TW202217905A - 帶電粒子評估工具及檢測方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含：複數個控制透鏡、複數個物鏡及一控制器。該複數個控制透鏡經組態以控制一各別子射束之一參數。該複數個物鏡經組態以將複數個帶電粒子束中之一者投射至一樣本上。該控制器控制該等控制透鏡及該等物鏡使得該等帶電粒子以一所要著陸能量、縮小率及/或射束開度角入射於該樣本上。

Description

帶電粒子評估工具及檢測方法
本文中所提供之實施例大體上係關於帶電粒子評估工具及檢測方法，且特定言之係關於使用帶電粒子之多個子射束之帶電粒子評估工具及檢測方法。
當製造半導體積體電路(IC)晶片時，由於例如光學效應及偶然粒子所導致的非所需圖案缺陷在製作程序期間不可避免地出現在基板(亦即，晶圓)或遮罩上，藉此降低了良率。因此，監測非所需圖案缺陷之程度為製造IC晶片之重要程序。更一般而言，基板或其他物件/材料之表面的檢測及/或量測為在其製造期間及/或之後的重要程序。
運用帶電粒子束之圖案檢測工具已用以檢測物件，例如以偵測圖案缺陷。此等工具通常使用電子顯微法技術，諸如掃描電子顯微鏡(SEM)。在SEM中，運用最終減速步驟定向在相對較高能量下之電子的初級電子束以便以相對較低的著陸能量著陸於樣本上。電子束經聚焦作為樣本上之探測光點。探測光點處之材料結構與來自電子束之著陸電子之間的相互作用使得待自表面發射電子，諸如次級電子、反向散射電子或歐傑(Auger)電子。可自樣本之材料結構發射所產生之次級電子。藉由使初級電子束作為探測光點遍及樣本表面進行掃描，可橫越樣本之表面發射次級電子。藉由收集自樣本表面之此等發射之次級電子，圖案檢測工具可獲得表示樣本之表面之材料結構的特性之影像。
通常需要改良帶電粒子評估工具之產出量及其他特性。特定言之，需要能夠以合宜的方式控制入射於樣本上之電子之著陸能量。
本發明之目標為提供支援帶電粒子評估工具之產出量或其他特性之改良的實施例。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含： 複數個控制透鏡，其各自經組態以控制一各別子射束之一參數； 複數個物鏡，其各自經組態以將複數個帶電粒子束中之一者投射至一樣本上；及 一控制器，其經組態以控制該等控制透鏡及該等物鏡使得該等帶電粒子以一所要著陸能量、縮小率及/或射束開度角入射於該樣本上。
根據本發明之一第二態樣，提供一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含： 一控制透鏡陣列，其包含複數個控制電極且經組態以控制一各別子射束之一參數； 一物鏡陣列，其包含複數個接物鏡電極且經組態以將該複數個帶電粒子束引導至一樣本上；及 一電位源系統，其經組態以將相對電位施加至該等控制電極及接物鏡電極，使得該等帶電粒子以一所要著陸能量、縮小率及/或射束開度角入射於該樣本上。
根據本發明之一第三態樣，提供一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含： 一物鏡陣列，其包含經組態以將各別子射束聚焦至一樣本表面上之物鏡；及 一控制透鏡陣列，其包含經組態以在該物鏡陣列之操作之前控制各別子射束在該樣本表面上之一著陸能量及/或最佳化各別子射束之一開度角及/或放大率之控制透鏡。
根據本發明之一第四態樣，提供一種用於一檢測工具之多射束電子光學系統，該系統包含： 一物鏡陣列，其經組態以將複數個準直子射束聚焦於一樣本上； 一控制透鏡陣列，其在該物鏡陣列的逆流方向，該控制透鏡陣列經組態以控制每一子射束之射束能量， 其中該系統經組態以調整該等子射束在該樣本上之著陸能量。
根據本發明之一第五態樣，提供一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含一物鏡陣列總成，該物鏡陣列總成包含複數個孔徑陣列，該物鏡陣列總成經組態以： a)將複數個子射束聚焦於一樣本上；及 b)控制該等子射束之另一參數，該參數為以下各者中之至少一者：該等子射束在該樣本表面上之著陸能量、各別子射束之開度角及/或各別子射束之放大率。
根據本發明之一第四態樣，提供一種檢測方法，其包含： 使用複數個控制透鏡以控制複數個帶電粒子子射束中之一各別子射束之一參數； 使用複數個物鏡以將該複數個帶電粒子束投射至一樣本上；及 控制該等控制透鏡及該等物鏡使得該等帶電粒子以一所要著陸能量、縮小率及/或射束開度角入射於該樣本上。
根據本發明之一第四態樣，提供一種可替換模組，其經組態以在一帶電粒子檢測工具之一電子光學柱中可替換，該模組包含一物鏡陣列，該物鏡陣列包含經組態以控制一多射束之縮小率及/或著陸能量之複數個控制透鏡。
現在將詳細參考例示性實施例，在隨附圖式中說明該等例示性實施例之實例。以下描述參考隨附圖式，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同編號表示相同或相似元件。例示性實施例之以下描述中所闡述之實施並不表示符合本發明之所有實施。取而代之，其僅僅為符合關於所附申請專利範圍中所敍述之本發明的態樣之裝置及方法之實例。
可藉由顯著增加IC晶片上之電路組件(諸如電晶體、電容器、二極體等)之填集密度來實現電子器件之增強之計算能力，此減小器件之實體大小。此已藉由提高之解析度來實現，從而使得能夠製作更小的結構。舉例而言，智慧型手機中之IC晶片(其為拇指甲大小且在2019年或早於2019年可用)可包括超過20億個電晶體，每一電晶體之大小小於人類毛髮之1/1000。因此，半導體IC製造係具有數百個個別步驟之複雜且耗時程序並不出人意料。甚至一個步驟中之錯誤亦有可能顯著影響最終產品之功能。甚至一個「致命缺陷」亦可造成器件故障。製造程序之目標為改良程序之總體良率。舉例而言，為獲得50步驟程序(其中步驟可指示形成於晶圓上之層的數目)之75%良率，每一個別步驟必須具有大於99.4%之良率。若每一個別步驟具有為95%之良率，則總程序良率將低至7%。
雖然在IC晶片製造設施中高程序良率係合乎需要的，但維持高基板(亦即晶圓)產出量(被定義為每小時處理基板之數目)亦係必需的。高程序良率及高基板產出量可受到缺陷之存在影響。若需要操作員干預來檢閱缺陷，則此尤其成立。因此，藉由檢測工具(諸如掃描電子顯微鏡(「SEM」))進行高產出量偵測及微米及奈米尺度缺陷之識別對於維持高良率及低成本係至關重要的。
SEM包含掃描器件及偵測器裝置。掃描器件包含：照明裝置，其包含用於產生初級電子之電子源；及投影裝置，其用於運用一或多個聚焦的初級電子束來掃描樣本，諸如基板。至少照明裝置或照明系統及投影裝置或投影系統可統稱為電子光學系統或裝置。初級電子與樣本相互作用，且產生次級電子。偵測裝置在掃描樣本時捕捉來自樣本之次級電子，使得SEM可產生樣本之經掃描區域的影像。為了進行高產出量檢測，檢測裝置中之一些使用多個聚焦之初級電子束，亦即多射束。多射束之組成射束可被稱作子射束或細射束。多射束可同時掃描樣本之不同部分。多射束檢測裝置因此可以比單射束檢測裝置高得多的速度檢測樣本。
下文描述已知多射束檢測裝置之實施。
圖係示意性的。因此出於清楚起見，圖式中之組件的相對尺寸被誇示。在以下圖式描述內，相同或類似參考數字係指相同或類似組件或實體，且僅描述關於個別實施例之差異。雖然本說明書及圖式係針對電子光學裝置，但應瞭解，實施例並不用以將本發明限制為特定帶電粒子。因此，更一般而言，貫穿本發明文獻對電子之參考可被認為對帶電粒子之參考，其中帶電粒子未必為電子。
現在參看 圖 1，其為說明例示性帶電粒子束檢測裝置100之示意圖。 圖 1之帶電粒子束檢測裝置100包括主腔室10、裝載鎖定腔室20、電子束工具40、設備前端模組(EFEM) 30及控制器50。電子束工具40位於主腔室10內。
EFEM 30包括第一裝載埠30a及第二裝載埠30b。EFEM 30可包括額外裝載埠。第一裝載埠30a及第二裝載埠30b可例如收納含有待檢測之基板(例如，半導體基板或由其他材料製成之基板)或樣本的基板前開式單元匣(FOUP) (基板、晶圓及樣本在下文中被集體地稱作「樣本」)。EFEM 30中之一或多個機器人臂(圖中未繪示)將樣本輸送至裝載鎖定腔室20。
裝載鎖定腔室20用以移除樣本周圍之氣體。此產生真空，亦即局部氣體壓力低於周圍環境中之壓力。可將裝載鎖定腔室20連接至裝載鎖定真空泵系統(圖中未繪示)，該裝載鎖定真空泵系統移除裝載鎖定腔室20中之氣體粒子。裝載鎖定真空泵系統之操作使得裝載鎖定腔室能夠達到低於大氣壓力之第一壓力。在達到第一壓力之後，一或多個機器人臂(圖中未繪示)將樣本自裝載鎖定腔室20輸送至主腔室10。將主腔室10連接至主腔室真空泵系統(圖中未繪示)。主腔室真空泵系統移除主腔室10中之氣體粒子，使得樣本周圍之壓力達到低於第一壓力之第二壓力。在達到第二壓力之後，將樣本輸送至藉以可檢測樣本之電子束工具。電子束工具40可包含多射束電子光學裝置。
將控制器50以電子方式連接至電子束工具40。控制器50可為經組態以控制帶電粒子束檢測裝置100之處理器(諸如電腦)。控制器50亦可包括經組態以實行各種信號及影像處理功能之處理電路系統。雖然控制器50在 圖 1中被展示為在包括主腔室10、裝載鎖定腔室20及EFEM 30之結構之外部，但應瞭解，控制器50可為該結構之部分。控制器50可位於帶電粒子束檢測裝置之組成元件中之一者中或其可分佈於組成元件中之至少兩者上方。雖然本發明提供容納電子束檢測工具之主腔室10的實例，但應注意，本發明之態樣在其最廣泛意義上而言不限於容納電子束檢測工具之腔室。實情為，應瞭解，亦可將前述原理應用於在第二壓力下操作之裝置的其他工具及其他配置。
現在參看 圖 2，其為說明例示性電子束工具40之示意圖，該例示性電子束工具包括作為 圖 1之例示性帶電粒子束檢測裝置100之部分的多射束檢測工具。多射束電子束工具40 (在本文中亦被稱作裝置40)包含電子源201、投影裝置230、機動載物台209及樣本固持器207。電子源201及投影裝置230可一起被稱作照明裝置。樣本固持器207由機動載物台209支撐，以便固持用於檢測之樣本208 (例如，基板或遮罩)。多射束電子束工具40進一步包含電子偵測器件240。
電子源201可包含陰極(圖中未繪示)及提取器或陽極(圖中未繪示)。在操作期間，電子源201經組態以自陰極發射電子作為初級電子。藉由提取器及/或陽極提取或加速初級電子以形成初級電子束202。
投影裝置230經組態以將初級電子束202轉換成複數個子射束211、212、213且將每一子射束引導至樣本208上。儘管為簡單起見說明三個子射束，但可能存在數十、數百或數千個子射束。該等子射束可被稱作細射束。
