CN111740706B - 一种5g系统的宽带高线性度驱动放大器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器,包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络,本发明利用差分晶体管堆叠双级放大网络,实现了低噪声系数与高线性度指标,并进一步降低了功耗,改善了温度波动;同时利用差分放大器在微波频段的良好的寄生参数抑制性,使得整个低噪声放大器获得了良好的高增益、低噪声和高线性输出能力,避免了集成电路工艺的低击穿电压特性,提高电路的稳定性与可靠性。
Description
技术领域
本发明属于5G通信和集成电路技术领域,具体涉及一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器的设计。
背景技术
随着5G民用通信市场的快速发展,射频前端接收器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求超宽带、高增益、高线性度、低功耗、低噪声的射频与微波低噪声放大器芯片。然而,当前传统射频与微波低噪声放大器芯片设计中,一直存在一些设计难题,主要体现:
(1)低功耗、高增益、低噪声放大指标相互制约:由于市场的驱使,射频前端接收器的待机功耗需要尽量降低,从而实现节能的功能,但是传统的共源(或共射)低噪声放大器设计中,满足实现噪声最优的最佳噪声偏置点,和满足增益与跨导最大的偏置点往往不能实现放大器的功耗最低,因此两个指标不能很好地兼容。
(2)低功耗和高线性度指标相互制约:传统共源(或共射)低噪声放大器设计中,高线性度指标需要在固定工艺下选择功率容量高且1dB压缩点高的放大器晶体管,而高功率容量往往需要消耗较大的直流功耗,因此低功耗和线性度两者不能很好的兼容。
常见的低功耗、高线性度低噪声放大器的电路结构有很多,最典型的是电流复用式共源(或共射)放大器,但是,典型电流复用式共源(或共射)放大器,仍然存在一些设计不足,主要体现在:
(1)电流复用结构需要采用馈电电感和大电容实现两个共源(或共射)放大器的静态偏置复用,这种大电感和大电容馈电结构的自谐振频率点较低,在实现超宽带放大的时候,有可能自谐振频率点会落入放大频带内,从而恶化射频特性;同时大电感和电容往往占用较大的芯片面积,从而提高了芯片成本;
(2)电流复用结构往往采用传统AB类偏置状态为了获得高增益和低噪声系数,仍无法很好地解决低功耗和高线性度指标相互制约的固有问题。
发明内容
本发明的目的是提出一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器,利用差分放大技术,实现一种能够应用于5G通信系统的宽带、高线性度的驱动放大器结构。
本发明的技术方案为:一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器,包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络;差分输入匹配供电网络的第一输入端和第二输入端共同作为宽带高线性度驱动放大器的射频输入端,其第一输出端与差分驱动放大网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分驱动放大网络的第二输入端连接,其第三输出端与差分驱动放大网络的第三输入端连接;差分驱动放大网络的第一输出端与差分功率放大网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分功率放大网络的第二输入端连接;差分功率放大网络的第一输出端与差分转单端及供电网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分转单端及供电网络的第二输入端连接,其第三输出端与差分转单端及供电网络的第三输入端连接;差分转单端及供电网络的输出端为宽带高线性度驱动放大器的射频输出端。
本发明的有益效果是:本发明利用差分晶体管堆叠双级放大网络,实现了低噪声系数与高线性度指标,并进一步降低了功耗,改善了温度波动;同时利用差分放大器在微波频段的良好的寄生参数抑制性,使得整个低噪声放大器获得了良好的高增益、低噪声和高线性输出能力,避免了集成电路工艺的低击穿电压特性,提高电路的稳定性与可靠性。
