JP2014533347A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 深度検知カメラを動作させる方法であって、
   前記深度検知カメラの照明源を用いて、光パターンを第１環境内に第１光強度レベルで投射するステップと、
   前記深度検知カメラの画像センサーを用いて第１センサー積分時間にわたって前記第１環境の第１画像を取り込むステップであって、前記第１画像が前記第１光強度レベルでの前記光パターンの投射からの反射光と関連付けられる、ステップと、
   １つ以上のプロセッサーを用いて、前記第１画像と関連付けられた画素飽和度を判定するステップと、
   前記画像センサーからの取り込み距離を判定するステップと、
   前記画素飽和度と前記画像センサーからの前記取り込み距離とに基づいて前記第１光強度レベルとは異なる第２光強度レベルを設定するステップと、
   前記深度検知カメラの照明源を用いて、前記光パターンを前記第１環境内に前記第２光強度レベルで投射するステップと、
   前記深度検知カメラの画像センサーを用いて前記第１環境の第２画像を取り込むステップであって、前記第２画像が、前記第２光強度レベルでの前記光パターンの投射からの反射光と関連付けられる、ステップと、
   前記１つ以上のプロセッサーを用いて、前記第１画像および前記第２画像を合成して組み合わせ画像を得るステップと、
   を含む、方法。
2. 請求項１記載の方法において、
   前記画素飽和度が、前記第１画像と関連付けられた画素の内飽和したものの割合を含み、
   第２光強度レベルを設定する前記ステップが、前記第１画像と関連付けられた画素の内飽和したものの前記割合が所定の割合よりも高い場合に、前記第２光強度レベルを、前記第１光強度レベルよりも低い強度レベルに設定するステップを含む、方法。
3. 請求項１記載の方法において、
   第２光強度レベルを設定する前記ステップが、前記画素飽和度が閾値よりも高くない場合に、前記第２光強度レベルを前記第１光強度レベルよりも高い強度レベルに設定するステップを含む、方法。
4. 請求項１記載の方法において、
   前記第１画像および前記第２画像を合成して組み合わせ画像を得る前記ステップが、前記第１画像における飽和画素位置に対応する前記組み合わせ画像における画素位置に、前記第２画像に関連付けられた倍率調整画素値を割り当てるステップを含む、方法。
5. 請求項１記載の方法であって、更に、
   前記第２画像に関連付けられる画素飽和度に基づいて、前記第２光強度レベルとは異なる第３光強度レベルを判定するステップと、
   前記照明源を用いて、前記光パターンを前記第１環境内に前記第３光強度レベルで投射するステップと、
   前記画像センサーを用いて第３センサー積分時間にわたって前記第１環境の第３画像を取り込むステップと
   を含み、
   前記第３画像が第３光強度レベルでの前記光パターンの投射からの反射光と関連付けられ、
   前記第３画像を取り込む前記ステップが、前記第２画像を取り込む前記ステップの後に続いて実行され、
   前記第２画像を取り込む前記ステップが、前記第１画像を取り込む前記ステップの後に続いて実行され、
   前記第１画像および前記第２画像を合成して組み合わせ画像を得る前記ステップが、前記第３画像を合成して前記組み合わせ画像を得るステップを含み、
   前記第２光強度レベルが前記第１光強度レベル未満であり、前記第３光強度レベルが前記第２光強度レベルより大きく、前記第３センサー積分時間が前記第１センサー積分時間と実質的に同一である、方法。
6. 請求項１記載の方法において、
   光パターンを第１光強度レベルで第１環境に投射する前記ステップが、レーザーを用いて前記光パターンを投射するステップを含み、
   光パターンを第１光強度レベルで第１環境に投射する前記ステップが、第１時間期間の間に行われ、前記第１センサー積分時間が前記第１時間期間の後に続き、
   光パターンを第１光強度レベルで投影する前記ステップが前記第１センサー積分時間とは時間上重複しない、方法。
7. 請求項１記載の方法において、
   前記第１環境の第２画像を取り込む前記ステップが、第２センサー積分時間にわたり前記第２画像を取り込むステップを含み、前記第２センサー積分時間が前記第１センサー積分時間未満である、方法。
8. 請求項１記載の方法において、
   画素飽和度を判定する前記ステップが、最大光強度設定が割り当てられた画素数を判定するステップを含み、
   前記光パターンが、水平方向および垂直方向の縞状を含み、
   前記第２光強度レベルが前記第１光強度レベル未満である、方法。
9. 電子デバイスであって、
   照明源であって、光パターンを第１環境内に第１光強度レベルで投射する、照明源と、
   センサーであって、第１センサー積分時間にわたって前記第１環境の第１画像を取り込み、前記第１画像が前記第１光強度レベルでの前記光パターンの投射からの反射光と関連付けられる、センサーと、
   １つ以上のプロセッサーであって、
   当該１つ以上のプロセッサーが前記第１画像と関連付けられた画素飽和度を判定し、
   当該１つ以上のプロセッサーが前記センサーからの取り込み距離を判定し、
   当該１つ以上のプロセッサーが前記画素飽和度と前記センサーからの前記取り込み距離とに基づいて第２光強度レベルを判定し、
   前記照明源が、前記光パターンを前記第１環境内に前記第２光強度レベルで投射して、前記第１環境の第２画像を取り込み、
