JP2014519724A - 荷電粒子マルチ小ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
Description
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
前記複数の貫通開口のアレイの各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、
この方法は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、各貫通開口に対して個々の調節制御を与える工程を具備する。
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている荷電粒子マルチ小ビーム装置を提供する。
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
前記複数の貫通開口のアレイの各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイスを提供する。
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている。
荷電粒子光学カラムの1以上のデバイスのミスアライメントを補正するために、荷電粒子光学カラムの光軸にほぼ垂直な平面に偏向を与えて、
ビーム120全体、全てのサブビーム121又は全ての小ビーム122を、コリメータレンズ102のような、回折する巨視的なレンズ(通常は磁気レンズ)によって引き起こされうる非点収差に対して補正を与えるように、
コリメータレンズ102の後ろに配置されることができる。
Claims (42)
- 荷電粒子マルチ小ビーム装置における1以上の荷電粒子小ビームの軌道を誘導するか制御するかの少なくとも一方の方法であって、
前記装置は、前記荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの1以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備し、前記マニピュレータデバイスは、
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
前記複数の貫通開口のアレイの各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、
この方法は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、各貫通開口に対して個々の調節制御を与える工程を具備する、方法。 - 前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、前記荷電粒子小ビームの少なくとも1つの特性を決定するためのセンサを有し、前記センサは、前記電子制御回路に接続され、
この方法は、前記電子制御回路に前記センサによって供給されるフィードバック信号に基づいて、各貫通開口に対して個々の調節制御を与える工程を含む、請求項1の方法。 - 前記マニピュレータデバイスは、複数の静電レンズのアレイを有し、
前記複数の静電レンズの各々は、前記複数の貫通開口のアレイの1つの貫通開口を有し、
前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された1つの電極を有し、
前記電子制御回路は、前記複数の静電レンズのアレイの1つのレンズの個々の貫通開口の前記1つの電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記複数の静電レンズの各々の強度を個々に調節するように構成されている請求項1又は2の方法。 - 前記マニピュレータデバイスは、複数の静電デフレクタのアレイを有し、
前記複数の静電デフレクタの各々は、前記複数の貫通開口のアレイの1つの貫通開口を有し、
前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された2以上の電極を有し、
前記電子制御回路は、前記複数の静電デフレクタのアレイの1つのデフレクタの個々の貫通開口の前記2以上の電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記デフレクタによって誘導された荷電粒子小ビームの偏向量を個々に調節するように構成されている請求項1又は2の方法。 - 前記マニピュレータデバイスは、複数の静電非点収差補正器のアレイを有し、
前記複数の静電非点収差補正器の各々は、前記複数の貫通開口のアレイの1つの貫通開口を有し、
前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された8つの電極を有し、
前記電子制御回路は、前記複数の静電非点収差補正器のアレイの1つの非点収差補正器の個々の貫通開口の前記8つの電極に、少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給することによって、前記非点収差補正器によって誘導された荷電粒子小ビームの非点収差の補正量を個々に調節するように構成されている請求項1又は2の方法。 - 前記荷電粒子マルチ小ビーム装置は、
荷電粒子源を使用して、拡大する荷電粒子ビームを発生させ、
コリメータを使用して前記荷電粒子ビームをコリメートし、
アパーチャアレイを使用して多数の小ビームを生成し、
小ビームブランカアレイを使用してこれら小ビームをブランキングするために、所定時間、これら小ビームの1つのグループで個々の小ビームを偏向し、
ビーム停止アレイを使用して、偏向された個々の小ビームを停止し、
投影レンズ系を使用して、停止されていない小ビームをターゲット上に投影するための光学カラムを有する請求項1ないし5のいずれか1の方法。 - 前記マニピュレータデバイスは、荷電粒子光学カラムの1以上の前記デバイスのミスアライメントを補正するために、前記1以上の荷電粒子小ビームの1以上を前記荷電粒子光学カラムの光軸にほぼ垂直な平面に偏向させることと、非点収差に対して前記1以上の荷電粒子小ビームの1以上を補正することとの少なくとも一方のために、前記コリメータの後ろに配置されている請求項6の方法。
- 前記マニピュレータデバイスは、前記投影レンズ系における前記1以上の荷電粒子小ビームの1以上の偏向と、集束又は集束外しの少なくとも一方を与えるように、前記投影レンズ系の一部として設けられている請求項6又は7の方法。
- 荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの1以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備する荷電粒子マルチ小ビーム装置であって、前記マニピュレータデバイスは、
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている荷電粒子マルチ小ビーム装置。 - 前記電圧は、前記マニピュレータの各電極に対して個々に調節可能である請求項9の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスは、前記複数の小ビームの個々の小ビームの集束、偏向又は非点収差合わせのために配置されている請求項9又は10の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスの前記平面基板は、ウェーハであり、
