JP2014523600A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014523600A5
JP2014523600A5 JP2014522930A JP2014522930A JP2014523600A5 JP 2014523600 A5 JP2014523600 A5 JP 2014523600A5 JP 2014522930 A JP2014522930 A JP 2014522930A JP 2014522930 A JP2014522930 A JP 2014522930A JP 2014523600 A5 JP2014523600 A5 JP 2014523600A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
register
mode register
dram
mode
inverted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014522930A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014523600A (ja
JP6182528B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102011108172A external-priority patent/DE102011108172B4/de
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2012/047864 external-priority patent/WO2013016291A2/en
Publication of JP2014523600A publication Critical patent/JP2014523600A/ja
Publication of JP2014523600A5 publication Critical patent/JP2014523600A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6182528B2 publication Critical patent/JP6182528B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (8)

  1. メモリシステムであって、
    ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の第1及び第2のセットであって、各DRAMが、少なくとも第1及び第2のアドレス可能モードレジスタを有し、前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが、前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスである、前記DRAMの第1及び第2のセット
    入力と、第1のアドレスラインを介してDRAMの前記第1のセットに結合される出力と、第2のアドレスラインを介してDRAMの前記第2のセットに結合される反転された出力とを有するシステムレジスタであって、前記システムレジスタが、アドレスビット構成ビットを含むモードレジスタセットコマンドを前記入力で受信するように構成され、前記モードレジスタセットコマンドを非反転で前記出力を介して前記DRAMの第1のセットに、及び反転された形式で前記反転された出力を介して前記DRAMの第2のセットに出力するように構成される、前記システムレジスタと、
    前記システムレジスタの前記入力に結合されるように構成されるコントローラであって、各モードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタに送るように構成され、各モードレジスタセットコマンドの後にそのコマンドの反転されたコピーが続く、前記コントローラと、
    を含み、
    前記DRAMが、前記第2のアドレス指定可能なモードレジスタに対する如何なるアクセスも無視するように構成される、メモリシステム。
  2. 請求項1に記載のメモリシステムであって、
    前記DRAMが、前記第2のアドレス指定可能なモードレジスタに対するアクセスを、反転された構成ビットを有する前記第1のアドレス可能モードレジスタに対するアクセスとして扱うように構成される、メモリシステム。
  3. 請求項1に記載のメモリシステムであって、
    各DRAMが、第1のアドレス可能モードレジスタと第2のアドレス指定可能なモードレジスタとの複数の対を含み、対において前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスである、メモリシステム。
  4. 請求項に記載のメモリシステムであって、
    前記第1又は第2のアドレス指定可能なモードレジスタの特定の1つへのアクセスが、前記DRAMによりオペレーションが実行されない(NOP)アクセスと考えられ、前記システムレジスタが、前記モードレジスタの前記特定のつのアドレスを含むモードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタのための構成情報として扱うように構成される、メモリシステム。
  5. 請求項に記載のメモリシステムであって、
    前記構成情報が、クロックイネーブル(CKE)ソフトリセットソフトパワーダウンのうちの1つを含む、メモリシステム。
  6. メモリシステムにおいてアドレス指定可能なモードレジスタにモードレジスタセットコマンドを伝えるための方法であって、前記メモリシステムがシステムレジスタとDRAMの第1及び第2のセットとを有し、各DRAMが第1及び第2のアドレス可能モードレジスタの少なくとも1つの対を有し、対における前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスであり、前記方法が、
    前記システムレジスタによりアドレスビット構成ビットを含むモードレジスタセットコマンドを受け取る工程
    前記システムレジスタから前記モードレジスタセットコマンドを非反転で前記DRAMの第1のセットに送る工程
    前記システムレジスタから前記モードレジスタセットコマンドを反転された形式で前記DRAMの第2のセットに送る工程
    前記システムレジスタにより前記モードレジスタセットコマンドを反転された形式で受け取る工程と、
    前記反転されたモードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタから前記DRAMの第1のセットに送る工程と、
    前記反転されたモードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタから反転された形式で前記DRAMの第2のセットに送る工程と、
    アドレスされる前記第1のモードレジスタにおいて前記モードレジスタセットコマンドに含まれる前記構成ビットをストアする工程と、
    を含む、方法。
  7. 請求項に記載の方法であって、
    そこに含まれるアドレスが第2のモードレジスタのアドレスである場合前記モードレジスタセットコマンドを前記DRAMにおいて反転する工程
    アドレスされ前記第1のモードレジスタにおいて前記レジスタセットコマンドに含まれる、そのために反転された構成ビットをストアする工程
    を更に含む、方法。
  8. メモリシステムにおいてシステムレジスタにレジスタ制御ワードを送るための方法であって、前記メモリシステムが前記システムレジスタとDRAMの第1及び第2のセットとを有し、各DRAMが第1及び第2のアドレス可能モードレジスタの少なくとも1つの対を有し、対における前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスであり、前記方法が、
    前記システムレジスタによりアドレスビット構成ビットを含むモードレジスタセットコマンドを受け取る工程であって、前記アドレスビットがアドレス指定可能なモードレジスタの特定の1つを指定し、前記アドレス指定可能なモードレジスタの前記特定の1つに対するアクセスがDRAMによりNOPアクセスと考えられ、前記構成ビットが前記システムレジスタのためのレジスタ制御ワードアドレス構成データを含む、前記受け取る工程
    前記システムレジスタにおいて前記モードレジスタの前記特定のつのアドレスを検出する工程
    前記レジスタ制御ワードアドレスにおいて前記システムレジスタにおける構成データをストアする工程
    を含む、方法。
JP2014522930A 2011-07-22 2012-07-23 構成コマンドを伝えるためのメモリシステム及び方法 Active JP6182528B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011108172.4 2011-07-22
DE102011108172A DE102011108172B4 (de) 2011-07-22 2011-07-22 Speichersystem und Verfahren zum Übermitteln von Konfigurationsbefehlen
US13/554,897 2012-07-20
US13/554,897 US8635418B2 (en) 2011-07-22 2012-07-20 Memory system and method for passing configuration commands
PCT/US2012/047864 WO2013016291A2 (en) 2011-07-22 2012-07-23 Memory system and method for passing configuration commands