控制器50可連接至 圖 1之帶電粒子束檢測裝置100的各種部分，諸如電子源201、電子偵測器件240、投影裝置230及機動載物台209。控制器50可執行各種影像及信號處理功能。控制器50亦可產生各種控制信號以管控帶電粒子束檢測裝置(包括帶電粒子多射束裝置)之操作。
投影裝置230可經組態以將子射束211、212及213聚焦至用於檢測之樣本208上且可在樣本208之表面上形成三個探測光點221、222及223。投影裝置230可經組態以使初級子射束211、212及213偏轉，以使探測光點221、222及223橫越樣本208之表面之區段中的個別掃描區域進行掃描。回應於初級子射束211、212及213入射於樣本208上之探測光點221、222及223上，自樣本208產生電子，該等電子包括次級電子及反向散射電子。次級電子通常具有≤ 50 eV之電子能量且反向散射電子通常具有50 eV與初級子射束211、212及213之著陸能量之間的電子能量。
電子偵測器件240經組態以偵測次級電子及/或反向散射電子且產生對應信號，該等對應信號被發送至控制器50或信號處理系統(圖中未繪示)例如以建構樣本208之對應經掃描區域的影像。電子偵測器件可併入至投影裝置中或可與該投影裝置分離，其中次級光學柱經提供以將次級電子及/或反向散射電子引導至電子偵測器件。
控制器50可包含影像處理系統，該影像處理系統包括影像獲取器(圖中未繪示)及儲存器件(圖中未繪示)。舉例而言，控制器可包含處理器、電腦、伺服器、大型電腦主機、終端機、個人電腦、任何種類之行動計算器件及其類似者，或其組合。影像獲取器可包含控制器之處理功能的至少部分。因此，影像獲取器可包含至少一或多個處理器。影像獲取器可以通信方式耦合至裝置40之電子偵測器件240從而准許信號通信，諸如電導體、光纖纜線、攜帶型儲存媒體、IR、藍牙、網際網路、無線網路、無線電以及其他，或其組合。影像獲取器可自電子偵測器件240接收信號，可處理該信號中所包含之資料且可根據該資料建構影像。影像獲取器可因此獲取樣本208之影像。影像獲取器亦可執行各種後處理功能，諸如產生輪廓、疊加指示符於所獲取影像上，及其類似者。影像獲取器可經組態以執行所獲取影像之亮度及對比度等的調整。儲存器可為諸如以下各者之儲存媒體：硬碟、隨身碟、雲端儲存器、隨機存取記憶體(RAM)、其他類型之電腦可讀記憶體及其類似者。儲存器可與影像獲取器耦接，且可用於保存經掃描原始影像資料作為原始影像，及後處理影像。
影像獲取器可基於自電子偵測器件240接收之成像信號獲取樣本之一或多個影像。成像信號可對應於用於進行帶電粒子成像之掃描操作。所獲取影像可為包含複數個成像區域之單個影像。可將該單個影像儲存於儲存器中。單個影像可為可劃分成複數個區之原始影像。該等區中之每一者可包含含有樣本208之特徵的一個成像區域。所獲取影像可包含遍及一時段取樣多次的樣本208之單一成像區域的多個影像。可將該多個影像儲存於儲存器中。控制器50可經組態以運用樣本208之同一位置之多個影像來執行影像處理步驟。
控制器50可包括量測電路系統(例如，類比至數位轉換器)以獲得偵測到之次級電子的分佈。在偵測時間窗期間收集之電子分佈資料可與入射於樣本表面上之初級子射束211、212及213中之每一者之對應掃描路徑資料結合，以重建構受檢測樣本結構的影像。經重建構影像可用以顯露樣本208之內部或外部結構的各種特徵。經重建構影像可藉此用以顯露可存在於樣本中之任何缺陷。
控制器50可控制機動載物台209以在樣本208之檢測期間移動樣本208。控制器50可使得機動載物台209能夠至少在樣本檢測期間例如以恆定速度在一方向上(較佳連續地)移動樣本208。控制器50可控制機動載物台209之移動，使得該控制器取決於各種參數而改變樣本208之移動速度。舉例而言，控制器可取決於掃描程序之檢測步驟之特性而控制載物台速度(包括其方向)。
圖 3為評估工具(例如評估工具之電子光學柱40)的示意圖。電子光學柱40可包含源201。電子光學柱40為電子光學架構之實例，該電子光學架構可包含諸如上部射束限制器252、準直器元件陣列271、控制透鏡陣列250、掃描偏轉器陣列260、物鏡陣列241、射束塑形限制器242及偵測器陣列240之特徵；所存在之此等元件中之一或多者可藉由諸如陶瓷間隔物之隔離元件連接至一或多個鄰近元件。偵測器陣列可包含與多射束之各別子射束相關聯的偵測器元件。
電子源201將電子導向形成投影系統230之部分的聚光透鏡陣列231。電子源理想地為具有亮度與總發射電流之間的良好折衷的高亮度熱場發射器。可能存在數十、數百或數千個聚光透鏡231。陣列231之聚光透鏡可包含多電極透鏡且具有基於EP1602121A1之構造，其文獻特此以引用方式尤其併入至用以將電子束分裂成複數個子射束之透鏡陣列的揭示內容，其中該陣列針對每一子射束提供一透鏡。聚光透鏡陣列可呈至少兩個板的形式，該等板充當電極，其中每一板中之孔徑彼此對準且對應於子射束之位置。在操作期間將該等板中之至少兩者維持處於不同電位以達成所要透鏡化效應。
在一配置中，聚光透鏡陣列係由三個板陣列形成，在該三個板陣列中，帶電粒子在其進入及離開每一透鏡時具有相同能量，該配置可被稱作單透鏡。因此，分散僅出現在單透鏡自身內(透鏡之進入電極與離開電極之間)，藉此限制離軸色像差。當聚光透鏡之厚度較低，例如幾毫米時，此類像差具有較小或可忽略的影響。
聚光透鏡陣列231可具有兩個或多於兩個板狀電極，每一板狀電極具有對準之孔徑陣列。每一板狀電極陣列藉由隔離元件諸如可包含陶瓷或玻璃之間隔物而以機械方式連接至鄰近板狀電極陣列且與鄰近板狀電極陣列電隔離。聚光透鏡陣列可藉由諸如如本文中在別處所描述之間隔物的隔離元件與鄰近電子光學元件(較佳地靜電電子光學元件)連接及/或間隔開。
聚光透鏡與含有物鏡(諸如如下文所論述之物鏡陣列總成)之模組分離。在施加於聚光透鏡之底部表面上的電位不同於施加於含有物鏡之模組之頂部表面上的電位之狀況下，使用隔離間隔物以使聚光透鏡及含有物鏡之模組間隔開。在電位相等之狀況下，則導電元件可用以使聚光透鏡與含有物鏡之模組間隔開。
陣列中之每一聚光透鏡將電子引導至各別子射束211、212、213中，該各別子射束聚焦於各別中間焦點233處。偏轉器235提供於中間焦點233處。偏轉器235經組態以使各別細射束211、212、213彎曲達一量，以有效確保主射線(其亦可被稱作射束軸)實質上垂直入射於樣本208上(亦即，與樣本之標稱表面實質上成90°)。偏轉器235亦可被稱作準直器。
在偏轉器235下方(亦即，順流方向或更遠離源201)，存在控制透鏡陣列250，其針對每一子射束211、21、213包含一控制透鏡251。控制透鏡陣列250可包含連接至各別電位源之兩個或多於兩個(例如三個板狀)電極陣列。每一板狀電極陣列藉由隔離元件諸如可包含陶瓷或玻璃之間隔物而以機械方式連接至鄰近板狀電極陣列且與鄰近板狀電極陣列電分離。控制透鏡陣列250之功能為相對於射束之縮小率最佳化射束開度角及/或控制遞送至物鏡234之射束能量，該等物鏡中之每一者將各別子射束211、212、213引導至樣本208上。
視情況，將掃描偏轉器陣列260提供於控制透鏡陣列250與物鏡234之陣列之間。掃描偏轉器陣列260針對每一子射束211、212、213包含一掃描偏轉器261。每一掃描偏轉器經組態以使各別子射束211、212、213在一個或兩個方向上偏轉，以便使子射束在一個或兩個方向上橫越樣本208進行掃描。
電子偵測器件240提供於物鏡234與樣本208之間以偵測自樣本208發射之次級及/或反向散射電子。下文描述電子偵測系統之例示性構造。偵測器及物鏡可為同一結構之部分。偵測器可由隔離元件連接至透鏡或直接連接至物鏡之電極。
圖 3之系統經組態以藉由使施加至控制透鏡及物鏡之電極的電位變化來控制電子在樣本上之著陸能量。控制透鏡及物鏡共同地工作且可被稱作物鏡總成。取決於所評估之樣本的性質，可選擇著陸能量以增加次級電子之發射及偵測。控制器可經組態以將著陸能量控制在預定範圍內之任何期望值或複數個預定值中之一期望值。在一實施例中，可將著陸能量控制為在例如1000 eV至5000 eV之預定範圍內的期望值。 圖 4為描繪解析度作為著陸能量之函數的曲線圖，假定重新最佳化射束開度角/縮小率以用於改變著陸能量。如可看到，隨著著陸能量之改變降至最小值LE_min，評估工具之解析度可保持實質上恆定。解析度低於LE_min會劣化，此係因為有必要減小物鏡之透鏡強度及物鏡內之電場以便維持物鏡及/或偵測器與樣本之間的最小間距。如下文進一步論述，可交換模組亦可用以變化或控制著陸能量。
理想地，藉由控制離開控制透鏡之電子的能量來主要地變化著陸能量。物鏡內之電位差較佳地在此變化期間保持恆定，使得物鏡內之電場保持儘可能高。可參考物鏡內之此高電場，且該高電場可經設定為預定電場。另外，施加至控制透鏡之電位可用以最佳化射束開度角及縮小率。控制透鏡可用以鑒於著陸能量改變而改變縮小率。理想地，每一控制透鏡包含三個電極以便提供兩個獨立控制變數，如下文進一步論述。舉例而言，電極中之一者可用以控制放大率，而不同電極可用以獨立控制著陸能量。替代地，每一控制透鏡可僅具有兩個電極。相比而言，當僅存在兩個電極時，電極中之一者可需要控制放大率及著陸能量兩者。
圖 5為物鏡陣列之一個物鏡300及控制透鏡陣列250之一個控制透鏡600的放大示意圖。物鏡300可經組態以使電子束縮小達大於10之因數，理想地在50至100或更大之範圍內。物鏡包含中間或第一電極301、下部或第二電極302及上部或第三電極303。電壓源V1、V2、V3經組態以分別將電位施加至第一電極、第二電極及第三電極。另一電壓源V4連接至樣本以施加可接地的第四電位。可相對於樣本208界定電位。第一、第二及第三電極各自具備孔徑，各別子射束傳播通過該孔徑。第二電位可類似於樣本之電位，例如相比於樣本在50 V至200 V之範圍內。替代地，第二電位相對於樣本可在約+500 V至約+1,500 V之範圍內。若偵測器240在光學柱中高於最低電極，則較高電位係有用的。第一及/或第二電位可按孔徑或孔徑之群組發生變化以實現聚焦校正。
理想地，在一實施例中，省略第三電極。具有僅兩個電極之物鏡可具有比具有更多電極之物鏡更低的像差。三電極物鏡可具有電極之間的較大電位差且因此實現較強透鏡。額外電極(亦即，多於兩個電極)提供用於控制電子軌跡之額外自由度，例如以聚焦次級電子以及入射射束。
