JP2014531706A

JP2014531706A - 光電子デバイスパッケージ、アレイ及び製造方法

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Publication number: JP2014531706A
Application number: JP2014528399A
Authority: JP
Inventors: ファークハール，ドナルド・セトン
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 2011-08-30
Filing date: 2012-07-26
Publication date: 2014-11-27
Also published as: US8674377B2; KR101896139B1; EP2761685B1; KR20140057567A; US20130049022A1; WO2013032605A2; CN103959499B; EP2761685A2; WO2013032605A3; TW201316586A; TWI556485B; CN103959499A

Abstract

【課題】光電子デバイスパッケージ、光電子デバイスパッケージのアレイ並びに光電子デバイスパッケージを製造する方法を提供すること。【解決手段】光電子デバイスパッケージ、光電子デバイスパッケージのアレイ並びに光電子デバイスパッケージを製造する方法を提供する。このアレイは、各々が光電子デバイスを囲繞すると共に１以上の列に配置された複数の光電子デバイスパッケージを含む。各パッケージは、２つの幾何学的に平行な透明縁部と、透明縁部に対して実質的に直角な方向を向いた２つの幾何学的に平行な不透明縁部とを含む。この透明縁部は、１以上の隣接パッケージと重なるように構成されており、またハーメチックシールされることがある。光電子デバイス部分はＲ２Ｒ製造技術を用いて製造される。【選択図】図１６

Description

光電子デバイスは一般に、発光デバイス及び光起電力デバイスを含む。これらのデバイスは一般に、その少なくとも１つを透明とするのが一般的である表面電極及び背面電極と呼ばれることがある２つの電極間に挟み合された活性層を含む。この活性層は典型的には１種以上の半導体材料を含む。発光デバイス（例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス）では、その２つの電極間に印加された電圧によって活性層内に電流が流される。この電流によって活性層が光を発する。光起電力デバイス（例えば、太陽電池）では、活性層が光からエネルギーを吸収してこれを電気エネルギーに変換し、この電気エネルギーが２つの電極間に特徴的なある電圧で電流を発生させる。

光は、ＯＬＥＤデバイスの電極の少なくとも１つを通して伝達される。適当な透明電極の設計には、これによって面内導電性が提供されること（より厚い材料層に好適）、並びにこれによってその厚さを通過する光伝播が提供されること（より薄い材料層に好適）が必要である。電極設計に関するこうした相反する制約を解決しようとする試みにおいて、個々の発光領域（ピクセル）のサイズが制限され、またこの結果として電極の面内を側面性に流れている電流の量が制限されることがある。電流が少ない場合は、電極内の抵抗性の損失は少なくかつ得られるデバイスは高効率となる。このケースでは、ピクセルがその周囲を画成する非照明のラインによって画成されており、またその電流はこれらの領域にバス接続されている。この非照明領域があると、これがなければ均一となるようなＯＬＥＤの外観が中断される。電流が流れる方向におけるピクセルの典型的な最大寸法は、過剰な損失及び非均一外観に至らない場合に１ｃｍ台である。この問題を解決するための方針は、非照明領域を非常に小さく製造すること（製造過程の複雑性は増大する）或いは拡散フィルムによってこれらを暈かすこと（効率は低下しかつコストは増大する）を含む。したがって、非照明領域の外観を低減させ広い非中断領域の光を生成することを可能とする一方で製造過程を簡略としてコストを最小限にすることが望ましい。より一般的には、設計柔軟性及び製造の容易性を提供しながら、個々のピクセル（又は、デバイスパッケージ）から照明領域の大型のアレイを構成することが望ましい。製造コストを削減しようとする試みにおいて、連続ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）方式（新聞を大きなロール紙上に印刷する方式と同様の方式）での発光デバイスの柔軟な基材上へのプリントを可能とするような製造過程を利用することが望ましい。Ｒ２Ｒ製造の利用によれば、個々のピクセル又はデバイスを照明領域の大アレイとするように製造しかつ構成させることが可能であり、この際に製造過程の容易性を維持しながらこれらのピクセル又はデバイスの電気的接続を直列、並列或いは交互に個別アドレス指定可能とさせている。

米国特許出願公開第２０１１／１８６８６６号

簡単に述べると一態様において本発明は、第１の縁部及び第２の縁部に沿って透明領域を画成しているエッジシールゾーンと、第３の縁部及び第４の縁部に沿って不透明領域を画成しているエッジシールゾーンとを含んだ光電子デバイスパッケージに関する。第１及び第２の縁部は光電子デバイスパッケージの幾何学的に平行な部分である。第３及び第４の縁部は幾何学的に平行な縁部であり、かつ光電子デバイスパッケージの第１の縁部及び第２の縁部に対して実質的に直角方向を向いている。エッジシールゾーンの透明な第１及び第２の縁部の少なくとも一方は１以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なるように構成されている。エッジシールゾーンの不透明な第３及び第４の縁部は、複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備える。

別の態様では本発明は、１以上の列に配置された複数の光電子デバイスパッケージであって、各々が第１の縁部及び第２の縁部に沿って透明領域を画成しているエッジシールゾーンと第３の縁部及び第４の縁部に沿って不透明領域を画成しているエッジシールゾーンとを含んだ光電子デバイスを囲繞している複数の光電子デバイスパッケージを含んだアレイに関する。第１及び第２の縁部は光電子デバイスパッケージの幾何学的に平行な部分である。第３及び第４の縁部は幾何学的に平行な縁部であり、かつ光電子デバイスパッケージの第１の縁部及び第２の縁部に対して実質的に直角方向を向いている。エッジシールゾーンの透明な第１及び第２の縁部の少なくとも一方は１以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なるように構成されている。エッジシールゾーンの不透明な第３及び第４の縁部は、複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備える。各光電子デバイスパッケージは１以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なっている。

別の態様では本発明は、連続照明領域を形成するＯＬＥＤ発光アレイに関する。このＯＬＥＤ発光アレイは、各々が光電子デバイスを囲繞すると共に１以上の列に配置された複数のパッケージを備える。各パッケージは、電気活性領域と、透明部分及び不透明部分を画成するエッジシールゾーンとを備えており、この不透明部分は複数の端子を介して光電子デバイスを外部電源に接続するように構成された導電層を備えている。各パッケージのエッジシールゾーンの透明部分は隣接パッケージの電気活性領域に重なっている。列内の各隣接パッケージの電気活性領域は列内の隣接パッケージのエッジシールゾーンの不透明部分と重なっている。各パッケージの透明エッジは直線状のアノードバスラインに沿って整列させている。

