JP2014515789A - 蒸着アプリケーションのための測定装置及び方法 - Google Patents

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Abstract

特定の許容差の範囲内で蒸発源の蒸着速度を測定し且つ/又は制御する必要がある蒸着アプリケーション、とりわけOLEDの大量生産において、基板上に蒸着される層の厚さが測定され、制御され得るように、高速/低速源においてロバスト且つ正確な光学的厚さ測定法を使用するように測定システムが適合される。第1の蒸発源11が、材料の層を基板20上に蒸着させる。蒸着位置D1内に第2の蒸発源12bから膜が蒸着される移動式要素41が設けられる。その後、移動式要素は、厚さ検出器45によって膜の厚さが測定される測定位置D2に搬送される。測定機器は、移動式要素上に蒸着される膜の厚さに応じて第1の蒸発源の蒸着を制御するように構成される。

Description

本発明は、蒸着アプリケーション、とりわけOLEDの大量生産において、蒸発源の蒸着速度を特定の許容差の範囲内で測定し且つ/又は制御するために蒸発源の蒸着速度、すなわち基板上に蒸着される層の厚さを求めるためのシステム、機器、装置、方法、及びコンピュータプログラム製品に関する。
蒸着技術は、規定された材料及び厚さの層を、とりわけ真空チャンバー内で完全に自動化されたプロセスで基板に与えるために製造業で一般に使用されている。蒸着装置の適切な機能を制御するための任意選択肢として、蒸着される層の厚さは、とりわけ基板上に層を蒸着させるのと同時に、別のセンサー上に膜を蒸着させることによって間接的に求められても良い。原理は、センサー上の膜厚の測定値が基板上の層厚さを推論するためのデータを提供できることである。
最近では、基板、例えば有機発光ダイオード(OLED)用の基板の製造及び蒸着には、様々な材料、例えば有機材料及び/又は金属材料の比較的薄い層を、小さい境界すなわち小さい許容差を持つ規定された層厚さによって蒸着させることが必要である。これらの層の蒸着は通常、数週間にわたって保守なしで稼動されるインライン式の真空蒸着ツールによって行われる。所要の層厚さの許容差を実現するには、使用される(有機)蒸発源の蒸着速度を非常に正確に測定し、制御することが必要である。蒸発源の蒸着速度を測定する一般的方法は、所謂水晶発振器を使用することである。そのような速度感知発振器は、例えば蒸着ビーム内に装着されても良く、有機層は、基板上への蒸着と同時に水晶の位置上に蒸着されても良い。水晶発振器は、典型的にはツーリング測定により基板上の層厚さに合わせて較正され、試験層が基板上に蒸着される。試験蒸着中、この試験層の厚さは、所謂偏光解析法又は所謂反射率測定法によって測定され、測定された速度感知発振器の信号に関連して設定されても良い。
その結果、所謂水晶発振器は蒸着ツール内の蒸着速度を測定するための最新式のセンサーだが、とりわけ工業的応用に関して幾つかの不都合がある。例えば、水晶の寿命は非常に限られており、そのため蒸着ツールの保守期間を決定する。更に、これらの水晶発振器の測定精度は、しばしば所要の許容差の範囲内で蒸発源の蒸着速度を制御する丁度限界にある。更に、これらの水晶センサーの信頼性は、工業上の大量生産ツールを必要とされる動作時間で稼動させるには十分でない場合がある。また、センサーの測定値は、冷却水、真空揺らぎ、振動などの外部要因によって頻繁に且つ容易に乱される。
これらの不都合は業界で知られている。従って、センサーの供給業者は、信頼性及び寿命の問題を補うために例えば6クオーツや12クオーツのリボルバシステムを提供する。つまり、層厚さを測定するために多数のセンサーが設けられる。しかし、多数のセンサーを設けることは、これらのセンサーのそれぞれに関する異なる測定誤差や、多数のセンサーを較正する必要性などの更なる問題も含意する。即ち、例えば特定の許容差の範囲内で有機源の蒸着速度を制御する必要があるOLEDの大量生産では、最新式のセンサーは通常、とりわけ十分な可用時間及びロバスト性とともに所要の許容差の範囲内で厳密な蒸着速度を保証することはできない。
数年来、一部の機器供給業者は、基板のインラインの正規位置に蒸着される層の厚さを偏光解析法又は反射率測定法によって測定し、蒸発源の蒸着速度を制御するためにこの測定値をフィードバックすることを促進している。しかし、この測定技法は今に至るまで成功裏に実現されておらず、所要の精度の範囲内で全ての層について可能かどうかも疑問である。主に以下の問題がこの技術を制限している。多層スタックの層の測定(基板上で直接測定する必要がある)は非常に複雑且つ労力を要し、スタックごとに新しい状態で(on new)展開される必要がある。更に、十分な精度で測定できるようにするための最低限の層厚さ、典型的には10nm〜20nmがある。しかし、例えばOLEDスタックでは概して10nm〜20nmよりも薄い多くの層があり、そのため特にドーパントがこの方法によっては測定され得ない。
本発明の目的は、層厚さ又は基板上に設けられる少なくとも1つの層の厚さを高度に求めるための装置及び方法を提供することである。本発明の更なる目的は、基板の製造及び蒸着プロセスと同時に層厚さを高度に求めるための装置及び方法を提供することであり、従来の蒸発源の設計、とりわけ蒸発チャンバー内に配置される有機低速源の設計を大いに保てるべきである。つまり、高速/低速源においてロバスト且つ正確な厚さ測定法を使用することは従来の応用において可能だが、これまで使用されてきた発振器を置換し又は無くても済むようにする。また、薄い層、とりわけ20nm更には10nmよりも薄い層の厚さを連続して求めるための装置及び方法を提供することも目的である。更に、熱的に蒸発した(有機)材料に対して容易に較正され得る改善された速度測定センサーを提供することも目的である。即ち本発明は、従来の蒸着アプリケーションにおいて、より高信頼に蒸着速度を測定し、且つ基板層の厚さを求めるための装置及び方法を提供することを目的とする。
これらの目的の少なくとも1つが、請求項1に記載の測定機器、請求項6に記載の蒸発装置、請求項13に記載のシステム、及び請求項9に記載の方法によって実現される。
従って、以下で更に説明するように、蒸着中に動作中でも停滞していても良い(例えばバンド状コンベアの)移動式要素すなわち可動要素の表面上に膜が蒸着されても良く、優れた測定精度をもたらすために多数の変動要素に応じて膜の厚さが予め定められても良いような方法で、層厚さを求めるための測定機器が提供される。その結果、請求項1に記載の移動式要素上に蒸着される少なくとも1つの膜の厚さに依存して第1の蒸発源の蒸着速度を間接的に求めることにより、基板上に蒸着される層の厚さを測定し且つ/又は制御することが実現され得る。それにより、かかる移動式要素は、例えばバンド式コンベア、又は円状の若しくは環状のスライス又は滑車の一種のディスク、特に回転ディスクとして提供されても良い。とりわけディスクでは、蒸着及び検出が異なるセグメントにおいて行われても良く、ディスクには少なくとも2つの異なる材料が特に異なる面すなわち側方領域に与えられても良い。とりわけバンド式コンベアは、コンベアバンド又は平面コンベア、即ち例えば長い保守期間を実現するために、有利には小さな厚み例えば任意の膜式材料を有するテープ又はストリップ状のコンベアの形で提供されても良い。そのようなテープの剛性又は硬さは、例えば蒸着される膜の厚さを考慮して、及び/又は測定機器の絶対的大きさを考慮して経験若しくは計算に基づいて、又はテープ内の任意の張力に基づいて設計され得る。或いは、移動式要素は実質的に柔軟性がない材料の形で提供されても良い。
概して、蒸着される層は有機材料及び/又は金属材料の形で与えられても良く、材料の種類は、層厚さすなわち膜厚を検出するための特定の配置又は方法を必ずしも含意しない。即ち、材料の種類とは関係なく測定機器、蒸発装置、システム、及び方法が設計され得る。