如上文所提及，需要使用控制透鏡來判定著陸能量。然而，有可能另外使用物鏡300來控制著陸能量。在此狀況下，當選擇不同著陸能量時，遍及物鏡之電位差發生改變。需要藉由改變遍及物鏡之電位差而部分地改變著陸能量的情形之一個實例係防止子射束之焦點變得過於接近物鏡。在此情形下，存在物鏡電極必須過薄而不能製造的風險。對於在此位置處之偵測器(例如作為偵測器陣列)亦可能如此。此情況可例如在著陸能量降低之情況下發生。此係因為物鏡之焦距大致隨著所選擇之著陸能量而縮放。藉由降低遍及物鏡之電位差，且藉此降低物鏡內部之電場，物鏡之焦距再次變大，從而導致焦點位置進一步低於物鏡。應注意，僅物鏡之使用將限制對放大率之控制。此配置不能控制縮小率及/或開度角。另外，使用物鏡來控制著陸能量可意謂物鏡將遠離其最佳場強度操作。亦即，除非可例如藉由交換物鏡來調整物鏡之機械參數(諸如，其電極之間的間距)。
在所描繪之配置中，控制透鏡600包含連接至電位源V5至V7之三個電極601至603。電極601至603可間隔開幾毫米(例如3 mm)。控制透鏡與物鏡之間的間距(亦即，物鏡之下部電極602與上部電極之間的間隙)可選自廣泛範圍，例如2 mm至200 mm或更大。小分離度使得對準更容易，而較大分離度允許使用較弱透鏡，從而減小像差。理想地，控制透鏡600之最上部電極603的電位V5維持與控制透鏡之逆流方向的下一電子光學元件(例如偏轉器235)之電位相同。施加至下部電極602之電位V7可變化以判定射束能量。施加至中間電極601之電位V6可變化以判定控制透鏡600之透鏡強度且因此控制射束之開度角及縮小率。理想地，控制透鏡之下部電極602及物鏡之最上部電極及樣本具有實質上相同的電位。在一個設計中，省略物鏡V3之上部電極。在此狀況下，理想地，控制透鏡之下部電極602及物鏡之電極301具有實質上相同的電位。應注意，即使著陸能量無需改變或藉由其他方式改變，控制透鏡亦可用以控制射束開度角。子射束之焦點之位置係藉由各別控制透鏡及各別物鏡之動作之組合而判定。
在一實例中，為了獲得在1.5 kV至2.5 kV範圍內之著陸能量，可如下表1中所指示來設定電位V1、V2、V4、V5、V6及V7。此表中之電位被給出為以keV為單位之射束能量之值，其等效於相對於射束源201之陰極之電極電位。應理解，在設計電子光學系統時，存在關於系統中之哪一點經設定為接地電位之相當大的設計自由度，且系統之操作係藉由電位差而非絕對電位來判定。
表1
著陸能量 1.5 keV 2.5 keV 3.5 keV
V1 29 keV 30 keV 31 keV
V2 1.55 keV 2.55 keV 3.55 keV
V3 (或被省略) 29 keV 30 keV 31 keV
V4 1.5 keV 2.5 keV 3.5 keV
V5 30 keV 30 keV 30 keV
V6 19.3 keV 20.1 keV 20.9 keV
V7 29 keV 30 keV 31 keV
將看到，V1、V3及V7處之射束能量係相同的。在實施例中，此等點處之射束能量可在10 keV與50 keV之間。若選擇較低電位，則電極間距可減小，尤其是在物鏡中，以限制電場之減小。亦應注意，應用於物鏡陣列之鄰接電極之電位差在應用於物鏡配置中之鄰接電極的電位差中最大。為了避免物鏡中之電場減小，可預定物鏡中之電場。可最佳化物鏡中之電場以實現物鏡之所要效能，例如，如在例如物鏡陣列總成中之任何電極之沿著射束路徑的鄰近電極之間提供最大電位差。圍繞此大電位差之變化可為誤差及像差之來源。實質上維持物鏡陣列之電極之間的電位差及使物鏡陣列配置中之其他電極之電位變化有助於確保物鏡之操作經維持例如具有例如用於較短穩定焦距之較大場。物鏡配置之功能之變化係經由施加至配置之其他電極之電位差的變化來達成，從而降低誘發大像差之風險。
當控制透鏡而非例如圖3之實施例的聚光透鏡用於電子束之開度角/放大率校正時，準直器保持在中間焦點處使得無需準直器之散光校正。(應注意，在此配置中，放大率之調整引起開度角之類似調整，此係因為射束電流沿著射束路徑保持一致)。另外，著陸能量可遍及廣泛範圍之能量而變化，同時維持物鏡中之最佳場強度。此最佳場強度可被稱作預定場強度。在操作期間，場強度可經預定為最佳場強度。此情形最小化物鏡之像差。聚光透鏡(若使用)之強度亦維持恆定，從而避免由於準直器不處於中間焦平面處或電子通過聚光透鏡之路徑改變而引入任何額外的像差。此外，當使用特徵在於諸如圖10及圖11所展示之射束塑形限制器(其不具有聚光透鏡)之實施例的控制透鏡時，可另外控制開度角/放大率以及著陸能量。
在一些實施例中，帶電粒子評估工具進一步包含減少子射束中之一或多個像差的一或多個像差校正器。在一實施例中，像差校正器之至少一子集中的每一者經定位於中間焦點中的一各別中間焦點中或直接鄰近於中間焦點中的一各別中間焦點(例如，在中間影像平面中或鄰近於中間影像平面)。子射束在諸如中間平面之焦平面中或附近具有最小橫截面積。與在別處(亦即，中間平面之逆流方向或順流方向)可用之空間相比(或與將在不具有中間影像平面之替代配置中可用的空間相比)，此為像差校正器提供更多的空間。
在一實施例中，定位於中間焦點(或中間影像平面)中或直接鄰近於中間焦點(或中間影像平面)之像差校正器包含偏轉器以校正針對不同射束出現在不同位置處之源201。校正器可用以校正由源引起之宏觀像差，該等宏觀像差防止每一子射束與對應物鏡之間的良好對準。
像差校正器可校正防止適當柱對準之像差。此類像差亦可導致子射束與校正器之間的未對準。出於此原因，另外或替代地，可需要將像差校正器定位於聚光透鏡陣列231之聚光透鏡處或附近(例如，其中每一此類像差校正器與聚光透鏡231中之一或多者整合或直接鄰近於聚光透鏡231中之一或多者)。此為合乎需要的，此係因為在聚光透鏡陣列231之聚光透鏡處或附近，像差將尚未導致對應子射束之移位，此係因為聚光透鏡與射束孔徑豎直地接近或重合。然而，將校正器定位於聚光透鏡處或附近之挑戰在於，子射束在此位置處相對下游更遠的位置各自具有相對較大的橫截面積及相對較小的節距。像差校正器可為如EP2702595A1中所揭示之基於CMOS之個別可程式化偏轉器或如EP2715768A2中所揭示之多極偏轉器陣列，該EP2702595A1及該EP2715768A2之兩個文獻中的細射束操控器之描述特此係以引用方式併入。聚光透鏡及校正器可為同一結構之部分。舉例而言，其可例如藉由電隔離元件彼此連接。
在一些實施例中，像差校正器之至少一子集中的每一者與物鏡234中之一或多者整合或直接鄰近於物鏡234中之一或多者。在一實施例中，此等像差校正器減小以下各者中之一或多者：場曲率；聚焦誤差；及散光。另外或替代地，一或多個掃描偏轉器(圖中未繪示)可與物鏡234中之一或多者整合或直接鄰近於物鏡234中之一或多者，從而使子射束211、212、214遍及樣本208進行掃描。在一實施例中，可使用文獻全文特此係以引用方式併入之US 2010/0276606中所描述的掃描偏轉器。
在一實施例中，早先實施例中所提及之物鏡為陣列物鏡。陣列中之每一元件為操作多射束中之不同射束或射束群組之微透鏡。靜電陣列物鏡具有至少兩個板，該至少兩個板各自具有複數個孔或孔徑。一板中之每一孔之位置對應於另一板中之對應孔之位置。對應孔在使用中操作於多射束中之同一射束或射束群組上。用於陣列中之每一元件的透鏡類型之合適實例為雙電極減速透鏡。
在一些實施例中，物鏡陣列總成之偵測器240包含物鏡陣列241之至少一個電極之順流方向的偵測器陣列。偵測器陣列可為複數個偵測器元件。因此，偵測器可在物鏡陣列總成內。在一實施例中，偵測器(例如，偵測器模組)之至少一部分鄰近於物鏡陣列240及/或與物鏡陣列240整合。舉例而言，偵測器陣列可藉由將CMOS晶片偵測器整合至物鏡陣列之底部電極中來實施。偵測器陣列至物鏡陣列中的整合替換次級柱。CMOS晶片較佳地經定向以面向樣本(此係由於晶圓與電子光學系統之底部之間的較小距離(例如，100 μm))。偵測器與樣本之間存在小距離，即使在偵測器可能在物鏡陣列中之任何位置處皆如此。在此距離處，樣本可在偵測器之範圍內。樣本與偵測器之間的此小距離或最佳距離可係合乎需要的，例如以避免偵測器元件之間的串擾；或若距離過大，則偵測器信號可能過弱。偵測器之最佳距離或範圍維持偵測器與樣本之間的最小間距(其亦可與物鏡陣列與樣本之間的間距相關或類似)。然而，小距離並不過小而不能防止樣本、其支撐件或諸如偵測器之物鏡陣列總成之組件損壞的風險。在一實施例中，用以捕捉次級電子信號之電極形成於CMOS器件之頂部金屬層(例如，偵測器之面向樣本的表面)中。該等電極可形成於其他層中。可藉由矽穿孔將CMOS之功率及控制信號連接至CMOS。為了穩固性，較佳地，底部電極由兩個元件組成：CMOS晶片及具有孔之被動Si板。該板屏蔽CMOS免受高電子場之影響。
為了最大化偵測效率，需要使電極表面儘可能大，使得物鏡陣列之實質上所有的區域(除孔徑之外)係由電極佔據且每一電極具有實質上等於陣列節距之直徑。在一實施例中，電極之外部形狀為圓形，但可將此形狀製成正方形以最大化偵測區域。亦可最小化基板穿孔之直徑。電子束之典型大小為大約5至15微米。
在一實施例中，單一電極包圍每一孔徑。在另一實施例中，複數個電極元件提供於每一孔徑周圍。由包圍一個孔徑之電極元件捕捉的電子可經組合成單個信號或用以產生獨立信號。電極元件可經徑向劃分(亦即，以形成複數個同心環)、經成角度地劃分(亦即，以形成複數個區段狀塊)、經徑向地及成角度地劃分或以任何其他適宜方式經劃分。
然而，較大電極表面導致較大寄生電容，因此導致較低頻寬。出於此原因，可需要限制電極之外徑。尤其在較大電極僅給出稍微較大偵測效率，但給出顯著較大電容之狀況下。圓形(環形)電極可提供收集效率與寄生電容之間的良好折衷。
電極之較大外徑亦可導致較大串擾(對相鄰孔之信號的敏感度)。此亦可為使電極外徑較小之原因。尤其在較大電極僅給出稍微較大偵測效率，但給出顯著較大串擾之狀況下。
藉由電極收集之反向散射及/或次級電子電流藉由轉阻放大器放大。
整合至物鏡陣列中之偵測器之例示性實施例展示於 圖 6中，該圖以示意性橫截面說明多射束物鏡401之一部分。在此實施例中，偵測器包含偵測器模組402，該偵測器模組包含複數個偵測器元件405 (例如，諸如捕捉電極之感測器元件)。因此，偵測器可為偵測器陣列或偵測器元件陣列。在此實施例中，偵測器陣列402提供於物鏡陣列之輸出側上。輸出側為物鏡401之輸出側。 圖 7為偵測器模組402之仰視圖，該偵測器模組包含基板404，在該基板上提供各自包圍射束孔徑406之複數個捕捉電極405。射束孔徑406可藉由蝕刻通過基板404來形成。在 圖 7中所展示之配置中，射束孔徑406以矩形陣列形式展示。射束孔徑406亦可以不同方式配置，例如以如 圖 8中所描繪之六邊形封閉封裝陣列形式配置。
圖 9以橫截面以較大尺度描繪偵測器模組402之一部分。偵測器元件(例如捕捉電極405)形成偵測器模組402之最底部(亦即，最接近樣本的)表面。在捕捉電極405與矽基板404之主體之間提供邏輯層407。邏輯層407可包括放大器(例如轉阻放大器)、類比/數位轉換器及讀出邏輯。在一實施例中，每捕捉電極405存在一個放大器及一個類比/數位轉換器。可使用CMOS程序製造邏輯層407及捕捉電極405，其中捕捉電極405形成最終金屬化層。