さらに別の態様では本発明は、ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）製造技術を用いて光電子デバイスパッケージを製造する方法であって、基材材料のセグメントを位置決めする工程と、基材材料上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層を堆積する工程と、基材材料上にクロスウェブ領域を形成する工程と、複数の電気活性層ストライプを画成するように透明導電性酸化物（ＴＣＯ）上で離間した一連の不連続ストライプの形に電気活性層を堆積する工程であって、少なくとも２つの平行な長手方向エッジ上で電気活性層と基材の周囲の間にギャップを残すことを含む電気活性層の堆積工程と、複数の電気活性層ストライプの各々の上に複数の連続ストライプの形に金属層を堆積する工程であって、これにより複数のカソード層ストライプ及びアノードバスラインを確定する金属層の堆積工程と、複数のアノードバスラインを確定するように透明導電性酸化物（ＴＣＯ）上に複数の連続ストライプの形にアノード層を堆積する工程であって、複数のアノードバスライン及びカソード層ストライプのそれぞれの間にギャップを残すことを含むアノード層の堆積工程と、アノード及びカソード層の最上部の上に透明バリア層を堆積する工程であって、バリア層はカソード層ストライプとアノード層ストライプの各々の一部分を露出するように構成されている透明バリア層の堆積工程と、個々の光電子デバイスパッケージを形成させるように切除する工程とを含む方法に関する。

さらに別の態様では本発明は、ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）製造技術を用いて光電子デバイスパッケージを製造する方法に関する。本方法は、基材材料のセグメントを位置決めする工程と、基材材料上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層を堆積する工程と、複数のアノードバスラインを画成するように透明導電性酸化物（ＴＣＯ）上で離間した一連の連続ストライプの形に導電層を堆積する工程であって、少なくとも２つの平行な長手方向エッジ上で導電層と基材の周囲の間にギャップを残すことを含む導電層の堆積工程と、複数のアノードバスラインの各々の上に離間した一連の連続ストライプの形に絶縁層を堆積する工程と、複数のアノードバスラインの間に連続ストライプの形で電気活性層を堆積しこれにより電気活性層ストライプを画成する工程と、電気活性層ストライプ上に連続ストライプの形で金属カソード層を堆積し、これによりカソード層ストライプを画成する工程と、電気活性層ストライプの最上部の上に透明バリア層を堆積する工程と、個々の光電子デバイスパッケージを形成させるように切除する工程とを含む。

これらの利点及び特徴並びにその他の利点及び特徴は、添付の図面に関連して提供した本発明の好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明からより十分な理解が得られよう。

本開示に関する上述の態様、特徴及び利点並びにその他の態様、特徴及び利点は、添付の図面に連携して取り上げた以下の詳細な説明に照らしてより明らかとなろう。

一実施形態に係るアレイ内で用いるためのパッケージの断面図である。図１の一実施形態に係る発光アレイで用いられるパッケージの層を見通した断面図である。図１の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図１の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図１の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図１の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図１の一実施形態に係るアレイで用いるための単一のデバイスパッケージの概略図である。別の実施形態に係るアレイ内で用いるためのパッケージの断面図である。図８の一実施形態に係る発光アレイで用いるためのパッケージの層を見通した断面図である。図８の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図８の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図８の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図８の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図８の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。図８の一実施形態に係るアレイで用いるためのパッケージを製造する方法の各ステップの概略図である。一実施形態に係るアレイで用いるための光電子デバイスパッケージの概略図である。図１６のパッケージ済み光電子デバイスの互いに幾何学的に平行方向を向いた重ね合わせを表している一実施形態に係るアレイの図である。一実施形態に係るアレイで用いるための光電子デバイスパッケージの概略図である。図１８のパッケージ済み光電子デバイスの互いに直列に向いた重ね合わせを表している一実施形態に係るアレイの図である。重なり合うと共に個別にアドレス指定可能なパッケージ済み光電子デバイスを表している一実施形態に係るアレイの図である。

ここで幾つかの図の全体にわたって同じ要素を同じ番号によって示している図面を参照すると図１は、製造の中間段階（より詳細には、第１の光電子デバイスパッケージ１２、第２の光電子デバイスパッケージ１４及び第３の光電子デバイスパッケージ１６を画成するための切除前）における隣り合わせた複数の光電子デバイスパッケージ（その全体を符号１０で示す）の断面図である。各デバイスパッケージ１２、１４及び１６は本発明の発光アレイで用いるのに適する。さらに詳細には、第１のバリア層１１０、第１の電極層１２０、第１の電極層１２０と共堆積させた追加の金属１４０、１以上の電気活性層１３０、第２の電極層１３５、任意選択の基材１５０及び第２のバリア層１６０を示しているデバイス構造１０を図示している。基材１５０が存在しない実施形態では、これらの層を第２のバリア層１６０上に直接配置させることがある。第１のバリア層１１０と第１の電極層１２０の間並びに第１のバリア層１１０と基材１５０の間にエッジシールゾーン１８０を形成するように任意選択の接着剤層（図示せず）を配置させることがある。幾つかの実施形態では、第２の電極層１３５が基材１５０と同じ広がりをもつことがあり、また接着剤層１７０はエッジシールゾーン１８０を形成するように第２の電極層１３５上に部分的に配置させることがある。別の実施形態ではその基材１５０は、層１６０及び１８０と同じ広がりをもつことがある。エッジシールゾーン１８０の幾何学構成は水及び酸素の入り込みを最小化するように設計されており、また第１と第２のバリア層１１０と１６０の間の結合を形成する接着剤層１７０は薄くかつ幅広としこれにより好ましい幾何学構成を提供している。接着剤層１７０の接着剤材料は、基材と背面シートの間に強力な結合を提供するようにかつ湿気及び酸素の入り込みに対して比較的不透過性となるように選択される。この接着剤は、デバイスを構成する材料（特に、電気活性層の電極や材料）が劣化しないように湿気がなくかつ化学的に不活性としている。接着剤層１７０が発光領域を越えて延在してエッジシールゾーン１８０に至るまでの範囲では、これを透明とすべきである。透明な熱可塑性物質、感圧接着剤、アクリル及び熱硬化性のエポキシやウレタンを含む広範な接着剤が適当となる可能性がある。低コストの材料及び処理は例えば、バリア層に事前に塗布した後に乾燥させることが可能な分散剤として提供されているＲｏｈｍ＆ＨａａｓＡｄｃｏｔｅ３７Ｔ７７などの熱シール材料を選択することによって可能となる。次いで、デバイスに対するバリア層１６０及び１８０の貼り合わせは、例えば連続ローリング貼り合わせ処理で穏やかな熱及び圧力に短時間露出させて完成させることが可能である。基材１５０が存在する場合は、第２の電極層１３５と第２のバリア層１６０の間に任意選択の接着剤層（図示せず）を配置させることがある。

