JP2014529179A - 光電デバイス及びその応用 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、米国国防省−米国空軍科学研究所(AFOSR)、許可番号FA9550-04-1-0161、のサポートを受けて為された。合衆国政府は、本発明の一定の実施権を有する。
本出願は、2011年7月12日出願の米国仮特許出願61/506,855及び2012年1月27日出願の米国仮特許出願61/591,721に基づく35 U.S.C. § 119(e)に規定の優先権を主張し、それらの各々は引用によりその全体が本出願に含まれる。
いくつかの実施態様において、ここに記載されるFIPELは、第一電極、及び第二電極、及び第一電極と第二電極の間に配置された発光性コンポジット層を含む。電気的絶縁性もしくは誘電性層が発光性コンポジット層と第一電極もしくは第二電極の間に位置される。さらに、いくつかの態様において、第一誘電性層が第一電極と発光性コンポジット層の間に位置され、第二誘電性層が第二電極と発光性コンポジット層の間に位置される。いくつかの態様において、第一電極は輻射透過性であり、及び第二電極は輻射非透過性及び/又は反射性である。或いは、いくつかの態様において、第一電極及び第二電極は輻射透過性である。
A. 第一電極
いくつかの実施態様において、第一電極は輻射透過性である。ここで使用される輻射透過性とは、電磁スペクトルの可視光範囲の輻射を少なくとも部分的に通過または伝送する物質の能力を指す。いくつかの実施態様において、輻射透過性物質は、ここに記載される有機コンポジット層から発光された電磁輻射を、最小の吸収もしくはその他の干渉で、通過させることができる。
ここに記載されるFIPELは第二電極も含む。いくつかの実施態様において、第二電極は輻射非透過性及び/又は反射性である。いくつかの実施態様において、第二電極は金属を含む。いくつかの実施態様において、金属は元素的に純粋な金属並びに合金を含む。いくつかの実施態様において、第二電極は、アルミニウム、ニッケル、 銅、金、銀、白金、パラジウムもしくは他の遷移金属、又はこれらの合金を含む。いくつかの実施態様において、第二電極は輻射透過性である。第二電極が輻射透過性である、いくつかの実施態様において、第二電極は、輻射透過性第一電極についてここに記載された任意の輻射透過性の物質を含む。
ここに記載されるFIPELの発光性コンポジット層は、種々の構成を取り得る。いくつかの実施態様において、発光性コンポジット層は発光性コンポジット有機層である。
ここに記載されるように、FIPELアーキテクチャを有する光電デバイスは、電気絶縁性層を発光性コンポジット層と第一電極又は第二電極の間に含む。さらに、いくつかの実施態様において、第一誘電性層が第一電極と発光性コンポジット層の間に位置し、及び、第二誘電性層が第二電極と発光性コンポジット層の間に位置される。発光性コンポジット層はI(C)(i)-(ii)の項に記載された任意の発光性コンポジット層を含むことができる。
他の側面において、ここに記載される光電デバイスは有機発光ダイオード(OLED)アーキテクチャを示す。いくつかの実施態様において、OLEDは第一電極、第二電極、及び該第一電極と第二電極の間に配置された発光性有機コンポジット層を含み、発光性有機コンポジット層は一重項エミッタ相、三重項エミッタ相及びナノ粒子相を含む。いくつかの実施態様において、OLEDの一重項エミッタ相、三重項エミッタ相及び/又はナノ粒子相は、これらについて上記I(C)の項において記載された任意の成分、構成を有することができ、及び、これらについて上記I(C)の項において記載された任意の特性を有することができる。いくつかの実施態様において、例えば、一重項エミッタ相は上記I(C)(i)-(ii)の項に記載された任意の共役ポリマー種を含むことができ、三重項エミッタ相は上記I(C)(i)-(ii)の項に記載された任意の三重項種を含むことができ、ナノ粒子相は上記I(C)(i)-(ii)の項に記載された任意のナノ粒子種を含むことができる。