佈線層408提供於基板404之背面上或基板404內且藉由矽穿孔409連接至邏輯層407。矽穿孔409之數目無需與射束孔徑406之數目相同。特定而言，若電極信號在邏輯層407中經數位化，則可僅需要少數矽穿孔來提供資料匯流排。佈線層408可包括控制線、資料線及電力線。應注意，儘管存在射束孔徑406，但仍存在足夠的空間用於所有必要的連接。亦可使用雙極或其他製造技術來製作偵測模組402。印刷電路板及/或其他半導體晶片可提供於偵測器模組402之背面上。
以上所描述之整合式偵測器陣列在與具有可調諧著陸能量之工具一起使用時係特別有利的，此係由於可針對著陸能量範圍來最佳化次級電子捕捉。偵測器陣列亦可整合至其他電極陣列中，而不僅整合至最低電極陣列中。可在文獻特此以引用方式併入之EP申請案第20184160.8號中找到整合至物鏡中之偵測器模組的另外細節及替代配置。
本發明之實施例提供物鏡陣列總成。該物鏡陣列總成可併入至帶電粒子評估工具之電子光學系統中。該帶電粒子評估工具可經組態以將多射束聚焦於樣本上。
圖 10為具有物鏡陣列總成之例示性電子光學系統的示意圖。物鏡陣列總成包含物鏡陣列241。物鏡陣列241包含複數個物鏡。每一物鏡包含連接至各別電位源之至少兩個電極(例如，兩個或三個電極)。物鏡陣列241可包含連接至各別電位源之兩個或多於兩個(例如三個)板狀電極陣列。由板狀電極陣列形成之每一物鏡可為對多射束中之不同子射束或子射束群組操作的微透鏡。每一板界定複數個孔徑(其亦可被稱作孔)。板中之每一孔徑之位置對應於另一板(或多個板)中之對應孔徑(或對應孔)的位置。對應孔徑界定物鏡，且每一組對應孔因此在使用中對多射束中之同一子射束或子射束群組進行操作。每一物鏡將多射束之各別子射束投射至樣本208上。
為了易於說明，本文中藉由橢圓形狀陣列示意性地描繪透鏡陣列。每一橢圓形狀表示透鏡陣列中之透鏡中之一者。按照慣例，橢圓形狀用以表示透鏡，類似於光學透鏡中經常採用之雙凸面形式。然而，在諸如本文中所論述之帶電粒子配置的帶電粒子配置之內容背景中，應理解，透鏡陣列將通常以靜電方式操作且因此可能不需要採用雙凸面形狀之任何實體元件。如上文所描述，替代地，透鏡陣列可包含具有孔徑之多個板。
物鏡陣列總成進一步包含控制透鏡陣列250。(因此，物鏡陣列總成可包含控制透鏡陣列250及物鏡陣列241)。控制透鏡陣列250包含複數個控制透鏡。每一控制透鏡包含連接至各別電位源之至少兩個電極(例如，兩個或三個電極)。控制透鏡陣列250可包含連接至各別電位源之兩個或多於兩個(例如三個)板狀電極陣列。控制透鏡陣列250係與物鏡陣列241相關聯(例如，該兩個陣列經定位成彼此接近及/或以機械方式彼此連接及/或作為一單元一起被控制)。控制透鏡陣列250定位於物鏡陣列241的逆流方向。控制透鏡預聚焦子射束。(例如，在子射束到達物鏡陣列241之前，將聚焦動作應用於子射束)。因此，若物鏡陣列總成中之僅有透鏡為控制透鏡陣列250及物鏡陣列241，則控制透鏡及物鏡之組合聚焦可經控制為在樣本上。預聚焦可減少子射束之發散或增加子射束之會聚速率。控制透鏡陣列具有一預聚焦長度。與物鏡陣列一起，控制透鏡陣列一起操作以提供組合焦距。無中間焦點之組合操作可降低像差風險。控制透鏡可經控制以便將各別子射束聚焦於樣本上，例如維持樣本與物鏡陣列及/或樣本之間的最小間距。因此，對控制透鏡及各別物鏡之控制可判定每一子射束之聚焦位置(例如，每一聚焦)，較佳在樣本上之聚焦位置。因此，關於各別物鏡及各別控制透鏡之組合動作判定各別子射束在樣本上之聚焦位置。換言之，由各別物鏡及各別控制透鏡對各別子射束之組合透鏡效應導致在樣本上聚焦。此可表達為：各別物鏡及各別控制透鏡對各別子射束之經組合透鏡效應導致在樣本上聚焦。換言之，各別物鏡及各別控制透鏡共同將各別子射束聚焦於樣本上。替代地或另外，控制器經組態以控制物鏡以將各別子射束聚焦於樣本上且控制控制透鏡以控制各別子射束之預聚焦之參數，使得該等各別子射束之預聚焦係在該等各別子射束由物鏡聚焦於樣本上之前。
控制透鏡陣列250可被認為提供除物鏡陣列241之電極之外的電極。(注意，此適用於圖10之實施例的控制透鏡，多達圖3及圖11之實施例)。控制透鏡陣列250之額外電極允許用於控制子射束之電子光學參數的另一自由度。在一實施例中，控制透鏡陣列250可被認為係物鏡陣列241之額外電極，從而實現物鏡陣列241之各別物鏡之額外功能性。在一配置中，此等電極可被認為係物鏡陣列之部分，而向物鏡陣列241之物鏡提供額外功能性。在此配置中，控制透鏡被認為係對應物鏡之部分，即使在控制透鏡僅被稱作物鏡之一部分的程度上亦如此。
在一實施例中，包含物鏡陣列總成之電子光學系統經組態以控制物鏡總成(例如，藉由控制施加至控制透鏡陣列250之電極之電位)，使得控制透鏡之焦距大於控制透鏡陣列250與物鏡陣列241之間的分離度。控制透鏡陣列250及物鏡陣列241可因此相對接近地定位在一起，其中來自控制透鏡陣列250之聚焦動作太弱而不能在控制透鏡陣列250與物鏡陣列241之間形成中間焦點。各別子射束藉由控制透鏡陣列之聚焦位置可在物鏡陣列的順流方向。在其他實施例中，物鏡陣列總成可經組態以在控制透鏡陣列250與物鏡陣列241之間形成中間焦點。子射束可在控制透鏡陣列與物鏡陣列之間具有中間焦點。
在一實施例中，控制透鏡陣列為可交換模組，其係獨自的或與諸如物鏡陣列及/或偵測器陣列之其他元件組合。該可交換模組可為可現場替換的，亦即，可由現場工程師用新模組調換該模組。在一實施例中，工具內含有多個可交換模組，且可在不打開工具的情況下在可操作位置與非可操作位置之間調換該多個可交換模組。
在一實施例中，可交換模組包含電子光學組件，該電子光學組件在准許致動以用於定位該組件的載物台上。在一實施例中，可交換模組包含載物台。在一配置中，載物台及可交換模組可為電子光學工具40之一體式部分。在一配置中，可交換模組被限制至載物台及其支撐之電子光學器件。在一配置中，載物台係可移除的。在一替代設計中，包含載物台之可交換模組係可移除的。用於可交換模組之電子光學工具40之部分係可隔離的，亦即，電子光學工具40之部分係由可交換模組之逆流方向的閥及順流方向的閥界定。該等閥可經操作以將該等閥之間的環境與該等閥之逆流方向及順流方向的真空分別隔離，從而使得能夠自電子光學工具40移除可交換模組，同時維持與可交換模組相關聯的柱之部分之逆流方向及順流方向的真空。在一實施例中，可交換模組包含載物台。該載物台經組態以相對於射束路徑支撐電子光學器件。在一實施例中，模組405包含一或多個致動器。該等致動器與載物台相關聯。該等致動器經組態以相對於射束路徑移動電子光學器件。此致動可用以將電子光學器件與射束路徑相對於彼此對準。
在實施例中，可交換模組為MEMS模組。在一實施例中，可交換模組經組態以在電子光學工具40內可替換。在一實施例中，可交換模組經組態為可現場替換的。可現場替換意欲意謂模組可經移除且用相同或不同模組替換，同時維持電子光學工具40經定位所在之真空。僅對應於模組的柱之區段經排氣；該區段經排氣以用於待移除及返回或替換之模組。在替換柱內之模組時，柱之區段可經排氣以供不僅自柱而且自裝置或工具完全移除及替換。在另一實施例中，可將區段排氣，使得柱之經排氣區段內之模組可用儲存於工具或裝置中之別處的模組替換。此儲存之模組可儲存於保持在真空下之一或多個模組的隔室中。與柱相比，用於儲存模組之隔室之真空可在深度較淺的真空下經儲存。在一不同實施例中，隔室可處於與柱相同的負壓下，使得不需要對模組經定位所在的柱之區段進行排氣。
控制透鏡陣列可在與物鏡陣列241相同的模組中，亦即，形成物鏡陣列總成或物鏡配置，或其可在單獨模組中。
可提供電源以將各別電位施加至控制透鏡陣列250之控制透鏡及物鏡陣列241之物鏡的電極。
除了物鏡陣列241以外亦提供控制透鏡陣列250提供了用於控制子射束之屬性之額外自由度。即使當控制透鏡陣列250及物鏡陣列241相對接近地提供時亦提供額外自由度，例如使得在控制透鏡陣列250與物鏡陣列241之間不形成中間焦點。控制透鏡陣列250可用以最佳化相對於射束之縮小率之射束開度角及/或控制遞送至物鏡陣列241之射束能量。控制透鏡可包含2個或3個或多於3個電極。若存在兩個電極，則共同地控制縮小率及著陸能量。若存在三個或多於三個電極，則可獨立地控制縮小率及著陸能量。控制透鏡可因此經組態以調整各別子射束之縮小率及/或射束開度角(例如，使用電源將適合的各別電位施加至控制透鏡及物鏡的電極)。此最佳化可藉由對物鏡的數目具有過度負面影響且在不過度劣化物鏡之像差的情況下(例如，在不增加物鏡之強度的情況下)達成。使用控制透鏡陣列使得物鏡陣列能夠在其最佳電場強度下操作。因此，控制透鏡之此操作可使得能夠預定物鏡陣列之場強度。應注意，希望參考縮小率及開度角意欲參考相同參數之變化。在理想配置中，縮小率範圍與對應開度角之乘積係恆定的。然而，開度角可受孔徑之使用影響。
在 圖 10之實施例中，電子光學系統包含源201。源201提供帶電粒子(例如電子)束。聚焦於樣本208上之多射束自由源201提供之射束導出。子射束可自射束導出，例如使用界定射束限制孔徑陣列之射束限制器。源201理想地為具有亮度與總發射電流之間的良好折衷的高亮度熱場發射器。在所展示實例中，在物鏡陣列總成的逆流方向提供準直器。準直器可包含巨型準直器270。巨型準直器270在來自源201之射束已經分裂成多射束之前作用於該射束。巨型準直器270使射束之各別部分彎曲一定量，以有效地確保自該射束導出之子射束中之每一者的射束軸實質上垂直地入射於樣本208上(亦即，與樣本208之標稱表面實質上成90°)。巨型準直器270將宏觀準直應用於射束。巨型準直器270可因此作用於所有射束，而非包含各自經組態以作用於射束之不同個別部分的準直器元件之陣列。巨型準直器270可包含磁透鏡或磁透鏡配置，其包含複數個磁透鏡子單元(例如形成多極配置之複數個電磁體)。替代地或另外，巨型準直器可至少部分地以靜電方式實施。巨型準直器可包含靜電透鏡或靜電透鏡配置，其包含複數個靜電透鏡子單元。巨型準直器270可使用磁透鏡與靜電透鏡之組合。
在 圖 10之實施例中，提供巨型掃描偏轉器265以使子射束遍及樣本208進行掃描。巨型掃描偏轉器265使射束之各別部分偏轉以使子射束遍及樣本208進行掃描。在一實施例中，巨型掃描偏轉器256包含宏觀多極偏轉器，例如具有8個極或更多極。偏轉係為了致使自射束導出之子射束待在一個方向(例如平行於單個軸，諸如X軸)上或在兩個方向(例如相對於兩個非平行軸，諸如X軸及Y軸)上橫越樣本208進行掃描。巨型掃描偏轉器265宏觀上作用於所有射束，而非包含各自經組態以作用於射束之不同個別部分的偏轉器元件之陣列。在所展示之實施例中，巨型掃描偏轉器265提供於巨型準直器270與控制透鏡陣列250之間。