基材１５０と第１及び第２のバリア層１１０、１６０とは非透明とすることも透明とすることもある（ただし、デバイス１２、１４及び１６の各々が発した又は吸収した光が１以上の電気活性層１３０から或いはこれに至るように通過できるようにするために、デバイスの１以上の表面（すなわち、第１のバリア層１１０若しくは基材１５０及び／又は第２のバリア層１６０）は透明としている）。一例としてその基材１５０は透明であると共に、ガラス又はポリエステル（ＰＥＴ、ＰＥＮ）などのプラスチックから成る。バリア層１１０、１６０のそれぞれは湿気及び酸素に対して比較的不透過性であり、またバリア層としての使用に適した透明材料は、例えばＧｅｎｅｒａｌＥｌｅｃｔｒｉｃ社に譲渡された米国特許第７０１５６４０号、同第７１５４２２０号及び同第７３９７１８３号に記載されたようなガラス及び超高バリア（ＵＨＢ）フィルムを含む。非透明のバリア層には金属箔が適する。第２の電極層１３５は、カソードとアノードのいずれにもし得るが、好ましい実施形態では第２の電極層１３５をアノードとしている。具体的には、第２の電極層１３５をインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）から成るアノードとすることがある。１以上の電気活性層１３０は電気活性領域１３１のための１以上の層であり、これらは協働して光を発する（ＯＬＥＤデバイスの場合）或いは吸収する（ＰＶデバイスの場合）ように作用しており、また正孔／電子注入層、正孔／電子輸送層及び放出層を含むことがある。当技術分野では、真空処理や非真空処理を含め１以上の電気活性層１３０を堆積させる様々な手段が知られている。ＯＬＥＤデバイス及びＰＶデバイスで用いるのに適した材料はよく知られており、本明細書では詳細には記載しないことにする。ここでデバイス構造１０の製造について記載することにする。

図２は、第１の電極（カソード）層１２０と、第２の電極（アノード）層１３５と、アノードバスライン１４１と、第１の電極層１２０及び第２の電極層１３５の下の領域となる露出層１９０とを表している本発明の発光アレイでの使用に適したマルチデバイス構造２０の第１の電極層１２０を見通した横断断面図である。具体的なある実施形態では、アノードバスライン１４１及び第１の電極層（カソード）１２０を単一の堆積工程で堆積させている。個々の各光電子デバイス１２、１４及び１６を形成するために製造中にデバイス構造２０が切除される箇所を図示するために複数の切除ライン２０２が描いてある。デバイス構造２０は３つの別々のデバイス又はピクセルを含むように表しているが、このデバイス構造は製造方法に照らして（ここに記載したように）これより小さい複数のデバイス／ピクセルを含むことやこれより大きい複数のデバイス／ピクセルを含むことがある。

上述したようにデバイス構造２０は、その上に貼り合わせたバリア（又は、絶縁）層１１０を含む。より具体的には、デバイス構造２０の製造中に、第１の電極層１２０及び第２の電極層１３５の最も上の表面上にバリア層１１０が貼り合わされる。バリア層１１０は典型的には薄く、また電気活性領域１３０と概ね同じ厚さを有する（図１は縮尺どおりの図示ではない）。バリア層１１０はエッジシールゾーン１８０の画成を支援するが、電気活性領域１３０内までは延在していない。バリア層１１０は有機又は無機の様々な絶縁体から成ることがある。一例として、アノード及びカソード層の堆積に続いて薄い絶縁コーティングを形成するために、粘性が約１〜１０ｃＰｓの低粘性シアノアクリレート接着剤を塗布することがある。別の例として、バリア層１１０を形成するようにマスクを通して無機二酸化ケイ素の薄い層（１マイクロメートル未満）を堆積させることがある。様々なプリント技術やコーティング技術のいずれかによって有機材料を塗布することがあり、また例えば真空蒸着、スパッタリング、化学蒸着法などの蒸着法によって無機材料を堆積させることがある。バリア層１１０の堆積に続いて、第１の電極（カソード）層１２０及び第２の電極（アノード）層１３５の一部分を露出させ個々の各デバイス１２、１４及び１６への電気接続を設けている。

ここで図３〜６を見ると、上述したデバイス構造２０の製造方法の各工程を上側平面図で表している。上で触れたように、デバイス構造２０の製造にはロールツーロール（Ｒ２Ｒ）製造技術を利用する。本明細書ではＲ２Ｒ製造のことを、ウェブ処理やリールツーリール（ｒｅｅｌ−ｔｏ−ｒｅｅｌ）処理と呼ぶこともある。一般にＲ２Ｒ処理は、柔軟なプラスチックや金属箔などの材料から成るロール又はウェブ上に電子デバイスを構成させる製造方法である。この処理は、プリント処理や、柔軟な材料から成るロールで開始し出力ロールを生成する処理の後で再巻き取りする別の処理を実行することを含むことがある。

非限定の例として図３には、デバイス構造２０のＲ２Ｒ処理で用いられるロールフィルムのセグメント３０を図示している。最初に基材１５０が設けられると共にこの基材１５０上にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などのＴＣＯ層１５１が設けられ、またＴＣＯ層１５１と基材１５０の間或いは基材１５０の別の表面上に透明なＵＨＢ層（図示せず）を設けることがある。基材１５０は、連続ロールフォーマット内に或いはウェブその他などの連続ロール上に位置決めされた材料として設けられ、複数の領域の一部分をコーティングすることがある。基材１５０或いは下地層の一部分を露出させるためにクロスウェブ領域１５２を形成させる。クロスウェブ領域１５２は、ＴＣＯ層１５１の一部分を除去することによって形成されることがある。より具体的には、エッチング処理によってＴＣＯアノードを選択的に除去することがあり、これによれば（ここに記載したように）むき出しの基材１５０が露出しまた絶縁層が不要になる。代替的な一実施形態では、クロスウェブ領域１５２を画成するようにＴＣＯ層１５１上に絶縁層を堆積させることがある。この絶縁層は、有機材料から成ると共に、様々なプリント技術やコーティング技術のうちのいずれかによって低粘性コーティング組成物から未パターンのＴＣＯ層１５１に対して堆積されることがあり、或いは真空蒸着や別の蒸着方法によって未パターンのＴＣＯ層１５１上に無機絶縁層を堆積させることがある。コーティングのエッジ位置のステップ高の差は最小化するのが典型的である。