进一步地,差分输入匹配供电网络包括晶体管M1,晶体管M1的栅极分别与其漏极以及电阻R1的一端连接,并作为差分输入匹配供电网络的第二输出端,其源极与接地电阻R2连接,电阻R1的另一端分别与接地电容C4、二极管D5的阴极、二极管D6的阳极以及低压偏置电源Vg1连接,二极管D5的阳极和二极管D6的阴极均接地;差分输入匹配供电网络还包括电容C1,电容C1的一端分别与二极管D1的阴极以及二极管D2的阳极连接,并作为差分输入匹配供电网络的第一输入端,二极管D1的阳极和二极管D2的阴极均接地,电容C1的另一端通过电感L1分别与电感L3的一端以及接地电容C3连接,电感L3的另一端作为差分输入匹配供电网络的第一输出端;差分输入匹配供电网络还包括电容C2,电容C2的一端分别与二极管D3的阴极以及二极管D4的阳极连接,并作为差分输入匹配供电网络的第二输入端,二极管D3的阳极和二极管D4的阴极均接地,电容C2的另一端通过电感L2分别与电感L4的一端以及接地电容C5连接,电感L4的另一端作为差分输入匹配供电网络的第三输出端。
上述进一步方案的有益效果是:差分输入匹配供电网络中,由晶体管M1供电电路可以在一定范围内根据温度波动调节放大器的静态偏置点,在低温的时候将静态偏置点降低,从而降低功耗提高稳定性;在高温状态下降静态偏置点提升,从而改善放大器随着温度升高而出现的增益恶化现象;输入利用差分信号的特性,抑制对于高频寄生参数的敏感特性。
进一步地,差分驱动放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M3和底层晶体管M2,以及按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M5和底层晶体管M4;底层晶体管M2的源极接地,其栅极与电阻R4的一端连接,并作为差分驱动放大网络的第一输入端,底层晶体管M4的源极接地,其栅极与电阻R5的一端连接,并作为差分驱动放大网络的第三输入端,电阻R4的另一端分别与电阻R5的另一端以及电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端作为差分驱动放大网络的第二输入端;顶层晶体管M3的栅极和顶层晶体管M5的栅极之间串联有电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R10,电阻R6和电阻R7的连接节点还与接地电容C6连接,电阻R7和电阻R8的连接节点还分别与接地电阻R9以及电阻R11的一端连接,电阻R8和电阻R10的连接节点还与接地电容C7连接;顶层晶体管M3的漏极通过电感L5分别与电感L7的一端以及电感L9的一端连接,电感L9的另一端作为差分驱动放大网络的第一输出端,顶层晶体管M5的漏极通过电感L6分别与电感L8的一端以及电感L11的一端连接,电感L11的另一端作为差分驱动放大网络的第二输出端;电感L7的另一端分别与电感L8的另一端、电阻R11的另一端、接地电容C8以及电感L10的一端连接,电感L10的另一端分别与接地电容C9、二极管D7的阴极、二极管D8的阳极以及高压偏置电源Vd1连接,二极管D7的阳极和二极管D8的阴极均接地。
上述进一步方案的有益效果是:差分驱动放大网络利用晶体管堆叠放大结构,实现了低噪声系数与高增益指标,同时避免了集成电路工艺的低击穿电压特性,提高电路的稳定性与可靠性。
进一步地,差分功率放大网络包括晶体管M6,晶体管M6的栅极分别与其漏极、电阻R12的一端以及电阻R14的一端连接,其源极与接地电阻R13连接,电阻R12的另一端分别与接地电容C10、二极管D9的阴极、二极管D10的阳极以及低压偏置电源Vg2连接,二极管D9的阳极和二极管D10的阴极均接地;电阻R14的另一端分别与电阻R15的一端以及电阻R16的一端连接,电阻R15的另一端分别与电容C12的一端以及晶体管M8的栅极连接,电容C12的另一端作为差分功率放大网络的第一输入端,晶体管M8的源极分别与电容C11的一端以及接地电感L12连接,其漏极分别与晶体管M7的漏极以及晶体管M11的源极连接,晶体管M7的栅极与电容C11的另一端连接,其源极接地,晶体管M11的栅极分别与电阻R17的一端以及接地电容C15连接,其漏极与电感L15的一端连接,电感L15的另一端作为差分功