本文中所描述之物鏡陣列總成中之任一者可進一步包含偵測器(例如，包含偵測器模組402)。偵測器可包含例如偵測器元件之偵測器陣列。偵測器偵測自樣本208發射之帶電粒子。所偵測之帶電粒子可包括由SEM偵測到之帶電粒子中之任一者，包括自樣本208發射之次級及/或反向散射電子。偵測器模組之例示性構造在上文參看 圖 6 至圖 9予以描述。偵測器模組之偵測器(亦即偵測器陣列)可例如沿著射束路徑定位於樣本之指定範圍內。偵測器與樣本之間的距離可能很小，即使對於偵測器在物鏡陣列或甚至物鏡陣列總成中可能具有的任何位置皆如此。樣本與偵測器之間的此小距離(其為最佳距離或偵測器之範圍)可係合乎需要的，例如以避免偵測器元件之間的串擾，或若自樣本至偵測器之距離過大，則偵測器信號可能過弱。偵測器之最佳距離或範圍維持偵測器與樣本之間的最小間距(其亦可對應於物鏡陣列與樣本之間的最小間距)。然而，該小距離並不小到不能防止(若不能避免)樣本、其支撐件(亦即，樣本固持器)或物鏡陣列總成之組件(諸如偵測器)損壞的風險。
圖 11描繪關於 圖 10之實施例之變化形式，其中物鏡陣列總成包含掃描偏轉器陣列260。掃描偏轉器陣列260包含複數個掃描偏轉器。掃描偏轉器陣列260可使用MEMS製造技術來形成。每一掃描偏轉器使各別子射束遍及樣本208進行掃描。掃描偏轉器陣列260可因此針對每一子射束包含一掃描偏轉器。每一掃描偏轉器可使子射束中之射線在一個方向(例如平行於單個軸，諸如X軸)上或在兩個方向(例如相對於兩個不平行的軸，諸如X軸及Y軸)上偏轉。偏轉係為了致使子射束在一個或兩個方向上(亦即，一維地或二維地)橫越樣本208進行掃描。在一實施例中，特定地關於掃描偏轉器之文獻之全文特此以引用方式併入的EP2425444中所描述之掃描偏轉器可用以實施掃描偏轉器陣列260。掃描偏轉器陣列260定位於物鏡陣列241與控制透鏡陣列250之間。在所展示之實施例中，提供掃描偏轉器陣列260來代替巨型掃描偏轉器265。掃描偏轉器陣列260 (例如使用如上文所提及之MEMS製造技術形成)可比巨型掃描偏轉器265在空間上更緊湊。
在其他實施例中，提供巨型掃描偏轉器265及掃描偏轉器陣列260兩者。在此配置中，子射束遍及樣本表面之掃描可藉由較佳同步地一起控制巨型掃描偏轉器265及掃描偏轉器陣列260來達成。
提供掃描偏轉器陣列260而非巨型掃描偏轉器265可減小來自控制透鏡之像差。此係因為巨型掃描偏轉器265之掃描動作引起射束遍及射束塑形限制器(亦可稱作下部射束限制器)之相對應移動，該射束塑形限制器界定在控制透鏡之至少一個電極之順流方向的射束限制孔徑陣列，此增加對來自控制透鏡之像差的貢獻。當替代地使用掃描偏轉器陣列260時，射束遍及射束塑形限制器移動的量小得多。此係因為自掃描偏轉器陣列260至射束塑形限制器之距離短得多。由於此情形，較佳將掃描偏轉器陣列260定位成儘可能接近於物鏡陣列241(例如使得掃描偏轉器陣列260直接鄰近於物鏡陣列241，如 圖 11中所描繪)。遍及射束塑形限制器之較小移動導致所使用的每一控制透鏡之部分較小。控制透鏡因此具有較小像差貢獻。為了最小化或至少減小由控制透鏡貢獻之像差，射束塑形限制器用以塑形在控制透鏡之至少一個電極之順流方向的射束。此在架構上不同於習知系統，在習知系統中，射束塑形限制器僅作為孔徑陣列而提供，該孔徑陣列係射束路徑中之第一操控器陣列之部分或與第一操控器陣列相關聯，且通常自來自源之單個射束產生多射束。
在一些實施例中，如 圖 10中所例示，控制透鏡陣列250為在源201之順流方向的射束路徑中之第一偏轉或透鏡化電子光學陣列元件。
在 圖 11之實施例中，提供準直器元件陣列271來代替巨型準直器270。儘管未展示，但亦有可能將此變化形式應用於 圖 3之實施例，以提供具有巨型掃描偏轉器及準直器元件陣列之實施例。每一準直器元件準直各別子射束。準直器元件陣列271 (例如，使用MEMS製造技術形成)可比巨型準直器270在空間上更為緊湊。一起提供準直器元件陣列271及掃描偏轉器陣列260因此可提供空間節省。此空間節省係合乎需要的，其中包含物鏡陣列總成之複數個電子光學系統提供於電子光學系統陣列中。在此實施例中，可不存在巨型聚光透鏡或聚光透鏡陣列。在此情境下，控制透鏡因此提供針對著陸能量改變而最佳化射束開度角及放大率的可能性。應注意，射束塑形限制器在控制透鏡陣列的順流方向。射束塑形限制器中之孔徑調整沿著射束路徑之射束電流，使得控制透鏡對放大率之控制對開度角進行不同的操作。亦即，射束塑形限制器之孔徑破壞了放大率與開度角之變化之間的直接對應性。
在一些實施例中，如 圖 11中所例示，準直器元件陣列271為在源201之順流方向的射束路徑中之第一偏轉或聚焦電子光學陣列元件。
避免在控制透鏡陣列250之逆流方向或準直器元件陣列271之逆流方向的任何偏轉或透鏡化電子光學陣列元件(例如透鏡陣列或偏轉器陣列)降低了對物鏡之逆流方向的電子光學件之要求，及對於校正器校正此類光學件中之缺陷的要求。舉例而言，一些替代配置藉由除了物鏡陣列以外亦提供聚光透鏡陣列來尋求最大化源電流利用率。以此方式提供聚光透鏡陣列及物鏡陣列會引起對遍及源開度角之虛擬源位置均一性之位置的嚴格要求，或需要每一子射束之校正性光學件以便確保每一子射束穿過其順流方向之對應物鏡的中心。諸如 圖 10及 圖 11之架構的架構允許自第一偏轉或透鏡化電子光學陣列元件至射束塑形限制器之射束路徑減少至小於約10 mm，較佳減少至小於約5 mm，較佳減小至小於約2 mm。減少射束路徑會降低或移除對遍及源開度角之虛擬源位置的嚴格要求。
在一實施例中，提供電子光學系統陣列。該陣列可包含本文中所描述之複數個電子光學系統中之任一者。電子光學系統中之每一者將各別多射束同時聚焦至同一樣本之不同區上。每一電子光學系統可自來自不同各別源201之帶電粒子束形成子射束。每一各別源201可為複數個源201中之一個源。複數個源201之至少一子集可提供為源陣列。源陣列可包含提供於共同基板上之複數個源201。複數個多射束同時聚焦至同一樣本之不同區上會允許同時處理(例如評估)樣本208之增大區域。陣列中之電子光學系統可彼此鄰近地配置以便將各別多射束投射至樣本208之鄰近區上。可在該陣列中使用任何數目個電子光學系統。較佳地，電子光學系統之數目在9至200之範圍內。在一實施例中，電子光學系統係以矩形陣列或六邊形陣列配置。在其他實施例中，電子光學系統係以不規則陣列或以具有除矩形或六邊形之外之幾何形狀的規則陣列提供。當提及單個電子光學系統時，陣列中之每一電子光學系統可以本文中所描述之方式中之任一者組態。如上文所提及，掃描偏轉器陣列260及準直器元件陣列271由於其空間緊密性而特別適合併入至電子光學系統陣列中，此促進電子光學系統彼此接近地定位。
在一些實施例中，如 圖 12及 圖 13中所例示，物鏡陣列總成進一步包含射束塑形限制器242。射束塑形限制器242界定射束限制孔徑124之陣列。射束塑形限制器242可被稱作射束塑形限制孔徑陣列或最終射束限制孔徑陣列。射束塑形限制器242可包含具有複數個孔徑之板(其可為板狀本體)。射束塑形限制器242在控制透鏡陣列250之至少一個電極(視情況所有電極)的順流方向。在一些實施例中，射束塑形限制器242在物鏡陣列241之至少一個電極(視情況所有電極)的順流方向。射束限制器242之板可藉由隔離元件諸如可包含陶瓷或玻璃之間隔物而連接至物鏡之鄰近板狀電極陣列。
在一配置中，射束塑形限制器242在結構上與物鏡陣列241之電極302整合。亦即，射束塑形限制器242之板直接連接至物鏡陣列241之鄰近板狀電極陣列。理想地，射束塑形限制器242定位於具有低靜電場強度或不存在靜電場的區中，例如與背離物鏡陣列242之所有其他電極的鄰近板狀電極陣列相關聯(例如，在鄰近板狀電極陣列中或上)。射束限制孔徑124中之每一者與物鏡陣列241中之對應物鏡對準。該對準係使得來自對應物鏡之子射束之一部分可穿過射束限制孔徑124且照射至樣本208上。每一射束限制孔徑124具有射束限制效應，從而僅允許入射至射束塑形限制器242上之子射束之選定部分穿過射束限制孔徑124。該選定部分可使得僅穿過物鏡陣列中之各別孔徑之中心部分的各別子射束之一部分到達樣本。中心部分可具有圓形橫截面及/或以子射束之射束軸為中心。
在一些實施例中，電子光學系統進一步包含上部射束限制器252。上部射束限制器252界定射束限制孔徑陣列。上部射束限制器252可被稱作上部射束限制孔徑陣列或逆流方向射束限制孔徑陣列。上部射束限制器252可包含具有複數個孔徑之板(其可為板狀本體)。上部射束限制器252自由源201發射之帶電粒子束形成子射束。可藉由上部射束限制器252阻擋(例如，吸收)射束中除促成形成子射束之部分之外的部分，以免干涉順流方向的子射束。上部射束限制器252可被稱作子射束界定孔徑陣列。
在不包含聚光透鏡陣列之實施例中，如 圖 10及 圖 11中所例示，上部射束限制器252可形成物鏡陣列總成之部分。上部射束限制器252可例如鄰近於控制透鏡陣列250及/或與控制透鏡陣列250整合(例如鄰近於控制透鏡陣列250之最接近源201的電極603及/或與該電極整合，如 圖 13中所展示)。上部射束限制器252可為控制透鏡陣列250之逆流方向最向上的電極。在一實施例中，上部射束限制器252界定比射束塑形限制器242之射束限制孔徑124大(例如，具有較大橫截面積)的射束限制孔徑。射束塑形限制器242之射束限制孔徑124可因此與界定於上部射束限制器252中及/或物鏡陣列241中及/或控制透鏡陣列250中之對應孔徑相比具有較小尺寸(亦即，較小面積及/或較小直徑及/或較小其他特性尺寸)。
在具有聚光透鏡陣列231之實施例中，如 圖 3中所例示，上部射束限制器252可經提供為與聚光透鏡陣列231鄰近及/或整合(例如，與聚光透鏡陣列231之最接近源201的電極鄰近及/或整合)。通常需要將射束塑形限制器242之射束限制孔徑組態為小於界定在射束塑形限制器242之逆流方向的射束限制孔徑之所有其他射束限制器的射束限制孔徑。亦即，子射束自射束(亦即，來自源201之帶電粒子束)導出，例如使用界定射束限制孔徑陣列之射束限制器。上部射束限制器252為可與聚光透鏡陣列231相關聯或作為該聚光透鏡陣列之部分的此射束限制孔徑陣列。
射束塑形限制器242理想地經組態以具有射束限制效應(亦即，以移除入射於射束塑形限制器242上之每一子射束之一部分)。射束塑形限制器242可例如經組態以確保離開物鏡陣列241之物鏡的每一子射束已穿過各別物鏡之中心。與替代途徑形成對比，此效應可使用射束塑形限制器242來達成，而不需要複雜對準工序以確保入射至物鏡上之子射束與物鏡很好地對準。此外，射束塑形限制器242之效應將不會受到柱對準動作、源不穩定性或機械不穩定性破壞。另外，射束塑形限制器242減小了針對子射束之掃描操作所遍及的長度。距離減小至自射束塑形限制器242至樣本表面之射束路徑之長度。