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014523600A JP2014523600A (ja) 2014-09-11
JP2014523600A5 true JP2014523600A5 (ja) 2015-09-03
JP6182528B2 JP6182528B2 (ja) 2017-08-16

Family

ID=47502105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014522930A Active JP6182528B2 (ja) 2011-07-22 2012-07-23 構成コマンドを伝えるためのメモリシステム及び方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8635418B2 (ja)
JP (1) JP6182528B2 (ja)
DE (1) DE102011108172B4 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10310547B2 (en) * 2016-03-05 2019-06-04 Intel Corporation Techniques to mirror a command/address or interpret command/address logic at a memory device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11282591A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Hitachi Ltd メモリ回路
US7102958B2 (en) 2001-07-20 2006-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit memory devices that support selective mode register set commands and related memory modules, memory controllers, and methods
AU2003201113A1 (en) 2002-02-06 2003-09-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Address space, bus system, memory controller and device system
DE10345384B3 (de) * 2003-09-30 2005-03-24 Infineon Technologies Ag Schaltungssystem
US7188208B2 (en) * 2004-09-07 2007-03-06 Intel Corporation Side-by-side inverted memory address and command buses
US7610455B2 (en) 2005-05-11 2009-10-27 Infineon Technologies Ag Technique to read special mode register
US8552891B2 (en) * 2006-05-27 2013-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for parallel data interfacing using combined coding and recording medium therefor
US7925844B2 (en) * 2007-11-29 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Memory register encoding systems and methods
KR100919815B1 (ko) 2008-08-04 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
US8200925B2 (en) 2008-10-31 2012-06-12 Mosaid Technologies Incorporated Data mirroring in serial-connected memory system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102511465B1 (ko) 뱅크 그룹 아키텍처가 있는 메모리 디바이스에서의 뱅크들 프리차징 및 리프레싱
KR102289787B1 (ko) 메모리 데이터에 기초하여 비교 정보를 결정하기 위한 장치, 시스템 및 방법
TWI758247B (zh) 用於長叢發長度之內部連續列存取技術
KR102152281B1 (ko) 불휘발성 메모리의 다수의 파티션을 동시에 액세스하기 위한 장치 및 방법
KR102446098B1 (ko) 메모리 디바이스 내에서 데이터 연산을 수행하기 위한 방법 및 장치
JP2011022998A5 (ja)
US9741425B2 (en) Memory device and memory system including the memory device
US9804793B2 (en) Techniques for a write zero operation
JP2013122810A5 (ja) メモリ装置とセンシング及びラッチ回路
US10169042B2 (en) Memory device that performs internal copy operation
US10991418B2 (en) Semiconductor memory device comprising an interface conforming to JEDEC standard and control device therefor
US20140237177A1 (en) Memory module and memory system having the same
JP2016506009A5 (ja)
US9324408B2 (en) Semiconductor devices and semiconductor systems including the same
TW201633307A (zh) 用於進行連續寫入至動態隨機存取記憶體的排組之設備、方法及系統
JP2010146678A5 (ja)
US10262712B2 (en) Memory device with a control circuit to control data reads
US9424902B2 (en) Memory controller and associated method for generating memory address
JP2014523600A5 (ja)
US10817974B2 (en) Memory device and memory system including the same
US9281033B2 (en) Semiconductor devices and semiconductor systems including the same
US20130111101A1 (en) Semiconductor memory device and operating method thereof
JP7420472B2 (ja) ページサイズ認識スケジューリング方法及び非一時的なコンピュータ読取可能記録媒体
KR20170093053A (ko) 리프레시 정보 생성기를 포함하는 휘발성 메모리 장치 및 전자 장치, 그것의 정보 제공 방법, 그리고 그것의 리프레시 제어 방법
JP5676169B2 (ja) フラッシュromエミュレータおよびデータ制御方法