ここで図４を参照すると、次に不連続堆積工程でＴＣＯ層１５１上に直接１以上の電気活性層１３０を堆積させ、これによりＲ２Ｒ処理で用いられるウェブ又はロールを基準とした長手方向で形成された電気活性層１３０の実質的に連続のストライプを得ている。電気活性層１３０は、電気活性領域と基材１５０の幾つかのエッジ又はすべてのエッジにある周囲との間或いは電気活性層１３０のストライプ同士の間にギャップ１３２を残すようにして堆積させている。電気活性層１３０は、クロスウェブ領域１５２が露出されて残されるように不連続長手方向処理で堆積させている。

ここで図５を参照すると、複数の連続カソードストライプを画成するように連続長手方向ストライプ処理において第１の電極層１２０（またより具体的には、カソード１２１）を電気活性層１３０及びクロスウェブ部分１５２上に直接堆積させている。第１の電極層１２０は、例えば蒸着処理や導電性インクを用いたプリントタイプの処理を介してマスクを通して形成されることがある。さらに、連続長手方向ストライプ処理において基材１５０及びクロスウェブ部分１５２を覆うと共に第１の電極層１２０からある距離だけ離して第２の電極層１３５及びアノードバスライン１４１を堆積させ、これにより連続アノードストライプを画成している。第２の電極層１２０は例えば、蒸着処理や導電性インクを用いたプリントタイプの処理を介してマスクを通して形成されることがある。第１の電極層１２０及び第２の電極層１３５のＲ２Ｒ連続ストライプ作成技術での堆積によって、デバイスのレジスタリング、システム整列の必要性並びに均一性、加熱、マスクその他の要件のために高コストとなる堆積工程（金属蒸着その他など）の停止及び開始の必要をなくすことができる。図５に最良に示したように、電気活性領域と基材の幾つかのエッジ又はすべてのエッジにある周囲の間並びに電気活性層１３０、第１の電極層１２０及び第２の電極層１３５のストライプ同士の間のギャップ１３２は、画成を維持し電気的分離を提供している。

第１の電極層１２０及び第２の電極層１３５は、透明又は非透明の導電層を含む。第１及び第２の電極層１２０及び１３５に適した材料は当技術分野で知られており、アルミニウムや銀など元素形態の金属並びにＩＴＯや亜鉛スズ酸化物などの透明導電性酸化物を含む。具体的には、アルミニウムの薄い層を用いることがある。

ここで図６を参照すると、次に不連続ストライプの形に第１の電極層１２０及び第２の電極層１３５の最上表面の上にバリア層１６０が堆積又は貼り合わされ、カソード１２１を画成するように第１の電極層１２０のうちのクロスウェブ領域１５２と同じ広がりをもつ部分２０４が露出されかつアノードバスライン１４１を画成するように金属層１４０のうちのクロスウェブ領域１５２と同じ広がりをもつ部分２０６が露出される。複数のデバイス１２、１４及び１６の画成のために、デバイス構造３０は次に切除ライン２０２に沿って切断され複数のデバイス１２、１４、及び１６を露出させている。

エッジシールゾーン１８０は、得られた各デバイス１２、１４及び１６（図７には、その中から切除済みデバイス１２の１つを示す）の周りに画成される。デバイス１２は、第２の電極層１３５から成るアノードバスライン１４１と電気的に連絡した導電性領域２０８と、第１の電極層１２０から成るカソード１２１の延長部とを含む。導電層同士の間の短絡を防止するためにこれらの間に下地層を露出させている。

デバイスに対するハーメチック式のパッケージ化は適当な構造及び方法を用いて完成させている。様々なタイプのハーメチックパッケージ及びその製造方法は、参照によりその内容全体を範囲内に組み込むものとする米国特許出願第１２／３３６，６８３号（２００８年１２月１７日提出）、同第１２／５１０，４６３号（２００９年７月２８日提出）及び同第１２／４７０，０３３号（２００９年５月２１日提出）並びに同第１２／５７０，０２４号（２００９年９月３０日提出）に記載されている。例えば、デバイスの背面に対して透明な保護用背面シートを結合させることがある。この保護用背面シートは、エッジシールゾーン１８０のアノード及びカソードと電気的に連絡した部分が露出されるように基材に対して位置決めし整列させることがある。透明背面シートに適した材料は、ガラス又はバリアフィルムを備えたプラスチックを含む。下地層に対してこれを、典型的には強力な結合を提供するように選択されると共に湿気がなくかつ化学的に不活性な光学的に透明な接着剤によって結合させ、これによりＯＬＥＤを劣化させないようにすると共に、湿気及び酸素のエッジ入り込みに対して比較的不透過性とすることができる。シール幾何学構成は、入り込みを最小化するように十分に薄くかつ幅広となるように設計される。

図１〜７に関連して記載した実施形態で得られる光電子デバイスパッケージは、第１及び第２の幾何学的に平行な透明縁部と、第１及び第２の幾何学的に平行な透明縁部に対して実質的に直角方向を向いている第３及び第４の不透明又は非透明な幾何学的に平行な縁部とを含む。透明縁部によって、ディスプレイ内への複数のデバイスのタイル配置が可能（ここに記載したように）となる。上述した実施形態ではアノードバスライン１４１は、デバイスを跨るより小さい電圧降下に相当するように有効カソード１２１領域に沿って電流を伝えるように構成されている。アノードバスライン１４１の製造は、第１の電極層１２０又はカソードと同じＲ２Ｒ堆積工程でこれを堆積させることができかつ長手方向の位置調整要件が全くないという点で、その製造過程に対して複雑性を追加することがない。さらに、開示したデバイスのタイル配置及びバス接続はデバイスの製造及びハーメチックシールの後で行っている。これに対して従来技術のデバイスでは、シールの前にデバイスがタイル配置されかつバス接続されており、さらなるコスト及び複雑性が追加される。