いくつかの実施態様において、ここに記載されるFIPEL 又はOLEDアーキテクチャを有する光電デバイスは少なくとも約10ルーメン/ワット(LPW)の効率を有する。いくつかの実施態様において、ここに記載されるFIPEL 及び/又はOLEDは少なくとも約50 LPW 又は少なくとも約 100 LPWの効率を有する。ここに記載されるFIPEL 及び/又はOLEDは、いくつかの実施態様において、少なくとも約150 LPW 又は200 LPWの効率を有する。いくつかの実施態様において、ここに記載されるFIPEL 及び/又はOLEDは、約10 LPW〜約200 LPW 又は約 50 LPW 〜約100 LPWの効率を有する。いくつかの実施態様において、ここに記載されるFIPEL 及び/又はOLEDは、約50 LPW 〜約150 LPW又は約100 LPW 〜約150 LPWの効率を有する。いくつかの実施態様において、ここに記載されるFIPEL 及び/又はOLEDは、約100 LPW〜約 200 LPW又は約 150 LPW 〜約 200 LPWの効率を有する。さらに、いくつかの実施態様において、ここに記載されるFIPEL 又はOLEDアーキテクチャを有する光電デバイスは、約10パーセント〜約1000パーセント増大された寿命を有することができる。
他の側面として、ここに光電デバイスの製造方法が記載される。いくつかの実施態様において、光電デバイスの製造方法は、第一電極を提供すること、第二電極を提供すること、及び発光性コンポジット層を第一電極と第二電極の間に配置することを含む。さらに記載するように、発光性コンポジット層は種々の構成を有することができる。いくつかの実施態様において、例えば、発光性コンポジット層は発光性コンポジット層に関する上記I(C)(i)-(ii)の項で述べた任意の構成及び/又は特性を有することができる。
ここに記載されたいくつかの実施態様が、以下の非限定的な実施例によりさらに説明される。
精製された単層カーボンナノチューブ(SWNT)
ここに記載する、光電デバイス用途の制御された長さを有する精製されたSWNTは以下のようにして調製された。
生SWNT(raw SWNT)から金属触媒を以下のようにして除去した。HiPCO-SWNT (高圧 CO 転換 SWNT、100 mg、ライス大学)、硝酸 (70 wt%、200 mL)、脱イオン水 (>18M ohm、400 mL)、 及び界面活性剤 (Triton X-100、0.05 mL) の混合物を 100°Cで 6 時間還流した。該混合物を還流塔及び加熱マントル(Glas-Col、115 V 270 W、Staco Energy Products 製電源、Model 3PN1010B)を備えた丸底フラスコ内で還流した。還流後、脱イオン水(400 mL)を該混合物に添加し、及び該混合物を急いで冷蔵庫へ入れて室温より低い温度へと冷却した。該冷却された混合物を、次いで直径47 mm、孔サイズ0.2μmの PTFE (ポリテトラフロロエチレン) 膜を用いて、真空濾過により濾過した。濾取残渣(以下、「A6-SWNT」)を脱イオン水(1000 mL)で濯いで、フィルタ上にある状態で、70°C で 4時間以上、乾燥した。次いで、A6-SWNTをフィルタから除去してN2下で、100°C で 1 時間乾燥した。
FIPELアーキテクチャの光電デバイス
ここに記載するいくつかの実施態様に従う、FIPELアーキテクチャを有する一連の光電デバイスを以下のようにして作製した。
第一に、ITOガラス基板を、各デバイス用に用意した。該ITOガラス基板は、部分的に150 nm厚みのITO (酸化インジウム錫)でコートされた0.7 mm厚みのソーダライムガラスの正方形基板(25.4 mm x 25.4 mm)からなる。該ITO層は、該ガラス基板の25.4 mm x 15.9 mmの部分を覆っていた。コートされていない、基板の「ガラス」の部分は、表面粗さ<5 nm Raまで研磨された。コートされた、基板の「ITO」部分は、表面粗さ<3 nm Ra まで研磨された。「ITO」部分は、10 ohm/sq未満の抵抗率を有した。ITOガラス基板は、555 nmにおいて95%より大きい光透過性を有した。