在一些實施例中，上部射束限制器252中之射束限制孔徑之直徑對射束塑形限制器242中之對應的射束限制孔徑124之直徑的比率等於或大於3、視情況等於或大於5、視情況等於或大於7.5、視情況等於或大於10。在一個配置中，舉例而言，上部射束限制器252中之射束限制孔徑具有約50微米之直徑，且射束塑形限制器242中之對應的射束限制孔徑124具有約10微米之直徑。在另一配置中，上部射束限制器252中之射束限制孔徑具有約100微米之直徑，且射束塑形限制器242中之對應射束限制孔徑124具有約10微米之直徑。合乎需要的是，射束限制孔徑124僅選擇已穿過物鏡之中心的射束部分。在圖13中所展示之實例中，每一物鏡係藉由電極301與302之間的靜電場而形成。在一些實施例中，每一物鏡由兩個基本透鏡(每一基本透鏡之焦距= 4*射束能量/電場)組成：一個在電極301之底部且一個在電極302之頂部。主透鏡可為電極302之頂部處的透鏡(此係因為此處之射束能量可能很小，例如與接近電極301之30 kV相比為2.5 kV，此將使透鏡比其他者強大致12倍)。合乎需要的是，穿過電極302之頂部處的孔徑之中心的射束之部分穿過射束限制孔徑124。因為電極302之頂部與孔徑124之間的在z上之距離極小(例如，通常為100至150微米)，所以即使射束之角度相對較大，亦會選擇正確的射束部分。物鏡陣列中之場強度可理想地為預定的。
在 圖 12及 圖 13之特定實例中，射束塑形限制器242被展示為與物鏡陣列241之底部電極302分離地形成的元件。在其他實施例中，射束塑形限制器242可與物鏡陣列241之底部電極一體地形成(例如，藉由執行微影以蝕刻掉適合於充當基板之相對側上之透鏡孔徑及射束阻擋孔徑的空腔)。
在一實施例中，射束塑形限制器242中之孔徑124經提供為在對應物鏡陣列241之底部電極中之對應透鏡孔徑之至少一部分的順流方向一定距離處，該距離等於或大於透鏡孔徑之直徑，較佳比透鏡孔徑之直徑大至少1.5倍，較佳比透鏡孔徑之直徑大至少2倍。
通常需要將射束塑形限制器242定位成鄰近於每一物鏡之具有最強透鏡化效應的電極。在 圖 12及 圖 13之實例中，底部電極302將具有最強的透鏡化效應且射束塑形限制器242鄰近於此電極而定位。在物鏡陣列241包含多於兩個電極的情況下，諸如在具有三個電極之單透鏡組態中，具有最強透鏡化效應之電極將通常為中間電極。在此狀況下，將需要鄰近於中間電極定位射束塑形限制器242。因此，物鏡陣列241之電極中之至少一者可定位於射束塑形限制器242的順流方向。電子光學系統亦可經組態以控制物鏡總成(例如，藉由控制施加至物鏡陣列之電極之電位)，使得射束塑形限制器242鄰近於物鏡陣列241之在物鏡陣列241之電極中具有最強透鏡化效應的電極或與該電極整合。
通常亦需要將射束塑形限制器242定位於電場較小之區中，較佳定位於實質上無場區中。此情形藉由射束塑形限制器242之存在而避免或最小化對所要透鏡化效應之破壞。
需要在偵測器(例如偵測器陣列402)之逆流方向提供射束塑形限制器242，如 圖 12及 圖 13中所例示。在偵測器之逆流方向提供射束塑形限制器242確保了射束塑形限制器242將不會阻礙自樣本208發射之帶電粒子且防止該等帶電粒子到達偵測器。在物鏡陣列241之所有電極的逆流方向提供偵測器之實施例中，因此亦需要在物鏡陣列241之所有電極之逆流方向或甚至控制透鏡陣列250之電極中之一或多者的逆流方向提供射束塑形限制器242。在此情境下，可需要將射束塑形限制器242定位成儘可能接近於物鏡陣列241，同時仍在偵測器之逆流方向。射束塑形限制器242因此可在逆流方向上直接鄰近於偵測器提供。
上文所描述之在控制透鏡陣列250之至少一個電極及/或物鏡陣列241之至少一個電極的順流方向具有射束塑形限制器242的物鏡陣列總成為一類物鏡配置之實例。此類別之實施例包含用於將多射束聚焦於樣本208上之電子光學系統的物鏡配置。物鏡配置包含逆流方向透鏡化孔徑陣列(例如，物鏡陣列241之最接近源201的電極302或121，如 圖 12中所描繪)。物鏡配置進一步包含順流方向透鏡化孔徑陣列(例如，物鏡陣列241之最遠離源201的電極122，如 圖 12中所描繪)。順流方向透鏡化孔徑陣列(例如電極302)及逆流方向透鏡化孔徑陣列(例如電極301)一起操作以對多射束之子射束進行透鏡化。提供射束限制孔徑陣列(例如 圖 12中所描繪之射束塑形限制器242)，其中孔徑(例如， 圖 12中之射束限制孔徑124)與逆流方向透鏡化孔徑陣列及順流方向透鏡化孔徑陣列中之孔徑相比具有較小尺寸(亦即，較小面積及/或較小直徑及/或較小其他特性尺寸)。射束限制孔徑陣列之孔徑經組態以將每一子射束限制為已穿過逆流方向透鏡化孔徑陣列及順流方向透鏡化孔徑陣列中之各別孔徑之中心部分的子射束之一部分。如上文所描述，射束限制孔徑陣列可因此確保離開物鏡配置之物鏡的每一子射束已穿過各別透鏡之中心。
對組件或組件或元件之系統的參考係可控制的而以某種方式操控帶電粒子束包括：組態控制器或控制系統或控制單元以控制組件以按所描述方式操控帶電粒子束，並且視情況使用其他控制器或器件(例如，電壓供應件及或電流供應件)以控制組件從而以此方式操控帶電粒子束。舉例而言，電壓供應件可電連接至一或多個組件以在控制器或控制系統或控制單元之控制下將電位施加至該等組件，諸如(在非限制清單中)控制透鏡陣列250、物鏡陣列241、聚光透鏡231、校正器、準直器元件陣列271及掃描偏轉器陣列260。諸如載物台之可致動組件可為可控制的，以使用用以控制該組件之致動之一或多個控制器、控制系統或控制單元來致動諸如射束路徑之另外組件且因此相對於諸如射束路徑之另外組件移動。
本文中所描述之實施例可採用沿著射束或多射束路徑以陣列形式配置的一系列孔徑陣列或電子光學元件的形式。此類電子光學元件可為靜電的，例如，物鏡陣列及控制透鏡陣列。以下元件中之一或多者可為靜電的：聚光透鏡231、校正器、準直器元件陣列271及掃描偏轉器陣列260，其處於控制器或控制系統或控制單元之控制下。在一實施例中，例如在樣本之前的子射束路徑中自射束限制孔徑陣列至最後電子光學元件的所有電子光學元件可為靜電的，及/或可呈孔徑陣列或板陣列之形式。在一些配置中，電子光學元件中之一或多者被製造為微機電系統(MEMS) (亦即，使用MEMS製造技術)。
對上部及下部、向上及向下、上方及下方之參考應被理解為係指平行於照射於樣本208上之電子束或多射束之(通常但未必總是豎直的)逆流方向及順流方向的方向。因此，對逆流方向及順流方向之參考意欲係指獨立於任何當前重力場相對於束路徑之方向。
根據本發明之實施例的評估工具可為進行樣本之定性評估(例如，通過/失敗)之工具、進行樣本之定量量測(例如，特徵之大小)之工具或產生樣本之映圖影像之工具。評估工具之實例為檢測工具(例如用於識別缺陷)、檢閱工具(例如用於分類缺陷)及度量衡工具，或能夠執行與檢測工具、檢閱工具或度量衡工具(例如度量衡檢測工具)相關聯的評估功能性之任何組合的工具。電子光學柱40可為評估工具之組件；諸如檢測工具或度量衡檢測工具，或電子束微影工具之部分。本文中對工具之任何參考皆意欲涵蓋器件、裝置或系統，該工具包含可共置或可不共置且甚至可位於單獨場所中尤其例如用於資料處理元件的各種組件。
術語「子射束」及「細射束」在本文中可互換使用且均被理解為涵蓋藉由劃分或分裂母輻射光束而自母輻射光束導出之任何輻射光束。術語「操控器」用以涵蓋影響子射束或細射束之路徑之任何元件，諸如透鏡或偏轉器。對沿著射束路徑或子射束路徑對準之元件的參考應被理解為意謂各別元件沿著射束路徑或子射束路徑定位。對光學件之參考應被理解為意謂電子光學件。
在以下編號條項中闡明本發明之實施例：
條項1：一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含：複數個控制透鏡，其各自經組態以控制一各別子射束之一參數；複數個物鏡，其各自經組態以將複數個帶電粒子束中之一者投射至一樣本上；及一控制器，其經組態以控制該等控制透鏡及該等物鏡使得該等帶電粒子以一所要著陸能量、縮小率及/或射束開度角入射於該樣本上。
條項2：如條項1之系統，其中該控制器經組態以維持該等物鏡中之一預定電場(e-field/electric field)。
條項3：如條項1或2之系統，其中該等控制透鏡經組態以調整各別子射束之該縮小率及/或射束開度角及/或控制各別子射束在該樣本表面上之一著陸能量。
條項4：如條項1、2或3之系統，其中該等控制透鏡在該等物鏡的逆流方向且與該等物鏡相關聯。
條項5：如任一前述條項之系統，其中該控制器經組態以控制該等控制透鏡以控制該等各別子射束之一預聚焦之參數，使得處於以下各情況中之一或多者：關於該等各別物鏡及該等各別控制透鏡之一組合動作判定該等各別子射束在該樣本上之聚焦位置，由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合透鏡效應導致在該樣本上之一聚焦，由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合透鏡效應導致在該樣本上之一聚焦，且該等各別物鏡及該等各別控制透鏡共同將該等各別子射束聚焦於該樣本上；替代地或另外，該控制器經組態以控制該等物鏡以將該等各別子射束聚焦於該樣本上且控制該等控制透鏡以控制該等各別子射束之一預聚焦之參數，使得該等各別子射束之該預聚焦係在該等各別子射束由該物鏡聚焦於該樣本上之前；較佳地，在組合焦距下之該樣本(較佳沿著該等各別子射束之路徑)之位置：維持該樣本與物鏡陣列之間的一間距，較佳一最小間距；及/或對應於一偵測器與該樣本之間的一距離較佳以維持該偵測器與該樣本之間的一間距，諸如最小間距。
條項6：如任一前述條項之系統，其中對該控制透鏡及該各別物鏡之控制判定每一子射束之該聚焦之該聚焦位置；較佳地，控制透鏡陣列對該等各別子射束之該等聚焦位置可在該物鏡陣列的順流方向，較佳地，該控制透鏡經組態以具有一焦距，且較佳使得控制透鏡與該等對應物鏡之該組合焦距之焦距係由該控制器控制。
條項7：如任一前述條項之系統，其中該控制器經組態以將一電位差施加至該物鏡陣列之鄰接電極，該等鄰接電極在沿著該等帶電粒子束中之每一者之一路徑的物鏡與控制透鏡之兩個鄰接電極之間；或該物鏡配置之兩個鄰接電極之間具有最大電位差，該物鏡配置包含該等控制透鏡之一陣列及該等物鏡之一陣列，該等控制透鏡較佳在該等物鏡的逆流方向。
條項8：如任一前述條項之系統，其中該複數個控制透鏡及/或該複數個物鏡經組態為可替換的，較佳可現場替換的。
條項9：如條項8之系統，其包含一可替換模組，該可替換模組包含該複數個控制透鏡及/或該複數個物鏡使得該複數個控制透鏡及/或該複數個物鏡在替換該模組時可替換，較佳可現場替換。
