JP2014513902A - 正帰還共通ゲート低雑音増幅器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45306—Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage implemented as dif amp eventually for cascode dif amp
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45311—Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage of a cascode dif amp being implemented by multiple transistors
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45318—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a cross coupling circuit, e.g. two extra transistors cross coupled
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45386—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more coils in the source circuit
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45394—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC of the dif amp comprising FETs whose sources are not coupled, i.e. the AAC being a pseudo-differential amplifier
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- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45511—Indexing scheme relating to differential amplifiers the feedback circuit [FBC] comprising one or more transistor stages, e.g. cascaded stages of the dif amp, and being coupled between the loading circuit [LC] and the input circuit [IC]
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Claims (24)
- 共通ゲート増幅器であって、
導電性タイプの入力トランジスタを含む入力レッグと、
前記入力レッグに結合された、デジタル的にプログラム可能なタンク負荷と、
前記導電性タイプの正帰還トランジスタと
を備える共通ゲート増幅器。 - 前記正帰還トランジスタは、ソースを有し、前記入力トランジスタは、ソースを有し、前記正帰還トランジスタのソースは、前記入力トランジスタのソースに結合される、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。
- 前記入力レッグはさらに、カスコード・トランジスタを含み、前記カスコード・トランジスタは、ドレインを有し、前記カスコード・トランジスタのドレインは、前記正帰還トランジスタのドレインに結合される、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。
- 入力信号コンダクタをさらに備え、入力信号が、前記入力信号コンダクタを介して前記共通ゲート増幅器で受信され、前記入力信号コンダクタは、前記入力トランジスタのソースに結合される、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。
- 前記共通ゲート増幅器は、入力インピーダンスを有し、前記共通ゲート増幅器は、前記デジタル的にプログラム可能なタンク負荷を制御するマルチビット制御値を受信し、前記入力インピーダンスは、広帯域チューニング周波数レンジにわたって実質的に一定であるようにチューニング可能であり、前記広帯域チューニング周波数レンジは、より低い周波数限界から、より高い周波数限界に及び、前記より高い周波数限界は、前記より低い周波数限界の少なくとも1と1/3倍である、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。
- 前記共通ゲート増幅器は、2.2dB未満の前記広帯域チューニング周波数レンジ全体にわたる雑音指数(NF)を有する、請求項5に記載の共通ゲート増幅器。
- 前記共通ゲート増幅器は、広帯域チューニング周波数レンジにわたって動作可能であり、前記広帯域チューニング周波数レンジは、より低い周波数限界から、より高い周波数限界に及び、前記より高い周波数限界は、前記より低い周波数限界の少なくとも1と1/3倍であり、前記共通ゲート増幅器は、2.2dB未満の前記広帯域チューニング周波数レンジ全体にわたる雑音指数(NF)を有する、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。
- 前記正帰還トランジスタが発生させる雑音は、前記入力トランジスタが発生させる雑音をキャンセルする、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。
- 前記入力トランジスタのソースに結合された入力信号コンダクタと、
前記デジタル的にプログラム可能なタンク負荷に結合された出力信号コンダクタと
をさらに備え、前記正帰還トランジスタは、前記出力信号コンダクタに結合されたドレインを有し、前記正帰還トランジスタは、前記入力信号コンダクタに結合されたソースを有し、前記正帰還トランジスタは、前記出力信号コンダクタに容量結合されたゲートを有する、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。 - 前記入力トランジスタと前記正帰還トランジスタは両方とも、N−チャネル電界効果トランジスタ(NFET)である、請求項1に記載の共通ゲート増幅器。
- 共通ゲート低雑音増幅器であって、
第1の入力信号コンダクタと、
第2の入力信号コンダクタと、
第1のカスコード・トランジスタと導電性タイプの第1の入力トランジスタとを含む第1の入力レッグであって、前記第1の入力トランジスタのゲートは、前記第2の入力信号コンダクタに容量結合される、第1の入力レッグと、
第2のカスコード・トランジスタと前記導電性タイプの第2の入力トランジスタとを含む第2の入力レッグであって、前記第2の入力トランジスタのゲートは、前記第1の入力信号コンダクタに容量結合される、第2の入力レッグと、
前記第1のカスコード・トランジスタのドレインに結合された第1のリードを有し、前記第2のカスコード・トランジスタのドレインに結合された第2のリードを有する、デジタル的にプログラム可能なタンク負荷と、
前記導電性タイプの第1の正帰還トランジスタであって、前記第1の正帰還トランジスタのゲートは、前記第1のカスコード・トランジスタのドレインに容量結合され、前記第1の正帰還トランジスタのソースは、前記第1の入力トランジスタのソースに結合される、第1の正帰還トランジスタと、
前記導電性タイプの第2の正帰還トランジスタであって、前記第2の正帰還トランジスタのゲートは、前記第2のカスコード・トランジスタのドレインに容量結合され、前記第2の正帰還トランジスタのソースは、前記第2の入力トランジスタのソースに結合される、第2の正帰還トランジスタと
を備える、共通ゲート低雑音増幅器。 - 前記第1のカスコード・トランジスタは、前記第1の入力トランジスタのドレインに結合されたソースを有し、前記第2のカスコード・トランジスタは、前記第2の入力トランジスタのドレインに結合されたソースを有する、請求項11に記載の共通ゲート低雑音増幅器。