率放大网络的第一输出端;电阻R16的另一端分别与电容C13的一端以及晶体管M9的栅极连接,电容C13的另一端作为差分功率放大网络的第二输入端,晶体管M9的源极分别与电容C14的一端以及接地电感L13连接,其漏极分别与晶体管M10的漏极以及晶体管M12的源极连接,晶体管M10的栅极与电容C14的另一端连接,其源极接地,晶体管M12的栅极分别与电阻R19的一端以及接地电容C16连接,其漏极与电感L16的一端连接,电感L16的另一端作为差分功率放大网络的第三输出端;电阻R17的另一端分别与接地电阻R18、电阻R19的另一端以及电阻R20的一端连接,电阻R20的另一端与电感L14的一端连接,并作为差分功率放大网络的第二输出端,电感L14的另一端分别与接地电容C17、二极管D11的阴极、二极管D12的阳极以及高压偏置电源Vd2连接,二极管D11的阳极和二极管D12的阴极均接地。
上述进一步方案的有益效果是:差分功率放大网络利用晶体管堆叠放大结构,实现了高线性度与高增益指标,同时避免了集成电路工艺的低击穿电压特性,提高电路的稳定性与可靠性。
进一步地,差分转单端及供电网络包括巴伦T1,巴伦T1初级线圈的同名端作为差分转单端及供电网络的第一输入端,巴伦T1初级线圈的中间抽头与接地电容C18连接,并作为差分转单端及供电网络的第二输入端,巴伦T1初级线圈的非同名端作为差分转单端及供电网络的第三输入端;巴伦T1次级线圈的非同名端接地,巴伦T1次级线圈的同名端与电容C19的一端连接,电容C19的一端分别与二极管D13的阴极以及二极管D14的阳极连接,并作为差分转单端及供电网络的输出端,二极管D13的阳极和二极管D14的阴极均接地。
上述进一步方案的有益效果是:本发明利用差分信号的特性,抑制对于高频寄生参数的敏感特性,同时提高了电路对于输出负载的抗失配特性。
附图说明
图1所示为本发明实施例提供的一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器原理框图。
图2所示为本发明实施例提供的一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器电路图。
具体实施方式
现在将参考附图来详细描述本发明的示例性实施方式。应当理解,附图中示出和描述的实施方式仅仅是示例性的,意在阐释本发明的原理和精神,而并非限制本发明的范围。
本发明实施例提供了一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器,如图1所示,包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络。
差分输入匹配供电网络的第一输入端和第二输入端共同作为宽带高线性度驱动放大器的射频输入端,其第一输出端与差分驱动放大网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分驱动放大网络的第二输入端连接,其第三输出端与差分驱动放大网络的第三输入端连接。
差分驱动放大网络的第一输出端与差分功率放大网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分功率放大网络的第二输入端连接。
差分功率放大网络的第一输出端与差分转单端及供电网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分转单端及供电网络的第二输入端连接,其第三输出端与差分转单端及供电网络的第三输入端连接。
差分转单端及供电网络的输出端为宽带高线性度驱动放大器的射频输出端。
如图2所示,差分输入匹配供电网络包括晶体管M1,晶体管M1的栅极分别与其漏极以及电阻R1的一端连接,并作为差分输入匹配供电网络的第二输出端,其源极与接地电阻R2连接,电阻R1的另一端分别与接地电容C4、二极管D5的阴极、二极管D6的阳极以及低压偏置电源Vg1连接,二极管D5的阳极和二极管D6的阴极均接地。
差分输入匹配供电网络还包括电容C1,电容C1的一端分别与二极管D1的阴极以及二极管D2的阳极连接,并作为差分输入匹配供电网络的第一输入端,二极管D1的阳极和二极管D2的阴极均接地,电容C1的另一端通过电感L1分别与电感L3的一端以及接地电容C3连接,电感L3的另一端作为差分输入匹配供电网络的第一输出端。