條項10：一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含：一控制透鏡陣列，其包含複數個控制電極且經組態以控制一各別子射束之一參數；一物鏡陣列，其包含複數個接物鏡電極且經組態以將複數個帶電粒子束引導至一樣本上；及一電位源系統，其經組態以將相對電位施加至該等控制電極及接物鏡電極，使得該等帶電粒子以一所要著陸能量、縮小率及/或射束開度角入射於該樣本上。
條項11：一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含：一物鏡陣列，其包含經組態以將各別子射束聚焦至一樣本表面上之物鏡；及一控制透鏡陣列，其包含經組態以在該物鏡陣列之操作之前控制各別子射束在該樣本表面上之一著陸能量及/或最佳化各別子射束之一開度角及/或放大率之控制透鏡。
條項12：如條項11之系統，其中該控制透鏡包含沿著該射束路徑之至少兩個電極。
條項13：如條項12之系統，其中該等電極中之至少一者經組態以設定該等各別子射束之射束能量，該電極較佳在該射束路徑中在一第一電極的順流方向。
條項14：如條項12或13之系統，其中該等電極中之該至少一者經組態以控制該等各別子射束之該開度角及/或放大率，該電極較佳在該射束路徑中在一第一電極的順流方向，較佳在經組態以控制該射束能量之一電極的逆流方向。
條項15：一種用於一檢測工具之多射束電子光學系統，該系統包含：一物鏡陣列，其經組態以將複數個準直子射束聚焦於一樣本上；一控制透鏡陣列，其在該物鏡陣列的逆流方向，該控制透鏡陣列經組態以控制每一子射束之射束能量，其中該系統經組態以調整該等子射束在該樣本上之著陸能量。
條項16：如條項15之系統，其中該系統經組態以藉由改變施加至該物鏡陣列之電位同時將該物鏡中之靜電場保持處於一預選強度來調整該著陸能量。
條項17：如條項15或16之系統，其中該系統經組態以藉由控制該控制透鏡陣列以便變化由該控制透鏡陣列遞送至該物鏡陣列之該射束能量來調整該著陸能量。
條項18：如條項15、16或17之系統，其中控制該控制透鏡包含重新最佳化開度角及縮小率。
條項19：如前述條項中任一項之系統，其中每一物鏡包含兩個電極。
條項20：一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含一物鏡陣列總成，該物鏡陣列總成包含複數個孔徑陣列，該物鏡陣列總成經組態以：a)將複數個子射束聚焦於一樣本上；及b)控制該等子射束之另一參數，該參數為以下各者中之至少一者：該等子射束在該樣本表面上之著陸能量、各別子射束之開度角及/或各別子射束之放大率。
條項21：如條項20之系統，其中接近於一樣本之孔徑陣列經組態以將複數個射束聚焦於該樣本上。
條項22：如條項21之系統，其中至少兩個孔徑陣列接近於該樣本。
條項23：如條項20至22中任一項之系統，其中經確認控制該另一參數的孔徑陣列在經組態以控制該等子射束之該聚焦的孔徑陣列的逆流方向。
條項24：如條項23之系統，其中至少兩個孔徑陣列經組態以控制該另一參數。
條項25：如條項24之系統，其中經組態以控制該另一參數之該等孔徑陣列包含經組態以控制著陸能量之一孔徑。
條項26：如條項24或25之系統，其中經組態以控制該另一參數之該孔徑陣列包含經組態以最佳化各別子射束之該開度角及/或各別子射束之放大率的一孔徑陣列；較佳地，該孔徑陣列與經組態以控制著陸能量之該孔徑相同。
條項27：如前述條項中任一項之系統，其進一步包含經組態以偵測自該樣本發射之帶電粒子的一偵測器，該偵測器較佳包含複數個偵測器元件，該複數個偵測器元件較佳與各別子射束相關聯，且該偵測器可與該樣本間隔開遠離該樣本一定的距離，較佳地，遠離該樣本之該距離為該偵測器之一最佳距離或一範圍。
條項28：如條項27之系統，其中該偵測器與該物鏡陣列相關聯，且理想地，在該複數個物鏡與該樣本之間。
條項29：如前述條項中任一項之系統，其中至少該等物鏡(或物鏡陣列)及該等控制透鏡(或控制透鏡陣列)係靜電的；較佳地，該系統之所有帶電粒子光學元件係靜電的。
條項30：如前述條項中任一項之系統，其中該等帶電粒子為電子，較佳地該系統包含用於發射用於發射電子之一電子源。
條項31：一種帶電粒子評估工具，其包含如前述條項中任一項之多射束電子光學系統，該帶電粒子評估工具較佳包含一聚光透鏡，該聚光透鏡在該物鏡陣列及控制透鏡陣列的逆流方向，該聚光透鏡較佳為一聚光透鏡陣列或替代地為較佳為磁性的一巨型聚光透鏡。
條項32：一種檢測方法，其包含：使用複數個控制透鏡以控制複數個帶電粒子子射束中之一各別子射束之一參數；使用複數個物鏡以將該複數個帶電粒子束投射至一樣本上；及控制該等控制透鏡及該等物鏡使得該等帶電粒子以一所要著陸能量、縮小率及/或射束開度角入射於該樣本上。
條項33：一種藉由使用一物鏡陣列總成將複數個子射束投射至一樣本表面上之方法，該方法包含：a)將該等子射束投射至一樣本之一表面上；及b)控制該等子射束之著陸能量及/或最佳化該等子射束之縮小率及/或射束開度角。
條項34：如條項33之方法，該物鏡陣列總成包含：一控制透鏡陣列，每一控制透鏡用於控制一各別子射束之一參數；及一物鏡陣列，每一物鏡用於將一各別子射束投射至一樣本上；一控制器，其用於控制該等控制透鏡及該等物鏡；及一偵測器，其用於偵測自該樣本發射之帶電粒子，該偵測器包含與各別子射束相關聯之複數個偵測器元件，且該偵測器與該樣本間隔開遠離該樣本一定的距離；其中該投射使用該物鏡陣列且該控制包含控制該等子射束之著陸能量，使得該等子射束以一所要著陸能量入射於該樣本上；該方法較佳進一步包含：控制該等控制透鏡以控制該參數包含預聚焦該等各別子射束，使得處於以下各情況中之一或多者：1)關於該等各別物鏡及該等各別控制透鏡之一組合動作判定該等各別子射束在該樣本上之聚焦位置，2)由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合透鏡效應導致在該樣本上之一聚焦，3)由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合透鏡效應導致在該樣本上之一聚焦，及4)該等各別物鏡及該等各別控制透鏡共同將該等各別子射束聚焦於該樣本上，(替代地或另外，該控制器經組態以控制該等物鏡以將該等各別子射束聚焦於該樣本上且控制該等控制透鏡以控制該等各別子射束之一預聚焦之參數，使得該等各別子射束之該預聚焦係在該等各別子射束由該物鏡聚焦於該樣本上之前)；及偵測自該樣本發射之帶電粒子，其中較佳地，該等透鏡及該等物鏡的該控制係由該控制器進行且較佳地該偵測係由該偵測器進行。
條項35：如條項33至34之方法，該物鏡陣列總成包含一物鏡陣列，該物鏡陣列經組態以將一帶電粒子束投射至該物鏡陣列上。
條項36：如條項33至35之方法，其包含：維持該物鏡陣列中之一預定靜電場或電場。
條項37：如條項33至36之方法，其進一步包含：調整各別子射束之縮小率及/或射束開度角。
條項38：如條項33至37中任一項之方法，其進一步包含：e)調整各別子射束在該樣本表面上之該著陸能量。
條項39：如條項33至38中任一項之方法，其進一步包含進一步包含偵測自該樣本發射之帶電粒子。
條項40：如條項39之方法，其中該偵測使用與該物鏡陣列總成相關聯之一偵測器。
條項41：如條項40之方法，其中該偵測係在該複數個物鏡與該樣本之間進行。
條項42：如技術方案33至41中任一項之方法，其中在預聚焦時，該控制透鏡用以將該等各別子射束聚焦於該樣本上，從而維持該樣本與以下各者之間的一最小間距：該物鏡陣列及/或該偵測器。
條項43：如條項33至42中任一項之方法，其進一步包含使該等帶電粒子束準直。
條項44：如條項43之方法，其中該準直使用在該物鏡陣列總成之逆流方向的一巨型準直器。
條項45：如條項43之方法，其中該準直使用該物鏡陣列總成內之一準直器陣列。
條項46：如條項33至45中任一項之方法，其進一步包含可替換地移除該物鏡總成之至少一透鏡元件。
條項47：如條項46之方法，其包含使柱之一區段一區段排氣，該區段較佳地對應於至少該物鏡總成之該透鏡元件的一模組，且該方法視情況包含以下各者中之至少一者：移除該模組、將該模組返回至該區段中且替換該模組；該方法進一步包含使該區段減壓。
條項48：如條項46或47之方法，該方法包含：在一可操作位置與非可操作位置之間調換包含至少該元件之一模組，其中在該可操作位置中該模組為該柱之該區段；且視情況在一非可操作位置中調換該模組與另一模組，使得該模組移動至一非可操作位置，較佳地，該另一模組移動至該區段中使得其處於一可操作位置中。
條項49：一種可替換模組，其經組態以在一帶電粒子檢測工具之諸如一電子光學柱之一帶電粒子柱中可替換，該模組包含一物鏡陣列總成，該物鏡陣列總成包含經組態以控制一各別子射束之一參數之複數個控制透鏡，該等參數包含一多射束之縮小率及/或著陸能量；較佳地，該可替換模組係可現場替換的。
條項50：如條項49之可替換模組，其中該物鏡陣列總成包含：複數個物鏡，其經組態以將該多射束之一各別帶電子光學束投射至一樣本上；及一偵測器，其經組態以偵測自該樣本發射之帶電粒子，該偵測器較佳包含與各別子射束相關聯之複數個偵測器元件，且該偵測器經組態以在於一電子光學柱中置放該模組時與該樣本間隔開遠離該樣本一定的距離，其中該等控制透鏡及該等物鏡較佳經組態以經控制使得該等帶電粒子以一所要著陸能量及/或縮小率入射於該樣本上，且該等控制透鏡較佳經組態以在於一電子光學柱中置放該模組時，較佳經控制以控制該等各別子射束之一預聚焦之參數，使得處於以下各情況中之一或多者：1)關於該等各別物鏡及該等各別控制透鏡之一組合動作判定該等各別子射束在該樣本上之聚焦位置，2)由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合透鏡效應導致在該樣本上之一聚焦，3)由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合透鏡效應導致在該樣本上之一聚焦，及4)該等各別物鏡及該等各別控制透鏡共同將該等各別子射束聚焦於該樣本上；(替代地或另外，該控制器經組態以控制該等物鏡以將該等各別子射束聚焦於該樣本上且控制該等控制透鏡以控制該等各別子射束之一預聚焦之參數，使得該等各別子射束之該預聚焦係在該等各別子射束由該物鏡聚焦於該樣本上之前)。
雖然已結合各種實施例描述本發明，但自本說明書之考量及本文中揭示之本發明之實踐，本發明之其他實施例對於熟習此項技術者將顯而易見。意欲本說明書及實例僅被視為例示性的，其中本發明之真正範疇及精神藉由以下申請專利範圍指示。