- 前記第1のカスコード・トランジスタのドレインは、前記第1の正帰還トランジスタのドレインに結合され、前記第2のカスコード・トランジスタのドレインは、前記第2の正帰還トランジスタのドレインに結合される、請求項11に記載の共通ゲート低雑音増幅器。
- 前記共通ゲート増幅器は、入力インピーダンスを有し、前記共通ゲート増幅器は、前記デジタル的にプログラム可能なタンク負荷を制御するマルチビット制御値を受信し、前記入力インピーダンスは、広帯域チューニング周波数レンジにわたって実質的に一定であるようにチューニング可能であり、前記広帯域チューニング周波数レンジは、より低い周波数限界から、より高い周波数限界に及び、前記より高い周波数限界は、前記より低い周波数限界の少なくとも1と1/3倍である、請求項11に記載の共通ゲート低雑音増幅器。
- 前記共通ゲート増幅器は、2.2dB未満の前記広帯域チューニング周波数レンジ全体にわたる雑音指数(NF)を有する、請求項14に記載の共通ゲート低雑音増幅器。
- 同一の導電性タイプの入力トランジスタと正帰還トランジスタとを有する正帰還共通ゲート低雑音増幅器(PFCGLNA)を使用して信号を増幅することと、
前記PFCGLNAのデジタル的にプログラム可能なタンク負荷のキャパシタンスを設定するマルチビット・デジタル制御値を受信することと
を備える方法。 - 前記PFCGLNAは、広帯域チューニング周波数レンジにわたって動作可能であり、前記広帯域チューニング周波数レンジは、より低い周波数限界から、より高い周波数限界に及び、前記より高い周波数限界は、前記より低い周波数限界の少なくとも1と1/3倍であり、前記PFCGLNAは、2.2dB未満の前記広帯域チューニング周波数レンジ全体にわたる雑音指数(NF)を有する、請求項16に記載の方法。
- 前記PFCGLNAは、入力インピーダンスを有し、前記入力インピーダンスは、前記マルチビット・デジタル制御値を変えることによってチューニング可能である、請求項17に記載の方法。
- 前記入力インピーダンスは、前記広帯域チューニング周波数レンジにわたって実質的に一定であるようにチューニング可能である、請求項18に記載の方法。
- 前記正帰還トランジスタが発生させる雑音は、前記入力トランジスタが発生させる雑音をキャンセルする、請求項18に記載の方法。
- 共通ゲート低雑音増幅器であって、
入力信号コンダクタと、
前記入力信号コンダクタで受信された入力信号を、前記共通ゲート低雑音増幅器が広帯域チューニング周波数レンジ全体にわたる2.2dB未満の雑音指数(NF)を有するように、増幅するための手段と
を備え、前記広帯域チューニング周波数レンジは、より低い周波数限界から、より高い周波数限界に及び、前記より高い周波数限界は、前記より低い周波数限界の少なくとも1と1/3倍であり、前記手段は、前記広帯域チューニング周波数レンジ全体にわたって実質的に一定の入力インピーダンスを有するようにチューニング可能である、共通ゲート低雑音増幅器。 - 前記手段はまた、正帰還トランジスタが発生させる雑音を使用して、入力トランジスタが発生させる雑音をキャンセルするためのものである、請求項21に記載の共通ゲート低雑音増幅器。
- 前記正帰還トランジスタと前記入力トランジスタとは、同一の導電性タイプのものである、請求項22に記載の共通ゲート低雑音増幅器。
- 前記手段はまた、デジタル的にプログラム可能なタンク負荷のキャパシタンスを設定するためのマルチビット・デジタル制御信号を受信するためのものである、請求項21に記載の共通ゲート低雑音増幅器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/107,737 US8570106B2 (en) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | Positive feedback common gate low noise amplifier |
US13/107,737 | 2011-05-13 | ||
PCT/US2012/037105 WO2012158429A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-05-09 | Positive feedback common gate low noise amplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014513902A true JP2014513902A (ja) | 2014-06-05 |
JP6026514B2 JP6026514B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=46062785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014510438A Expired - Fee Related JP6026514B2 (ja) | 2011-05-13 | 2012-05-09 | 正帰還共通ゲート低雑音増幅器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8570106B2 (ja) |
EP (1) | EP2707951A1 (ja) |
JP (1) | JP6026514B2 (ja) |
KR (1) | KR101687444B1 (ja) |
CN (1) | CN103534940B (ja) |
WO (1) | WO2012158429A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017530622A (ja) * | 2014-09-05 | 2017-10-12 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | マルチバンド低雑音増幅器 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8918070B2 (en) * | 2012-05-04 | 2014-12-23 | Analog Devices, Inc. | Frequency tuning for LC circuits |
US8970304B2 (en) * | 2013-01-11 | 2015-03-03 | Qualcomm Incorporated | Hybrid amplifier |
KR101457559B1 (ko) * | 2013-04-19 | 2014-11-06 | 연세대학교 산학협력단 | 저잡음 증폭기 |
WO2015019525A1 (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-12 | パナソニック株式会社 | カスコード型トランスコンダクタンス増幅器、可変利得回路およびこれらを備えたチューナシステム |
US9374042B2 (en) | 2014-03-27 | 2016-06-21 | Infineon Technologies Ag | System and method for a low noise amplifier |
US9378781B1 (en) * | 2015-04-09 | 2016-06-28 | Qualcomm Incorporated | System, apparatus, and method for sense amplifiers |
CN104935266B (zh) * | 2015-06-19 | 2018-01-16 | 华东师范大学 | 一种工作于71~76GHz的CMOS全集成伪差分低噪声放大器 |
US9755678B2 (en) * | 2015-12-01 | 2017-09-05 | Analog Devices Global | Low noise transconductance amplifiers |
US10230332B2 (en) | 2016-08-18 | 2019-03-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for biasing low noise amplifiers |