FIPELアーキテクチャの光電デバイス
ここに記載されるいくつかの実施態様に従う、FIPELアーキテクチャを有する一連の光電デバイスを以下のようにして作製した。
ITOガラス基板を用意し、及び、実施例2で記載したようにして各デバイスのために洗浄した。次いで、発光性有機コンポジット層をITOガラス基板上にコートした。発光性有機コンポジット層はPS 及び PFO (1:1)のクロロベンゼン溶液 (8 mg/mL)からスプレイコートされた。該溶液は、実施例1の精製されたSWNTも含み、0.01重量%のSWNTを含む発光性有機コンポジット層を与えた。コートされた基板をホットプレート上のペトリ皿に入れて乾燥N2下で、90°C で60 分間、キュアした。
FIPELアーキテクチャの光電デバイス
ここに記載されるいくつかの実施態様に従う、FIPELアーキテクチャを有する一連の光電デバイスを以下のようにして作製した。
ITOガラス基板を用意し、及び、実施例2で記載したようにして各デバイスのために洗浄した。次いで、実施例3において記載したように、発光性有機コンポジット層を各デバイスのITOガラス基板上にコートした。
FIPELアーキテクチャの光電デバイス
ここに記載される一実施態様に従う、FIPELアーキテクチャを有する光電デバイスを以下のようにして作製した。
ITOガラス基板を用意し、及び、実施例2で記載したようにしてデバイスのために洗浄した。次いで、誘電性層を、洗浄されたITOガラス基板上にコートした。該誘電性層は、DMF中の15% PVDF-TrFE溶液から1500 rpmで60秒間スピンコートされた。次いで、誘電性層の上に発光性有機コンポジット層が、PCT/US2011/043690に記載されたPS 及び共役ポリマー[PF-BT-QL] (1:1)のクロロベンゼン溶液(6 mg/mL)を用いて、1500 rpmで60秒間スピンコートされた。該溶液は、実施例1の精製されたSWNTを含み、発光性有機コンポジット層中で0.1重量%のSWNTとなった。得られたアーキテクチャをホットプレート上のペトリ皿に入れて乾燥N2下で、90°C で60 分間、キュアした。次いで、アルミニウムカソード層を実施例2に記載した条件で発光性有機層の上に堆積させて、FIPELデバイスをガラスキャップで封止した。
図7は、得られたFIPELデバイスの、異なる動作電圧及び電場周波数における発光を示す。
FIPELアーキテクチャの光電デバイス
ここに記載される一の実施態様に従う、FIPELアーキテクチャを有する光電デバイスを以下のようにして作製した。
ITOガラス基板を用意し、及び、実施例2で記載したようにしてデバイスのために洗浄した。次いで、誘電性層を、洗浄されたITOガラス基板上にコートした。該誘電性層は、DMF中の15% PVDF-TrFE溶液から1500 rpmで60秒間スピンコートされた。該溶液は、実施例1の精製されたSWNTを含み、堆積された誘電性層中で0.01重量%のSWNTとなった。
図8は、得られたFIPELデバイスの、異なる動作電圧及び電場周波数における発光を示す。
FIPELアーキテクチャの光電デバイス
ここに記載される一の実施態様に従う、FIPELアーキテクチャを有する光電デバイスを以下のようにして作製した。
FIPELアーキテクチャの光電デバイス
ここに記載される一実施態様に従う、FIPELアーキテクチャを有する光電デバイスを以下のようにして作製した。