ここで図８〜１５を見ると、光電子デバイスの別の実施形態を表しており、ここでＲ２Ｒ製造中にウェブの長さ方向で連続ストライプの形に複数の材料層を堆積させており、しがたってローラー、インクジェット又はスロットダイなどのよく知られたコーティング技術を活用し、堆積処理の停止及び開始を全く必要としない。ここでも、幾つかの図の全体にわたって同じ要素を同じ番号によって示していることに留意されたい。さらに詳細には図８を参照すると、複数の個々のデバイスを含む光電子デバイス構造５０の断面図を表しており、これについて説明することにする。デバイス構造５０は本発明の発光アレイで用いるのに適している。第１のバリア層１１０、背面シート１１１から成る絶縁層、第１の電極層１２０、１以上の電気活性層１３０、絶縁層１３５、第２の電極層１３５、任意選択の基材１５０及び第２のバリア層１６０を示すように構造５０を図示している。基材１５０が存在しない実施形態では、これらの層を第２のバリア層１６０上に直接配置させることがある。第１のバリア層１１０と第１の電極層１２０の間並びに第１のバリア層１１０と基材１５０の間にはエッジシールゾーン１８０を形成するように任意選択の接着剤層（図示せず）を配置させることがある。一実施形態ではその基材１５０は、バリア層１１０及び１６０と同じ広がりをもつことがある。エッジシールゾーン１８０の幾何学構成は水及び酸素の入り込みを最小化するように設計されており、また第１と第２のバリア層１１０と１６０の間の結合を形成する接着剤層１７０は薄くかつ幅広でありこれにより好ましい幾何学構成を提供している。上の実施形態と同様に、接着剤１７０が発光領域を越えて延在してエッジシールゾーン１８０に至るまでの範囲では、これを透明とすべきである。デバイスに対するこれらのバリア層の貼り合わせは、例えば連続ロール貼り合わせ処理などで穏やかな熱及び圧力に短時間露出させて完成させることが可能である。第２の電極層１３５と第２のバリア層１６０の間に任意選択の接着剤層（図示せず）を配置させることがある。

基材１５０と第１及び第２のバリア層１１０及び１６０とは非透明とすることも透明とすることもある（ただし、デバイス５０が発した又は吸収した光が１以上の電気活性層１３０から或いはこれに至るように通過できるようにするために、デバイスの１以上の表面（すなわち、第１のバリア層１１０若しくは基材１５０及び／又は第２のバリア層１６０）は透明である）。一例としてその基材１５０は透明であると共に、ガラス又はポリエステル（ＰＥＴ、ＰＥＮ）などのプラスチックから成る。バリア層１１０、１６０のそれぞれは湿気及び酸素に対して比較的不透過性であり、またバリア層としての使用に適した透明材料は、ガラス及び上述したような超高バリア（ＵＨＢ）フィルムを含む。非透明のバリア層には金属箔が適する。第２の電極層１３５は、カソードとアノードのいずれにもし得るが、好ましい実施形態では第２の電極層１３５をアノードとしている。具体的には、第２の電極層１３５をインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から成るアノードとすることがある。１以上の電気活性層１３０は協働して光を発する（ＯＬＥＤデバイスの場合）或いは吸収する（ＰＶデバイスの場合）ように作用し、かつ正孔／電子注入層、正孔／電子輸送層及び放出層を含み得るような１以上の層である。上で言及したように、当技術分野では真空処理や非真空処理を含めこれらの層を堆積させる様々な手段が知られている。構造５０の製造についてここで記述することする。

図９は、第２の電極（カソード）層１２０と、絶縁層１３５と、アノードバスライン１４１として構成させた第１の電極（アノード）層１３５と、第２の電極層１２０、絶縁層１３５及び第１の電極層１３５の下にあると共に基材１５０及び／又はバリア層を含んだ露出層１９０とを表している本発明の発光アレイでの使用に適した構造５０の背面シート又は絶縁層１１１を見通した横断断面図である。具体的なある実施形態ではその電極は、第２の電極層１３５からまたより具体的にはアノードバスライン１４１から成る。電気活性領域２００は、デバイス５０の長手方向の中央部分を含む。複数の個々の光電子デバイス１２、１４及び１６を形成するためにＲ２Ｒ製造中にデバイス構造５０が切除される箇所を図示するために複数の切除ライン２０２が描いてある。

上述したようにデバイス構造５０は、その上に貼り合わせたバリア（又は、絶縁）層１１０を含む。バリア層１１０はエッジシールゾーン１８０の画成を支援するが、電気活性領域１３０内までは延在していない。バリア層１１０は、開示した最初の実施形態に関連して上で詳述したように有機又は無機の様々な絶縁体から成ることがある。

ここで図１０〜１５を見ると、上述したデバイス構造５０の製造方法の各工程を上側平面図で表している。上の実施形態の場合と同様に、デバイス構造５０の製造にはロールツーロール（Ｒ２Ｒ）製造技術を利用している。非限定の例として図１０には、デバイス構造５０のＲ２Ｒ処理に用いられるロールフィルムのセグメント３０を表している。最初に、ＩＴＯ層１５１などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）が基材１５０上に設けられており、またＩＴＯ層１５１と基材１５０の間又は基材１５０の別の表面上に透明ＵＨＢ層（図示せず）が設けられることがある。この基材は、複数の領域の一部分をコーティングできるように連続ロールフォーマットの形とすることやウェブその他などの連続ロール上に位置決めされることがある。上の実施形態と異なりデバイス構造５０は基材１５０又は下地層の一部分を露出させるためのクロスウェブ領域を含んでいない。

ここで図１１を参照すると、第２の電極層１３５またより具体的にはアノードバスライン１４１が、基材１５０及びＩＴＯやＵＨＢなどの任意の中間層の上に直接堆積される。電極層１３５は連続長手方向ストライプ処理で堆積される。電極層１３５の堆積と同時に、基材１５０及び中間の任意のＩＴＯ又はＵＨＢ層上に任意選択のアノードグリッド１４２を堆積させることがある。アノードグリッド１４２によってさらに幅広のピクセルの製造が可能となると共に、幾つかの用途において複数の光電子デバイスのシングリング（ｓｈｉｎｇｌｉｎｇ）やタイル配置の必要性を排除できる可能性もある。アノードグリッド１４２を含めるか否かと関係なく、アノードバスライン１４１はデバイス構造５０の縁部に対して長手方向に沿って形成させる。図１０〜１５ではアノードバスライン１４１がデバイス構造５０のいずれかの側に存在するように表しているが、アノードバスライン１４１は、得られるピクセルに要求される幅並びにタイル配置要件のために別の透明エッジを有する必要性に応じた構成として一方の側だけに存在させることがある。電極層１３５は、例えば蒸着処理や導電性インクを用いたプリントタイプの処理を介してマスクを通して形成されることがある。

図１２に最良に示したように、次にアノードバスライン１４１上には連続長手方向ストライプ作成処理によって絶縁層１３５を堆積させている。絶縁層１３５は、有機材料から成ると共に、様々なプリント技術やコーティング技術のうちのいずれかによって低粘性コーティング組成物から電極層１３５に対して施されることがあり、或いは真空蒸着や別の蒸着方法によって電極層１３５上に無機絶縁層を堆積させることがある。

アノードグリッド１４２及び電極層１３５の一部分の上には次に、図１３に示したように１以上の電気活性層１３０を堆積させている。１以上の電気活性層１３０は、アノード層１３５の間隔より大きい幅を有するような方式で堆積させている。１以上の電気活性層１３０は上述したように連続長手方向ストライプ処理によって堆積させており、このためにＲ２Ｒ処理を用いてウェブ又はロールを基準として長手方向に形成される電気活性層１３０の実質的に連続なストライプが得られる。