10:主腔室 20:裝載鎖定腔室 30:設備前端模組(EFEM) 30a:第一裝載埠 30b:第二裝載埠 40:多射束電子束工具/裝置/電子光學柱/電子光學工具 50:控制器 100:帶電粒子束檢測裝置 121:電極 122:電極 124:射束限制孔徑 201:電子源/射束源 202:初級電子束 207:樣本固持器 208:樣本 209:機動載物台 211:初級子射束 212:初級子射束 213:初級子射束 221:探測光點 222:探測光點 223:探測光點 230:投影裝置 231:聚光透鏡陣列/聚光透鏡 234:物鏡 235:偏轉器 240:電子偵測器件/偵測器 241:物鏡陣列 242:射束塑形限制器 250:控制透鏡陣列 252:上部射束限制器 260:掃描偏轉器陣列 265:巨型掃描偏轉器 270:巨型準直器 271:準直器元件陣列 300:物鏡 301:中間或第一電極 302:下部或第二電極 303:上部或第三電極 401:多射束物鏡 402:偵測器模組 404:矽基板 405:偵測器元件/捕捉電極 406:射束孔徑 407:邏輯層 408:佈線層 409:矽穿孔 600:控制透鏡 601:中間電極 602:下部電極 603:最上部電極 A-A:平面 LE_min:著陸能量之最小值 V1:電壓源/電位 V2:電壓源/電位 V3:電壓源 V4:電壓源/電位 V5:電位源/電位 V6:電位源/電位 V7:電位源/電位
本發明之上述及其他態樣自與隨附圖式結合獲取之例示性實施例之描述將變得更顯而易見。
圖 1為說明例示性帶電粒子束檢測裝置之示意圖。
圖 2為說明作為 圖 1之例示性帶電粒子束檢測裝置之部分的例示性多射束裝置之示意圖。
圖 3為根據一實施例之例示性多射束裝置的示意圖。
圖 4為例示性配置之著陸能量對解析度的曲線圖。
圖 5為本發明之一實施例的物鏡之放大圖。
圖 6為根據一實施例之檢測裝置之物鏡的示意性橫截面圖。
圖 7為 圖 8之物鏡的仰視圖。
圖 8為 圖 6之物鏡之修改的仰視圖。
圖 9為併入於 圖 6之物鏡中的偵測器之放大示意性橫截面圖。
圖 10為包含巨型準直器及巨型掃描偏轉器之例示性電子光學系統的示意圖。
圖 11為包含準直器元件陣列及掃描偏轉器陣列之例示性電子光學系統的示意圖。
圖 12為形成具有最終射束限制孔徑陣列之物鏡之電極的部分之示意性側視截面圖。
圖 13為相對於 圖 12中之平面A-A之示意性放大俯視截面圖，其展示最終射束限制孔徑陣列中之孔徑。
201:電子源/射束源
208:樣本
211:初級子射束
212:初級子射束
213:初級子射束
231:聚光透鏡陣列/聚光透鏡
234:物鏡
235:偏轉器
240:電子偵測器件/偵測器
250:控制透鏡陣列
260:掃描偏轉器陣列

Claims (15)

  1. 一種用於一帶電粒子評估工具之多射束電子光學系統，該系統包含： 複數個控制透鏡，其各自經組態以控制一各別子射束之一參數； 複數個物鏡，其各自經組態以將該複數個帶電粒子束中之一者投射至一樣本上； 一偵測器，其經組態以偵測自該樣本發射之帶電粒子，該偵測器包含與各別子射束相關聯之複數個偵測器元件，且該偵測器與該樣本間隔開遠離該樣本一定的距離；及 一控制器，其經組態以控制該等控制透鏡及該等物鏡使得該等帶電粒子以一所要著陸能量及/或縮小率入射於該樣本上， 其中該控制器經組態以控制該等控制透鏡以控制該等各別子射束之一預聚焦之參數，使得由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合動作判定該等各別子射束在該樣本上之聚焦位置。
  2. 如請求項1之系統，其中該控制器經組態以維持該等物鏡中之一預定靜電場。
  3. 如請求項1或2之系統，其中該控制器經組態以將一電位差施加至該物鏡陣列之鄰接電極，該等鄰接電極在沿著該等帶電粒子束中之每一者之一路徑的該等物鏡及控制透鏡之兩個鄰接電極之間具有最大電位差。
  4. 如請求項1或2之系統，其中該等控制透鏡經組態以調整各別子射束之該縮小率及/或控制各別子射束在該樣本表面上之一著陸能量。
  5. 如請求項1或2之系統，其中該等控制透鏡在該等物鏡的逆流方向且與該等物鏡相關聯。
  6. 如請求項1或2之系統，其中該複數個控制透鏡及/或該複數個物鏡經組態為可替換的。
  7. 如請求項6之系統，其包含一可替換模組，該可替換模組包含該複數個控制透鏡及/或該複數個物鏡使得該複數個控制透鏡及/或該複數個物鏡在替換該模組時可替換。
  8. 一種藉由使用一物鏡陣列總成將複數個子射束投射至一樣本表面上之方法，該物鏡陣列總成包含：一控制透鏡陣列，每一控制透鏡用於控制一各別子射束之一參數；及一物鏡陣列，每一物鏡用於將一各別子射束投射至一樣本上；一控制器，其用於控制該等控制透鏡及該等物鏡；及一偵測器，其用於偵測自該樣本發射之帶電粒子，該偵測器包含與各別子射束相關聯之複數個偵測器元件，且該偵測器與該樣本間隔開遠離該樣本一定的距離；該方法包含： a)將該等子射束投射至一樣本之一表面上，該投射使用該物鏡陣列； b)控制該等子射束之著陸能量使得該等子射束以一所要著陸能量入射於該樣本上及/或最佳化該等子射束之縮小率； c)控制該等控制透鏡以控制該參數包含預聚焦該等各別子射束使得由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合動作係在該樣本上進行；及 d)偵測自該樣本發射之帶電粒子， 其中該等控制透鏡及該等物鏡的該控制係由該控制器進行且該偵測係由該偵測器進行。
  9. 如請求項8之方法，其進一步包含：調整各別子射束之該縮小率。
  10. 如請求項8或9中任一項之方法，其進一步包含： 調整各別子射束在該樣本表面上之該著陸能量。
  11. 如請求項8或9中任一項之方法，其中在該偵測時的該偵測器係與該物鏡陣列總成相關聯。
  12. 如請求項8或9中任一項之方法，其中該偵測係在該複數個物鏡與該樣本之間進行。
  13. 如請求項8或9中任一項之方法，其中在預聚焦時，該控制透鏡用以將該等各別子射束聚焦於該樣本上，從而維持該樣本與該物鏡陣列之間的一最小間距。
  14. 如請求項8或9中任一項之方法，其進一步包含使該等帶電粒子束準直。
  15. 一種可替換模組，其經組態以在一帶電粒子檢測工具之一帶電粒子光學柱中可替換，該模組包含：一物鏡陣列總成，該物鏡陣列總成包含： 複數個控制透鏡，其經組態以控制一各別子射束之一參數；該等參數包含一多射束之縮小率及/或著陸能量；及 複數個物鏡，其經組態以將該多射束之一各別帶電射束投射至一樣本上；及 一偵測器，其經組態以偵測自該樣本發射之帶電粒子，該偵測器包含與各別子射束相關聯之複數個偵測器元件，且該偵測器經組態以在於一電子光學柱中置放該模組時與該樣本間隔開遠離該樣本一定的距離， 其中該等控制透鏡及該等物鏡經組態以經控制使得該等帶電粒子以一所要著陸能量及/或縮小率入射於該樣本上，且該等控制透鏡經組態以在於一電子光學柱中置放該模組時，較佳經控制以控制該等各別子射束之一預聚焦之參數，使得由該等各別物鏡及該等各別控制透鏡對該等各別子射束之一組合動作判定該等各別子射束在該樣本上之聚焦位置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6142132A (ja) * 1984-08-06 1986-02-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム露光装置
JPH113676A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Jeol Ltd 走査電子顕微鏡
US7129502B2 (en) 2003-03-10 2006-10-31 Mapper Lithography Ip B.V. Apparatus for generating a plurality of beamlets
EP1619495A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method and Apparatus for inspecting a specimen surface and use of fluorescent materials
EP2068345B1 (en) * 2007-12-05 2016-07-20 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High resolution gas field ion column with reduced sample load
JP5587299B2 (ja) * 2008-05-23 2014-09-10 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 結像システム
TWI497557B (zh) 2009-04-29 2015-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統
NL1036912C2 (en) 2009-04-29 2010-11-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle optical system comprising an electrostatic deflector.
NL2007604C2 (en) 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
NL2006868C2 (en) 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
JP2014007013A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Canon Inc 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法
NL2013411B1 (en) * 2014-09-04 2016-09-27 Univ Delft Tech Multi electron beam inspection apparatus.
US9922796B1 (en) * 2016-12-01 2018-03-20 Applied Materials Israel Ltd. Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device

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