   前記第２画像が前記第２光強度レベルでの前記光パターンの投射からの反射光と関連付けられ、前記第２光強度レベルが前記第１光強度レベルとは異なり、
   当該１つ以上のプロセッサーが、前記第１画像および前記第２画像から組み合わせ画像を生成する、
   １つ以上のプロセッサーと、
   を備える、電子デバイス。
10. 請求項９記載の電子デバイスにおいて、
    前記画素飽和度が、前記第１画像と関連付けられた画素の内飽和したものの割合を含み、
    前記１つ以上のプロセッサーが、前記第１画像と関連付けられた画素の内飽和したものの前記割合が特定の割合よりも高い場合に、前記第２光強度レベルを、前記第１光強度レベルよりも低い強度レベルに設定する、電子デバイス。
11. 請求項９記載の電子デバイスにおいて、
    前記１つ以上のプロセッサーが、前記画素飽和度が閾値よりも高くない場合に、前記第２光強度レベルを前記第１光強度レベルよりも高い強度レベルに設定する、電子デバイス。
12. 請求項９記載の電子デバイスにおいて、
    前記１つ以上のプロセッサーが、前記第１画像における飽和画素位置に対応する前記組み合わせ画像における画素位置に、前記第２画像に関連付けられた倍率調整画素値を割り当てることによって、前記組み合わせ画像を生成する、電子デバイス。
13. 請求項９記載の電子デバイスにおいて、
    前記１つ以上のプロセッサーが、前記第２画像に関連付けられる画素飽和度に基づいて、前記第２光強度レベルとは異なる第３光強度レベルを判定し、
    前記照明源が、前記光パターンを前記第１環境内に前記第３光強度レベルで投射し、
    前記センサーが、第３センサー積分時間にわたって前記第１環境の第３画像を取り込み、
    前記第３画像が第３光強度レベルでの前記光パターンの投射からの反射光と関連付けられ、前記第２光強度レベルが前記第１光強度レベル未満であり、前記第３光強度レベルが前記第２光強度レベルより大きく、前記第３センサー積分時間が前記第１センサー積分時間と実質的に同一である、電子デバイス。
14. 請求項９記載の電子デバイスにおいて、
    前記放射源がレーザーを備え、
    前記放射源が、第１時間期間の間に前記光パターンを投射し、前記第１センサー積分時間が前記第１時間期間の後に続く、電子デバイス。
15. 請求項９記載の電子デバイスにおいて、
    前記センサーが、第２センサー積分時間にわたり前記第２画像を取り込み、前記第２センサー積分時間が前記第１センサー積分時間未満である、電子デバイス。
16. プロセッサー可読コードを収容する１つ以上のストレージ・デバイスであって、前記プロセッサー可読コードが１つ以上のプロセッサーに方法を実行させるようにプログラムされ、前記方法が、
    照明源を用いて、光パターンを第１環境内に第１光強度レベルで投射するステップであって、第１時間期間の間に生じる、投射するステップと、
    画像センサーを用いて第１センサー積分時間にわたって前記第１環境の第１画像を取り込むステップであって、前記第１画像が第１光強度レベルに関連付けられ、前記第１センサー積分時間が前記第１時間期間の後に続き、前記光パターンを第１光強度レベルで投射する前記ステップが、前記第１センサー積分時間とは時間上重複しない、ステップと、
    １つ以上のプロセッサーを用いて、前記第１画像と関連付けられた画素飽和度を判定するステップと、
    前記画像センサーからの取り込み距離を判定するステップと、
    前記画素飽和度と前記画像センサーからの前記取り込み距離とに基づいて第２光強度レベルを設定するステップと、
    前記照明源を用いて、前記光パターンを前記第１環境内に前記第２光強度レベルで投射するステップと、
    前記第１環境の第２画像を取り込むステップであって、前記第２画像が前記第２光強度レベルに関連付けられ、前記第２光強度レベルが前記第１光強度レベルとは異なる、ステップと、
    前記１つ以上のプロセッサーを用いて、前記第１画像および前記第２画像を合成して組み合わせ画像を得るステップと、
    前記１つ以上のプロセッサーを用いて、前記組み合わせ画像に基づいて深度マップを生成するステップと
    を含む、ストレージ・デバイス。
17. 請求項１６記載の１つ以上のストレージ・デバイスにおいて、
    光パターンを第１環境内に第１光強度レベルで投射する前記ステップが、レーザーを用いて前記光パターンを投射するステップを含む、ストレージ・デバイス。
18. 請求項１７記載の１つ以上のストレージ・デバイスにおいて、
    前記画素飽和度が、前記第１画像と関連付けられた画素の内飽和したものの割合を含み、
    第２光強度レベルを設定する前記ステップが、前記第１画像と関連付けられた画素の内飽和したものの前記割合が所定の割合よりも高い場合に、前記第２光強度レベルを、前記第１光強度レベル未満の強度レベルに設定するステップを含む、ストレージ・デバイス。
19. 請求項１７記載の１つ以上のストレージ・デバイスにおいて、
    第２光強度レベルを設定する前記ステップが、前記画素飽和度が特定の閾値よりも高くない場合に、前記第２光強度レベルを前記第１光強度レベルよりも高い強度レベルに設定するステップを含む、ストレージ・デバイス。
20. 請求項１９記載の１つ以上のストレージ・デバイスにおいて、
    前記第１画像および前記第２画像を合成して組み合わせ画像を得る前記ステップが、前記第１画像における飽和画素位置に対応する前記組み合わせ画像における画素位置に、前記第２画像に関連付けられた倍率調整画素値を割り当てるステップを含む、方法。