ここで図１４を参照すると、１以上の電気活性層１３０上に連続長手方向ストライプ作成処理によって第１の電極層１２０またより具体的にはカソード１２１が直接堆積される。第１の電極層１２０は、例えば蒸着処理や導電性インクを用いたプリントタイプの処理を介してマスクを通して形成されることがある。第１の電極層１２０及び第２の電極層１３５は透明な導電層を含むことも非透明な導電層を含むことがある。第１及び第２の電極層１２０及び１３５として適当な材料は当技術分野で知られており、アルミニウムや銀など元素形態の金属並びにＩＴＯや亜鉛スズ酸化物などの透明導電性酸化物を含む。具体的には、アルミニウムの薄い層を用いることがある。

ここで図１５を参照すると、次に第１の電極層１２０の最上表面の上に長手方向連続ストライプの形に保護用背面シート１１１を堆積させ又は貼り合わせている。保護用背面シート１１１は、エッジシールゾーン１８０のアノード及びカソードと電気的に連絡した部分が電極層１２０に関して図示したように露出する又は堆積されるように位置決めして基材と整列させることがあり、これによって電極層１２０の一部分は覆われないままとなる。透明背面シートに適した材料はガラス又はバリアフィルムを備えたプラスチックを含む。下地層に対してこれを、典型的には強力な結合を提供するように選択されると共に湿気がなくかつ化学的に不活性な光学的に透明な接着剤によって結合させ、これによりＯＬＥＤを劣化させないようにすると共に、湿気及び酸素のエッジ入り込みに対して比較的不透過性とすることができる。シール幾何学構成は、入り込みを最小化するように十分に薄くかつ幅広となるように設計される。複数のデバイス５２、５４及び５６を画成するために、次に切除ライン２０２に沿ってデバイス構造５０を切断し複数のデバイス５２、５４及び５６を画成している。デバイス５０或いは個々のデバイス５２、５４及び５６に対するハーメチック式のパッケージ化は、本明細書の上で開示したような適当な構造及び方法を用いて完成させている。

個々のデバイス５２、５４及び５６の各々は、１以上のエッジに沿ったアノードバスライン１４１を含むシングリングによる一体化に適する。上の実施形態と異なりＲ２Ｒ製造過程によれば、デバイス構造５０の製造中における１回又は複数回の停止／開始操作を（排除できないにしても）最小限にすることが可能である。さらにＲ２Ｒ処理で生産したデバイスはハーメチックシールされ、また歩留り及び／又は性能に関して並べ替えた後にタイル配置するように一緒にマッチングさせることがある。上の実施形態と同様に図８〜１５に関連して記載した実施形態で得られる光電子デバイスパッケージ５２、５４及び５６の各々は、第１及び第２の幾何学的に平行な透明縁部と、第１及び第２の幾何学的に平行な透明縁部に対して実質的に直角方向を向いている第３及び第４の幾何学的に平行な不透明又は非透明な縁部とを含んでおり、これによってディスプレイ内における複数のデバイスのタイル配置が可能（ここに記載したように）となる。

図１６〜２０には、図１〜１５に関連して上述したような光電子デバイスパッケージ向けの様々なタイル配置レイアウトを表している。図示した実施形態では、複数の光電子パッケージ（本明細書では、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とも呼ぶ）に対するシングリングは、各々が概ね１５．０ｃｍ×２．５ｃｍの寸法を有すると共に１以上の透明エッジを含むようにして提供している。各平面図では、上述したエッジシールゾーン１８０と概して同様の透明縁部と、上述した電気活性領域１３０と概して同様の電気活性領域と、上述した不透明縁部と概して同様の複数の不透明縁部とを有する光電子パッケージを図示している。不透明縁部のうちの１つはアノードを包含しかつ不透明エッジシール部分のうちの１つはデバイスのカソードを包含し、アノード及びカソードと電気的に連絡させて導電性領域及び任意選択の導電性タブ接点を設けている。追加として、導電性タブと電源の間に電気リード（図示せず）を接続させることがある。そのコネクタ装着スキームに応じて、その接点の設計は様々となり得る。図では、カソード及びアノード金属に対して導電性接着剤を用いて取り付け得るリボンタイプの導体を表している。導電性タブは背面シートと基材の間を内方に延在することがあるが、幾つかの実施形態ではこれによるエッジのシールとの干渉をさせないようにこれらを基板外構成で配置させることが好ましいことがある。別の実施形態ではその導電性タブは、背面シート上の薄い金属層としてプリントすることがある。アノード及びカソードとの接点は導電性接着剤によって行うことがある。さらに、環境からの浸食に対して抵抗性の背面シートと隣接して（特に、背面シートの付与後に露出状態のままとすることが望ましいエッジ領域内で）電極金属化の最上部の上に別の層を追加することがある。これを非腐食性の金属の形態とすることが可能であり、或いはＵＨＢや別の有機又は無機のバリア層とすることが可能である。パッケージのタイル配置によって個々のピクセル間の暗いラインを低減することができる。ここに記載したようにこの光電子デバイスパッケージは、並列構成、直列構成或いは個別アドレス指定可能なＯＬＥＤ構成でのタイル配置に適する。

具体的に図１６を参照すると、並列のシングリングレイアウト及び並列にアドレス指定可能とした実現形態のために図１〜６か図８〜１５のいずれかに関連して上述したようにして製造されかつ構成された個々の光電子デバイスパッケージ２０２の概略図を表している。第１の導電性タブ２０４は、上述したアノードバスライン１４１と概して同様のアノードバスライン２０６と電気的に連絡させている。第２の導電性タブ２０８は、上述したカソード１２１と概して同様のカソード２１０と電気的に連絡するように設けている。電気活性領域２１３は、上述した電気活性領域１３１と概して同様であり、透明エッジシールゾーン２１２に隣接して形成されている。エッジシールゾーン２１２は、上述した透明エッジシールゾーン１８０と概して同様であり、これによりアレイを形成するような複数のデバイスパッケージの重ね合わせを得ている。この例示的実施形態ではそのデバイスパッケージ２０２が、概ね１５．２５ｃｍ（Ｘで示す）対２．５４ｃｍ（Ｙで示す）である。個々のデバイスパッケージ２０２に関して概略の寸法を与えているが、これは限定ではないこと並びに任意の寸法のデバイスパッケージを提供し得ることを理解すべきである。より具体的に図１７を参照すると、各々が並列シングリングレイアウトで構成されたデバイスパッケージ２０２と概して同様である重なり合った光電子デバイスパッケージ２１６、２１８、２２０及び２２２から成る列を示しているアレイ２１４を図示している。このアレイ２１４は、デバイス２２２のエッジシールゾーン２１２の透明部分がデバイス２２０の電気活性領域２１３と重なりかつデバイス２２０の透明部分２１２がデバイス２１８の電気活性領域２１３と重なるようにして構成されている。さらに、デバイス２１８のエッジシールゾーン２１２の透明部分はデバイス２１６の電気活性領域２１３と重なっており、またデバイス２１６の透明部分２１２は（図では追加のパッケージと重ならないように示しているが）追加のデバイスが設けられる場合はその電気活性領域２１３と重なることがある。ＯＬＥＤによってまたより具体的には電気活性領域２１３や各デバイス２１６、２１８、２２０及び２２２によって発せられた光、あるいＰＶデバイスが吸収する光は、この重なり合った透明部分２１２を通過することが可能である。ＯＬＥＤにおいては、連続発光領域を形成するように干渉する非発光領域を伴うことなく各デバイス２１６、２１８、２２０及び２２２の電気活性領域２１３を位置決めすることがある。本発明は透明エッジシールゾーンを有するパッケージに限定されないこと、またこうした実施形態では、発光領域や光吸収領域を非発光／吸収領域によって分離し得ることに留意すべきである。