差分输入匹配供电网络还包括电容C2,电容C2的一端分别与二极管D3的阴极以及二极管D4的阳极连接,并作为差分输入匹配供电网络的第二输入端,二极管D3的阳极和二极管D4的阴极均接地,电容C2的另一端通过电感L2分别与电感L4的一端以及接地电容C5连接,电感L4的另一端作为差分输入匹配供电网络的第三输出端。
如图2所示,差分驱动放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M3和底层晶体管M2,以及按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M5和底层晶体管M4。
底层晶体管M2的源极接地,其栅极与电阻R4的一端连接,并作为差分驱动放大网络的第一输入端,底层晶体管M4的源极接地,其栅极与电阻R5的一端连接,并作为差分驱动放大网络的第三输入端,电阻R4的另一端分别与电阻R5的另一端以及电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端作为差分驱动放大网络的第二输入端。
顶层晶体管M3的栅极和顶层晶体管M5的栅极之间串联有电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R10,电阻R6和电阻R7的连接节点还与接地电容C6连接,电阻R7和电阻R8的连接节点还分别与接地电阻R9以及电阻R11的一端连接,电阻R8和电阻R10的连接节点还与接地电容C7连接。
顶层晶体管M3的漏极通过电感L5分别与电感L7的一端以及电感L9的一端连接,电感L9的另一端作为差分驱动放大网络的第一输出端,顶层晶体管M5的漏极通过电感L6分别与电感L8的一端以及电感L11的一端连接,电感L11的另一端作为差分驱动放大网络的第二输出端。
电感L7的另一端分别与电感L8的另一端、电阻R11的另一端、接地电容C8以及电感L10的一端连接,电感L10的另一端分别与接地电容C9、二极管D7的阴极、二极管D8的阳极以及高压偏置电源Vd1连接,二极管D7的阳极和二极管D8的阴极均接地。
如图2所示,差分功率放大网络包括晶体管M6,晶体管M6的栅极分别与其漏极、电阻R12的一端以及电阻R14的一端连接,其源极与接地电阻R13连接,电阻R12的另一端分别与接地电容C10、二极管D9的阴极、二极管D10的阳极以及低压偏置电源Vg2连接,二极管D9的阳极和二极管D10的阴极均接地。
电阻R14的另一端分别与电阻R15的一端以及电阻R16的一端连接,电阻R15的另一端分别与电容C12的一端以及晶体管M8的栅极连接,电容C12的另一端作为差分功率放大网络的第一输入端,晶体管M8的源极分别与电容C11的一端以及接地电感L12连接,其漏极分别与晶体管M7的漏极以及晶体管M11的源极连接,晶体管M7的栅极与电容C11的另一端连接,其源极接地,晶体管M11的栅极分别与电阻R17的一端以及接地电容C15连接,其漏极与电感L15的一端连接,电感L15的另一端作为差分功率放大网络的第一输出端。
电阻R16的另一端分别与电容C13的一端以及晶体管M9的栅极连接,电容C13的另一端作为差分功率放大网络的第二输入端,晶体管M9的源极分别与电容C14的一端以及接地电感L13连接,其漏极分别与晶体管M10的漏极以及晶体管M12的源极连接,晶体管M10的栅极与电容C14的另一端连接,其源极接地,晶体管M12的栅极分别与电阻R19的一端以及接地电容C16连接,其漏极与电感L16的一端连接,电感L16的另一端作为差分功率放大网络的第三输出端。
电阻R17的另一端分别与接地电阻R18、电阻R19的另一端以及电阻R20的一端连接,电阻R20的另一端与电感L14的一端连接,并作为差分功率放大网络的第二输出端,电感L14的另一端分别与接地电容C17、二极管D11的阴极、二极管D12的阳极以及高压偏置电源Vd2连接,二极管D11的阳极和二极管D12的阴极均接地。
如图2所示,差分转单端及供电网络包括巴伦T1,巴伦T1初级线圈的同名端作为差分转单端及供电网络的第一输入端,巴伦T1初级线圈的中间抽头与接地电容C18连接,并作为差分转单端及供电网络的第二输入端,巴伦T1初级线圈的非同名端作为差分转单端及供电网络的第三输入端。