従って、優れた精度で蒸着速度を測定するための有利な方法は、とりわけ20nm〜100nm、更には10nm〜200nmの厚さの単一層膜を蒸着させ、一般に使用される技法、とりわけ偏光解析法又は反射率測定法により膜厚を測定することであり、測定は層を蒸着させるそれぞれの瞬間を基準にして時間的にシフトされても良い。その結果、概して、偏光解析法又は反射率測定法により1nmから100μmの範囲の厚さが測定可能だが、上記で述べた応用又は以下の応用に関しては、10nmから200nmの範囲内で正確に測定するように構成される偏光解析器又は反射率計を使用するのが妥当である。かかる測定の精度、繰返し性、及び信頼性は素晴らしく、即ち非常に申し分なく、層厚さの判定は、多数の水晶発振器とは独立に更には基板上に蒸着される層の実効厚さとも独立に成し遂げられても良く、一般に知られている厚さ検出器を使って検出するためのロバスト且つ正確な測定機構が提供され得る。これにより、厚さ検出器が従来の水晶発振器と同じ位置に、又は蒸着チャンバー内の適切な位置に設置され得るように、熱的に蒸発した(有機)材料層の厚さを求めるための速度測定センサーシステムが設計され得る。
つまり厚さ検出器は、補足的な蒸発源、例えば1つ又は複数のノズルの前に、調節可能な、特に一定の速度で移動される移動式要素から成ることができる。特定の構成では、この速度は、とりわけ基板が蒸着中に連続して搬送されない場合、少なくとも一時的にゼロとすることができる。従来の発振器のヘッド上に膜を蒸着させるための従来のノズルとは対照的に、補足的な蒸発源は、厚さ検出器の検出能力に応じて最適な膜厚で膜を蒸着させるために、例えば幾何学的配置及び/又は寸法の点で特別に設計されても良い。可動要素が補足的な蒸発源を通過する間、蒸発した材料の膜が移動式要素の正規位置に蒸着され、蒸発膜の厚さも、蒸発源の寸法、移動式要素の供給源までの距離などの幾つかのパラメータによって、及び特に移動式要素の速度、つまりバンド式コンベアの搬送速度又はディスクの回転速度によって容易に調節されても良く、それにより非常に薄い層、例えば10nm更には5nm未満が基板上に蒸着される場合でさえ、(膜厚を正確に検出することによる)層厚さを求める精度が保証され得る。
その結果、第2の蒸発源は第1の蒸発源の位置とは別の位置に、又は第1の蒸発源の配置に基本的に対応する位置に設けられても良い。つまり、時間的にだけでなく場所に関しても膜の蒸着が層の蒸着と同時に行われ得る。即ち、第1の蒸発源によって与えられる気化物質と少なくともほぼ同じ方向に気化物質が与えられるように、第2の蒸発源が方向付けられ、構成されても良い。個々に、可動要素は基板と少なくともほぼ同じ位置に移動されても良い。また、可動要素は、基板と同じ方向に及び少なくともほぼ同じ位置の両方に移動されても良い。或いは、可動要素すなわち移動式要素は、第1の蒸発源の蒸着ビーム内に直に移動されても良く、第2の蒸発源は単に任意選択的に設けられるに過ぎない。
上記で述べたように、測定を行う移動式要素上に蒸着される膜の厚さは、基板上に蒸着される層の厚さと完全に独立に調節されても良く、低速の蒸発源上でさえ測定用の十分厚い層を蒸着させる可能性をもたらす。これにより蒸着時に、移動式要素、とりわけバンド式コンベアすなわちテープが、例えば1つ又は1組の偏向滑車により、移動式要素上に蒸着される膜の厚さを測定可能な厚さ検出器、例えば偏光解析器や反射率計の測定ヘッドまで搬送されても良く、測定速度は有利には基板上に蒸着される層の厚さに比例し、即ち膜厚は層厚さに比例する。その結果、測定ヘッドは蒸発チャンバー内に直接設置され、又は蒸発チャンバーの外側に設置され、チャンバーののぞき窓を介して見られても良く、初期較正は、とりわけ水晶発振器に使用されるツーリングプロセスと同様のツーリングプロセスによって行われ得る。
つまり、基板層の蒸着プロセスとは独立に走っている移動式要素上に単一層膜が蒸着される場合、非常に低速の蒸着源でさえ所要の膜厚に容易に到達することができる。その結果、例えば移動式要素の速度を落とすことにより、適切な膜厚並びに十分な精度が保証され得る。従って、比較的薄いドープ層、例えばそれぞれが10nm未満の薄さを有するOLEDスタック内の層でさえ、移動式要素上に様々な材料を独立に蒸着させ、単一層膜を測定することができる。かかる測定ツールの可用時間は、移動式要素の寸法によって、即ちバンド式コンベアの長さにより又はディスク式回転装置の直径により制限され得るが、有利には、カセットシステムを適切な寸法で設計することにより可用時間が制限要因ではないように、バンド式コンベアはカセットシステムの形で提供されても良い。これにより、厚さ検出器を有する速度センサーすなわち測定機器が、薄い膜が蒸着されるあらゆる種類の(熱的)蒸発源に適用されても良く、これらの層は偏光解析法又は反射率測定法によって(間接的に)測定され得る。かかる厚さ検出器は、最新式のセンサー、とりわけ水晶発振器がその限界に達する、OLED製造のための有機層の蒸着において特に興味深い。
第1の態様によれば、測定機器が、移動式要素の特定の表面領域が蒸着位置から検出位置に通過する必要がある時間を示す特定の時間遅延の範囲内に、移動式要素を蒸着位置から検出位置まで供給するように構成され得る。時間遅延は、例えば数秒又は数分程度とすることができる。有利には、時間遅延は少なくとも数秒、例えば5秒から10秒程度であり、それによりその間移動式要素上に蒸着される膜が、厚さ検出器の測定技法に十分な濃度(consistency)により、例えば特定の湿度値により提示され得る。更に、有利には、時間遅延は長くても数分、例えば5分から10分程度であり、それにより、材料及びエネルギの消費増となる過度の廃棄を回避するために、長過ぎないプロセス時間内で欠陥のある厚さの層が検出され得る。更に、特定の検出時点について、測定機器は、移動式要素の特定の表面領域を蒸着時点に相関させるように構成されても良く、それによりこの表面領域内の膜の厚さが膜及び層の両方の蒸着時点の相関関係において検出され得る。その結果、基板及び/若しくは移動式要素の動きに関係するタイミング手段並びに/又は動き検出手段により相関が簡単に実現されても良く、それにより層厚さの欠陥又は誤りが、基板の特定の領域に関係付けられ得る。従って、蒸着される層が許容差外れの厚さで与えられている特定の処理期間の場合でさえ、正しく処理されている基板の領域が識別されるような方法で基板が保たれ得る。
上記の第1の態様と組み合わせることもできる第2の態様によれば、測定機器は、蒸着位置における蒸着点及び検出位置における検出点に関連し、蒸着時点と検出時点との間の時間遅延を調節するように構成されても良い。その結果、膜の密度などの基準と過度の廃棄の恐れとの間の最適条件が見出せるように、例えば数秒から数分の範囲内で時間遅延が調節されても良い。
上記の第1の態様及び第2の態様と組み合わせることもできる第3の態様によれば、とりわけ膜の最適な厚さの厚さ値に応じて搬送速度を調節するように、アクチュエータ装置が構成されても良い。厚さ検出器は、膜の厚さを光学的に検出するように構成され得る。アクチュエータ装置は、送り装置及びカセットを含むことができる。偏光解析法又は反射率測定法のために、膜の最適な厚さの厚さ値は、有利には約10nmから200nmの範囲内、例えば5nmの層厚さの場合は50nmである。最適な厚さの他の値は、例えば移動式要素の材料、検出技法、及び/又は搬送速度に応じて30nm、70nm、又は例えば150nmの範囲内とすることができる。また、膜は、例えば移動式要素の材料、検出技法、及び/又は搬送速度に応じて10nmの厚さしかない場合に測定されても良い。つまり、厚さ検出器に使用される移動式要素、例えばバンド式コンベアすなわちテープは、とりわけ機器の保守中に容易に置換され得る供給機構、例えばカセットバンドコンベアシステムや回転駆動装置によって操作され得る。その結果、最適な厚さの値は、厚さ検出器の測定能力に応じてだけではなく、カセット内に巻き取られる膜の最適な膜密度を与えるために、カセットシステムの種類にも応じて規定され得る。