図１８と１９は、個々の光電子デバイスパッケージ及び電気接続の概要図（全体を３０２で示す）、並びに直列シングリングレイアウトで構成されかつ直列アドレス指定可能となったデバイスパッケージ３０２と概して同様の重なり合った複数のパッケージ３１６、３１８、３２０及び３２２を表したアレイ３１４の概要図である。デバイス３２２のエッジシールゾーン３１２の透明部分はデバイス３２０の電気活性領域３１３と重なり、またデバイス３２０のエッジシールゾーン３１２の透明部分はデバイス３１８の電気活性領域３１３と重なり、かつデバイス３１８のエッジシールゾーン３１２の透明部分はデバイス３１６の電気活性領域３１３と重なり、これによりアレイの１つの表面上に連続した発光又は吸収領域を形成している。個々のパッケージに対する電気接続は、アノード接点タブ３０４またより具体的にはアノードバスライン３０６が、アレイ３１４内の複数のパッケージ３１６、３１８、３２０及び３２０の直列アドレス指定を提供するような電気的連絡となるようにして設けられている。

図２０は、複数の個別にアドレス指定可能な光電子デバイスパッケージ４１６、４１８、４２０及び４２２から成るアレイ４１４の概要図を表している。図示した実施形態では、電気接続４０４及び４０８が個々の各光電子デバイスパッケージ４１６、４１８、４２０及び４２２に提供されており、また各デバイスに対する個別のアドレス指定を提供している。シングリングレイアウトで構成されかつ個別アドレス指定可能となった図１６のデバイスパッケージ２０２と各々が概して同様の重なり合った複数のパッケージ４１６、４１８、４２０及び４２２を図示している。デバイス４２２のエッジシールゾーン４１２の透明部分はデバイス４２０の電気活性領域４１３と重なり、かつデバイス４２０のエッジシールゾーン４１２の透明部分はデバイス４１８の電気活性領域４１３と重なり、かつデバイス４１８のエッジシールゾーン４１２の透明部分はデバイス４１６の電気活性領域４１３と重なり、これによりアレイ４１４の１つの表面上に連続した発光又は吸収領域を形成している。不透明エッジシールゾーン内の個々のパッケージに対する電気接続は、アノード接点タブ４０４またより具体的には個々の各パッケージのアノードバスライン４０６がアレイ３１４内の複数のパッケージ３１６、３１８、３２０及び３２０の個別のアドレス指定を提供するようにして設けられている。

本発明のある種の特徴についてのみ本明細書において図示し説明してきたが、当業者によって多くの修正及び変更がなされるであろう。したがって添付の特許請求の範囲が、こうした修正や変更のすべてを本発明の真の精神の範囲に属するようにして包含するように意図したものであることを理解されたい。

１０デバイス構造
１２第１の光電子デバイスパッケージ
１４第２の光電子デバイスパッケージ
１６第３の光電子デバイスパッケージ
２０デバイス構造
３０ロールフィルムセグメント
３０デバイス構造
５０デバイス
５２デバイス
５４デバイス
５６デバイス
１１０第１のバリア層
１１１背面シート
１２０第１の電極層
１２１カソード
１３０電気活性層
１３１電気活性領域
１３２ギャップ
１３５第２の電極層
１４０金属
１４１アノードバスライン
１４２アノードグリッド
１５０基材
１５１ＴＣＯ層
１５２クロスウェブ領域
１６０バリア層
１７０接着剤層
１８０エッジシールゾーン
１９０露出層
２００電気活性領域
２０２光電子デバイスパッケージ
２０４第１の導電性タブ
２０６アノードバスライン
２０８第２の導電性タブ
２１０カソード
２１２透明エッジシールゾーン
２１３電気活性領域
２１４アレイ
２１６光電子デバイスパッケージ
２１８光電子デバイスパッケージ
２２０光電子デバイスパッケージ
２２２光電子デバイスパッケージ
３０２電気接続
３１２透明エッジシールゾーン
３１３電気活性領域
３１４アレイ
３１６パッケージ
３１８パッケージ
３２０パッケージ
３２２パッケージ
４０４電気接続
４０８電気接続
４１２透明エッジシールゾーン
４１３電気活性領域
４１４アレイ
４１６パッケージ
４１８パッケージ
４２０パッケージ
４２２パッケージ