巴伦T1次级线圈的非同名端接地,巴伦T1次级线圈的同名端与电容C19的一端连接,电容C19的一端分别与二极管D13的阴极以及二极管D14的阳极连接,并作为差分转单端及供电网络的输出端,二极管D13的阳极和二极管D14的阴极均接地。
下面结合图2对本发明的具体工作原理及过程进行介绍:
射频输入信号通过差分信号输入端RFin1和RFin2进入电路,其中正向差分信号输入端RFin1通过隔直电容C1进入由电感L1、电容C3和电感L3构成的T型输入匹配网络进行阻抗变换,同时通过电阻R1至R4及晶体管M1和电容C4构成的温补栅极加电网络进行直流馈电后,进入晶体管M2-M3构成的堆叠放大器进行信号放大,经过放大的正向差分射频信号进入由电感L5、L7和L9构成的T型输入匹配网络进行阻抗变换,同时利用馈电电感L10和旁路电容C8进行直流馈电,正向差分射频信号通过隔直电容C12进入差分功率放大网络的差分正向放大链路,接着进入晶体管M7、M8、M11等构成的达林顿堆叠放大器进行信号放大,其中晶体管M7、M8及电感L12及电容C11构成达林顿放大管,同时此达林顿放大管与晶体管M11构成堆叠放大结构。射频负向差分输入信号通过输入端RFin2进入电路的放大原理与正向信号类似。放大后的正向和负向差分射频信号分别通过匹配电感L15和L16后进入差分输出转单端供电网络进行差分信号到单端信号的转换,最后从单端输出端RFout输出;二极管D1至D14用于实现电路的ESD保护功能,可以根据电路实际应用需求适当增加正偏二极管的串联个数适当提高ESD保护能力。
本领域的普通技术人员将会意识到,这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理,应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合,这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种5G系统的宽带高线性度驱动放大器,其特征在于,包括依次连接的差分输入匹配供电网络、差分驱动放大网络、差分功率放大网络和差分转单端及供电网络;
所述差分输入匹配供电网络的第一输入端和第二输入端共同作为宽带高线性度驱动放大器的射频输入端,其第一输出端与差分驱动放大网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分驱动放大网络的第二输入端连接,其第三输出端与差分驱动放大网络的第三输入端连接;
所述差分驱动放大网络的第一输出端与差分功率放大网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分功率放大网络的第二输入端连接;
所述差分功率放大网络的第一输出端与差分转单端及供电网络的第一输入端连接,其第二输出端与差分转单端及供电网络的第二输入端连接,其第三输出端与差分转单端及供电网络的第三输入端连接;
所述差分转单端及供电网络的输出端为宽带高线性度驱动放大器的射频输出端;
所述差分输入匹配供电网络包括晶体管M1,所述晶体管M1的栅极分别与其漏极以及电阻R1的一端连接,并作为差分输入匹配供电网络的第二输出端,其源极与接地电阻R2连接,所述电阻R1的另一端分别与接地电容C4、二极管D5的阴极、二极管D6的阳极以及低压偏置电源Vg1连接,所述二极管D5的阳极和二极管D6的阴极均接地;
所述差分输入匹配供电网络还包括电容C1,所述电容C1的一端分别与二极管D1的阴极以及二极管D2的阳极连接,并作为差分输入匹配供电网络的第一输入端,所述二极管D1的阳极和二极管D2的阴极均接地,所述电容C1的另一端通过电感L1分别与电感L3的一端以及接地电容C3连接,所述电感L3的另一端作为差分输入匹配供电网络的第一输出端;
所述差分输入匹配供电网络还包括电容C2,所述电容C2的一端分别与二极管D3的阴极以及二极管D4的阳极连接,并作为差分输入匹配供电网络的第二输入端,所述二极管D3的阳极和二极管D4的阴极均接地,所述电容C2的另一端通过电感L2分别与电感L4的一端以及接地电容C5连接,所述电感L4的另一端作为差分输入匹配供电网络的第三输出端。
2.根据权利要求1所述的宽带高线性度驱动放大器,其特征在于,所述差分驱动放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M3和底层晶体管M2,以及按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M5和底层晶体管M4;