上記で述べた態様と組み合わせることもできる第4の態様によれば、アクチュエータ装置が、送り装置及びカセットだけではなく少なくとも1つの偏向滑車も含むカセットテープシステム形式で設けられても良い。これにより、蒸発源を基準にした膜の位置が、例えば偏向滑車の回転軸に設けられる位置調節手段によって調節されても良く、位置調節手段は例えばレールガイドの形で設けられる。例え膜張力調節手段をアクチュエータ装置自体によって、例えばカセットシステムの送り装置内に設けられるブレーキ機構によって更に提供できても、かかる位置調節手段は膜張力調節手段とともに設けられ得る。更に、移動式要素は、テープ形式、とりわけ更なる表面被覆を有する又は有さない、プラスチック、金属箔、又はガラスで作られたテープの形で提供されても良く、移動式要素の材料は蒸着中の熱による任意の影響及び光学的測定技法に適合することができ、即ちバンド式コンベアの材料は例えば更なる表面被覆を有する又は有さない、プラスチック又は金属箔として提供され得る。代替策として、バンド式コンベアはガラス材料で提供されても良い。更に、移動式要素及びアクチュエータ装置は、約10nmから200nmの厚さの膜を処理するように構成されても良い。その結果、200nm程度の厚さの場合でさえ、とりわけ厚さ検出器又は真空チャンバー内に設けられる他の要素に対してカセットが十分離された関係で配置され得るように偏向滑車を設けることにより、十分長い保守期間が保証され得るように、アクチュエータ装置が十分なバッファすなわち収納室とともに設計されても良い。
上記の態様のどれとも組み合わせることができる第5の態様によれば、基板上に少なくとも1つの層を蒸着させるための多数のシャワーノズルを有するシャワーヘッド形式の第1の蒸発源と、測定機器によって与えられる移動式要素上に少なくとも1つの膜を蒸着させるための第2の蒸発源とを含む、測定機器を有する蒸発装置が提供されても良い。測定機器によって与えられるアクチュエータ装置は、移動式要素、即ちバンド式コンベアを搬送するように構成することができ、膜が移動式要素上に、とりわけ第2の蒸発源と向かい合って位置する蒸着位置内に連続して、又は任意選択的に少なくとも時間的に非連続に蒸着され得るように第2の蒸発源に沿ってディスクを回転させるように構成されても良い。更に、第2の蒸発源は、移動式要素と向かい合った位置、とりわけ蒸発装置の本体構造に設けられても良い。蒸発装置は、基板上に蒸着される任意の層の厚さとは独立に、とりわけ基板上に蒸着される任意の層の厚さに比例して、移動式要素上に膜厚を与えるように構成されても良い。これにより、薄い層の蒸着さえ制御することができ、蒸着される材料並びにアクチュエータ装置の幾何学的配置及び構成に応じて膜が最適な厚さの範囲内で与えられ得る。
アクチュエータ装置は、蒸着される膜の厚さが蒸着位置とは異なる位置で検出され得るように、及び特定の時点において蒸着される膜の厚さが特定の時点に対する相関関係により厚さ検出器によって検出され得るように、特定の蒸着時点に対する蒸着点と検出点との間の距離の一定の明確な相関関係を使用可能にするために、一定の搬送速度で移動式要素を搬送するように構成されても良い。その結果、基板上の欠陥に対する測定される膜厚の相関が促進され得る。或いは、又はそれに加えて、移動式要素は不定速度すなわち可変速度、例えば蒸着中の一時停止や停止を伴って搬送されても良く、又は移動式要素の特定の表面領域を厚さ検出器に若しくはその反対方向に与えるために、蒸着中よりも大幅に高速で搬送されても良い。更に、アクチュエータ装置及び移動式要素は、蒸着位置と検出位置との間の経路長が例えば数ミリから数センチの範囲内にあるように調節され得るように構成されても良く、それにより最適な搬送速度に応じて、特定の時間遅延の設定を可能にするために経路長が設けられ得る。その結果、厚さ検出器によってもたらされる最高の精度が採用され得るように、経路長を調節することにより、検出時点における蒸着膜の特性が調節され得る。
上記の態様のどれとも組み合わせることができる第6の態様によれば、搬送速度が基板の送り速度に一致するように基板の送り速度と同じ送り速度で、基板上に層が蒸着されるのと同時に、第2の蒸発源によって膜が蒸着され得る面を与えるように移動式要素が構成されても良い。その結果、基板上の欠陥に対する測定される膜厚の相関が促進され得る。更に蒸発装置は、層の厚さを求めるために、とりわけ測定機器によって与えられる特定の時間遅延情報に基づき、第1の蒸発源によって基板上に蒸着される層の厚さに対し、測定される膜厚を相関させるように構成されても良い。その結果、蒸発装置、例えば蒸発装置内に設けられるプロセッサーによる相関は、真空チャンバーの外側にある如何なる相関装置への更なるリンク及び接続も与える必要がないという利点をもたらすことができる。
上記の態様のどれとも組み合わせることができる第7の態様によれば、従来の水晶発振器の位置と向かい合った位置に、又は従来の水晶発振器が代わりに配置され得る位置に測定機器が配置されても良く、最新式の発振器が測定機器によって再装備される必要がある場合にも著しい設計審査は必要ない。更に、気化物質を膜上に蒸着させるための更なる気化物質発生器が必要ないように、基板及び移動式要素に蒸着させるための気化物質は、蒸発装置に配置される蒸発器によって与えられても良い。更に、蒸発装置は、第2の蒸発源のサイズ、第2の蒸発源の幾何学的配置、蒸着点における移動式要素と第2の蒸発源との間の距離、及び/又は搬送速度のうちの少なくとも1つにより、移動式要素上に蒸着される膜の厚さを調節するように構成されても良く、それにより、測定システムを調節するために、容易に調節可能な変動要素が特定の設計ごとに選択され得る。更に、第2の蒸発源及び測定機器は、移動式要素上に様々な材料を独立に蒸着させるように、及び単一層膜を測定するように構成されても良く、それにより、1つの移動式要素だけで多層OLEDスタックの処理がシミュレートされ制御され得る。
更に、第1の蒸発源に沿って基板を通過させるのと同時に、移動式要素がとりわけ蒸発チャンバー内で第2の蒸発源に沿って搬送されるように、請求項9に記載の方法が提供されても良い。その結果、アクチュエータ装置は、膜の最適な厚さ、とりわけ20nmから200nm程度の厚さ値を有する膜を与えるために、特に基板上に蒸着されるそれぞれの層の厚さの目標値を基準にして例えば位置及び/又は速度に関して調節されても良く、それにより、例えば厚さ検出技法に関する最適な膜厚がもたらされ得る。
更に、厚さ検出器による検出位置内の蒸着膜の厚さ検出が行われても良く、移動式要素の特定の表面領域が蒸着位置から検出位置まで通過するのにかかる時間を示す一定の時間遅延の後に検出が行われても良いように、検出位置は蒸着位置と異なることができる。時間遅延は、数秒から数分の範囲内とすることができる。更に、特定の検出時点について、測定機器は、移動式要素の特定の表面領域を蒸着時点に相関させるように構成されても良く、それによりこの表面領域内の膜の厚さが蒸着時点との相関関係において検出され得る。
また、蒸着される膜の厚さが蒸着位置とは異なる位置で検出され得るように、この機器は、移動式要素を継続的に及び/又は少なくとも時間的に非連続に蒸着位置から検出位置まで供給するように構成されても良い。更に、検出、とりわけ光学的検出の測定値は、基板上に蒸着される層の厚さに比例しても良い。その結果、基板上の欠陥に対する測定される膜厚の相関が促進され得る。それでもなお、比例しない関係に基づいて膜厚を層厚さに相関させることが有利又は不可欠な応用もある場合があり、そのため代替的に又はそれに加え、比例しない測定値が与えられても良い。
また、初期較正は、従来の水晶発振器に使用されるツーリングプロセスと同様のツーリングプロセスによって行われ得る。その結果、著しい設計審査又はサービス要員の再教育は必要ない。更に、移動式要素の動きが基板の動きと、とりわけどちらの反対方向にもそれぞれ同期され得るように、基板がシャワーヘッドに沿って継続的に通過されても良い。
更に、それぞれの膜が約10nmから200nmの厚さで蒸着され得るように測定機器によって与えられるアクチュエータ装置を調節するために、測定機器が第2の蒸発源と通信するように請求項13に記載のシステムが提供されても良い。更に、或いは移動式要素に蒸着させるための気化物質は、基板に蒸着させるための気化物質を与える蒸発器とは異なる補足的な蒸発器によって与えられても良く、そのため例えばドーパント又は危険な若しくは費用のかかる高価な任意の層の材料の場合、移動式要素上に蒸着される膜は危険でなく且つ/又は費用を節減する材料の形で与えられ得る。
当然ながら、他の測定選択肢が使用されても良い。例えば厚さ検出は、必ずしも光学的検出の準備を行う必要がないように、音響効果に基づいて実行されても良い。
上記の機器は、単一のチップ又はチップセット上に組み込まれ、又は回路基板上に配線されるハードウェア回路として実装されても良い。代替策として、機器の少なくとも一部が、プロセッサー若しくはコンピュータ装置を制御するソフトウェアプログラム又はルーチンとして実装されても良い。