US10171045B2 (en) * | 2016-08-18 | 2019-01-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for low noise amplifiers with mid-node impedance networks |
CN107332522B (zh) * | 2017-06-05 | 2020-12-11 | 锐迪科微电子科技(上海)有限公司 | 一种射频前端中的低噪声放大器 |
US10644650B2 (en) * | 2017-09-22 | 2020-05-05 | Qualcomm Incorporated | Amplifier configuration for load-line enhancement |
TWI670930B (zh) * | 2018-12-18 | 2019-09-01 | 財團法人工業技術研究院 | 無線接收裝置 |
US10819303B1 (en) * | 2019-10-17 | 2020-10-27 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with gain boosting |
IL270376B2 (en) * | 2019-10-31 | 2023-06-01 | Rafael Advanced Defense Systems Ltd | Wide amplifier - small single-stage ribbon |
KR102411666B1 (ko) * | 2020-04-17 | 2022-06-22 | 주식회사 딥아이 | 고성능 통신 시스템을 위한 저 잡음 증폭기 |
CN111740706B (zh) * | 2020-08-17 | 2020-12-04 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种5g系统的宽带高线性度驱动放大器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4739282A (en) * | 1986-07-21 | 1988-04-19 | Anadigics, Inc. | Current bleeder amplifier with positive feedback |
WO2008120308A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Limited | 増幅回路 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6150881A (en) * | 1999-05-25 | 2000-11-21 | Motorola, Inc. | Amplifier circuit with amplitude and phase correction and method of operation |
JP3937986B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2007-06-27 | 株式会社村田製作所 | 送受信フィルタ装置および通信装置 |
US7151409B2 (en) * | 2004-07-26 | 2006-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Programmable low noise amplifier and method |
US7902925B2 (en) | 2005-08-02 | 2011-03-08 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier with active post-distortion linearization |
US7317351B2 (en) * | 2005-08-16 | 2008-01-08 | Intel Corporation | Low noise amplifier |
US7414481B2 (en) * | 2006-01-30 | 2008-08-19 | University Of Washington | Receiver with colpitts differential oscillator, colpitts quadrature oscillator, and common-gate low noise amplifier |
US7944298B2 (en) * | 2007-12-18 | 2011-05-17 | Qualcomm, Incorporated | Low noise and low input capacitance differential MDS LNA |
US8217723B2 (en) * | 2009-11-05 | 2012-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Low noise amplifier circuit |
-
2011
- 2011-05-13 US US13/107,737 patent/US8570106B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2012-05-09 EP EP12720771.0A patent/EP2707951A1/en not_active Withdrawn
- 2012-05-09 CN CN201280022992.7A patent/CN103534940B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-09 KR KR1020137032956A patent/KR101687444B1/ko active IP Right Grant
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- 2012-05-09 WO PCT/US2012/037105 patent/WO2012158429A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4739282A (en) * | 1986-07-21 | 1988-04-19 | Anadigics, Inc. | Current bleeder amplifier with positive feedback |
WO2008120308A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Limited | 増幅回路 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6016003029; JAEWOO PARK ET AL: 'A Direct-Conversion CMOS RF Receiver Reconfigurabl' IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQU VOL.58,NO.9, 201009, 2326-2333, IEEE * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017530622A (ja) * | 2014-09-05 | 2017-10-12 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | マルチバンド低雑音増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103534940B (zh) | 2017-02-08 |
JP6026514B2 (ja) | 2016-11-16 |
EP2707951A1 (en) | 2014-03-19 |
US8570106B2 (en) | 2013-10-29 |
US20120286874A1 (en) | 2012-11-15 |
KR20140011402A (ko) | 2014-01-28 |
KR101687444B1 (ko) | 2016-12-28 |
WO2012158429A1 (en) | 2012-11-22 |
CN103534940A (zh) | 2014-01-22 |
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