前記電子制御回路は、前記平面基板上に集積回路を有する請求項9、10又は11の荷電粒子マルチ小ビーム装置。 - 前記電子回路は、少なくとも部分的に、前記マニピュレータデバイス上に、2つの貫通開口の中間に配置されている請求項9ないし12のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記電子制御回路は、前記マニピュレータデバイス上に、2つの貫通開口の間又は2つのグループの貫通開口の間の非ビーム領域に配置されている請求項13の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記電子制御回路は、1以上の貫通開口の前記1以上の電極に制御データを格納するためのメモリを有し、前記メモリは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、前記貫通開口に隣接して配置されている請求項9ないし14のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記メモリは、個々の貫通開口の前記1以上の電極に制御データを格納するように構成され、前記メモリは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、前記個々の貫通開口に隣接して配置されている請求項15の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記メモリは、2つの貫通開口の中間に配置されている請求項15又は16の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスの前記1以上の電極は、前記平面基板上に蒸着された金属を含む請求項9ないし17のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記金属はモリブデンである請求項18の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスの1つの貫通開口の前記1以上の電極は、前記貫通開口の内側に面している壁に少なくとも部分的に接して配置されている請求項18又は19の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記1以上の電極は、前記貫通開口の中心線にほぼ平行な方向に、前記貫通開口に延びている請求項20の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスの各貫通開口の前記1以上の電極は、接地電極で少なくとも実質的に囲まれている請求項9ないし21のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記接地電極は、前記平面基板に蒸着された金属を含む請求項22の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記金属はモリブデンである請求項23の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記平面基板から離れて面している、前記マニピュレータデバイスの前記1以上の電極の表面は、前記平面基板と、前記平面基板から離れて面している前記接地電極の表面との間の高さに配置されている請求項22、23又は24の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上の前記接地電極の厚さは、前記平面基板上の前記1以上の電極の厚さよりも厚い請求項25の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記電子制御回路は、前記電子制御回路を前記マニピュレータデバイスの前記1以上の電極に接続するための接続リードを有し、前記接続リードの少なくとも1つは、2つの接地導電層間に少なくとも部分的に配置されている請求項9ないし26のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記接続リードの少なくとも1つは、2つの接地リード間に少なくとも部分的に配置されている請求項27の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記電子制御回路は、マルチプレクサの信号から、1以上の個々の貫通開口に対する制御データを抽出するためのデマルチプレクサを有し、前記デマルチプレクサは、前記マニピュレータの前記平面基板上に、前記貫通開口に隣接して配置されている請求項9ないし28のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記デマルチプレクサは、個々の貫通開口の前記1以上の電極に対する制御データを抽出するように構成され、前記デマルチプレクサは、前記マニピュレータデバイスの前記平面基板上に、個々の前記貫通開口に隣接して配置されている請求項29の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記デマルチプレクサは、隣接している貫通開口の中間に配置されている請求項29又は30の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスへの接続リードの数は、前記電極の数よりも実質的に少ない請求項9ないし31のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスの1つの貫通開口への接続リードの数は、前記貫通開口の電極の数よりも少ない請求項9ないし32のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記複数の荷電粒子小ビームの少なくとも1つの特性を決定するためのセンサをさらに具備し、前記センサは、フィードバック信号を供給するように前記電子制御回路に接続されている請求項9ないし33のいずれか1の荷電粒子マルチビーム装置。
- 前記マニピュレータデバイスは、第1の平面基板を有する第1のマニピュレータデバイスであり、前記第1の平面基板は、前記第1の平面基板の平面に複数の貫通開口の第1のアレイを有し、
前記荷電粒子マルチビーム装置は、第2の平面基板を有する第2のマニピュレータデバイスを備え、前記第2の平面基板は、前記第2の平面基板の平面に複数の貫通開口の第2のアレイを有し、前記複数の貫通開口の各々は、対応する貫通開口のまわりに配置された1以上の電極を有し、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
前記第2の平面基板は、前記第1の平面基板から距離をあけて、前記第1の平面基板とほぼ平行に配置され、前記複数の貫通開口の第2のアレイの各貫通開口が、前記複数の貫通開口の第1のアレイの1つの貫通開口と少なくとも実質的に整列されている請求項9ないし34のいずれか1の荷電粒子マルチ小ビーム装置。 - 前記貫通開口は、半径rを有し、
前記第1の平面基板と前記第2の平面基板との間の距離dは、前記半径rに等しいか前記半径r未満である請求項35の荷電粒子マルチ小ビーム装置。 - 前記第1及び第2のマニピュレータデバイスの前記1以上の電極は、それぞれ、前記第1及び第2の基板上に配置され、前記第1の基板上の前記1以上の電極と前記第2の基板上の前記1以上の電極とは、互いに面している請求項35又は36の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 前記第2のマニピュレータデバイスは、少なくとも、前記第1及びのマニピュレータデバイスと前記第2のマニピュレータデバイスとの間の中心平面に対して、前記第1のマニピュレータデバイスに少なくとも実質的に対称的な鏡である請求項35、36又は37の荷電粒子マルチ小ビーム装置。
- 荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイスにおける複数の荷電粒子小ビームの1以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスを具備する荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイスであって、前記マニピュレータデバイスは、
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
前記複数の貫通開口のアレイの各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されている荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイス。 - 請求項9ないし38のいずれか1に記載される1以上の手段をさらに具備する請求項39の荷電粒子マルチ小ビームマスクレスリソグラフィデバイス。
- 荷電粒子マルチ小ビーム装置における複数の荷電粒子小ビームの1以上の荷電粒子ビームの操作用のマニピュレータデバイスであって、このマニピュレータデバイスは、
平面基板を有し、前記平面基板は、この基板の平面に複数の貫通開口のアレイを有し、これら貫通開口の各々は、少なくとも1つの荷電粒子小ビームが通過するように配置され、前記複数の貫通開口の各々には、前記貫通開口のまわりに配置された1以上の電極が設けられ、前記1以上の電極は、前記基板に配置され、
各貫通開口の前記1以上の電極に制御信号を供給するための電子制御回路を有し、前記電子制御回路は、個々の貫通開口の前記1以上の電極に少なくとも実質的にアナログ調節可能な電圧を供給するように構成されているマニピュレータデバイス。 - 請求項9ないし38のいずれか1に記載される1以上の手段をさらに具備する請求項41のマニピュレータデバイス。
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