請求項1に記載の測定機器、請求項6に記載の蒸発装置、請求項9に記載の方法、請求項13に記載のシステム、及び請求項15に記載のコンピュータプログラムは、とりわけ従属請求項の中で定められる類似の及び/又は同一の好ましい実施形態を有することを理解すべきである。
本発明の好ましい実施形態は、それぞれの独立請求項を伴う従属請求項の任意の組合せとすることができることも理解すべきである。
本発明のこれらの及び他の態様が、以下に記載される実施形態から明らかになり、かかる実施形態を参照することで明らかにされる。
蒸発チャンバー内の一般的に使用されるセンサー構成、即ち最新式の構成の概略図を示す。 第1の実施形態による、とりわけ蒸発チャンバー内に蒸発装置に隣接して配置される層厚さを求めるための測定機器の概略図を示す。 第2の実施形態による、とりわけ蒸発チャンバー内に蒸発装置に隣接して配置される層厚さを求めるための測定機器の概略図を示す。 第3の実施形態による、とりわけ蒸発装置に隣接して配置され、蒸発チャンバーの外側に部分的に配置される層厚さを求めるための測定機器の概略図を示す。 本発明による測定機器及び蒸発システムの概略的ブロック図を示す。
以下の実施形態では、蒸発源の蒸着速度すなわち基板上に蒸着される層の厚さを求めるための改良システムが提案され、膜の厚さは層の蒸着とは独立に検出可能である。
これらの実施形態によれば、膜の厚さは、厚さ検出が層厚さとは独立に高精度で実行され得るように定められても良い。従って、非常に薄い層の蒸着さえ制御され得る。即ちこれらの実施形態は、改良された基板製造のための方法及び装置を提供する。
以下、一般的に使用される最新式の構成から始まり、調節可能な測定機器すなわち厚さ検出器を使う3つの実施形態について説明されている。
図1は、発振器の形を取る速度センサーを備える従来技術によるシステムを示す。基板20が蒸発装置10Aのシャワーヘッド11Aに隣接して設けられ、蒸発装置10Aは、シャワーヘッド11Aに結合されるシャワーヘッド本体12Aを更に含む。シャワーヘッド11Aにおいて、基板20上に蒸着される気化物質を蒸発させるために幾つかのシャワーノズル11aが設けられ、気化物質はシャワーヘッド本体12A内に配置される熱蒸発源13Aから生じる。基板20はシャワーヘッド11Aに沿って、とりわけ移動方向Tの方に、即ちシャワーノズル11aの向きに対して直角に通され、図1に示されているどちらの反対方向も可能である。全てのシステム部分が蒸発チャンバー50a内に配置される。シャワーヘッド本体12Aにおいて、最新式の速度感知発振器30のセンサーヘッド上に気化物質を蒸着させるために、蒸発ノズル12aが設けられる。即ち、インライン式の大量生産ツール用の熱蒸発源13Aがシャワーヘッド本体12Aを備え、シャワーヘッド本体12Aは、とりわけ一定の速度でシャワーヘッド11Aを通過する基板20に対して気化物質を均一に散布する。従来の速度感知発振器(水晶発振器)30が、基板20の近くに又は(図1に示されているように)蒸発ノズル12aの前に、とりわけシャワーヘッド本体12Aに対して横方向に配置される。これにより、速度感知発振器30上に蒸着される膜の厚さが基板20上の蒸着速度に比例する。速度感知発振器30上に蒸着される膜の厚さを測定することにより、基板20上に蒸着される層20aの層厚さが推論され得る。
図2は、第1の実施形態による、とりわけ蒸発チャンバー50a内に蒸発装置10に隣接して配置される層厚さを求めるための測定機器40の概略図を示す。測定機器、すなわち速度感知装置40は、従来の速度感知発振器30の位置と同様の位置、例えば図2に示されているように補足的な蒸発源12bの前に置かれても良い。これにより、蒸発源12bは従来の水晶発振器30の位置と向かい合った位置に配置され、この位置は従来の水晶発振器30が代わりに配置され得る位置に相当することができる。補足的な蒸発源12bとともに、測定機器40は、従来技術において、従来の水晶発振器30上に膜を蒸着させるために設けられる、発振器のヘッド31及び蒸発ノズル12aを有する従来の水晶発振器30を置換できるが、これらのコンポーネント12a、30、31は、測定機器40及びコンポーネント12a、30、31がとりわけ蒸発チャンバー50a内で共存し得ることを指摘するために図2に示されている。そのような方法で、従来の発振器30及び測定機器40の両方、並びに/又は測定機器40の冗長性が、蒸発装置10の大幅な設計のレビューなしに提供され得る。この実施形態によれば、速度センサー40は、調節可能な速度で蒸発源12bの前で移動されるバンド式コンベアすなわちテープ41から成ることができる。この搬送速度は有利には一定だが、特定の層20aを基準にして速度が一定であるように基板20上に実際に蒸着される層に応じて継続的に調節されても良く、但し例えば連続して蒸着される2つの異なる層の間で異なっても良い。テープ41が蒸発源12bを通過する間、蒸発された材料の膜41aがテープ41の正規位置に蒸着される。これにより、この膜41aの厚さは、例えば蒸発源12bのサイズや幾何学的配置、テープ41から蒸発源12bまでの距離、更にとりわけテープ41の搬送速度によってなど、幾つかのパラメータによって容易に調節され得る。更に、かかる測定機器40によってもたらされる別の利点として、測定テープ41上に蒸着される膜41aの膜厚が、基板20上に蒸着される層20aの実際の厚さとは完全に独立に調節され得る。従って、低速源においてさえ測定用に十分厚い膜41aを蒸着させることが可能であり、例えば5nmから10nm、更には5nmよりも薄い範囲内の層20aの層厚さの場合でさえ、測定テープ41上の膜41aに十分な厚さを与えることができ、それにより基板20上へのドーパントの蒸着さえ制御され得る。或る例示的方法によれば、これは、5nmから10nm、更にはそれよりも薄い範囲内の層厚さの場合、不釣合いに高い膜厚がテープ41上に与えられるように測定機器40を較正することによってとりわけ行われ得る。それでもなお、概して、テープ41上に蒸着される膜41aの厚さは、基板20上に蒸着される層の厚さに比例しても良い。つまり、テープ41上に蒸着される膜41aの厚さが基板20上に蒸着される層20aの厚さに比例するように測定機器40の較正が行われても良く、或いは、又はそれに加え、5nmから10nm、更には5nmよりも薄い範囲内の層厚さでは、不釣合いに高い膜厚が測定テープ41上に与えられても良い。
膜41aがテープ41の特定の区画上に蒸着された後すなわち蒸着と並行して、それぞれのテープの区画が、テープ41上の膜厚を特に光学的に測定可能な偏光解析器45a又は反射率計45bそれぞれの測定ヘッドに搬送され、この搬送はとりわけ1組の偏向滑車42によって継続的に及び/又は少なくとも時間的に非連続に行われ得る。これにより、偏向滑車の位置を同時に又はそれぞれ個別に調節することにより、移動式要素すなわちバンド式コンベア41から、蒸発源12b、厚さ検出器45までの適切な距離が設定可能であり、そのため膜厚に著しい差がある場合でも、厚さ検出器45及び蒸発源12bそれぞれのフォーカス又は位置を修正する必要がない。また、偏向滑車42の位置により、及び/又は摩擦力すなわち送り装置43a内の転がり抗力により、バンド式コンベア41の張力すなわち事前負荷が調節され得る。厚さ検出器45の測定ヘッドは、真空内に、即ち蒸発チャンバー50a内に直接設置されても良いが、代わりに図4に示されているように蒸発チャンバーの外側の大気内に設置し、のぞき窓を介してテープ41を観測しても良い。
測定テープ41上の膜厚は、正確な及びより正確な測定値を得るために調節されても良い。とりわけ、20nmから100nm又は10nmから200nmの膜厚が十分な精度をもたらすと考えられているが、最適な厚さの正確な厚さ値vは測定技法、とりわけ偏光解析器45a又は反射率計45bの種類に依存し得るが、例えば蒸着される膜41aの材料や搬送速度にも依存する。図2に示されている速度センサー40は、蒸着点411と検出点451との間に、特定の蒸発システム内の測定要件に適合され得る特定の運転長さがあるように構成される。蒸着点411から検出点451までのテープ41の搬送時間が原因で、基板20上への気化物質の蒸着中に補足的な蒸発源12bによって蒸着される膜が、偏光解析器45a又は反射率計45bのそれぞれを通過するとき、例えば偏光解析器45a又は反射率計45bのそれぞれが配置される位置に応じて測定の時間遅延Δがある。この時間遅延Δは、数秒から数分まで様々とすることができ、とりわけテープの速度及び測定機器40の幾何学的配置、例えば偏光解析器45a又は反射率計45bそれぞれの位置に依存する。蒸着速度に関して、蒸着源は通常短い時間尺度では非常に安定しており、そのため数秒から数分程度の時間遅延Δは測定精度に関する問題をもたらすことはない。