所述底层晶体管M2的源极接地,其栅极与电阻R4的一端连接,并作为差分驱动放大网络的第一输入端,所述底层晶体管M4的源极接地,其栅极与电阻R5的一端连接,并作为差分驱动放大网络的第三输入端,所述电阻R4的另一端分别与电阻R5的另一端以及电阻R3的一端连接,所述电阻R3的另一端作为差分驱动放大网络的第二输入端;
所述顶层晶体管M3的栅极和顶层晶体管M5的栅极之间串联有电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R10,所述电阻R6和电阻R7的连接节点还与接地电容C6连接,所述电阻R7和电阻R8的连接节点还分别与接地电阻R9以及电阻R11的一端连接,所述电阻R8和电阻R10的连接节点还与接地电容C7连接;
所述顶层晶体管M3的漏极通过电感L5分别与电感L7的一端以及电感L9的一端连接,所述电感L9的另一端作为差分驱动放大网络的第一输出端,所述顶层晶体管M5的漏极通过电感L6分别与电感L8的一端以及电感L11的一端连接,所述电感L11的另一端作为差分驱动放大网络的第二输出端;
所述电感L7的另一端分别与电感L8的另一端、电阻R11的另一端、接地电容C8以及电感L10的一端连接,所述电感L10的另一端分别与接地电容C9、二极管D7的阴极、二极管D8的阳极以及高压偏置电源Vd1连接,所述二极管D7的阳极和二极管D8的阴极均接地。
3.根据权利要求1所述的宽带高线性度驱动放大器,其特征在于,所述差分功率放大网络包括晶体管M6,所述晶体管M6的栅极分别与其漏极、电阻R12的一端以及电阻R14的一端连接,其源极与接地电阻R13连接,所述电阻R12的另一端分别与接地电容C10、二极管D9的阴极、二极管D10的阳极以及低压偏置电源Vg2连接,所述二极管D9的阳极和二极管D10的阴极均接地;
所述电阻R14的另一端分别与电阻R15的一端以及电阻R16的一端连接,所述电阻R15的另一端分别与电容C12的一端以及晶体管M8的栅极连接,所述电容C12的另一端作为差分功率放大网络的第一输入端,所述晶体管M8的源极分别与电容C11的一端以及接地电感L12连接,其漏极分别与晶体管M7的漏极以及晶体管M11的源极连接,所述晶体管M7的栅极与电容C11的另一端连接,其源极接地,所述晶体管M11的栅极分别与电阻R17的一端以及接地电容C15连接,其漏极与电感L15的一端连接,所述电感L15的另一端作为差分功率放大网络的第一输出端;
所述电阻R16的另一端分别与电容C13的一端以及晶体管M9的栅极连接,所述电容C13的另一端作为差分功率放大网络的第二输入端,所述晶体管M9的源极分别与电容C14的一端以及接地电感L13连接,其漏极分别与晶体管M10的漏极以及晶体管M12的源极连接,所述晶体管M10的栅极与电容C14的另一端连接,其源极接地,所述晶体管M12的栅极分别与电阻R19的一端以及接地电容C16连接,其漏极与电感L16的一端连接,所述电感L16的另一端作为差分功率放大网络的第三输出端;
所述电阻R17的另一端分别与接地电阻R18、电阻R19的另一端以及电阻R20的一端连接,所述电阻R20的另一端与电感L14的一端连接,并作为差分功率放大网络的第二输出端,所述电感L14的另一端分别与接地电容C17、二极管D11的阴极、二极管D12的阳极以及高压偏置电源Vd2连接,所述二极管D11的阳极和二极管D12的阴极均接地。
4.根据权利要求1所述的宽带高线性度驱动放大器,其特征在于,所述差分转单端及供电网络包括巴伦T1,所述巴伦T1初级线圈的同名端作为差分转单端及供电网络的第一输入端,所述巴伦T1初级线圈的中间抽头与接地电容C18连接,并作为差分转单端及供电网络的第二输入端,所述巴伦T1初级线圈的非同名端作为差分转单端及供电网络的第三输入端;
所述巴伦T1次级线圈的非同名端接地,所述巴伦T1次级线圈的同名端与电容C19的一端连接,所述电容C19的一端分别与二极管D13的阴极以及二极管D14的阳极连接,并作为差分转单端及供电网络的输出端,所述二极管D13的阳极和二极管D14的阴极均接地。
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