JP2014521192A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. バックグラウンド低減システムであって、
   荷電粒子ビームを生成するように構成された荷電粒子源と、
   荷電粒子をそれらの入射角に従って選択的に透過するように構成された１つ又は複数の開口を含むルーバ付き構造体と、
   前記ルーバ付き構造体によって選択的に透過された荷電粒子を受けるように構成された荷電粒子検出器と、
   を備えるシステム。
2. 前記入射角が約１０度〜約５０度である、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
3. 前記荷電粒子ビームが目標基板上に誘導される、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
4. 前記ルーバ付き構造体が、前記目標基板から放出された二次荷電粒子を選択的に透過するように構成される、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
5. 前記ルーバ付き構造体が粒子吸収組成物を含む、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
6. 前記粒子吸収組成物がベースルーバ付き基板の粒子吸収コーティングである、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
7. 前記ルーバ付き構造体が、第１の受光角を有する１つ又は複数の開口を含む第１の部分と、前記第１の受光角とは異なる第２の受光角を有する１つ又は複数の開口を含む第２の部分とを含む、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
8. 前記荷電粒子検出器が位置敏感型荷電粒子検出器である、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
9. 前記ルーバ付き構造体の１つ又は複数の開口が実質的に直線形の形状である、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
10. 前記ルーバ付き構造体の１つ又は複数の開口が少なくとも部分的に弓形の形状である、請求項１に記載のバックグラウンド低減システム。
11. バックグラウンドを低減する方法であって、
    荷電粒子ビームを生成すること、
    １つ又は複数の荷電粒子を前記１つ又は複数の荷電粒子の入射角に従って選択的に透過すること、及び
    １つ又は複数の選択的に透過された荷電粒子を検出すること、
    を含む、方法。
12. 前記荷電粒子ビームによって生成された１つ又は複数の荷電粒子を前記１つ又は複数の荷電粒子の入射角に従って選択的に透過することが、前記荷電粒子ビームによって生成された前記荷電粒子の経路内にルーバ付き構造体を配置することを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記ルーバ付き構造体が、荷電粒子をそれらの入射角に従って選択的に透過するように構成された１つ又は複数の開口を含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記入射角が約１０度〜約５０度である、請求項１３に記載の方法。
15. 前記荷電粒子ビームを目標基板上に誘導することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
16. 前記荷電粒子ビームによって生成された１つ又は複数の荷電粒子を前記１つ又は複数の荷電粒子の入射角に従って選択的に透過することが、前記目標基板から放出された二次荷電粒子を前記１つ又は複数の荷電粒子の入射角に従って選択的に透過することを含む、請求項１５に記載の方法。
17. バックグラウンドを低減するためのシステムであって、
    荷電粒子ビームを生成するための手段と、
    １つ又は複数の荷電粒子を前記１つ又は複数の荷電粒子の入射角に従って選択的に透過するための手段と、
    １つ又は複数の選択的に透過された荷電粒子を検出するための手段と、
    を備えるシステム。
18. 前記１つ又は複数の荷電粒子を前記１つ又は複数の荷電粒子の入射角に従って選択的に透過するための手段がルーバ付き構造体を含む、請求項１７に記載のシステム。
19. 前記ルーバ付き構造体が、荷電粒子をそれらの入射角に従って選択的に透過するように構成された１つ又は複数の開口を含む、請求項１８に記載のシステム。
20. 前記入射角が約１０度〜約５０度である、請求項１９に記載のシステム。