測定される膜厚の測定値は、基板20上に蒸着される層の厚さに比例しても良い。測定機器40を較正するために、水晶発振器にとって一般的であるのと同じ方法でツーリングを行うことが可能である。或いは、又はそれに加え、特に5nmから10nm、更には5nmよりも薄い範囲内の厚さに関して、不釣合いに高い膜厚がバンド式コンベア41上に与えられるように測定機器40を較正することにより、例えば10nm未満の厚さを有する蒸着層20aも同じ構成で測定され得る。それでもなお、概して、テープ41上に蒸着される膜41aの厚さは、基板20上に蒸着される層の厚さに比例しても良い。
測定機器40に使用されるバンド式コンベア41は、例えば送り装置43a及びカセット43bを有するカセットテープシステム形式で、機器の保守中に容易に交換可能な方法で設けられても良いテープ供給機構によって操作され得る。テープ材料が蒸着中の熱による影響及び光学的測定要件に適合するために、テープ41は、例えば更なる表面被覆を有する又は有さない、プラスチック又は金属箔の形で提供されても良い。
この技術により、基板製造プロセスの制御が、層厚さとは無関係の精度で、とりわけ長期間にわたり及び発振器を一切置換する必要なしに行われ得る。
図3は、第2の実施形態による、とりわけ蒸発チャンバー50a内に蒸発装置10に隣接して配置される層厚さを求めるための測定機器40の概略図を示す。アクチュエータ装置43が、送り装置43a及びカセット43bの形で設けられる。図2に示されている構成とは対照的に、バンド式コンベア41すなわち移動式要素が送り装置43aからカセット43bに直接送られ、即ち偏向滑車は設けられない。この構成は、とりわけ補足的な蒸発源12bが、蒸発源12bとバンド式コンベア41との間の距離を調節する装置として機能できる支持体121bに設けられる場合、アクチュエータ装置43のロバストな設計を実現するために有利であり得る。気化物質がバンド式コンベア41上に蒸着される点に印を付ける蒸着点411と、膜厚が測定される点に印を付ける測定点451とは距離dについて離されており、そのため所与の搬送速度での特定の検出時点td2について、バンド式コンベア41の特定の表面領域が蒸着位置D1から検出位置D2まで通過するのに必要な時間を示す特定の時間遅延Δの範囲内で、測定機器40は、バンド式コンベア41の特定の表面領域を蒸着時点td1に相関させることができ、それによりこの表面領域内の膜の厚さが蒸着時点td1との相関関係において検出され得る。これにより、搬送速度が、例えば送り装置43a又はカセット43bの1つの中で例えば角速度を検出することにより、又は厚さ検出器45によって直接測定され得る。また、従来の速度感知発振器30が蒸発ノズル12aとともに設けられても良く、発振器30は真空チャンバー50aの内壁に固定されても良い。
この技術により、図2に示されている実施形態によって与えられる任意の利点に加え、高いロバスト性並びに低い費用及び保守要件を有するコンパクトな構成が実現され得る。
図4は、第3の実施形態による、とりわけ蒸発装置10に隣接して配置され、のぞき窓502bを含む蒸発チャンバー50bの外側に部分的に配置される層厚さを求めるための測定機器40の概略図を示す。図2及び図3に示されている実施形態とは対照的に、最新式の発振器30が図示されていない。上記で述べたように、測定機器40はかかる最新式の発振器30を完全に置換し、より高い精度のような更なる利点をとりわけ薄い層20bに関して提供することができる。それでもなお、かかる最新式の発振器30は、この第3の実施形態でも設けられても良い。厚さ測定装置45は真空チャンバー50bのほぼ外側に配置され、膜の厚さはのぞき窓502bを介して検出され得る。この第3の実施形態では、蒸発源12bが、とりわけ多層OLEDスタックの層に応じて異なる膜を蒸着させるように構成され得ることを指摘するために3つの異なる蒸着点411が提案されている。特定の移動式要素すなわちバンド式コンベア41が数回使用され得るように、これは単一の蒸発源12b又は多数の蒸発源12bにより、同時に又は連続して行われても良い。つまり保守期間を延ばすために、バンド式コンベア41上に幾つかの膜が、例えば互いに隣接して並んで設けられても良く、バンド式コンベア41は両方の方向に搬送されても良く、即ち送り装置43aが或る時は送り装置として機能し、或る時はカセットとして機能し、逆にカセット43bの場合も同様である。
この技術により、コンパクトな蒸発チャンバーすなわち真空チャンバーについて、又は最新式の発振器とともにかつて機能したシステムについて、厚さ検出器が真空チャンバーのほぼ外側に配置され得るので、多大な費用のかかる蒸発チャンバーの設計審査の必要なしに測定機器40が設けられ得る。
図5は、とりわけ全構成を包含する真空チャンバー50a内に(或いは厚さ検出器45用ののぞき窓を有する真空チャンバー50b内に部分的に)設けられる、測定機器40及び蒸発システム10の概略的ブロック図を示し、測定機器40に与えられる蒸着気化物質の膜の厚さを基板に与えられる蒸着気化物質の層の厚さに相関させるために、基板20に気化物質を与える第1の蒸発源11が測定機器40に気化物質を与える第2の蒸発源12bと通信する。更に、移動式要素の特定の表面領域(不図示、図2、3、4を参照)について、検出時点に蒸着時点を例えば搬送速度に応じて相関させるために、第2の蒸発源12bが測定機器40の厚さ検出器45と通信する。通信は、無線接続又は有線接続によって実現され得る。更に、第2の測定機器の代わりに又は基本的に1つ若しくは幾つかの測定機器に加え、(従来の)最新式の発振器30が、とりわけ第1の蒸発源11及び/又は第2の蒸発源12bと通信してだが、測定される厚さ値を突き合わせるために、又はそれぞれのセンサー30、40の適切な機能を制御するために、測定機器40とも通信して設けられても良い。
この技術により、基板製造プロセスの高度な制御が提供され、任意選択的に最新式の発振器に対する突き合わせ又は補償も可能である。
要約すれば、特定の許容差の範囲内で蒸発源の蒸着速度を制御する必要がある蒸着アプリケーション、とりわけOLEDの大量生産において、基板上に蒸着される層の厚さが測定され、制御され得るように、高速/低速源においてロバスト且つ正確な光学的厚さ測定法を使用するように測定システムが適合される。
開示した実施形態に対する他の改変形態が、図面、本開示、及び添付の特許請求の範囲を検討することにより、特許請求の範囲に記載の本発明を実施する際当業者によって理解され、実行され得る。
特許請求の範囲では、「含む」という語は他の要素又はステップを排除せず、不定冠詞「a」又は「an」は複数形を排除しない。
単一のプロセッサー、感知ユニット、又は他のユニットが、特許請求の範囲に列挙する幾つかの項目の機能を実現しても良い。或る手段が互いに異なる従属請求項の中で列挙されているという単なる事実は、これらの手段の組合せが有利に使用されてはならないことを示すものではない。
上記の実施形態による提案した解決策は、関係のある機能ブロックにおいてソフトウェアモジュール内に少なくとも部分的に実装され得ることを指摘しておく。その結果生じるコンピュータプログラム製品は、図2及び図3の機能の上記の手順のステップをコンピュータに実行させるためのコード手段を含むことができる。従って、手順のステップは、コンピュータ上で実行されるときにコンピュータプログラム製品によって作り出される。
コンピュータプログラムは、他のハードウェアとともに供給される、又は他のハードウェアの一部として供給される、光学記憶媒体やソリッドステート媒体などの適当な媒体上に記憶/分散され得るが、インターネットや他の有線又は無線通信システムによってなど他の形態で分散されても良い。
特許請求の範囲の中の如何なる参照符号も、特許請求の範囲を限定するものとして解釈すべきでない。

Claims (15)

  1. 蒸着アプリケーション、とりわけ有機発光ダイオード(OLED)の大量生産において、第1の蒸発源の蒸着速度すなわち前記第1の蒸発源によって基板上に蒸着される層の厚さを求めるための測定機器であって、
