JP2014523600A5 - - Google Patents
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- メモリシステムであって、
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の第1及び第2のセットであって、各DRAMが、少なくとも第1及び第2のアドレス可能モードレジスタを有し、前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが、前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスである、前記DRAMの第1及び第2のセットと、
入力と、第1のアドレスラインを介してDRAMの前記第1のセットに結合される出力と、第2のアドレスラインを介してDRAMの前記第2のセットに結合される反転された出力とを有するシステムレジスタであって、前記システムレジスタが、アドレスビットと構成ビットとを含むモードレジスタセットコマンドを前記入力で受信するように構成され、前記モードレジスタセットコマンドを非反転で前記出力を介して前記DRAMの第1のセットに、及び反転された形式で前記反転された出力を介して前記DRAMの第2のセットに出力するように構成される、前記システムレジスタと、
前記システムレジスタの前記入力に結合されるように構成されるコントローラであって、各モードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタに送るように構成され、各モードレジスタセットコマンドの後にそのコマンドの反転されたコピーが続く、前記コントローラと、
を含み、
前記DRAMが、前記第2のアドレス指定可能なモードレジスタに対する如何なるアクセスも無視するように構成される、メモリシステム。 - 請求項1に記載のメモリシステムであって、
前記DRAMが、前記第2のアドレス指定可能なモードレジスタに対するアクセスを、反転された構成ビットを有する前記第1のアドレス可能モードレジスタに対するアクセスとして扱うように構成される、メモリシステム。 - 請求項1に記載のメモリシステムであって、
各DRAMが、第1のアドレス可能モードレジスタと第2のアドレス指定可能なモードレジスタとの複数の対を含み、対において前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスである、メモリシステム。 - 請求項3に記載のメモリシステムであって、
前記第1又は第2のアドレス指定可能なモードレジスタの特定の1つへのアクセスが、前記DRAMによりオペレーションが実行されない(NOP)アクセスと考えられ、前記システムレジスタが、前記モードレジスタの前記特定の1つのアドレスを含むモードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタのための構成情報として扱うように構成される、メモリシステム。 - 請求項4に記載のメモリシステムであって、
前記構成情報が、クロックイネーブル(CKE)とソフトリセットとソフトパワーダウンとのうちの1つを含む、メモリシステム。 - メモリシステムにおいてアドレス指定可能なモードレジスタにモードレジスタセットコマンドを伝えるための方法であって、前記メモリシステムがシステムレジスタとDRAMの第1及び第2のセットとを有し、各DRAMが第1及び第2のアドレス可能モードレジスタの少なくとも1つの対を有し、対における前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスであり、前記方法が、
前記システムレジスタによりアドレスビットと構成ビットとを含むモードレジスタセットコマンドを受け取る工程と、
前記システムレジスタから前記モードレジスタセットコマンドを非反転で前記DRAMの第1のセットに送る工程と、
前記システムレジスタから前記モードレジスタセットコマンドを反転された形式で前記DRAMの第2のセットに送る工程と、
前記システムレジスタにより前記モードレジスタセットコマンドを反転された形式で受け取る工程と、
前記反転されたモードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタから前記DRAMの第1のセットに送る工程と、
前記反転されたモードレジスタセットコマンドを前記システムレジスタから反転された形式で前記DRAMの第2のセットに送る工程と、
アドレスされる前記第1のモードレジスタにおいて前記モードレジスタセットコマンドに含まれる前記構成ビットをストアする工程と、
を含む、方法。 - 請求項6に記載の方法であって、
そこに含まれるアドレスが第2のモードレジスタのアドレスである場合に前記モードレジスタセットコマンドを前記DRAMにおいて反転する工程と、
アドレスされる前記第1のモードレジスタにおいて前記レジスタセットコマンドに含まれる、そのために反転された構成ビットをストアする工程と、
を更に含む、方法。 - メモリシステムにおいてシステムレジスタにレジスタ制御ワードを送るための方法であって、前記メモリシステムが前記システムレジスタとDRAMの第1及び第2のセットとを有し、各DRAMが第1及び第2のアドレス可能モードレジスタの少なくとも1つの対を有し、対における前記第2のモードレジスタのバイナリアドレスが前記第1のモードレジスタの反転されたバイナリアドレスであり、前記方法が、
前記システムレジスタによりアドレスビットと構成ビットとを含むモードレジスタセットコマンドを受け取る工程であって、前記アドレスビットがアドレス指定可能なモードレジスタの特定の1つを指定し、前記アドレス指定可能なモードレジスタの前記特定の1つに対するアクセスがDRAMによりNOPアクセスと考えられ、前記構成ビットが前記システムレジスタのためのレジスタ制御ワードアドレスと構成データとを含む、前記受け取る工程と、
前記システムレジスタにおいて前記モードレジスタの前記特定の1つのアドレスを検出する工程と、
前記レジスタ制御ワードアドレスにおいて前記システムレジスタにおける構成データをストアする工程と、
を含む、方法。
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