洞を充填する工程と、
(x) 前記基板を洗浄・乾燥させる工程と、
(xi) 前記基板をアニーリングする工程と、を連続的に含む、
請求項26記載の金属化方法。 - 前記基板を洗浄・乾燥させる工程(viii)と、前記基板のプリウエッティング工程(ix)との間に、前記基板をアニーリングする工程をさらに有する、
請求項27記載の金属化方法。 - 前記各前記基板を洗浄・乾燥させる工程(iii),(vi),及び/又は(viii)は、前記堆積工程(ii)、前記活性化工程(v)、及び/又は前記堆積工程(vii)と同じモジュールで夫々実施される、
請求項27又は28記載の金属化方法。 - 前記各工程(i),(ii),(iv),(v),(vii)及び(ix)において、前記基板はロボット手段によって、各工程に対応するモジュール内に配置された支持体に固定されている、
請求項29記載の金属化方法。 - 前記支持体が前記モジュールよりも低くかつ前記モジュールが閉じた期間で、前記支持体上の前記基板に固定させる、
請求項30記載の金属化方法。 - 前記各工程(i),(ii),(iv),(v),(vii)及び(ix)が完了すると、前記モジュールは開いて、前記支持体が前記モジュールの開口部と隣接するように前記支持体が取り外され、前記ロボットは、前記モジュールから前記支持体を取り出せる、
請求項31記載の金属化方法。
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