    気化物質の少なくとも1つの膜が蒸着され得る面を与えるための移動式要素であって、前記膜は第2の蒸発源によって蒸着位置に蒸着される、前記移動式要素と、
    前記移動式要素上に蒸着される膜の前記厚さを求めるための厚さ検出器であって、前記移動式要素上に蒸着される膜の前記厚さが検出される検出位置において、前記移動式要素と向かい合って配置される、前記厚さ検出器と、
    前記移動式要素を搬送するためのアクチュエータ装置と
    を含む測定機器であって、
    前記測定機器は、前記移動式要素を前記蒸着位置から前記検出位置まで供給し、
    前記測定機器は、前記第2の蒸発源によって前記移動式要素上に蒸着される前記少なくとも1つの膜の前記厚さに応じて、前記第1の蒸発源の前記蒸着を更に測定し且つ/又は制御する、
    測定機器。
  2. 前記測定機器が、特定の時間遅延の範囲内で前記移動式要素を前記蒸着位置から前記検出位置まで更に供給し、
    特定の検出時点について、前記測定機器が、前記移動式要素の特定の表面領域を前記蒸着時点に更に相関させ、それによりこの表面領域内の前記膜の前記厚さが前記蒸着時点との相関関係において検出され得る、
    請求項1に記載の測定機器。
  3. 前記機器が、前記蒸着位置における蒸着点及び前記検出位置における検出点に関連して、前記蒸着時点と前記検出時点との間の時間遅延を調節し、前記時間遅延が数秒から数分の範囲内にある、請求項2に記載の測定機器。
  4. 前記アクチュエータ装置が搬送速度を調節し、前記厚さ検出器が前記膜の前記厚さを光学的に検出し、前記アクチュエータ装置が送り装置及びカセットを含み、前記膜の最適な厚さの厚さ値が約10nmから200nmの範囲内にある、請求項1に記載の測定機器。
  5. 前記アクチュエータ装置が、送り装置、カセット、及び少なくとも1つの偏向滑車を含むカセットテープシステム形式で提供され、
    前記移動式要素が、テープ形式で提供されるバンド式コンベアであり、
    前記バンド式コンベアが、10nmから200nmの厚さの膜を扱う、
    請求項1に記載の測定機器。
  6. 請求項1に記載の測定機器を含む蒸発装置であって、基板上に少なくとも1つの層を蒸着させるための多数のシャワーノズルを有するシャワーヘッド形式の第1の蒸発源と、前記測定機器によって与えられる移動式要素上に少なくとも1つの膜を蒸着させるための第2の蒸発源とを更に含み、
    前記測定機器によって与えられる前記アクチュエータ装置が、前記移動式要素上に膜が蒸着され得るように、前記移動式要素を前記第2の蒸発源に沿って搬送し、
    前記蒸発装置が、前記基板上に蒸着される任意の層の前記厚さとは独立に、前記移動式要素上に膜厚を与える、
    蒸発装置。
  7. 前記移動式要素は、搬送速度が前記基板の送り速度に一致するように前記基板の前記送り速度と同じ送り速度で、前記基板上に層が前記蒸着されるのと同時に、前記第2の蒸発源によって膜が蒸着され得る面を与え、
    更に前記蒸発装置が、層の厚さを求めるために、とりわけ前記測定機器によって与えられる特定の時間遅延情報に基づき、第1の蒸発源によって前記基板上に蒸着される層の前記厚さに対し、測定される膜厚を相関させる、
    請求項6に記載の蒸発装置。
  8. 前記測定機器が、従来の水晶発振器の位置と向かい合った位置に、又は従来の水晶発振器が代わりに配置され得る位置に配置され、
    前記基板及び前記移動式要素に蒸着させるための気化物質が、前記蒸発装置に配置される蒸発器によって与えられ、
    前記蒸発装置が、前記第2の蒸発源のサイズ、前記第2の蒸発源の幾何学的配置、蒸着点における前記移動式要素と前記第2の蒸発源との間の距離、及び/又は前記搬送速度のうちの少なくとも1つにより、前記移動式要素上に蒸着される前記膜の前記厚さを調節し、
    前記第2の蒸発源及び前記測定機器が、前記移動式要素上に様々な材料を独立に蒸着させ、単一層膜を測定する、
    請求項6に記載の蒸発装置。
  9. 蒸着アプリケーション、とりわけ有機発光ダイオード(OLED)の大量生産において、第1の蒸発源の蒸着速度すなわち前記第1の蒸発源によって基板上に蒸着される層の厚さを求める方法であって、
    基板上に少なくとも1つの層が蒸着され得るように前記基板を前記第1の蒸発源に沿って通過させるステップと、
    基板を通過させるステップと同時に、蒸着位置において移動式要素上に少なくとも1つの膜が蒸着され得るように、前記移動式要素を第2の蒸発源に沿ってアクチュエータ装置によって搬送するステップと、
    前記第2の蒸発源により前記移動式要素上に少なくとも1つの膜を蒸着させるステップであって、それぞれの膜は、前記基板上に蒸着されるそれぞれの層の前記厚さの目標値に応じて規定される厚さで与えられる、前記蒸着させるステップと、
    それぞれの膜に、前記膜の最適な厚さの厚さ値を与えるために、前記アクチュエータ装置を調節するステップと
    を含む、方法。
  10. 検出位置内の前記蒸着膜の前記厚さを厚さ検出器によって検出するステップであって、一定の時間遅延の後に検出が行われても良いように前記検出位置が前記蒸着位置と異なる、検出するステップを更に含み、
    特定の検出時点について、前記測定機器が、前記移動式要素の特定の表面領域を前記蒸着時点に更に相関させ、これによりこの表面領域内の前記膜の前記厚さが前記蒸着時点との相関関係において検出され得る、
    請求項9に記載の方法。
  11. 前記機器が、前記移動式要素を前記蒸着位置から前記検出位置まで供給し、
    検出の測定値が、基板上に蒸着される層の前記厚さに比例する、
    請求項10に記載の方法。
  12. 初期較正が、従来の水晶発振器に使用されるツーリングプロセスと同様のツーリングプロセスによって行われる、請求項9に記載の方法。
  13. 蒸着アプリケーション、とりわけ有機発光ダイオード(OLED)の大量生産において、第1の蒸発源の蒸着速度すなわち前記第1の蒸発源によって基板上に蒸着される層の厚さを求めるためのシステムであって、
    請求項6に記載の蒸発装置と、
    蒸発チャンバーと
    を含み、
    第2の蒸発源が、前記第1の蒸発源の前記蒸着速度に応じた膜厚を有する少なくとも1つの膜を蒸着できるように、前記蒸発装置によって与えられる前記第2の蒸発源が前記蒸発装置によって与えられる前記第1の蒸発源と通信し、
    測定機器は、基板上に蒸着される層の前記厚さとは独立に、移動式要素上に蒸着される膜の厚さを調節する、
    システム。
  14. 前記厚さ検出器は別にして、前記測定機器が前記蒸発チャンバー内に完全に配置され、
    前記厚さ検出器の少なくとも測定ヘッドが前記蒸発チャンバーの外側に設置され、前記移動式要素がのぞき窓を介して観測され、
    前記基板及び前記移動式要素に蒸着させるための気化物質が、前記蒸発装置の本体構造内に配置される蒸発器によって与えられる、
    請求項13に記載のシステム。
  15. 計算装置上で実行されるときに請求項9に記載の方法のステップを作り出すためのコード手段を含む、コンピュータプログラム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015130263A (ja) * 2014-01-07 2015-07-16 株式会社アルバック 有機elデバイスの製造装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103160798A (zh) * 2013-02-26 2013-06-19 上海和辉光电有限公司 侦测蒸发源的装置及方法
KR102096049B1 (ko) * 2013-05-03 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102421378B1 (ko) * 2015-10-06 2022-07-15 삼성디스플레이 주식회사 박막 두께 측정 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
JP6869648B2 (ja) * 2016-06-07 2021-05-12 日東電工株式会社 多層膜の成膜方法