ITOガラス基板を用意し、及び、実施例2で記載したようにしてデバイスのために洗浄した。次いで、発光性有機コンポジット層を、PCT/US2011/043690に記載されたクロロベンゼン中の共役ポリマー [PF-BT-QL] (6 mg/mL) 溶液を用いて、ITOガラス基板上にスピンコートし、厚み 100-200 nmの層とした。該溶液は、実施例1の精製されたSWNTも含み、堆積された発光性有機コンポジット中の0.07重量%のSWNTとなった。該溶液は堆積された発光性有機コンポジット中の10重量%のIr(ppy)3となる量のIr(ppy)3も含んだ。得られたアーキテクチャをホットプレート上のペトリ皿に入れ、乾燥N2下で、90oCで 60分間、キュアした。
Claims (25)
- 第一電極、
第二電極、
第一電極と第二電極の間に配置された発光性有機コンポジット層であって、発光性有機コンポジット層は一重項エミッタ相と三重項エミッタ相とを含む、発光性有機コンポジット層、及び
発光性有機コンポジット層と第一電極または第二電極の間に配置された第一誘電性層、
を含む光電デバイス。 - 一重項エミッタ相が1以上の共役ポリマーもしくはオリゴマー、小分子、又はこれらの混合物を含む、請求項1の光電デバイス。
- 1以上の共役ポリマーもしくはオリゴマーが、繰り返し単位A、B及びCからなる群より選ばれる少なくとも2つの繰り返し単位を含む共役ポリマーもしくはオリゴマーを含む、請求項2の光電デバイス:
- R3 及び R4が、ピリジル, ピラニル, ピリジニル, ビピリジニル, フェニルピリジニル, チエニル, フラニル, セレノフェニル, フルオレニル, カルバゾイル, ピロリル, キノリニル, イソキノリニル、プリニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル及びこれらのオリゴマーからなる群より互いに独立に選ばれる、請求項3の光電デバイス。
- 1以上の共役ポリマーもしくはオリゴマーが式(V)の構成単位を含む、請求項2の光電デバイス:
- 三重項エミッタ相が燐光性遷移金属錯体を含む、請求項1の光電デバイス。
- 三重項エミッタ相が一重項エミッタ相中に分散されている、請求項10の光電デバイス。
- 発光性有機コンポジット層が一重項エミッタ相及び三重項エミッタ相のための誘電性ホストを含む、請求項1の光電デバイス。
- 誘電性ホストがポリマー状である、請求項12の光電デバイス。
- ポリマー状誘電性ホストがポリスチレン, ポリアクリレート、 ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート及びこれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項13の光電デバイス。
- 有機コンポジット層中に置かれたナノ粒子相をさらに含む、請求項1の光電デバイス。
- ナノ粒子相が炭素ナノ粒子を含む、請求項15の光電デバイス。
- 炭素ナノ粒子が、炭素ナノチューブ、フラーレン、グラフェン又はこれらの混合物を含む、請求項16の光電デバイス。
- 炭素ナノチューブが、単層炭素ナノチューブ、多層炭素ナノチューブ又はこれらの混合物である、請求項17の光電デバイス。
- 炭素ナノチューブが窒素、ホウ素またはこれらの組合せによりドープされている、請求項17の光電デバイス。
- 第一電極が輻射透過性であり、第二電極が金属である、請求項1の光電デバイス。
- 第一誘電性層が、第二電極と発光性有機コンポジット層の間に位置される、請求項20の光電デバイス。
- 輻射透過性の第一電極と発光性有機コンポジット層の間に位置される、第二誘電性層をさらに含む、請求項21の光電デバイス。
- デバイスの発光プロフィールが、一重項エミッタ相からの発光と三重項エミッタ相からの発光を含む、請求項1の光電デバイス。
- 三重項エミッタ相が発光性有機コンポジット層中に、少なくとも約10重量%で存在する、請求項23の発光デバイス。
- 一重項エミッタ相からの発光が三重項エミッタ相からの発光と強度において実質的に等しい、請求項23の発光デバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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