Claims

光電子デバイスパッケージであって、
光電子デバイスパッケージの幾何学的に平行な部分である第１の縁部及び第２の縁部に沿って透明領域を画成しているエッジシールゾーンと、
幾何学的に平行な縁部でありかつ光電子デバイスパッケージの第１の縁部及び第２の縁部に対して実質的に直角方向を向いている第３の縁部及び第４の縁部に沿って不透明領域を画成しているエッジシールゾーンと
を備えており、
エッジシールゾーンの透明な第１及び第２の縁部の少なくとも一方は１以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なるように構成され、
エッジシールゾーンの不透明な第３及び第４の縁部は、複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備えている、光電子デバイスパッケージ。
エッジシールゾーンの不透明部分を通過してカソード、アノード及びアノードバスラインが延在している、請求項１記載の光電子デバイスパッケージ。
アノードは長手方向に向いたアノードバスラインとして構成されている、請求項１記載の光電子デバイスパッケージ。
アノード及びエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層は、アノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されている、請求項１記載の光電子デバイスパッケージ。
カソード及びアノードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードとエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層の間にアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成させた電気絶縁層が配置される、請求項４記載の光電子デバイスパッケージ。
カソードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードが、エッジシールゾーンの透明部分内の電気活性領域からある距離だけ離間してこれによりアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されたアノードバスラインとして構成される、請求項４記載の光電子デバイスパッケージ。
１以上の列に配置された複数の光電子デバイスパッケージを備えるアレイであって、各々の光電子デバイスパッケージが光電子デバイスを囲繞していて、
光電子デバイスパッケージの幾何学的に平行な部分である第１の縁部及び第２の縁部に沿って透明領域を画成しているエッジシールゾーンと、
幾何学的に平行な縁部でありかつ光電子デバイスパッケージの第１の縁部及び第２の縁部に対して実質的に直角な方向を向いている第３の縁部及び第４の縁部に沿って不透明領域を画成しているエッジシールゾーンと
を備えていて、エッジシールゾーンの透明な第１及び第２の縁部の少なくとも一方は１以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なるように構成されており、エッジシールゾーンの不透明な第３及び第４の縁部は、複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備えており、各光電子デバイスパッケージは１以上の隣接光電子デバイスパッケージと重なっている、アレイ。
複数の光電子デバイスパッケージの各々は単一のピクセルを備える、請求項７記載のアレイ。
複数の光電子デバイスパッケージは連続又は不連続発光領域のいずれかを形成するように構成されている、請求項７記載のアレイ。
アレイ内の各光電子デバイスパッケージのエッジシールゾーンの透明部分の少なくとも一部分は隣接パッケージの電気活性領域に重なっている、請求項７記載のアレイ。
各パッケージのエッジシールゾーンの透明部分のエッジは平行に整列している、請求項７記載のアレイ。
エッジシールゾーンの不透明部分は複数の接点を介して光電子デバイスのアノード及びカソードを外部電源に接続するように構成された導電層を備える、請求項７記載のアレイ。
カソード及びアノードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在している、請求項７記載のアレイ。
アノードは、エッジシールゾーンの透明部分に対して実質的に平行な方向を向いたアノードバスラインとして構成されている、請求項７記載のアレイ。
アノード及びエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層はアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されている、請求項７記載のアレイ。
カソード及びアノードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードとエッジシールゾーンの不透明部分内の導電層の間にアノードをカソードから電気的に絶縁するように構成させた電気絶縁層が配置されている、請求項１５記載のアレイ。
カソードはエッジシールゾーンの不透明部分を通って延在し、導電層は電気活性層上に直接配置され、アノードが、エッジシールゾーンの透明部分内の電気活性領域からある距離だけ離間してこれによりアノードをカソードから電気的に隔絶するように構成されたアノードバスラインとして構成される、請求項１５記載のアレイ。
各光電子デバイスはＯＬＥＤである、請求項７記載のアレイ。
各光電子デバイスは光起電力デバイスである、請求項７記載のアレイ。
連続照明領域を形成するＯＬＥＤ発光アレイであって、ＯＬＥＤ発光アレイが複数のパッケージを備えていて、各パッケージが光電子デバイスを囲繞しているとともに、１以上の列に配置されており、
各パッケージは電気活性領域と透明部分及び不透明部分を画成するエッジシールゾーンとを備えており、不透明部分は複数の端子を介して光電子デバイスを外部電源に接続するように構成された導電層を備えており、
各パッケージのエッジシールゾーンの透明部分は隣接パッケージの電気活性領域と重なっており、
列内の各隣接パッケージの電気活性領域は列内の隣接パッケージのエッジシールゾーンの不透明部分と重なっており、
各パッケージの透明エッジは直線状のアノードバスラインに沿って整列している、ＯＬＥＤ発光アレイ。
ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）製造技術を用いて光電子デバイスパッケージを製造する方法であって、
基材材料のセグメントを位置決めする工程と、
基材材料上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層を堆積する工程と、
基材材料上にクロスウェブ領域を形成する工程と、
複数の電気活性層ストライプを画成するように透明導電性酸化物（ＴＣＯ）上で離間した一連の不連続ストライプの形に電気活性層を堆積する工程であって、少なくとも２つの平行な長手方向エッジ上で電気活性層と基材の周囲の間にギャップを残すことを含む電気活性層の堆積工程と、
複数の電気活性層ストライプの各々の上で複数の連続ストライプの形に金属層を堆積し、これにより複数のカソード層ストライプ及びアノードバスラインを画成する工程と、
複数のアノードバスラインを画成するように透明導電性酸化物（ＴＣＯ）上で複数の連続ストライプの形にアノード層を堆積する工程であって、複数のアノードバスラインとカソード層ストライプの各々の間にギャップを残すことを含むアノード層の堆積工程と、
アノード及びカソード層の最上部の上に透明バリア層を堆積する工程であって、バリア層はカソード層ストライプとアノード層ストライプの各々の一部分を露出するように構成されているバリア層の堆積工程と、
個々の光電子デバイスパッケージを形成させるように切除する工程と
を含む方法。
基材材料上にクロスウェブ領域を形成する工程は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の一部分を選択的に除去する工程を含む、請求項２１記載の方法。
基材材料上にクロスウェブ領域を形成する工程は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の一部分を絶縁層で選択的に覆う工程を含む、請求項２１記載の方法。
ロールツーロール（Ｒ２Ｒ）製造技術を用いて光電子デバイスパッケージを製造する方法であって、
基材材料のセグメントを位置決めする工程と、
基材材料上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層を堆積する工程と、
複数のアノードバスラインを画成するように透明導電性酸化物（ＴＣＯ）上に離間した一連の連続ストライプの形で導電層を堆積する工程であって、少なくとも２つの平行な長手方向エッジ上で導電層と基材の周囲の間にギャップを残す工程を含んだ導電層の堆積工程と、
複数のアノードバスラインの各々の上に離間した一連の連続ストライプの形に絶縁層を堆積する工程と、
電気活性層ストライプを画成するように複数のアノードバスライン同士の間に連続ストライプの形で電気活性層を堆積させる工程と、
カソード層ストライプを画成するように電気活性層ストライプ上に連続ストライプの形で金属カソード層を堆積させる工程と、
電気活性層ストライプの最上部の上に透明バリア層を堆積する工程と、
個々の光電子デバイスパッケージを形成させるように切除する工程と、
を含む方法。
透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の層の堆積工程、導電層の堆積工程、絶縁層の堆積工程、絶縁層の堆積工程、電気活性層の堆積工程、金属カソード層の堆積工程並びに透明バリア層の堆積工程は、連続ストライプ様の幾何学配置により構成されている、請求項２４記載の光電子デバイスパッケージの製造方法。