CN109715846A (zh) * 2016-12-14 2019-05-03 应用材料公司 沉积系统
CN109957760A (zh) * 2017-12-14 2019-07-02 湘潭宏大真空技术股份有限公司 线性真空镀膜单体蒸发器
CN113621932A (zh) * 2021-04-26 2021-11-09 睿馨(珠海)投资发展有限公司 一种晶振模块、蒸镀系统、及其蒸镀方法
CN116031334B (zh) * 2023-03-29 2023-05-30 英利能源发展(保定)有限公司 TOPCon电池生产过程中多晶硅层厚度的判断方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62192605A (ja) * 1986-02-14 1987-08-24 ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 真空式コ−テイング機械内の、コ−テイング膜特性を光学的に測定するためのテストガラス交換装置
JPH08106008A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Fuji Photo Optical Co Ltd ダイクロイック薄膜の形成における膜厚制御方法
JPH08219731A (ja) * 1995-02-16 1996-08-30 Shincron:Kk 光学的膜厚監視方法および膜厚モニター装置
JPH09263934A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Toppan Printing Co Ltd 膜形成方法及びその装置
JP2003007462A (ja) * 2001-04-20 2003-01-10 Eastman Kodak Co 有機層蒸着装置
JP2006283121A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sony Corp 真空蒸着装置
JP2008081778A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Tokyo Electron Ltd 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
JP2009174027A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Panasonic Electric Works Co Ltd 真空蒸着装置
US20100316788A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Applied Materials, Inc. Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7515264B2 (en) * 1999-06-15 2009-04-07 Tokyo Electron Limited Particle-measuring system and particle-measuring method
US20010016225A1 (en) * 2000-02-18 2001-08-23 Kunie Ogata Coating film forming apparatus and coating film forming method
US6919957B2 (en) * 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US7130029B2 (en) * 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6917419B2 (en) * 2000-09-20 2005-07-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining flatness, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6770562B2 (en) * 2000-10-26 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
JP4072889B2 (ja) * 2001-03-19 2008-04-09 新明和工業株式会社 真空成膜装置
US6472237B1 (en) * 2001-10-26 2002-10-29 Motorola, Inc. Method and system for determining a thickness of a layer
KR100566840B1 (ko) * 2002-01-30 2006-04-03 가부시끼가이샤 도시바 성막 방법 및 성막 장치
US6832577B2 (en) * 2002-07-08 2004-12-21 Dimension Bond Corporation Apparatus and method for simultaneously coating and measuring parts
JP3960911B2 (ja) * 2002-12-17 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 処理方法および処理装置
EP1717344A4 (en) * 2004-01-23 2008-08-20 Ebara Corp PROCESS FOR PROCESSING A SUBSTRATE, CATALYST PROCESS LIQUID, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
US7214554B2 (en) * 2004-03-18 2007-05-08 Eastman Kodak Company Monitoring the deposition properties of an OLED
JP4664054B2 (ja) * 2004-12-09 2011-04-06 富士フイルム株式会社 成膜装置
US7828929B2 (en) * 2004-12-30 2010-11-09 Research Electro-Optics, Inc. Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing
JP4566035B2 (ja) * 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US7534469B2 (en) * 2005-03-31 2009-05-19 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device
JP4786925B2 (ja) * 2005-04-04 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4519035B2 (ja) * 2005-08-30 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
US7277819B2 (en) * 2005-10-31 2007-10-02 Eastman Kodak Company Measuring layer thickness or composition changes
JP4805758B2 (ja) * 2006-09-01 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置
US20080078948A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 Tokyo Electron Limited Processing termination detection method and apparatus
KR100848336B1 (ko) * 2006-10-30 2008-07-25 삼성에스디아이 주식회사 증착되는 박막의 두께를 실시간으로 측정가능한 증착 장치및 증착 방법
JP4959318B2 (ja) * 2006-12-20 2012-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの計測装置およびレーザー加工機
JP4299863B2 (ja) * 2007-01-22 2009-07-22 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US7663769B2 (en) * 2007-09-27 2010-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Sheet thickness measuring device and image forming apparatus
US20090194024A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Applied Materials, Inc. Cvd apparatus
JP5305731B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の閾値電圧の制御方法
US20100233353A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
US20110177622A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-21 Global Solar Energy, Inc. Apparatus and methods of mixing and depositing thin film photovoltaic compositions
US7985188B2 (en) * 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
US7972899B2 (en) * 2009-07-30 2011-07-05 Sisom Thin Films Llc Method for fabricating copper-containing ternary and quaternary chalcogenide thin films
WO2011034011A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 シャープ株式会社 蒸着方法および蒸着装置
KR101234409B1 (ko) * 2009-09-30 2013-02-18 시케이디 가부시키가이샤 액체 기화 시스템
EP2309220A1 (en) * 2009-10-02 2011-04-13 Applied Materials, Inc. Coating thickness measuring device and method
JP2011210853A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Tokyo Electron Ltd 消耗量測定方法
KR101223723B1 (ko) * 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
EP2418457A1 (en) * 2010-08-09 2012-02-15 Applied Materials, Inc. System and method with automatic adjustment function for measuring the thickness of substrates
KR20120065789A (ko) * 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
WO2012108704A2 (ko) * 2011-02-10 2012-08-16 고려대학교 산학협력단 무기물 박막 태양전지 제조 장치 및 이의 제어 방법
US20120237682A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-20 Applied Materials, Inc. In-situ mask alignment for deposition tools
EP2508645B1 (en) * 2011-04-06 2015-02-25 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit
KR101052435B1 (ko) * 2011-04-13 2011-07-28 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막형성용 증착장치
TWM415754U (en) * 2011-04-21 2011-11-11 Creating Nano Technologies Inc Atmospheric evaporation device and manufacturing apparatus of anti-smudge film
KR20130004830A (ko) * 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) * 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR101959975B1 (ko) * 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP6140990B2 (ja) * 2012-11-30 2017-06-07 キヤノン株式会社 測定装置、インプリントシステム、測定方法及びデバイス製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62192605A (ja) * 1986-02-14 1987-08-24 ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 真空式コ−テイング機械内の、コ−テイング膜特性を光学的に測定するためのテストガラス交換装置
JPH08106008A (ja) * 1994-10-06 1996-04-23 Fuji Photo Optical Co Ltd ダイクロイック薄膜の形成における膜厚制御方法
JPH08219731A (ja) * 1995-02-16 1996-08-30 Shincron:Kk 光学的膜厚監視方法および膜厚モニター装置
JPH09263934A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Toppan Printing Co Ltd 膜形成方法及びその装置
JP2003007462A (ja) * 2001-04-20 2003-01-10 Eastman Kodak Co 有機層蒸着装置
JP2006283121A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sony Corp 真空蒸着装置
JP2008081778A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Tokyo Electron Ltd 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
JP2009174027A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Panasonic Electric Works Co Ltd 真空蒸着装置
US20100316788A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Applied Materials, Inc. Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015130263A (ja) * 2014-01-07 2015-07-16 株式会社アルバック 有機elデバイスの製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103608484B (zh) 2016-06-22
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